「Volatile memory」を含む例文一覧(2819)
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通話路部１への通話路制御データは制御線４より通話路制御メモリ１２に書き込まれ、同時に不揮発性メモリ１４にも同じ内容を書き込む。 - 特許庁 - This integrated circuit drives a plurality of first memory blocks (MBLK0-MBLKk), a second memory block (RBLK), and the above second memory block instead of the first memory block which has defects, and has a non-volatile memory which includes logic circuits (MDD0-MDDk, RDD) to suppress the operation of the defective first memory.
複数の第１のメモリブロック（ＭＢＬＫ０〜ＭＢＬＫｋ）と、第２のメモリブロック（ＲＢＬＫ）と、欠陥を有する第１のメモリブロックに代えて前記第２のメモリブロックを動作させ、欠陥を有する第１のメモリブロックの動作を抑止する論理回路（ＭＤＤ０〜ＭＤＤｋ，ＲＤＤ）とを含む不揮発性メモリを有する。 - 特許庁 - Temperature is monitored by a Seebeck element 25 disposed right beneath the non-volatile memory 22 for feedback control, and while keeping temperature at a high level by applying voltage on a Peltier element disposed close to the non-volatile memory 22, a gate oxide film 22e is formed thick.
一方、不揮発性メモリ２２直下に配置したゼーベック素子２５で温度を監視しフィードバック制御して、不揮発性メモリ２２近傍に配置したペルチェ素子に電圧を印加して、温度を高温に保持しつつ、ゲート酸化膜２２ｅを厚く形成する。 - 特許庁 - To obtain a power supply backup circuit for backing up a volatile memory circuit (RAM) at the time of turn off power in which voltage loss in a reverse current preventing circuit is reduced at the time of charging the volatile memory circuit through the reverse current preventing circuit or during normal operation.
電源オフ時に揮発性記憶回路（ＲＡＭ）をバックアップする電源バックアップ回路において、逆流防止回路を介して揮発性記憶回路の充電時または通常動作時に逆流防止回路での電圧ロスを少なくする。 - 特許庁 - To provide a control system for an internal combustion engine capable of inhibiting quantity of state of an engine from being set to a wrong value caused by change of data stored in volatile memory after recovery from instantaneous shut off of electricity supply to the volatile memory.
揮発性メモリに対する給電が瞬断から復帰した後に、揮発性メモリに記憶されたデータの変化に起因して、機関状態量が誤った値に設定されることを抑制することのできる内燃機関の制御システムを提供する。 - 特許庁 - The image forming apparatus is provided with an apparatus unit provided with a first non-volatile memory retaining recognition information and an image forming apparatus body provided with a second volatile memory retaining a plurality of second recognition information and a plurality of control information.
この発明の画像形成装置は、認識情報を保持する第１不揮発性メモリを有する装置ユニットと、複数の第２認識情報と複数の制御情報とを保持する第２不揮発性メモリを有する画像形成装置本体とを備える。 - 特許庁 - The write-protection control circuit receives an input of an address specifying a given area of the volatile memory, and generates a write-protection flag signal indicating whether the input address is an address corresponding to a write-protected area of the volatile memory or not.
書き込み防止制御回路は揮発性メモリの所定の領域を指定するアドレスが入力され、入力されたアドレスが揮発性メモリの書き込み防止領域に対応するアドレスであるか否かを示す書き込み防止フラッグ信号を発生する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory device in which each bank can be externally controlled and to provide a semiconductor disk device in which the next write operation can be performed directly to a bank being made a ready state of a non-volatile semiconductor memory.
それぞれのバンクを外部から独立に制御可能な不揮発性半導体記憶装置、および、不揮発性半導体記憶装置のレディー状態になったバンクに直ちに次の書込みを行うことが可能な半導体ディスク装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a transmission control device having no trouble in an engagement request when writing a learning value from a non-volatile memory into a volatile memory for correcting a hydraulic pressure command value during the engagement of a friction engaging element in hydraulic control of a transmission.
変速機の油圧制御において摩擦係合要素を係合させるときの油圧指令値を補正するための学習値が不揮発性メモリから揮発性メモリに書き込まれているときに係合要求が生じても不具合を発生させない。 - 特許庁 - The battery equipment has a resistor R which supplies a necessary current for holding data stored in the volatile memory from the battery body 5 to the load 2 even when the switch S which connects the load 2 with the volatile memory to the battery body 5 is cut off.
