「Volatile memory」を含む例文一覧(2819)
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メモリセルＭＣは、ＤＲＡＭデータ（揮発性データ）およびＦｅＲＡＭデータ（不揮発性データ）という２つの独立したデータを記憶することができる。 - 特許庁 - To provide a PMOS transistor non-volatile semiconductor memory improving the injection efficiency of a hot electron to a charge storage layer.
電荷蓄積層に対するホットエレクトロンの注入効率を向上させるＰＭＯＳトランジスタ型の不揮発性半導体メモリを提供する。 - 特許庁 - During a transaction, a page affected thereby is copied to a work space of a volatile memory or the like from a database file, and is changed there.
トランザクション中、その影響を受けるページは、データベース・ファイルから揮発性メモリなどの作業空間にコピーされ、そこで変更される。 - 特許庁 - A semiconductor non-volatile memory device includes a substrate S, a first electrode 2, a function film 10, and second electrodes 50.
実施形態の半導体不揮発性記憶装置は、基体Ｓと、第１の電極２と、機能膜１０と、第２の電極５０と、を持つ。 - 特許庁 - To expand a nitride film's area in a non-volatile memory device having a SONOS structure (silicon-oxide-nitride-oxide-silicon).
ＳＯＮＯＳ（シリコン−酸化物−窒化物−酸化物−シリコン）構造を有する不揮発性メモリデバイスにおいて、窒化膜の面積を広くすること - 特許庁 - To improve operation reliability of a non-volatile memory element by raising integration degree and simplifying forming process of a common source line.
不揮発性メモリ素子において、素子の集積度を高め、共通ソースラインの形成工程を単純化し、動作信頼性を向上させる。 - 特許庁 - To prevent equipment from being shipped in a state that control data of abnormal values are set up in a non-volatile memory.
機器が出荷される際、不揮発性メモリに異常な値の制御データが設定されたまま出荷されるのを防ぐことを目的とする。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory device with which useless write cycles is eliminated and the write time is shortened.
無駄な書込みサイクルを無くし、書込み時間を短縮した不揮発性半導体記憶装置及びプログラムベリファイ方法を提供する。 - 特許庁 - To simplify data erasing processing of a non-volatile memory for backup wherein journal data which can be erased in the unit of blocks is stored.
ブロック単位でデータの消去が可能でありジャーナルデータを記憶するバックアップ用の不揮発性メモリのデータ消去処理を簡略化する。 - 特許庁 - An electric power connection unit connects a power supply to a main device, and a volatile memory stores operation information for operating a device body.
電源接続部は、電源を本体機器と接続し、揮発性メモリには、機器本体を作動させるための作動情報が格納する。 - 特許庁 - A control program and a control data of an engine 10 are recorded in a non-volatile flash memory which can be rewritten in the ECU 20.
エンジン１０の制御プログラムおよび制御データはＥＣＵ２０内の書き換え可能で不揮発性のフラッシュメモリに記録されている。 - 特許庁 - To avoid a mis-operation of a rewriting program by transferring a rewriting program to a volatile memory of an electric power steering control device.
電動パワーステアリング制御装置の揮発性メモリに書換プログラムを転送することにより、書換プログラムの誤作動を回避する。 - 特許庁 - To prevent loss or illegality at the write of user data in a portable terminal in which user data are stored in a non-volatile memory.
ユーザデータを不揮発性メモリへ格納する構成の携帯端末において、ユーザデータの書き込み時の消失や不正化を防止する。 - 特許庁 - The authentication information storage device 10 for storing the authentication information to be used in authentication processing with an authentication destination 20 comprises a volatile memory 12 for storing the authentication information, a power source part 14 for supplying power to the volatile memory 12, and a control logic 11 for reading the authentication information from the volatile memory 12 and performing the authentication processing with the authentication destination 20 using the authentication information.
認証先２０との認証処理に用いる認証情報を記憶する認証情報記憶装置１０であって、認証情報を記憶する揮発性メモリ１２と、揮発性メモリ１２に電源を供給する電源部１４と、揮発性メモリ１２から認証情報を読み出して、その認証情報を用いて認証先２０との認証処理を行う制御ロジック１１とを備える。 - 特許庁 - In a control method of a memory system 10 having a non-volatile memory 11 that is executed by a program 3 according to an embodiment, an unused memory area is acquired from an operating system 2 installed in an information processing apparatus 1 having a memory system to prohibit other programs from using the unused memory area, and an address of the unused memory area is acquired.
