「Volatile memory」を含む例文一覧(2819)
＜前へ 1 2 .... 27 28 29 30 31 32 33 34 35 .... 56 57 次へ＞- To provide a microcomputer incorporating a non-volatile memory in which a test time and a test cost can be reduced by decreasing the number of times of erasure operation required normally for performing with the number of plural times in a test of a non-volatile memory.
不揮発性メモリの検査において通常複数回実施する必要のある消去動作の回数を少なくすることによって、検査時間を減少させ検査コストを低減させることができる不揮発性メモリ内蔵マイコンを提供することを目的とする。 - 特許庁 - An external storage device determines whether or not a transition condition for transition into a read-only mode allowing a non-volatile memory to perform only a read operation is established, and when the transition condition is established, switches to an interface controller that supports only the read operation of the non-volatile memory.
外部記憶装置は、不揮発性メモリにリード動作のみを行わせるリードオンリーモードに移行させる移行条件が成立するか否かを判定し、移行条件が成立したとき、不揮発性メモリのリード動作のみをサポートするインタフェースコントローラに切り替える。 - 特許庁 - As long as it has been successful to receive all print data transferred, it becomes possible to read data from a non-volatile mass memory in which the data is stored by referring to a job control table in the non-volatile memory and to normally terminate printing without fail.
送信されたプリントデータを全て受信することに成功すれば、不揮発性メモリ内のジョブ管理テーブル参照することで、データの格納先である不揮発性大容量メモリからデータを読み出し、必ずプリントを正常終了することを可能とする。 - 特許庁 - A transistor electrode is formed, where the transistor electrode has a polysilicon single-layer structure, extends a floating gate electrode 8 in an active region, reads the data of the semiconductor non-volatile memory, and is used as a write electrode for rewriting the data of the non-volatile memory and an erasure electrode.
ポリシリコン１層構造で、活性領域にフローティングゲート電極８を延設し半導体不揮発メモリのデータを読み出すトランジスタ電極を形成し、トランジスタ電極を不揮発性メモリのデータを書き換える書込み電極と消去電極として用いる。 - 特許庁 - When registering the print job to each printer, the PC 100 determines registration destinations of the print job so as to have a printer registering the print job in a volatile memory (RAM 33) and a printer registering the print job in a non-volatile memory (NVRAM 34).
ＰＣ１００では，各プリンタに印刷ジョブを登録する際，揮発性メモリ（ＲＡＭ３３）に印刷ジョブを登録するプリンタと，不揮発性メモリ（ＮＶＲＡＭ３４）に印刷ジョブを登録するプリンタとが存在するように，印刷ジョブの登録先を決定する。 - 特許庁 - A commodity sales data processor is provided with a counting means for counting the volume of journal data and a non-volatile memory which has a plurality of storage areas and allows data to be erased in the unit of storage areas, and journal data is stored in the non-volatile memory.
商品売上データ処理装置において、ジャーナルデータの量を計数する計数手段と、複数の記憶領域を有しデータの消去が記憶領域単位で可能である不揮発性メモリとを設け、この不揮発性メモリにジャーナルデータを記憶させる。 - 特許庁 - In the image-forming device, having a nonvolatile memory 2 which stores a program for device control, a CPU 1 which controls a device based on the program stored in the nonvolatile memory 2 and the volatile memory 3 which temporarily stores data, when the CPU 1 performs data processing, a DMA controller 12 which executes memory clearing processing for the volatile memory 3 is incorporated in the CPU 1.
装置制御のプログラムを記憶する不揮発性メモリ２と、前記不揮発性メモリ２に記憶された前記プログラムにもとづいて装置を制御するＣＰＵ１と、ＣＰＵ１がデータ処理を行う際に一時的にデータを保存する揮発性メモリ３とを備えた画像形成装置において、前記揮発性メモリ３に対するメモリクリア処理を実行するＤＭＡコントローラ１２を前記ＣＰＵ１に内蔵した。 - 特許庁 - To enable a defective memory cell to be automatically replaced with a memory cell for redundancy or a memory cell block for redundancy so as to maintain a write-in/erasure characteristic as before, when the writ-in/erasure characteristic of a non-volatile memory cell becomes defective in use of a flash EEPROM.
フラッシュフラッシュＥＥＰＲＯＭの使用時における不揮発性メモリセルの書込み／消去特性が悪くなった場合、書込み／消去特性を以前と同様に維持するように自動的に冗長用のメモリセルまたはメモリセルブロックに置換できるようにする。 - 特許庁 - A memory controller is provided to store newest management information in the volatile memory, to store old management information in the first nonvolatile memory, and to store differential data between the newest management information and the old management information in the second nonvolatile memory.