揮発性メモリを備えた負荷２と電池本体５とを接続するスイッチＳが遮断された場合でも、揮発性メモリに記憶されているデータの保持に必要な電流を電池本体５から負荷２へ供給する抵抗Ｒを備えた。 - 特許庁 - It is determined whether or not abnormality is generated on the non-volatile memory 20 to which writing can be added by comparison of a diagonal code stored in it with a storage content of the non-volatile memory 14 for storing a plurality of kinds of diagonal code as a diagonal table.
追記可能な不揮発性メモリ２０に異常が発生しているか否かは、ここに記憶されたダイアグコードと、複数種類のダイアグコードをダイアグテーブルとして記憶している不揮発性メモリ１４の記憶内容との対比により判定される。 - 特許庁 - Corresponding to this image processing circuit, a non-volatile memory is provided for storing the circuit configuration information transferred to this image processing circuit and the circuit configuration information stored in this non- volatile memory is directly supplied to the image processing circuit as needed.
この画像処理回路に対応して、該画像処理回路に転送される回路構成情報を記憶する不揮発性メモリを設け、該不揮発性メモリに記憶された回路構成情報を必要に応じて画像処理回路へ直接に供給する。 - 特許庁 - A digital radio receiver is provided with a control means 3 for storing received information in a non-volatile memory 1, and the control means is provided with a function of updating information stored in the non-volatile memory 1 with newly received information.
デジタルラジオ受信機は、受信した情報を不揮発性メモリ１に格納する制御手段３を具え、該制御手段３は、先に不揮発性メモリ１に格納された情報を新たに受信した情報に更新する機能を具えている。 - 特許庁 - In this sensor, an output reference signal of the detecting means 6 is stored in a volatile memory 8 or a non-volatile memory 9, and an output signal value is updated when the output reference signal value is changed by the the lapse of time and the temperature change.
検出手段６の出力基準信号を揮発性メモリ８または不揮発性メモリ９に記憶させ、経時および温度変化がによる出力信号値の基準変化がある場合にその出力信号値を更新させる舵角センサである。 - 特許庁 - Besides a program storing memory 2 which is a nonvolatile memory and stores the operation control processing program, a program execution memory 3 which is a volatile memory 3 is provided to carry out the operation control processing program, and the program execution memory 3 is constantly verified and checked to prevent illegal data in it.
運転制御処理のプログラムを格納した不揮発メモリであるプログラム格納メモリ２とは別に、運転制御処理のプログラムを実行するための揮発メモリであるプログラム実行メモリ３を設け、プログラム実行メモリ３のデータ化けを防止するためのベリファイチェックを常時行う。 - 特許庁 - When the control unit of the main memory determines that the main memory has reached the end of its service life, the host control unit stores the backup target information in a non-volatile auxiliary memory different from the main memory, and reads out the backup target information from the auxiliary memory for performing processing to start the system.
ホスト制御部は、メインメモリが寿命を迎えたと制御部によって判断された際、メインメモリとは異なる不揮発性の補助メモリにバックアップ対象情報を格納し、システムの起動に係る処理を行う際には補助メモリからバックアップ対象情報を読み出す。 - 特許庁 - A memory cell array of the non-volatile semiconductor memory comprises memory cells 1 arranged in two-dimensional matrices, a plurality of memory word lines 2 which are arranged in rows and are connected to the gates of the memory cells 1, main bit lines 6 arranged in columns, and sub-bit lines 3, and source lines 11.
不揮発性半導体記憶装置のメモリセルアレイは、２次元の行列状に配置されたメモリセル１と、行方向に配置され、メモリセル１のゲートに接続された複数のメモリワード線２と、列方向に配置された主ビット線６，副ビット線３及びソース線１１とを備える。 - 特許庁 - To provide a device and a method for controlling a flash memory for updating flash memory control information stored in a predetermined volatile memory every time when the type of the flash memory is changed and using the updated control information to control the changed flash memory.
フラッシュメモリを制御する装置および方法に関し、所定の揮発性メモリに格納されたフラッシュメモリの制御情報をフラッシュメモリの種類が変わる毎に更新し、更新された制御情報を用いて変更されたフラッシュメモリを制御するフラッシュメモリを制御する装置および方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an imaging apparatus enhancing the reliability of storage of image data in a volatile built-in memory and improving the convenience by recording and storing image data in both the volatile built-in memory and an external recording medium and by recording and storing the image data to the volatile built-in memory if the external recording medium cannot record and store the image data.
揮発性の内蔵メモリと外部記録媒体との双方に画像データを記録保存できるようにして外部記録媒体に画像データを記録保存しておくことができない場合に内蔵メモリに画像データを記録保存しておくことを可能にし、また、内蔵メモリでの画像データの保存の信頼性を向上させると共に利便性を向上させることができる撮像装置を提供する。 - 特許庁 - A non-volatile semiconductor memory has a memory cell array region in which a plurality of twin memory cells 100 having first and second MONOS memory cells 108A, 108B controlled by a word gate and a control gate are arranged respectively in the first direction A and the second direction B.
