「Volatile memory」を含む例文一覧(2819)
＜前へ 1 2 .... 31 32 33 34 35 36 37 38 39 .... 56 57 次へ＞- Even if the erasure block size differs according to an address area, an address map of the erasure block does not differ between the non-volatile memory and the access subject.
消去ブロックサイズがアドレスエリアによって相違されても、消去ブロックのアドレスマップは不揮発性メモリとアクセス主体との間で相違しない。 - 特許庁 - In a microcomputer, an EEPROM is provided as a non-volatile memory and the data of a burner unit for burning in each combustion stage is stored therein.
マイコンには、不揮発性メモリとしてＥＥＰＲＯＭが設けられ、ここに各燃焼段階で燃焼させるバーナユニットのデータが記憶されている。 - 特許庁 - And the ECU 30 memorizes the deciding result at once to an EEPROM (non-volatile memory), when the abnormality deciding of the thermostat 13 is finished.
また、ＥＣＵ３０は、サーモスタット１３の異常判定が終了した時、直ぐにその判定結果をＥＥＰＲＯＭ（不揮発性メモリ）に記憶する。 - 特許庁 - To improve stability and reliability in reading data from the non- volatile memory of each of developing units and to decrease unnecessary radiation of electromagnetic waves.
現像器ユニットの不揮発性メモリに対する読み書きの安定性・信頼性を向上させると共に、電磁波の不要輻射を減少させる。 - 特許庁 - One semiconductor substrate is placed under localized temperature control in order to produce thereon a MOSFET 21 simultaneously with a non-volatile memory 22.
一つの半導体基板にＭＯＳＦＥＴ２１と不揮発性メモリ２２を同時に製造するために、半導体基板を局所的に温度制御する。 - 特許庁 - The fuse-free circuit includes a switch constituted to be turned on or off according to the value stored into a non-volatile memory cell.
本発明によるヒューズフリー回路は不揮発性メモリセルに貯蔵された値に応じてオンまたはオフされるように構成されたスイッチを含む。 - 特許庁 - When a power source is OFF, display information such as a display page number of a display picture, a display size and a display position are recorded in non-volatile memory 11.
電源ＯＦＦ時に、表示画像の表示ページ番号、表示サイズ、表示位置等の表示情報を不揮発性記憶部１１に記録する。 - 特許庁 - Also, the saved backup data 23a are returned to the original region of the volatile memory 23 so as to be restored in restoring the printer from the power saving state.
また、節電状態からの復帰に際して、この退避したバックアップデータ２３ａを揮発性メモリ２３の元の領域に戻し復帰させる。 - 特許庁 - To shorten erasing and writing time in each sector and to reduce circuit constitution in a microcomputer with a built-in non-volatile memory.
不揮発性メモリを内蔵したマイクロコンピュータに於いて、セクタ単位の消去及び書込時間を短縮するとともに回路構成を少なくする。 - 特許庁 - The light output of the fluorescent lamp 23 is controlled to be almost constant in reference to the accumulated lighting time in the non-volatile memory 24.
不揮発性メモリ２４の累積点灯時間を参照して蛍光ランプ２３の光出力がほぼ一定となるように制御する方式である。 - 特許庁 - In a video controller 29 having an interface 30 to the outside, an interface (memory interface 32) to the non-volatile memory 22 mounted in the process unit 9 is arranged, and access from the engine controller 27 controlling the printer engine to the non-volatile memory 22 can be carried out via the interface (video interface 28) to the video controller 29.
外部とのインタフェース３０を有するビデオ制御装置２９にプロセスユニット９に搭載された不揮発性メモリ２２とのインタフェース（メモリインタフェース３２）を設け、プリンタエンジンを制御するエンジン制御装置２７から不揮発性メモリ２２へのアクセスは、ビデオ制御装置２９とのインタフェース（ビデオインタフェース２８）を介して可能とする構成を特徴とする。 - 特許庁 - During a test in a wafer state, the electric power and the test start signal are supplied from the wireless receiving circuit 2 through a wiring between chips, the all non-volatile memory chips 3 on the wafer 1 execute simultaneously the test by the self-diagnosis test circuit, respective non-volatile memory chips 3 write the test result in the self-memory region.