前記揮発性メモリに最新管理情報を記憶し、前記第１の不揮発性メモリに旧管理情報を記憶し、および前記第２の不揮発性メモリに前記最新管理情報と前記旧管理情報の差分データを記憶するメモリコントローラが設けられる。 - 特許庁 - A non-volatile semiconductor memory has a memory cell array region in which a plurality of memory cells 100 having first and second MONO memory cells 108A, 108B controlled by a word gate and a control gate are arranged in the first and second directions A, B.
不揮発性半導体記憶装置は、ワードゲートとコントロールゲートにより制御される第１，第２のＭＯＮＯＳメモリセル１０８Ａ，１０８Ｂを有するメモリセル１００を、第１，第２の方向Ａ，Ｂにそれぞれ複数配列してなるメモリセルアレイ領域を有する。 - 特許庁 - The memory devices 20a, 20b are connected to the memory controller 10, of which the copying of data from built-in volatile memories 22a, 22b to corresponding nonvolatile memories 21a, 21b is available.
メモリコントローラ１０には、内蔵する揮発性メモリ２２ａ、２２ｂから対応する不揮発性メモリ２１ａ、２１ｂへのデータのコピーが可能になっているメモリデバイス２０ａ、２０ｂが接続される。 - 特許庁 - In this memory control method, when the CPU specifies the protection area based on the control information, the access control means prohibits the control of the program stored in the non-volatile memory.
このメモリ制御方法は、ＣＰＵが制御情報に基づいて保護領域を特定した場合、アクセス制御手段は不揮発性メモリに記憶されるプログラムの制御を禁止する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a non-volatile storage device capable of forming a memory element with a stable characteristic by a simple method even when a memory cell is finely divided.
メモリセルが微細化されても、安定した特性を有するメモリ素子を、簡易な方法で形成することができる不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁 - At the time of turning on a power source again after power source off of the speech path part 1 caused by any factor, all the speech path path data in the non-volatile memory 14 are written in the speech path control memory 12.
何らかの要因による通話路部１の電源断後の電源再投入時、不揮発性メモリ１４内の通話路パスデータを通話路制御メモリ１２にすべて書き込む。 - 特許庁 - To provide a clamp circuit for feeding a stable voltage for a memory element, regardless of the operation of a peripheral circuit or a variation of power voltage, and a non-volatile memory element using the circuit.
周辺回路の動作または電源電圧の変化に関係なく、メモリ素子に安定した電圧を供給するクランプ回路及びこれを用いた不揮発性メモリ素子を提供する。 - 特許庁 - The master pressure control device 3 writes the failure diagnostic information once in a volatile memory when detecting failure, and writes the failure diagnostic information in the nonvolatile memory in system shut-down.
マスタ圧制御装置３は、故障検出時に故障診断情報を一旦、揮発性メモリに書込み、システムシャットダウン時に、その故障診断情報を不揮発性メモリに書込む。 - 特許庁 - When issuing an operation stopping command of a vehicle, the operation history of a throttle valve 3 stored in the volatile memory 13 in operation of the vehicle is stored in a nonvolatile memory 14.
車両の運転停止指令がなされると、車両の運転中に揮発性メモリ１３に記憶されていたスロットルバルブ３の作動履歴が不揮発性メモリ１４に記憶される。 - 特許庁 - The plurality of volatile memories 22A to 22C are connected to the memory bus 26 through memory interface parts 20A to 20D for converting from either of a serial signal or a parallel signal to another one.
複数の揮発性メモリ２２Ａ〜２２Ｃは、シリアル信号及びパラレル信号の何れか一方から他方への変換を行うメモリインタフェース部２０Ａ〜２０Ｄを介してメモリバス２６に接続される。 - 特許庁 - When switching to the auxiliary power source 12 from the vehicle power source E, the failure diagnostic information of the volatile memory is written in the nonvolatile memory just after starting electric power supply of the auxiliary power source 12.
また、車両電源Ｅから補助電源１２への切換時には、補助電源１２の電力供給開始直後に揮発性メモリの故障診断情報を不揮発性メモリに書込む。 - 特許庁 - At interruption of power, the frequency view propriety information 170c is saved to a save area 160b of a nonvolatile memory 160, and at application of power, the frequency view propriety information 170c is recovered to the volatile memory 170.
電源オフ時に周波数視聴可否情報１７０ｃを不揮発性メモリ１６０の退避領域１６０ｂに退避し、電源オン時に揮発性メモリ１７０に回復させる。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory in which sequence of write of data of a flash memory never be made defect and write-in of data can be determined early.
フラッシュメモリに関し、データ書込のシーケンスが不良とならず、また、データ書込を早期に判定することができる不揮発性半導体記憶装置を提供することを目的としている。 - 特許庁 - A microcomputer 102 reads data stored in a nonvolatile memory 101 through an access bus 181a, and stores programs included in the read data into a volatile memory 103 and executes them.