不揮発性半導体記憶装置は、ワードゲートとコントロールゲートにより制御される第１，第２のＭＯＮＯＳメモリセル108A，108Bを有するツインメモリセル100を、第１，第２の方向Ａ，Ｂにそれぞれ複数配列してなるメモリセルアレイ領域を有する。 - 特許庁 - This flash memory is provided with memory cell arrays MA, MB including a non-volatile memory cell, multi-level flag sections 15A, 15B, and a CPU 16 for control controlling write-in, read-out, and erasion of data for a memory cell array and a multi-level flag section.
本発明の実施の形態によるフラッシュメモリは、不揮発性メモリセルを含むメモリセルアレイＭＡ、ＭＢと、多値フラグ部１５Ａ、１５Ｂと、メモリセルアレイおよび多値フラグ部に対するデータの書込み、読出し、消去を制御する制御用ＣＰＵ１６とを備える。 - 特許庁 - This memory is a non-volatile memory device having a normal memory cell region in which normal data is stored and an erasion information storing memory region in which information of whether a series of erasing operation is finished or not or information indicating a state of erasing operation is stored.
通常のデータを記憶する通常メモリセル領域と、一連の消去動作が完了したか否かの情報、または消去動作の状態を示す情報を記憶する消去情報記憶メモリ領域とを有する不揮発性メモリデバイスである。 - 特許庁 - The navigation system includes a data preserve means preserving predetermined data in a volatile memory into a nonvolatile memory device when an ACC signal is turned to OFF and a data reconstruction means reading out the predetermined data preserved into the nonvolatile memory device and writing the read-out predetermined data into the volatile memory when the ACC signal is turned to ON.
ナビゲーションシステムは、ＡＣＣ信号がＯＦＦされた場合、揮発性のメモリ内の所定のデータを不揮発性の記憶装置に保存するデータ保存手段と、ＡＣＣ信号がＯＮされた場合、前記不揮発性の記憶装置に保存された所定のデータを読み出し、該読み出された所定のデータを前記揮発性のメモリに書き込むデータ復元手段とを備える。 - 特許庁 - In the firmware update method of this invention, the new firmware is not directly written to a nonvolatile memory but is temporarily written to a volatile memory, then the system of the firmware operated at present is stopped, the system of the new firmware is activated from the volatile memory, and then the new firmware is written to the nonvolatile memory.
本発明のファームウェアの更新方法では、新規のファームウェアを直接不揮発性メモリに書き込むのではなく、一旦揮発性メモリに書き込んで、その後現在稼動中のファームウェアのシステムを停止し、新規のファームウェアのシステムを揮発性メモリ上から起動してから、新規ファームウェアを不揮発性メモリに書き込む方法により解決した。 - 特許庁 - The number of times of actuating them is counted and is retained in a non-volatile memory 109 as action information.
それらを動作させた回数はそれぞれ計数し、それらの回数は動作情報として不揮発性メモリ１０９に保存する。 - 特許庁 - The transmitter increases a first numerical value stored in a volatile memory according to regulation and transmits the first numerical value wirelessly.
送信機は、揮発性メモリに記憶されている第一の数値を規則に従って増加させ、第一の数値を無線で送信する。 - 特許庁 - To provide a method for preparing a non-volatile memory, a thin film transistor and a circuit including these components on various substrates.
不揮発性メモリセル、並びに薄膜トランジスタ及びそれらを含む回路を様々な基板上に作成する方法を提供する。 - 特許庁 - Additionally, a portion of the non-volatile memory is used to provide a direct mapping for specified sectors of the long-term storage media.
さらに、不揮発性メモリの一部が、長期記憶媒体の指定のセクタに関する直接マッピングを実現するように使用される。 - 特許庁 - A control circuit of a switch 10 comprises a fail-safe CPU 13 and a non-rewritable non-volatile flash memory 15.
転てつ機１０の制御回路をフェールセーフＣＰＵ１３と、書き換え可能な不揮発のフラッシュメモリ１５とを用いて構成する。 - 特許庁 - The plurality of blocks of a non-volatile memory are assigned to a management region, a program region, and an alternative region and an interference region.
不揮発性メモリの複数のブロックを、管理領域とプログラム領域と代替領域と、干渉領域とに割り当てる。 - 特許庁 - A RAM 48 to which power is supplied from an electric storage device 54 and a non-volatile flash memory 46 are provided as storage devices.