実施形態のプログラム３により実行される不揮発性メモリ１１を備えたメモリシステム１０の制御方法は、メモリシステムを備えた情報処理装置１に搭載されたオペレーティングシステム２から未使用記憶領域を取得し、未使用記憶領域の他のプログラムによる利用を禁止し、未使用記憶領域のアドレスを取得する。 - 特許庁 - To provide a disk device 1 which includes a capacitor Cs supplying power at power failure, stores data in a nonvolatile memory 14 via a volatile memory 15, and stores the data stored in the volatile memory 15 to the nonvolatile memory 14 at power failure, while accurately measuring capacity of the capacitor Cs and to reliably determine service life of the capacitor Cs.
電源遮断時に電源を供給できるキャパシタＣｓを備え、揮発性メモリ１５を経由して不揮発性メモリ１４にデータを格納し電源遮断時に揮発性メモリ１５に格納されたデータを不揮発性メモリ１４に格納できるディスク装置１において、キャパシタＣｓの容量を精度よく測定し、確実にキャパシタＣｓの寿命を判定できるようにする。 - 特許庁 - When display data of one page are read out of the volatile memory A, the comparing circuit B34 uses the (N+1)th line memory B32 and (N)th line memory B33 to decide whether images of all lines constituting the image represented with the display data are identical to one another, and stops the refreshing operation of the volatile memory A when an affirmative decision result is obtained.
比較回路Ｂ３４は、揮発性メモリＡから１ページ分の表示データが読み出されるとき、第Ｎ＋１ラインメモリＢ３２および第ＮラインメモリＢ３３を用いて、当該表示データで表される画像を構成する全てのラインの画像が相互に同一となるか否かを判定し、この結果が肯定的であれば揮発性メモリＡのリフレッシュ動作を停止させる。 - 特許庁 - To provide an information processing apparatus preventing shortening of a service life of a nonvolatile memory by suppressing writing in the nonvolatile memory to maintain performance equivalent to writing in a volatile memory during execution of an application program.
不揮発性メモリへの書き込みを抑制して、アプリケーションプログラムの実行時は揮発性メモリへの書き込みと同等のパフォーマンスを維持し、不揮発性メモリの寿命の短縮を防ぐようにした情報処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide structure of a non-volatile memory TEG in which all memory cells in TEG can be simultaneously operated excluding a memory cell in which a current between a source and a drain is made to flow in the reverse direction when voltage is applied to each TEG electrode.
各ＴＥＧ電極に電圧を印加した時にソース・ドレイン間電流が逆方向に導通するメモリセルを除いてＴＥＧ内の全メモリセルを同時に動作可能な不揮発性メモリＴＥＧの構造を提供する。 - 特許庁 - The built-in system includes: a first nonvolatile memory (a flash ROM 112) storing the firmware; a second nonvolatile memory (an EEPROM 12) storing a logical expression; a volatile memory (a RAM 113); and a processor 111 connected to them.
ファームウェアを記憶する第１の不揮発性メモリ（フラッシュＲＯＭ１１２）と、論理式を記憶する第２の不揮発性メモリ（ＥＥＰＲＯＭ１２）と、揮発性メモリ（ＲＡＭ１１３）と、これらに接続されたプロセッサ１１１とを備える。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory in which stress applied to a memory cell can be reduced, when an erasure range to be erased simultaneously is small or when voltage drop between a boosting circuit and the memory cell is small.
一度に消去する消去範囲が小さい場合や、昇圧回路とメモリセルとの間の電圧降下が小さい場合において、メモリセルにかかるストレスを低減し得る不揮発性半導体記憶装置を提供することにある。 - 特許庁 - A non-volatile semiconductor memory is constituted of a plurality of memory cell strings connected to a plurality of bit lines and comprising a plurality of memory cell transistors of which gates are connected to a plurality of word lines, and a plurality of registers corresponding to bit lines.
不揮発性半導体メモリ装置は、複数のビットラインに連結され、ゲートが複数のワードラインに連結された複数のメモリセルトランジスタを含む複数のメモリセルストリングと、ビットラインに対応する複数のレジスタとで構成される。 - 特許庁 - On the basis of the decision, the broadcast processing section 33 determines the capacity size of a buffer memory to be used for the processing operations, and after the determination, a buffer memory region having the capacity size is secured on an external volatile semiconductor memory device 13.