ウェーハ状態でのテスト時に、無線受信回路チップ２からチップ間配線を介して電力および試験開始信号の供給を受けて、ウェーハ１上の総ての不揮発性メモリチップ３が、自己診断試験回路によるテストを同時に実行し、それぞれの不揮発性メモリチップ３が、自身のメモリ領域にそのテストの結果を書き込む。 - 特許庁 - A flash ROM 5 being a non-volatile memory in which the control program of a monitor diagnosing device 2 is stored, is provided with a data backup area 5c, and necessary data in a static RAM 7 being a volatile memory to be used as a work memory are stored in the backup area 5c in the flash ROM 5 based on designated time and designated condition for backup.
監視診断装置２の制御プログラムを格納している不揮発性メモリのフラッシュＲＯＭ５内に、データのバックアップエリア５ｃを設け、ワークメモリとして使用する揮発性メモリのスタティックＲＡＭ７内の必要なデータを、フラッシュＲＯＭ５内のバックアップエリア５ｃにバックアップの指定時間と指定条件のもとに格納するようにした。 - 特許庁 - The information processor has a nonvolatile memory including a first area of high reliability unsusceptible to data errors and a second area of lower reliability susceptible to data errors, a volatile memory, and arithmetic means.
データエラーが発生しない信頼性の高い第１の領域とデータエラーが発生する可能性がある信頼性の低い第２の領域とを含む不揮発性メモリと、揮発性メモリと、演算手段とを有する。 - 特許庁 - To prevent unnecessary stress from being applied to a memory cell in a previously verify-passed chip in a program/program-verify cycle, and a erase/erase-verify cycle in a simultaneous test of plural chips of a non-volatile semiconductor memory.
不揮発性記憶装置の複数チップにおける同時検査においてプログラム／プログラムベリファイサイクル、イレーズ／イレーズベリファイサイクルで先にベリファイパスしたチップ内のメモリセルに不要なストレスを加えないようにする。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory device and a producing method therefor, with which write time can be shortened by setting a plurality of thresholds of a memory cell transistor with the same number of times of write.
同じ書き込み回数でメモリセルトランジスタの複数の閾値を設定することにより、書き込み時間を短縮化できる不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method and a device for programming a non-volatile memory cell of which a current value of a current flowing in a cell is controlled through a current limiter coupled to a source node of a memory cell.
セルの中を流れる電流の電流値が、メモリーセルのソース・ノードに結合した電流リミッターを通して制御される不揮発性メモリー・セルをプログラムするための方法と装置を提供する。 - 特許庁 - When the bath boiler is operated by turning on a power source, the power source (battery 17) is turned on by closing a power shutoff circuit 16, and data in the memory 13 is transferred to a volatile memory (RAM) in the microcomputer 12.
電源を投入して風呂釜を運転する際には、電源遮断回路１６を閉じて電源（電池１７）をオンにし、メモリ１３内のデータをマイコン１２内部の揮発性メモリ（ＲＡＭ）へ転送する。 - 特許庁 - To provide a memory management device and a management method for reducing the time required for shutdown and start-up, and for storing data with high safety under the consideration of the characteristics of a non-volatile memory.
シャットダウン及び起動に要する時間を短縮可能であり、不揮発性メモリの性質を考慮した安全性の高いデ—タの保管が可能なメモリ管理装置と管理方法を提供する。 - 特許庁 - The vehicle body side ECU 21 has a non-volatile memory 21a, and the ID which has ever been read out of the chip C2 by the vehicle body side chip reader SR is stored in the memory 21a as a connection list.
