「Volatile memory」を含む例文一覧(2819)
＜前へ 1 2 .... 30 31 32 33 34 35 36 37 38 .... 56 57 次へ＞- A controlling means capable of detecting and notifying hours left without charging is made up of the timer controlling means and the non-volatile memory means 2.
又、計時制御手段及び不揮発記憶手段２を使用して通電放置時間を検出，報知可能な制御手段を構成する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile memory rewriting device capable of communicating with an outside tool even when the rewrite of a communication program fails.
通信プログラムの書き替えに失敗したとしても、外部ツールとの間で通信することができる不揮発性メモリ書き替え装置を提供する。 - 特許庁 - To enable performing erasure verifying of a non-volatile memory cell in a short time.
不揮発性メモリセルの消去検証を短時間で行うことを可能にした不揮発性半導体記憶装置とその消去検証方法を提供する。 - 特許庁 - The first cache control means stores write data to be written onto the first external storage in a cache area in the volatile memory.
第１キャッシュ制御手段は前記第１外部記憶装置に書き込むべきライトデータを前記揮発性メモリ内のキャッシュ領域に格納する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for a semiconductor device that has a high-performance non-volatile memory element and a minute logic element.
高性能の不揮発性メモリ素子と微細化されたロジック素子とを備えた半導体装置を実現するための製造方法を提供する。 - 特許庁 - A projection type display device 1 comprises: temperature sensors 21 and 22 for detecting temperatures within the device; a non-volatile memory 32; and a microcomputer 31.
投写型表示装置１は、装置内の温度を検出する温度センサ２１，２２と、不揮発性のメモリ３２と、マイクロコンピュータ３１とを備える。 - 特許庁 - In this invention, a reset circuit 30 is provided for resetting the accumulated lighting time in the non- volatile memory 15 in response to the abnormal signals.
本発明においては前記異常信号に応動して不揮発性メモリ１５の累積点灯時間のデータをリセットするリセット回路３０を設ける。 - 特許庁 - The apparatus and method is for enhancing data writing and retention to a magnetic memory element, e.g., in a non-volatile data storage array.
不揮発性データ記憶アレイなどにおける磁気メモリ素子に対するデータ書込および保持を向上させるための装置および方法である。 - 特許庁 - To provide a recording medium for using the much latest data information even when power shutdown occurs during writing in a non-volatile memory.
不揮発メモリへ書き込み中に電源等が断たれた場合であっても、より最新のデータ情報を利用可能な記録媒体を提供する。 - 特許庁 - When the operation power source is selected, the non-volatile memory is operated with an operation mode, when the test power source is selected, it is operated with a test mode.
動作電源が選択された場合、不揮発性メモリを動作モードで動作させ、検査電源が選択された場合、検査モードで動作させる。 - 特許庁 - To provide a non-volatile ferroelectric memory element that simplifies processes, is thin, and has less capacitor connection, and its manufacturing method.
工程を簡素化し、厚さが薄く、かつキャパシタの接続が少ない不揮発性強誘電体メモリ素子並びにその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The volatile memory serves as a primary cache for the first external storage, and is supplied with power by battery at the time of a power failure.
揮発性メモリは前記第１外部記憶装置に対する一次キャッシュとして機能し、停電時にバッテリを用いて電力が供給される。 - 特許庁 - To update the program of a slave device by automatically writing the program update of a slave device in a non-volatile memory in a drive system.
ドライブシステムにおいてスレーブ装置のプログラム更新を自動的に不揮発性メモリに書き込むことによりスレーブ装置のプログラムを更新する。 - 特許庁 - The offset voltage of the analog buffer circuit can be adjusted by changing the element characteristics of the non-volatile memory elements 131, 132, 133, ....
不揮発性メモリ素子１３１，１３２，１３３，…の素子特性の変更して、アナログバッファ回路のオフセット電圧を調整することが可能になっている。 - 特許庁 - To provide a split-gate type non-volatile semiconductor memory device that achieves a high-speed access and high integration, along with a method of manufacturing the same.
高速なアクセスが可能で、かつ、高集積化が可能なスプリットゲート型不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - In this point, activation times in a cycle frame are assigned to power stages to be controlled and stored in a table in a non-volatile memory.
この点において、制御対象の電力段に、サイクルフレーム内の作動時間が割り当てられ、不揮発性メモリの中のテーブルに格納される。 - 特許庁 - To provide a reliable resistive non-volatile suitable for a three-dimensionally structured super-high density memory array which does not need an active device.
