「Volatile memory」を含む例文一覧(2819)
＜前へ 1 2 .... 24 25 26 27 28 29 30 31 32 .... 56 57 次へ＞- METHOD AND SYSTEM FOR PROVIDING SEAMLESS SELF-REFRESH FOR DIRECTED BANK REFRESH OF VOLATILE MEMORY
揮発性メモリの指示された（ｄｉｒｅｃｔｅｄ）バンクリフレッシュのためのシームレスセルフリフレッシュを提供する方法およびシステム - 特許庁 - To improve boosting efficiency of a negative boosting circuit, especially the negative boosting circuit used for a non-volatile semiconductor memory.
負昇圧回路、特に不揮発性半導体記憶装置に用いられる負昇圧回路の昇圧効率を向上する。 - 特許庁 - To suppress a peak of consumption power generated in a memory system having multiple non-volatile semiconductor memories.
複数の不揮発性半導体メモリを有するメモリシステムで発生する消費電力のピークを低く抑えることができる。 - 特許庁 - In one effective embodiment, the non-volatile memory cell can be manufactured by using "all-printed" processing technology.
一つの効果的な実施形態では、不揮発性メモリセルを、「全プリント」加工技術を使用して製造することができる。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a non-volatile semiconductor memory cell (SZ) having a separate tunnel window cell (TF).
本発明は、分離トンネル窓セル（ＳＺ）を有する不揮発性半導体メモリセル（ＴＦ）を製造する方法に関する。 - 特許庁 - The semiconductor integrated circuit (1) is provided with non-volatile memory modules (4, 5) whose writing and erasure is available and a CPU (2).
半導体集積回路（１）は、書込み及び消去可能な不揮発性メモリモジュール（４，５）とＣＰＵ（２）とを有する。 - 特許庁 - NON-VOLATILE MEMORY HAVING BURST MODE READING FUNCTION AND PAGE MODE READING FUNCTION DURING INTERRUPTION PERIOD OF ELECTRIC CHANGE OPERATION
電気的変更動作の中断期間にバーストモード読取りおよびページモード読取りの機能能力を有する非揮発性メモリ - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor storage device whose memory size is reduced, and also to provide a manufacturing method of the device.
メモリセルサイズを縮小することができる不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供すること - 特許庁 - Next, the device 1 transmits the image data stored in the volatile memory 21 to a destination designated by an e-mail job control part 23.
揮発性メモリ２１に記憶された画像データを、電子メールジョブ制御部２３で指定された宛先に送信する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile memory element which can be easily and highly integrated and has high reliability, and a manufacturing method thereof.
高集積化が容易で、且つ高い信頼性を有する不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - A plurality of non-random access non-volatile memories are used, and the switching is executed based on the busy information of each of those non-random access non-volatile memories so that the delay of the execution of a program due to the busy period of the non-random access non-volatile memory can be reduced.
複数の非ランダムアクセス型不揮発メモリを使用し、その切替えを個々の非ランダムアクセス型不揮発メモリのビジー情報で行うことで、非ランダムアクセス型不揮発メモリのビジー期間によるプログラム実行の遅延を抑えることができる。 - 特許庁 - To provide a non-volatile memory array in which the chip area is reduced by giving a contrivance to a mask ROM in which a loader program or the like are stored in a memory array.
メモリアレイにおいて、ローダプログラム等を格納したマスクＲＯＭに工夫を与えることにより、チップ面積の削減を図った不揮発性メモリアレイを提供する。 - 特許庁 - To restore information held in a memory without replacing a non- volatile memory loaded after a substrate is replaced when replacing a control substrate of a printer.
プリンタの制御基板の交換時に、搭載された不揮発性メモリの付替えをせずにメモリ保持情報を基板の付替後に復元できるようにしたプリンタを提供する。 - 特許庁 - To provide a drive circuit for a non-volatile ferroclectric memory in which destruction of cell data caused by variation of system voltage is prevented and a drive method for the memory device.