この判断に基づき、送処理部３３は処理動作に使用するバッファメモリの容量サイズを決定して、その決定の後、外部揮発性半導体記憶装置１３に容量サイズのバッファメモリの領域を確保する。 - 特許庁 - A data holding characteristic is improved by using a silicon nitride film of which Si-H coupling density is ≤1×10^19 cm^-3 as a charge accumulation layer 4 of a non-volatile memory such as an MNOS memory or an MONOS memory.
ＭＮＯＳメモリまたはＭＯＮＯＳメモリ等の不揮発性メモリの電荷蓄積層４としてＳｉ−Ｈ結合密度が１×１０^１９ｃｍ^−３以下の窒化珪素膜を用いることにより、データ保持特性の改善を図る。 - 特許庁 - This memory device is provided with a dual port RAM 41 to which a whole control CPU 21 and a facsimile control CPU 31 can independently perform access and a memory control circuit 42 for controlling the reading/writing of data to a slave non-volatile memory 37.
全体制御ＣＰＵ２１とファクシミリ制御ＣＰＵ３１とがそれぞれ独立にアクセス可能なデュアルポートラム４１と、配下の不揮発性メモリ３７に対するデータの読み書きを制御するメモリ制御回路４２とを設ける。 - 特許庁 - To provide a technique capable of eliminating trouble which may occur in memory internal processing as well as command processing in the case of a contention between memory internal processing and command input from the outside, in a non-volatile memory.
不揮発性メモリにおいて、メモリ内部処理と外部からのコマンド入力が競合した場合に、メモリ内部処理又はコマンド処理のいずれの処理において生じ得る不具合を解消することができる技術を提供する。 - 特許庁 - When the volatile memory 1 is restored from a standby state to a normal operation state, an error detection/correction part 8 detects an error by using the volatile memory 1 as an object, and transmits an error detection result to the whole control part 9, and the whole control part 9 stores the error detection result.
揮発性メモリ１が待機時から通常動作時に復帰したときは、誤り検出／訂正部８は、揮発性メモリ１を対象として誤りを検出し、誤り検出結果を全体制御部９に送り、全体制御部９は誤り検出結果を保存する。 - 特許庁 - The difference of optical path length between the imaging device for photography 67 and the imaging device for display 61 is stored in a non-volatile memory 88, and is corrected by a B μcom 80 and an L μcom 15 based on output from the non-volatile memory 88 after the focusing is performed.
撮影用撮像素子６７と表示用撮像素子６１光路長差は不揮発性メモリ８８に記憶されており、上記焦点調節が行われた後に、不揮発性メモリ８８の出力に基づいて上記光路長の差がＢμｃｏｍ８０及びＬμｃｏｍ１５で補正される。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory device which can store information by accumulating charges in a charge accumulation layer consisting of an insulation layer in order to assure dielectric strength between a source and a drain even when the effective channel length is short and also provide a method of manufacturing the same non-volatile semiconductor memory device.
絶縁層よりなる電荷蓄積層に電荷を蓄積することにより情報を記憶する不揮発性半導体記憶装置において、実効的なチャネル長が短くてもソース−ドレイン間の耐圧を確保しうる不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - A key set (a set of a key and its positional information) is sorted by positional information (e.g. positional number of column) for each released apparatus, the sorted positional information, the key are paired and encryption is performed for every pair, and then the encrypted pairs are stored in a storage section (Non-Volatile Memory) in the order of the sorted positional information.
リリースされた機器毎に鍵セット（鍵とその位置情報の集合体）を位置情報（例えばColumnの位置番号）でソートし、そのソートされた位置情報と鍵をペアとしてそのペア毎に暗号化を行い、そのソートされた位置情報の順番で暗号化されたペアを記憶部（Non-Volatile Memory）に格納する。 - 特許庁 - The controller 3 is provided with a data storage part 37 in which a program for communication for the communication device 4 is stored beforehand in a nonvolatile state, and a data movement control part 34 which moves the program for communication from the data storage part 37 to the volatile memory 7 so that the program is executed on the volatile memory.