車体側ＥＣＵ２１は、不揮発性のメモリ２１ａを備え、メモリ２１ａには、車体側チップリーダＳＲによってチップＣ２から読み出されたことのあるＩＤが接続リストとして記憶される。 - 特許庁 - A memory transistor 100 of a non-volatile semiconductor memory device is provided with a source region 12 and a drain region 14 formed in a silicon substrate 10 and a gate insulating layer (a first insulating layer) 20.
不揮発性半導体メモリ装置のメモリトランジスタ１００は、シリコン基板１０内に形成されたソース領域１２およびドレイン領域１４と、ゲート絶縁層（第１の絶縁層）２０とを有する。 - 特許庁 - When writing is performed in a memory block B in the state 1, secret information is connected to the writing data, hash calculation is performed, and then, content data is written in the prescribed registry of a volatile memory 204.
状態１でメモリブロックＢの書き込みがあったときに、書き込みデータに秘密の情報を連結してハッシュ演算を施して揮発性メモリ２０４の所定のレジストリに内容データを書き込む。 - 特許庁 - This memory element is the non-volatile memory element in which erasing is basically possible and maintenance of information is possible even in a non-power state, and high operational speed and high integration degree are realized.
本発明のメモリ素子は、基本的に消去が可能であり無電源状態でも情報の維持が可能な不揮発性メモリ素子であって、速い動作速度、高い集積度の具現が可能である。 - 特許庁 - The recording and reproducing device (exemplified by recording and reproducing device 1) is provided with, in addition to a memory disk 10 having a volatile memory used for constant recording, a driving device (e.g., input/output I/F 14) for a portable recording medium.
記録再生装置（録画再生装置１で例示）は、常時記録に用いる揮発性メモリを有するメモリディスク１０の他に、可搬記録媒体用の駆動装置（入出力Ｉ／Ｆ１４で例示）を備える。 - 特許庁 - To improve work efficiency by simplifying the work when data stored with a file form which cannot be utilized by a data write-in device is written in a non-volatile memory on a memory module substrate.
データ書込装置が利用できないファイル形式で保存されているデータをメモリモジュール基板上の不揮発性メモリに書き込むとき、その作業を簡単化して作業効率を向上させることである。 - 特許庁 - When a CPU 200 issues a read request to the non-volatile semiconductor memory disk 400, a disk controller 100 can quickly return the read data from the cache memory 120 to the CPU 200.
ＣＰＵ２００が不揮発半導体メモリディスク４００へのリード要求を発行すると、ディスク制御装置１００は、キャッシュメモリ１２０からの読出データをＣＰＵ２００に高速に応答することができる。 - 特許庁 - This information processor is provided with a flash ROM (non- volatile memory) 3 to store programs read from a memory card 15 through card interface 5 and a CPU 1 to execute programs stored in the flash ROM 3.
カードインタフェース５を介して、メモリカード１５から読み出されたプログラムを記憶するフラッシュＲＯＭ（不揮発性メモリ）３と、フラッシュＲＯＭ３に記憶されたプログラムを実行するＣＰＵ１とを備えている。 - 特許庁 - The memory writing circuit 12 starts operations by a writing starting request signal d generated by software operated by the microcomputer 3, and performs a writing operation to the non-volatile memory 11 in a fixed period.
メモリ書込み回路１２は、マイコン３で動作するソフトウェアにより生成される書き込み開始要求信号ｄで動作を開始し、一定周期で不揮発性メモリ１１に書き込み動作を行なう。 - 特許庁 - To provide a technique for enabling a semiconductor memory system, to output a correct data while a status of written data is changed unintensionally by repeating readout of the data from a non-volatile semiconductor memory.
不揮発性半導体メモリに対する繰り返し読み出しにより、意図せずしてデータが書き変わる現象に対して、正しいデータを出力可能とする技術を提供することを課題とする。 - 特許庁 - To widen an operation power source voltage range and to detect a current of a memory cell recorded in a multi-state, in a current sense amplifier used for a non-volatile semiconductor memory.