アクティブデバイスを必要としない３次元構造超高密度メモリアレイに適した信頼できる抵抗不揮発性を提供することである。 - 特許庁 - The transfer means 15 transfers the detected data to the second storage area of the non-volatile semiconductor memory regardless of the layout hint information.
転送手段１５は、検出されたデータを配置ヒント情報とは無関係に不揮発性半導体メモリの第２の記憶領域に転送する。 - 特許庁 - To automatically update stored contents in a non-volatile memory with program updating without increasing the required storage capacity.
必要な記憶容量を増加させることなく、プログラム更新に伴って不揮発性メモリの記憶内容を自動的に更新することを可能とする。 - 特許庁 - To provide an integrated semiconductor device having a high-speed readout required for a non-volatile semiconductor memory device and a high-speed read and write endurance.
不揮発性半導体記憶装置に求められる高速読み出しと、高書き換え耐性を有した集積半導体装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a reliable non-volatile semiconductor memory device that can be easily manufactured, and can store a plurality of pieces of information per cell.
製造が容易で、信頼性が高く、１セル当り複数の情報を記憶することができる不揮発性半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor storage that redundant bit lines can be provided in a memory cell array being divided into plural erasing blocks.
複数の消去ブロックに分割されているメモリセルアレイでのビット線の冗長を可能とする不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - In the NAND cell unit, the non-volatile memory cells share a source region and a drain region, and are connected in series.
ＮＡＮＤセルユニットは、不揮発性メモリセルの互いのソース領域及びドレイン領域を共有し、不揮発性メモリセルが直列接続されている。 - 特許庁 - The non-volatile memory comprises a plurality of banks 1; and a negative voltage power source line 2 for supplying a negative voltage vias to the banks 1.
本発明による不揮発性メモリは，複数のバンク１と，バンク１に負電圧バイアスを供給する負電圧電源ライン２とを備えている。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory manufacturing method by which different grooves in depth can be formed in the reduced number of processes.
深さの異なる溝を工程数を削減して形成することができる不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory and its program verifying method in which reduction of a collection rate caused by defective column can be prevented.
欠陥列による収率低下を防止することができる不揮発性半導体メモリ装置及びそれのプログラム検証方法を提供すること。 - 特許庁 - In this way, CS 0 is accessed when interruption occurs, and the interruption program is read from the volatile internal memory 12 to be executed.
これにより割込みがあった場合にはＣＳ０がアクセスされるが、揮発性内蔵メモリ１２から割込みプログラムが読み出されて実行される。 - 特許庁 - To provide a method for enabling cost reduction for a non-volatile memory device and being robust against various kinds of defects.
不揮発性メモリ装置のためのコストを減らすことが可能でありながら、さまざまな種類の不具合に対して頑強である方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a low-cost semiconductor non-volatile memory device that allows writing, erasing, and reading in high reliability, and to provide a method of manufacturing the same.
高い信頼性で書き込み・消去・読み出しが可能な低コストの半導体不揮発性記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The corrector 215 is provided with a non-volatile memory, and stores a relation between the present coordinate value of a stage and the correction value, as a table intrinsic to an instrument.
補正器２１５は不揮発メモリを備え、ステージの現在の座標値と補正値との関係を装置固有のテーブルとして記憶している。 - 特許庁 - A command value correcting portion 312b reflects the correction values on all of the plurality of rotational frequency command values recorded in the non-volatile memory 313.
指令値補正部３１２ｂは不揮発性メモリ３１３に記録された複数の回転数指令値の全てについて補正値を反映させる。 - 特許庁 - To provide a coded cell of non-volatile ferroelectric memory device and a driving method which can easily add change and add redundancy without through a fuse cutting process.
ヒューズ切断プロセスを経ることなく冗長変更・追加し易い強誘電体メモリのコード化セル及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁 - Restored information is stored only in a volatile memory 1109b, which can perform restoration processing in a short period, if a power source is not being charged.
電源が充電中でなければ、復帰処理を短時間で行うことができる揮発性メモリ１１０９ｂにのみ復帰情報を記憶させる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device including a non-volatile memory which can improve operation rate of a logic circuit, and also to provide a manufacturing method thereof.
論理回路の動作速度を向上させることが可能な不揮発性メモリを含む半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To sufficiently and effectively utilize the storage area of a volatile video memory and to achieve various performance display using more material image data.