制御器３は、通信器４の通信用プログラムが予め不揮発状態に格納されているデータ格納部３７と、通信用プログラムを、データ格納部３７から揮発性メモリ７に移動させて揮発性メモリ上で実行させるデータ移動制御部３４とを備える。 - 特許庁 - A toner cartridge 301 allowed to be installed to a plurality of recording devices is provided with a non-volatile memory 311 and the serial numbers of the recording devices to which the toner cartridge 301 is installed and information concerned with the consumption of toner by respective recording devices are stored in the non-volatile memory 311.
複数の記録装置に装着可能なトナーカートリッジ３０１に不揮発性メモリ３１１を備え、その不揮発性メモリ３１１に、トナーカートリッジ３０１を装着する複数の記録装置のシリアルナンバーと、それぞれの記録装置によるトナーの消費量に関する情報を記憶させる。 - 特許庁 - To provide a navigation system for an automobile for previously storing map data which indicates a map including the present location of the automobile, in a volatile memory in order to speedily display the map when a key switch for starting the motor of the automobile is turned on by means of effectively using the volatile memory.
揮発性メモリを有効に活用することで、自動車の原動機始動用キースイッチのオンに伴い速やかに当該自動車の現在位置を含む地図の表示を可能とするため、当該地図を表す地図データを前もって揮発性メモリに格納する自動車用ナビゲーションシステムを提供する。 - 特許庁 - The driving device 600 is provided with an ignitor 750 which impresses a starting pulse for starting a discharge lamp 500, a non-volatile memory 788 which stores data, and a history record part 820 which records the operation history which the ignitor 750 has impressed the starting pulse in a non-volatile memory 788.
駆動装置６００は、放電灯５００を始動させる始動パルスを印加するイグナイター７５０と、データを記憶する不揮発性メモリー７８８と、イグナイター７５０が始動パルスを印加した稼動履歴を、不揮発性メモリー７８８に記録する履歴記録部８２０とを備える。 - 特許庁 - The page mode write-in means is provided with one latch per one column of a non-volatile memory array, and a control logic circuit outputting a row selecting signal in accordance with contents of the temporary storage device at a stage at which a column of the non-volatile memory array is written, in order to storing page selection information elements.
ページモード書込み手段は、ページ選択情報要素を記憶するために不揮発性メモリアレイ１列当たり１つのラッチ及び不揮発性メモリアレイの列を書込む段階で一時記憶装置の内容に応じて行選択信号を出力する制御論理回路を備える。 - 特許庁 - Then, at least one of the first non-volatile memory 111 and the second non-volatile memory 153 is provided with writing forbidden ranges 112 and 154, forbidding overwriting of information to the existing information, and writing possible ranges 113 and 155, to which information can be written.
そして、第１不揮発性メモリ１１１及び第２不揮発性メモリ１５３の少なくとも１つは、既存の情報に対する情報の書換えを禁止する書込み禁止領域１１２、１５４と、情報の書込みが可能な書込み可能領域１１３、１５５と、を有する。 - 特許庁 - When the data are written in the non-volatile memory 2, the control part 11 specifies data to be written in the same block from the data written in the data region on the basis of the ID registered in the ID region, and collectively writes the specified data in the non-volatile memory 2.
不揮発性メモリ２にデータを書き込むとき、制御部１１は、ＩＤ領域に登録されたＩＤに基づいて、データ領域に書き込まれたデータから同一のブロックに書き込まれるデータを特定し、このとき特定されたデータを不揮発性メモリ２に一括して書き込む。 - 特許庁 - Thus, when this control data is preferentially stored in the volatile memory, even before finishing storage of the whole control data group, the possibility of storing its control data in the volatile memory is enhanced when the control data using timing arrives.
そのため、この制御用データを優先的に揮発性メモリに記憶させるようにすれば、制御用データ群全体の記憶が終了する前でも、制御用データを使用するタイミングが到来した際にその制御用データが揮発性メモリに記憶されている可能性が高くなる。 - 特許庁 - In this case, when the program in the volatile memory 3 is held by a backup power source 7 and the casing of equipment is opened, a gap between contacts (a) and (b) of a switch SW is opened at a casing open detecting part 8 and no power is supplied from the backup power source 7 to volatile memory 3.
ここで、揮発性メモリ３のプログラムがバックアップ電源７により保持されている場合、装置の筐体が開けられると筐体開放検出部８ではスイッチＳＷの接点ａ，ｂ間が開放され、揮発性メモリ３にはバックアップ電源７から電源が供給されなくなる。 - 特許庁 - When it is possible to perform the exchange between the upper bit and the lower bit to all the bits of the inputted address signal even if endian of the non-volatile memory and endian of an access subject thereof differ, address allocation directions to a data area are equalized in both of the non-volatile memory and the access subject.