システム電圧変動によるセルデータの破壊を防止する不揮発性強誘電体メモリ装置の駆動回路並びにそのメモリ装置の駆動方法を提供する。 - 特許庁 - To reduce the dispersion of erasing characteristic of a memory cell without using complicated control in a non-volatile memory of two layers type pile structure of a control gate and a floating gate.
制御ゲート、浮遊ゲートの２層式積み上げ構造の不揮発性メモリにおいて、メモリセルの消去特性ばらつきを複雑な制御を用いることなく低減する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory device and a manufacturing method thereof, where word lines are lessened in resistance without making a manufacturing process complicated, and a memory can be read out in a shorter time.
工程を複雑化することなく、ワード線を低抵抗化し、メモリの読み出し時間を短縮できる不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁 - The fault storage unit 454 includes a non-volatile memory configured to store entries pertaining to faults in the plurality of DRAMs 452 on the memory module 450.
故障記憶ユニット４５４は、そのメモリモジュール４５０上の複数のＤＲＡＭ４５２の故障に関連するエントリを記憶するように構成された不揮発性メモリを備える。 - 特許庁 - A bit line of a memory cell array 1 is provided with a page buffer 2 for holding data of one page to be written in a non-volatile memory cell selected by a page address signal.
メモリセルアレイ１のビット線には、ページアドレス信号により選択される不揮発性メモリセルに書き込むべき１ページ分のデータを保持するためのページバッファ２が設けられる。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory for remarkably reducing time required for write-in from a host device without having an auxiliary memory such as an SRAM.
補助メモリ（ＳＲＡＭ等）を合わせ持たずに、上位装置からの書き込みに要する時間を大幅に短縮することができる半導体不揮発性記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an erasing method for a non-volatile semiconductor memory in which threshold voltage of an erased memory cell can be controlled uniformly and all erasion time can be shortened.
消去されたメモリセルのしきい値電圧を均一に制御でき、かつ総消去時間を縮め得る不揮発性半導体メモリ装置の消去方法を提供すること。 - 特許庁 - An in-vehicle equipment 100 is configured to accommodate a portable device 10 comprising a memory such as an SD card, a USB memory, a non-volatile ROM or the like, which stores regional information.
車載機器１００は、地域情報が記憶されたＳＤカード、ＵＳＢメモリ、又は不揮発性ＲＯＭなどのメモリを備えるポータブル機器１０の装着が可能である。 - 特許庁 - Printing is resumed using an apparatus constituted of the battery-driven printer, a battery residual amount detecting means and a non-volatile memory such as a flash memory for storing printing progress information, or the like.
バッテリー駆動可能なプリンタ装置と、電池残量検出手段と、印刷経過情報を記憶させるＦｌａｓｈメモリ等不揮発性メモリとで構成される。 - 特許庁 - When a printer 10 is shifted to a power saving state, power supply to a volatile memory 23 is interrupted, and the storage content of the memory is deleted.
印刷装置１０が節電状態に移行すると、揮発メモリ２３への電源供給が遮断されてしまうため、かかるメモリの記憶内容が消去されてしまう。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory which can accelerate data reading and writing speeds even if the memory is miniaturized, and also to provide a method of driving the same.
微細化に際して、データの読み出し及び書き込み速度をともに向上させることが可能な不揮発性半導体記憶装置及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁 - Write data from the host computer is stored in a backed up nonvolatile memory 102, and read data read from the storage medium 104 is stored in a volatile memory 103.
ホストコンピュータからのライトデータをバッテリーバックアップされた不揮発メモリ１０２に格納し、記憶媒体１０４から読み出したリードデータを揮発メモリ１０３に格納する。 - 特許庁 - To reduce a system start-up time by surely developing application programs and image data stored in a nonvolatile memory and required for start-up in a volatile memory at system start-up.
システム起動時に不揮発性メモリに格納された起動に必要なアプリプログラムや画像データ等を揮発性メモリに確実に展開しシステム起動時間を短縮する。 - 特許庁 - To provide memory cell array structure of a non-volatile semiconductor memory unit, which can read data more quickly in the case of high-speed random access and accessing data of a small number.