マイコン１０２は、不揮発性メモリ１０１に格納されたデータをアクセスバス１８１ａを介して読み出し、読み出したデータに含まれるプログラムを揮発性メモリ１０３に格納し、実行する。 - 特許庁 - To realize a high-integrated non-volatile semiconductor memory device with low power consumption, in which a nonlinear element having sufficient current driving performance and insulation property is provided in a memory cell.
十分な電流駆動能力と遮断特性を有する非線形素子をメモリセルに備える、低消費電力で高集積の不揮発性半導体記憶装置を実現する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory device that prevents a bit line leak caused by charging on a shielding film generated in a process for manufacturing a semiconductor memory device and is of high reliability.
半導体記憶装置の製造工程で発生する遮光膜への帯電に起因するビットラインリークを防止し、信頼性の高い不揮発性半導体記憶装置を提供することにある。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory device and its manufacturing method that can control resistance increase of a control gate, and can control unclear threshold voltage Vth of a memory cell.
コントロールゲートの抵抗上昇を抑制でき、かつメモリセルのしきい値電圧Ｖｔｈボケを抑制できる不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a control unit of an internal combustion engine capable of suppressing early malfunction of a non-volatile memory as the number of times of executing a memory update process reaches to its upper limit value.
記憶更新処理の回数がその上限値に達すること伴って不揮発性メモリが早期に故障することを抑制することのできる内燃機関の制御ユニットを提供する。 - 特許庁 - The signal processor reads out, when a power supply is turned on, the beforehand acquired adjustment data from the non volatile memory through the interface portion, and holds it in an built in memory of an own signal processor.
信号処理プロセッサは、電源投入時に、インターフェース部を通じて不揮発性メモリから事前取得調整データを読み出し、自信号処理プロセッサの内蔵メモリに保持する。 - 特許庁 - In the non-volatile semiconductor memory device, a charge accumulation layer is eliminated from element isolation regions and from an insulation region between a memory transistor and a select transistor to prevent electric charges from being injected and accumulated in these regions.
素子分離領域、及びメモリトランジスタと選択トランジスタとの間の絶縁領域中の電荷蓄積層をなくして同部に電荷が注入または蓄積されないようにする。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory in which a state before cut off can be held for some period even after the cut off of a power source without using a non-volatile memory, a leak current is reduced, and power consumption is reduced.
不揮発性メモリを用いずに、電源遮断後も遮断前の状態をある期間保持でき、リーク電流を削減し消費電力を低減した半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory and its erasing method in which the dispersion of the threshold values of memory cells after erasing can be reduced and the increment of erasing time and the like can be suppressed.
消去後のメモリセルのしきい値のばらつきの低減、消去時間の増加の抑制等が可能な不揮発性半導体記憶装置及びその消去方法を提供する。 - 特許庁 - Then the unit 2 includes a control circuit 20, an operating part 21, an identification number storage part 22, a confirmation request command storage part 23, a volatile memory 24, a nonvolatile memory 25 and a transmitting/ receiving part 26.
ＤＣＰユニット２に制御回路２０、操作部２１、識別番号記憶部２２、確認要求コマンド記憶部２３、揮発性メモリ２４、不揮発性メモリ２５、送受信部２６を設ける。 - 特許庁 - To provide an apparatus and a method for demarcating memory states of an electrically alterable and non-volatile multi-bit memory cell and a new device, and to provide a method about a programming reference signal.
本発明は、複数ビットの電気的可変不揮発メモリセルの記憶状態分界およびプログラミング基準信号に関して新規な装置および方法を提供するものである。 - 特許庁 - Consequently, as a test time can be shortened and a test can be performed by an inexpensive test system having no fail memory, a test cost of a non- volatile semiconductor memory can be reduced.
この結果、テスト時間が短縮でき、また、フェイルメモリを持たない安価なテストシステムでテストを行うことが可能となるため、不揮発性半導体メモリのテストコストを削減できる。 - 特許庁 - To improve the reliability of a device by suppressing the garbling of data due to soft error generated in volatile memory while maintaining the high speed of memory access and without increasing the processing load on a microcomputer.
メモリアクセスの高速性を保持しつつ、且つマイコンの処理負荷を上げることなく、揮発性メモリにて発生するソフトエラーによるデータ化けを抑制し、装置の信頼性を上げる。 - 特許庁 - Then, a controller 51 transfers the stored backup object data from the volatile memory 57 to the nonvolatile memory 58 at individually different timings for the respective backup storage areas and writes them.
そして、制御装置５１が、該格納されたバックアップ対象データを、揮発性メモリ５７からバックアップ記憶領域毎に個別に異なるタイミングで不揮発性メモリ５８へ転送して書き込む。 - 特許庁 - To reduce a capacity of a RAM storing logical-physical translation table and to maximize an effectively available data area in a non-volatile memory in a mass storage semiconductor memory device.