不揮発性メモリのエンディアンとそのアクセス主体のエンディアンとが相違しても、入力アドレス信号の全ビットに対し上位と下位の入れ換えを行えれば、不揮発性メモリとそのアクセス主体との双方でデータ領域に対するアドレス割り当て方向が等しくなる。 - 特許庁 - It writes in a non-volatile memory a flag which is set ON when determining that power supply to the volatile memory is stabilized after starting an engine and which is set OFF when the drive of the maximum lift amount changing mechanism 100 is stopped along with the stop of the engine.
また、機関始動が開始された後に揮発性メモリに対する電源供給が安定したと判定されることにより「ＯＮ」に設定され、機関停止に伴って最大リフト量変更機構１００の駆動が停止されることにより「ＯＦＦ」に設定されるフラグを不揮発性メモリに書き込む。 - 特許庁 - To activate the drive control program of a drive unit by the power OFF/ON of a numerical controller only with an inexpensive volatile memory RAM without using a nonvolatile memory FLASH memory operated as a drive control program storage area and also execution memory for the hardware of the drive unit.
ドライブユニットのハードウェアに駆動制御プログラム格納エリアかつ実行メモリとして動作する不揮発性メモリＦＬＡＳＨメモリを用いることなくコスト的に安価な揮発性メモリＲＡＭのみで、数値制御装置の電源ＯＦＦ／ＯＮでドライブユニットの駆動制御プログラムを起動させる。 - 特許庁 - A first memory circuit 15 is provided in a connector part for connection to a light source device 3, and the first memory circuit 15 is composed of a non-volatile memory 16 for storing data and a CPU 17 for controlling read/write data to the memory 16 and controlling transmission/receiving of data to a processor 5.
光源装置３と接続するためのコネクタ部内には第１の記憶回路１５が設けられ、第１の記憶回路１５は、データを記憶するする不揮発性のメモリ１６と、メモリ１６ヘのデータ読出し／書込み制御及びプロセッサ５とのデータの送受を制御するＣＰＵ１７とから成る。 - 特許庁 - To provide an electronic apparatus provided with a nonvolatile memory capable of rewriting information such as a program even when trouble such as power shut-down of the electronic apparatus is caused during the rewriting of the program or data on the nonvolatile memory such as a flash memory to break down the program on the non-volatile memory.
フラッシュメモリ等の不揮発性メモリ上のプログラムやデータを書換えている最中に電子機器の電源断等のトラブルが発生し、不揮発性メモリ上のプログラムが破壊されても、再度プログラム等の情報の書込みを行うことができる、不揮発性メモリを備えた電子機器を提供すること。 - 特許庁 - The mobile communication terminal device 1 stores the received right UIM permission list into the non-volatile memory and collates the UIM card 2 again.
携帯通信端末装置１は、受信した正しいＵＩＭ許可リストを不揮発メモリに保存し、再度、ＵＩＭカード２の照合を実施する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory device which can shorten the write time and the verify time and can deal with octal level, and the data write method thereof.
書き込み、ベリファイ時間を短縮できる８値対応の不揮発性半導体記憶装置およびそのデータ書き込み方法を提供する。 - 特許庁 - When the fingerprint data are valid as the result of collation, a transmission processing part 17 transmits the storage data in the non-volatile memory 14 to an IC holder 20.
照合の結果、正当である場合は、送信処理部１７が、不揮発性メモリ１４内の格納データをＩＣホルダ２０に送信する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory device which is improved in reliability protecting data against damage caused by a charge movement from one floating gate to another.
浮遊ゲート間の電荷移動によるデータ破壊を防止して信頼性向上を図った不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To rewrite the whole part or a part of an application program in a non-volatile memory even after a microcomputer is mounted on a disk drive device.
ディスクドライブ装置にマイクロコンピュータが実装された後も、不揮発性メモリ内のアプリケーションプログラムの全部又は一部を書き換え可能にする。 - 特許庁 - The CPU 1 selects an image to be added, from images already read into a non-volatile memory 6, on the basis of the acquired personal information (step S2).
ＣＰＵ１は、取得した個人情報に基づき付加する画像を非揮発性メモリ６に読み込まれているものから選択する（ステップＳ２）。 - 特許庁
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