不揮発性半導体記憶装置に使用される電流センスアンプ回路において、動作電源電圧範囲を広くし、また、多状態に記録されたメモリセルの電流を検知することを目的とする。 - 特許庁 - When the 1st microcomputer executes the rewriting of the nonvolatile memory, a 2nd microcomputer parallelly stores the data transmitted from the program writing device in the temporary storage area in the volatile memory.
第１マイクロコンピュータが不揮発性メモリの書き換えを実行する際には、並行して、第２マイクロコンピュータが、プログラム書込装置から送信されてくるデータを揮発性メモリ内の仮格納領域に格納する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing technology of a memory device which can manufacture a non-volatile memory device having various recording patterns inexpensively, easily, and for a short period, further, can perform freely write-in processing in a user side.
多様な記録パターンの不揮発性メモリデバイスを、安価、容易、かつ短期間に製造可能であって、更にユーザサイドで自由に書込み処理を行うことができるメモリデバイスの製造技術を提供する。 - 特許庁 - The information processing apparatus stores data of nonvolatile memory which may be used in the electric power saving mode, in a volatile memory to which electric power supply is carried out even in the electric power saving mode.
本発明による情報処理装置は、省電力モードにおいて使用される可能性がある不揮発性メモリのデータを、省電力モード中においても電源供給される揮発性メモリへ格納する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor storage device in which two kind of memories of a volatile memory and a nonvolatile memory are packaged on the same chip, respective properties are utilized, and which has both features of high-speed/low-power-consumption.
揮発型メモリと不揮発型メモリの２種類のメモリを同一チップに混載して、それぞれの特性を生かし、高速/低消費電力の特徴を併せ持つ半導体記憶装置の提供。 - 特許庁 - To provide a technology for reducing the number of ASIC pins mounted on a print controller even when a data bus of a volatile memory mounted on the print controller and a nonvolatile memory cannot be shared.
プリントコントローラに搭載される揮発性メモリと不揮発性メモリのデータバスを共用できない場合でも、プリントコントローラに搭載されるＡＳＩＣのピン数を削減するための技術を提供する。 - 特許庁 - In response to the detected indication, data is programmed from a volatile memory: (1) to the fast access pages of the flash memory while skipping the slow access pages, or (2) to the slow access pages while skipping the fast access pages.
表示の検出に応じて、データは、揮発性メモリから（１）フラッシュメモリの遅いアクセスページはスキップして速いアクセスページにプログラムされるか、または、（２）速いアクセスページはスキップして遅いアクセスページにプログラムされる。 - 特許庁 - To simplify a temperature compensation circuit of a flash memory which stores a plurality of threshold voltages in non-volatile memory cells, and reads the threshold voltages using a plurality of word line select level voltages applied to word lines.
不揮発性メモリセルに複数の閾値電圧を記憶し、前記閾値電圧をワード線に印加した複数のワード線選択レベル電圧を用いて読み出すフラッシュメモリの温度補償回路を単純化する。 - 特許庁 - Based on a display mode selected by the user, a CPU 13 sets a ratio of allocation for data broadcasting of memory resources in a non-volatile memory 14 and allocation for program information acquisition.
ＣＰＵ１３はユーザによって選択された表示モードに基づき、不揮発性メモリ１４におけるメモリ資源のデータ放送用割り当てと番組情報取得用割り当ての比率を設定する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device mounted with volatile memory which attains further power saving even if a semiconductor process has made a progress in miniaturization, and which performs automatic power control of the memory.
半導体プロセスの微細化が進んだ場合であってもさらに省電力化を図ることができ、その電力制御を自動で行うことができる揮発性メモリを搭載する半導体装置を提供する。 - 特許庁 - When a normal flash memory is constituted using one chip of a non-volatile semiconductor memory, an input buffer 13 and an address signal A19 processing logic circuit 14 are set to a disable-state.