高速のランダムアクセス及び少数のデータをアクセスする際により速くデータを読み取ることができる不揮発性半導体メモリ装置のメモリセルアレイ構造を提供すること。 - 特許庁 - The non-volatile memory including a first conductive electrode area, a second conductive electrode area and a memory area arranged between the first and second conductive electrode areas is disclosed.
第１の導電性電極領域と、第２の導電性電極領域と、それらの間に配置されるメモリ領域とを含む不揮発性メモリが開示されている。 - 特許庁 - To improve throughput, to eliminate a high temperature acceleration test, and to extend the range of guarantee temperature and guarantee date in a semiconductor memory device provided with a non-volatile memory element.
不揮発性メモリ素子を備えた半導体記憶装置に関し、スループットを向上させ、高温加速試験を省略でき、保証温度や保証年月の範囲を広くすること。 - 特許庁 - To provide a data backup device wherein a time required for data saving processing is reduced when transferring data written in a volatile memory to a flash memory for data saving processing.
揮発性メモリに書込まれたデータをフラッシュメモリに転送してデータ退避処理を行う際に、該データ退避処理に要する時間を短縮したデータバックアップ装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an electronic control device capable of guaranteeing the quality of data stored in a non-volatile memory when a CPU rewrites data stored in a flash memory.
ＣＰＵがフラッシュメモリに記憶されたデータ書き換えを行う際には、不揮発性メモリに記憶されたデータの品質を保証することができる電子制御装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory in which a circuit is simplified, erasion control of a memory cell can be stably performed, and usability is improved.
回路の簡素化を図りつつ、メモリセルの消去制御を安定的に行うこと及び使い勝手を良くしたができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - In RRT setting processing, data of the RRT stored in the nonvolatile memory and the volatile memory are configured again and the setting of the viewing and listening limitation of the dimensions and rating is received.
ＲＲＴ設定処理は、不揮発性メモリ、揮発性メモリに記憶されたＲＲＴのデータを再構成してディメンジョン、レイティングの視聴制限の設定を受け付ける。 - 特許庁 - In this non-volatile semiconductor memory, a memory cell M0 consisting of floating gate field effect transistors has a negative threshold in which a threshold state is low.
この不揮発性半導体メモリ装置では、浮遊ゲート電界効果トランジスタからなるメモリセルＭ０が、しきい値状態の低い状態が負のしきい値をもっている。 - 特許庁 - Thus, the interruption of writing data to the non-volatile memory 21 is evaded, so that the loss of data to be written in the memory 21 is evaded.
従って、不揮発性メモリ２１へのデータの書き込みの中断を回避することができるので、不揮発性メモリ２１に対し書き込むべきデータの消失を回避できる。 - 特許庁 - To provide a data transferring method and device capable of rewriting data or the like in a non-volatile memory by validly using the memory space of a processor such as a CPU.
ＣＰＵ等のプロセッサのメモリ空間を有効に利用し、不揮発性メモリ内のデータ等を書き換えることのできるデータ転送方法および装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor storage device in which dispersion of read-out current caused by a data state of a non-selection memory cell and a position of a selection memory cell is reduced.
非選択メモリセルのデータ状態や選択メモリセルの位置による読み出し電流のばらつきを低減した不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - The control part 7 stores character data in the RRT in a volatile memory and stores the version of the RRT, the total number of dimensions and the configuration of the dimension in the nonvolatile memory.
制御部７は、ＲＲＴのうちの文字データを揮発性メモリに記憶させ、ＲＲＴのバージョン、ディメンジョン総数、ディメンジョンの構成を不揮発性メモリに記憶させる。 - 特許庁 - To realize a non-volatile memory in which occurrence of read-disturb phenomenon is suppressed by controlling read-out voltage applied to a memory cell and defective read-out can be reduced.