記憶装置として、蓄電装置５４から電力供給を受けるＲＡＭ４８と、不揮発性のフラッシュメモリ４６を備える。 - 特許庁 - To increase a speed at a low voltage operation in a semiconductor device on which a non-volatile memory unit and a variable logic unit are mounted.
不揮発性メモリユニットと可変論理ユニットを搭載する半導体装置において低電圧動作での高速化を実現する。 - 特許庁 - On a non-volatile memory element, a semiconductor substrate 105 includes an active region 112 limited by an element isolation film 110.
不揮発性メモリ素子において、半導体基板１０５は、素子分離膜１１０により限定された活性領域１１２を備える。 - 特許庁 - A program to be executed by each of first and second CPU is stored in a non-volatile memory as a compression code.
第１および第２のＣＰＵの各ＣＰＵが実行するプログラムは、圧縮コードとして不揮発性メモリに記憶されている。 - 特許庁 - NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, DATA UPDATING METHOD, DATA UPDATING PROGRAM AND COMPUTER READABLE RECORDING MEDIUM WITH RECORDED PROGRAM
不揮発性メモリ装置、データ更新方法、データ更新プログラム及びそのプログラムが記録されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor storage device having a minimized area of a memory cell and high reliability and a method of manufacturing the same.
メモリーセルの面積を最小化し、かつ高信頼性な不揮発性半導体記憶装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁 - A boot program is stored with program change instruction data in an EEP ROM 5 being a non-volatile memory in a rewritable configuration.
ブートプログラムをプログラム変更指示データとともに、書き替え可能な形態の不揮発性メモリであるＥＥＰ ＲＯＭ５に記憶させる。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory device in which a channel boost ratio is enhanced so as to surely prevent wrong writing.
チャネルブースト比を大きくして誤書き込みを確実に防止できるようにした不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To suppress the deterioration of the reliability of storage data in a memory system, configured by using a non-volatile semiconductor storage element.
不揮発性半導体記憶素子を用いて構成されるメモリシステムにおいて、記憶データの信頼性の低下を抑止すること。 - 特許庁 - To provide a multi-level non-volatile memory in which write-in operation can be performed with simple constitution, with high accuracy and at high speed.
簡単な構成により、高い精度で、しかも高速な書き込み動作を可能にした多値不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁 - To prevent erroneous data by holding surely a write-in/erasion state in a non-volatile memory being electrically rewritable.
電気的書換え可能な不揮発性メモリにおける書込・消去状態を確実に保持し、データ化けを未然に防止すること。 - 特許庁 - Next, information by which it can be determined if there is any device whose usage is restricted is acquired from a non-volatile memory or the like (S1-3).
次に、使用制限されているデバイスがあるかを判断できる情報を不揮発性メモリ等から取得するＳ１−３。 - 特許庁 - To provide a non-volatile memory element that can operate with high reliability without having to use channel boosting, and to provide a method of operating the same.
チャンネルブースティングを利用せずとも信頼性の高く動作可能な不揮発性メモリ素子及びその動作方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile memory reading method for preventing a read disturbance phenomenon.
不揮発性メモリ装置において、読み出し動作中に読み出しを妨げる現象の防止に有効な読み出し方法を提供する。 - 特許庁 - To solve a problem that the credibility of data from a non-volatile memory in a cartridge is problematic.
この発明は、カートリッジ内の不揮発性メモリからのデータの信憑性に問題があるという課題を解決しようとするものである。 - 特許庁 - Recognition information about the external storage device determined as being incapacitated for reading/writing is stored to a non-volatile memory as identification information.
読み書きＮＧと判断された外部ストレージデバイスの認識情報は不揮発性メモリに識別情報として記憶される。 - 特許庁 - To provide a split gate non-volatile semiconductor memory device which has a stable operation while reducing an increase in chip area.
チップ面積の増大を抑制しつつ、安定的に動作するスプリットゲート型不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - The storage device includes the non-volatile memory cells M11, M12... enabling electrical writing and erasing of data and transistors TN.
記憶装置は、電気的にデータの書き込み及び消去が可能な不揮発性メモリーセルＭ１１、Ｍ１２・・・と、トランジスターＴＮとを含む。 - 特許庁 - A multicontext memory 20 stores n pieces of configuration data CONF_1 to CONF_n defining the n contexts in a non-volatile manner.
マルチコンテキストメモリ２０は、ｎ個のコンテキストを定義するｎ個のコンフィギュレーションデータＣＯＮＦ_１〜ＣＯＮＦ_ｎを不揮発的に記憶する。 - 特許庁 - To enable a non-volatile memory to secure data surely without performing main relay control.
メインリレー制御を行うことなく、確実に不揮発性メモリにデータを確保することができる電子制御装置を提供すること。 - 特許庁
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