不揮発性半導体記憶装置を１チップ用いて、通常のフラッシュメモリを構成する場合は、入力バッファ１３及びアドレス信号A19加工論理回路１４がディスエーブル状態に設定される。 - 特許庁 - To provide a technology for reducing a shortage between a selective gate electrode and a memory gate electrode in a semiconductor device having a MONOS type non-volatile memory cell of a split gate structure.
スプリットゲート構造のＭＯＮＯＳ型不揮発性メモリセルを有する半導体装置において、選択ゲート電極とメモリゲート電極との短絡不良を低減することのできる技術を提供する。 - 特許庁 - To provide a technique ensuring complete erasing of data written in a memory cell and being capable of inhibiting deterioration in rewriting of data, in a semiconductor device with an MONOS type non-volatile memory cell.
ＭＯＮＯＳ型不揮発性メモリセルを有する半導体装置において、メモリセルに書き込まれたデータの消去残りを防いで、データの書き換え劣化を抑制することのできる技術を提供する。 - 特許庁 - When the operation of the bath boiler is stopped, the data retained in the volatile memory in the microcomputer 12 is transferred to the memory 13 to store the data, and then the power is turned off by opening the power shutoff circuit 16.
風呂釜運転の停止時には、マイコン１２内部の揮発性メモリに保持されていたデータをメモリ１３へ転送して保存させた後、電源遮断回路１６を開いて電源をオフにする。 - 特許庁 - To provide a non-volatile memory element having a pair of fins formed to define a void and capable of reducing failures in a read operation and also improving a short-channel effect, and to provide a method of manufacturing the memory element.
ボイドの限定された一対のフィンを有する、読み取り動作の障害を減らし、短チャンネル効果を改善させることができる不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To reduce adverse effects on image formation control by the write to a nonvolatile memory of data to be backed up, which are stored in a volatile memory at the time of the image formation of an image formation device.
画像形成装置の画像形成時に、揮発性メモリに記憶されていたバックアップされるべきデータが不揮発性メモリに書き込まれることによる画像形成制御に与える悪影響を削減する。 - 特許庁 - To provide a cross point memory device which is capable of increasing the capacity of a non-volatile memory which is formed of material with properties of changing its electrical resistance by external influence (especially, electrical pulses).
外部影響（特に電気的パルス）により電気的抵抗が変化する特性を有する材料を用いた不揮発性メモリの大容量化を可能としたクロスポイントメモリデバイスを提供すること。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory which uses a FAST type memory cell and can perform erasing operation without requiring an external power source for erasing operation only.
ＦＡＳＴ型メモリセルを用いた不揮発性半導体記憶装置であって、消去動作に専用の外部電源を必要としないで消去動作も行なえる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - Also, since the replaceable non-volatile memory 6 is employed as the recording medium, even if the storage capacity is short, the device can easily deal with shortage by replacing the memory 6.
又記録媒体として交換可能な不揮発性メモリ６を採用したので、記憶容量が不足した場合であっても不揮発性メモリ６を交換することで簡単に対応することができる。 - 特許庁 - An RFID tag includes an antenna, an RF interface coupled with the antenna and a non-volatile memory including a plurality of memory cells, at least one of the memory cells including a floating gate, a control gate and a dielectric therebetween.
ＲＦＩＤタグは、アンテナ、該アンテナと結合されたＲＦインタフェース、及び非揮発性メモリを具え、該非揮発性メモリは複数のメモリセルを具え、該メモリセルの少なくとも一つがフローティングゲート、コントロールゲート、及びこの両者間に設置された誘電質を具えている。 - 特許庁 - The memory cell array of the non-volatile semiconductor memory comprises a plurality of gate electrodes arranged in rows, bit lines D1, D2, D3, and D4 and source lines S1, S2, S3, and S4 which are arranged in columns, and memory cells having a floating gate.
不揮発性半導体記憶装置のメモリセルアレイは、行方向に配置された複数のゲート電極と、列方向に配置されたビット線Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４とソース線Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４と、フローティングゲートを有するメモリセルとを備えている。 - 特許庁
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