メモリセルに印加される読出し電圧を制御して、リードディスターブ現象の発生を抑制し、読出し不良を低減できる不揮発性メモリ装置を実現する。 - 特許庁 - A back up battery 10, a power supply circuit 11, a control circuit 12, a volatile memory 13, a nonvolatile memory 14, a transmitting and receiving section 15 and an operating section 16 are provided in the unit 1.
センターユニット１にバックアップ電池１０、電源回路１１、制御回路１２、揮発性メモリ１３、不揮発性メモリ１４、送受信部１５、操作部１６を設ける。 - 特許庁 - To provide an image forming device that can transfer operation history information from a volatile memory to a nonvolatile memory even when the power is turned off when a trouble occurs.
障害発生時、電源をオフされた場合でも、動作履歴情報を揮発性メモリから不揮発性メモリへ転送することができる画像形成装置を提供すること。 - 特許庁 - The non-volatile memory device includes a substrate and a stack of the memory device including a phase change material layer formed in an upper part of the substrate.
基板と、基板の上部に形成された相変化材料層を含むメモリ素子のスタックとを含み、前記相変化材料層は、アンチモン及び亜鉛合金で形成される。 - 特許庁 - The volatile storage device 10 having a plurality of memory blocks 1, 2, 3, 4 is arranged, and back up is performed using a power source for back up to the respective memory blocks.
複数のメモリブロック１，２，３，４を有する揮発性メモリ１０を備え、個々のメモリブロックに対してバックアップ用電源を用いてバックアップを行うようになっている。 - 特許庁 - Next, a low power source voltage control circuit obtains the low power source voltage signal, after performing the prescribed processing, the circuit outputs a memory control signal to a non-volatile memory.
次に、低電源電圧制御回路がこの低電源電圧信号を取得し、所定の処理を行った後、不揮発性メモリに対してメモリ制御信号を出力する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory in which control voltage for a control gate line selection switching element is made low voltage by analyzing read-operation for a twin memory cell.
ツインメモリセルへのリード動作を解析することで、コントロールゲート線選択スイッチング素子への制御電圧を低電圧化した不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - This non-volatile semiconductor memory is provided with a transistor M6 and a cut transistor M7 diode-connected to a current mirror circuit for reading out data of a memory cell.
本発明の不揮発性半導体記憶装置ではメモリセルのデータを読み出すためのカレントミラーに対し、ダイオード接続されるトランジスタＭ６とカットトランジスタＭ７とを設ける。 - 特許庁 - The initialization of the computer system includes a process in which initialization codes stored in the nonvolatile memory are automatically copied into the volatile memory.
上記コンピュータシステムが初期化される際に、上記不揮発性メモリ内に記憶された初期化コードを、上記揮発性メモリに自動的にコピーする工程を含んでいる。 - 特許庁 - To provide a memory cell such as a PCM and a non-volatile memory in which increase in power consumption during reading and reduction in an SN ratio can be suppressed and many values can be stored.
読み出し時における消費電力の増大、および、Ｓ／Ｎ比の低下を抑制可能で多値記憶可能なＰＣＭ等のメモリセルおよび不揮発性メモリを実現する。 - 特許庁 - In the non-volatile semiconductor memory, a plurality of word lines (10_1, ...) and a plurality of bit lines (20_1, ...) are provided on a semiconductor substrate, and each memory cell, in each intersection wherein each word line intersects each bit line, is arranged.
半導体基板上に複数本のワード線（１０＿１，…）と複数本のビット線（２０＿１，…）とが配置され、ワード線とビット線との交差部にメモリセルを有している。 - 特許庁 - A host 11 executes a host application, determines the number of interleaves, which indicates the number of banks to be driven in parallel in the non-volatile memory 13, and notifies the memory controller 12 of the number of interleaves.
そして、ホスト１１は、ホストアプリケーションを実行し、不揮発性メモリ１３のバンクを並列動作させる個数を示すインターリーブ数を決定して、メモリコントローラ１２に通知する。 - 特許庁
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