大容量の半導体メモリ装置において、論物変換テーブルを格納するＲＡＭの容量を小さくすると共に、不揮発性メモリの有効に利用できるデータ領域を極大化する。 - 特許庁 - When starting a control device, preferential control data used just after its starting is preferentially read out of an external nonvolatile memory, and is stored in the built-in volatile memory (s120 to s150).
制御装置の起動時、その直後に使用される優先制御データを優先的に外部の不揮発性メモリから読み出して内蔵の揮発性メモリに記憶させる（ｓ１２０〜ｓ１５０）。 - 特許庁 - To provide a technique for shortening a time for processing in writing into a readable/writable non-volatile memory and, at the same time, enabling efficient utilization of a memory capacity.
読み出し書き込み可能な不揮発性メモリに書き込みを実行する際の処理時間を短縮すると同時に、メモリ容量の効率的な利用をも併せて実現する技術を提供する。 - 特許庁 - The twin memory cell 312 has first and second non-volatile memory elements 108A, 108B which are controlled by a word gate 104 and controlled respectively by first and second control gates 106A, 106B.
ツインメモリセル３１２は、１つのワードゲート１０４と、第１，第２のコントロールゲート１０６Ａ，１０６Ｂにより制御される第１および第２の不揮発性メモリ素子１０８Ａ，１０８Ｂとを有する。 - 特許庁 - The completion processing process memory means 2 stores the data showing the completion of a block in the non-volatile memory 8 at each time when each block of completion processing comprising a plurality of blocks is completed.
終了処理格納手段２は、複数のブロックからなる終了処理の各ブロックが終了する度に、該ブロックが終了したことを示す情報を不揮発性メモリ８に格納する。 - 特許庁 - When a power supply abnormality detection circuit 7 detects the abnormal state of a power supply, a CPU 1 reads temperature data θH0 of a cooling fin 3, writes it into a non-volatile memory 8, and makes the memory store it.
ＣＰＵ１は、電源異常検出回路７が電源の異常状態を検出すると、冷却フィン３の温度データθH0を読込み不揮発性憶装置７に書込んで記憶させる。 - 特許庁 - When receiving the control command, the arithmetic processing means performs control so as to store the information generated by executing the application in the volatile memory or the nonvolatile memory.
前記演算処理手段は、前記制御コマンドを受信すると、前記アプリケーションの実行により生成された情報を前記揮発メモリあるいは前記不揮発メモリに記憶するように制御する。 - 特許庁 - The embedded system is provided with means for upgrading firmware received over a network, and comprises a volatile memory, a persistent memory, a protocol stack for communication over a network.
組み込みシステムは、ネットワークを介して受信されたファームウエアをアップグレードする手段を備えていて、ネットワークを介して通信するために揮発性メモリ、持続性メモリ、プロトコルスタックを有している。 - 特許庁 - In a step 3, it is discriminated whether a data value in the prescribed area of the RAM is matched with discrimination data called from a non-volatile memory or not.
ステップ３で、ＲＡＭの所定エリアのデータ値と、不揮発性メモリから呼び出した判定データが一致するかどうかを判定する。 - 特許庁 - The non-volatile image memory element 1, the resistance value of which is changed by a phase transition, is connected to a pixel electrode 25 of a liquid crystal element 5.
液晶素子５の画素電極２５に相変化により抵抗値が切り替わる不揮発性の画像メモリ素子１を接続する。 - 特許庁 - To complete write-in processing without changing total processing time even when the write-in error of a non-volatile memory is generated.
不揮発メモリの書込みエラーが発生しても、トータルの処理時間を変えずに、書込み処理を完了させることができるようにする。 - 特許庁 - To provide a non-volatile memory device capable of reading and writing only by the switching operation of a conductive metal line, and to provide its manufacturing method.
導電性金属ラインのスイッチング動作だけでもデータを読み書き可能な非揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a non volatile memory device having a thre dimensional structure and a method of operating the same for storing data using a charge storage layer.
電荷保存層を利用してデータを保存しうる、立体型構造を有する不揮発性メモリ素子及びその動作方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for controlling the test of a non-volatile memory, which can perform adequate resetting by accompanying the occurrence of a factor for resetting.
リセット要因の発生に伴なう適正なリセット動作を行うことができる不揮発性メモリのテスト制御方法を提供する。 - 特許庁 - To make an operation history of an on-vehicle apparatus stored in a volatile memory in conformity with actual operation, while restraining consumption of electric energy.
電気エネルギの消費を抑えつつ、揮発性メモリに記憶される車載機器の作動履歴を実際の作動に即したものとする。 - 特許庁
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