揮発性映像メモリの記憶領域を十分に有効活用し、より多くの素材画像データを用いた多彩な演出表示を実現すること。 - 特許庁 - Valid period information is applied to the program contents, and the clocking management of the program contents of the non-volatile memory 140 is operated by a timer part 120.
番組コンテンツには有効期限情報が付与されてタイマ部１２０により不揮発性メモリ１４０の番組コンテンツの計時管理を行う。 - 特許庁 - The microelectronic device is a non-volatile resistance switching memory comprising the switching material for storing digital information.
本発明は、さらに、デジタル情報を格納するためのスイッチング材料を備える超小型電子デバイスすなわち不揮発性抵抗切替メモリに関する。 - 特許庁 - The display data selection circuit B326 stops refresh operation of the volatile memory A when one of the page memories B322 to B324 is selected.
表示データ選択回路Ｂ３２６は、ページメモリＢ３２２〜Ｂ３２４のいずれかが選択された場合に揮発性メモリＡのリフレッシュ動作を停止させる。 - 特許庁 - To provide a non-volatile memory in which noise when charging a bit line to power source voltage and when discharging a bit line to ground voltage is decreased.
ビットラインを電源電圧にチャージしたり、又はビットラインを接地電圧にディスチャージする時のノイズを減少する不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁 - The erasion information storing memory region is constituted of non-volatile memories so that the information can be held even if a power source is cut off.
消去情報記憶メモリ領域は、電源が切断されてもその情報を保持することができるよう不揮発性メモリで構成される。 - 特許庁 - To provide a non-volatile memory element that facilitates high integration owing to expansion by employing a laminate structure, and to provide an economical method of manufacturing the same.
積層構造により拡張されて高集積化の容易な不揮発性メモリ素子及びその経済的な製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a memory device and a semiconductor device which are non-volatile and simple in manufacturing while permitting additional writing at a low price.
不揮発性であって、作製が簡単であり、追記が可能な記憶装置および半導体装置を安価で提供することを課題とする。 - 特許庁 - The system includes a non-volatile memory accessible by the database management system and directly addressable by the operating system.
このシステムは、データベース管理システムによってアクセス可能であり且つオペレーティングシステムによって直接アドレス指定可能である不揮発性メモリを具備する。 - 特許庁 - To obtain aprogramming method for a non-volatile memory in which the time required for performing programming operation can be minimized by control of gate voltage.
ゲート電圧の制御によりプログラミング操作の実行に必要な時間を最少化し得る不揮発性メモリのプログラミング方法を提供する。 - 特許庁 - Later, the microcomputer 6 starts up (S101), and a drive signal generating part 61 determines the information written on the non-volatile memory 15.
その後、再びマイコン６が起動し（Ｓ１０１）、ドライブ信号生成部６１が不揮発性メモリ１５に書き込まれた情報を判断する（Ｓ１０４）。 - 特許庁 - A non-volatile memory device comprises selection element layers containing silicon and nanomaterial aggregate layers stacked on the selection element layers.
実施形態に係る不揮発性記憶装置は、シリコンを含む選択素子層と、前記選択素子層に積層されたナノマテリアル集合層と、を備える。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a non-volatile semiconductor memory capable of solving various problems such as gate disturb by suppressing fluctuation of threshold voltage.
閾値電圧のバラツキを抑えて、ゲートディスターブ等の様々な問題を解消できる不揮発性半導体メモリの製造方法を提供する。 - 特許庁 - The dummy floating gate electrode 42 is formed of a conductor material layer in the same layer as the floating gate electrode for the charge accumulation of a non-volatile memory.
ダミー浮遊ゲート電極４２は、不揮発性メモリの電荷蓄積用の浮遊ゲート電極と同層の導電体層により形成されている。 - 特許庁 - To perform a rewriting durability test with a simple jig by incorporating a circuit performing automatically rewriting of a non-volatile memory.
不揮発性メモリの書き換えを自動的に行う回路を内蔵することにより、簡単な治具で書き換え耐性試験を行うことを目的とする。 - 特許庁 - The operation mode includes a testing mode where characteristic testing of the non-volatile memory is performed by using the external terminal, and a user mode where the external terminal is not used.
動作モードは、外部端子を用いて不揮発性メモリの特性テストを行うテストモードと、外部端子を使用しないユーザモードと、を含む。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
