「Volatile memory」を含む例文一覧(2819)
＜前へ 1 2 .... 20 21 22 23 24 25 26 27 28 .... 56 57 次へ＞- To write, with higher accuracy, data to a non-volatile storage element including a memory domain of 4 or more bits to a memory cell held between a source and a drain.
ソース・ドレインに挟まれた１つのメモリセルに４ビット以上のメモリ領域を有する不揮発性記憶素子へのデータ書込を精度よく行う。 - 特許庁 - In a page mode write-in method of a non-volatile memory being electrically erasable and programmable in an integrated circuit, a written page corresponds to a column of a memory array.
集積回路内の電気的に消去プログラム可能な不揮発性メモリのページモード書込み方法において、書込むページはメモリアレイの列に対応する。 - 特許庁 - To shorten a required time at the time of updating memory contents in plural terminal equipment which is respectively equipped with a non-volatile semiconductor memory whose wiring requires a much time.
書き込みに時間のかかる不揮発性半導体メモリを備えた多くの端末装置において、メモリ内容を更新する際の所要時間を短縮する。 - 特許庁 - A writing program 3b and an operation program 3a for a flash memory 8 are down-loaded from a terminal 2 to an RAM 7 being a volatile memory at the time of down-load.
まず、ダウンロード時に揮発性メモリであるＲＡＭ７にフラッシュメモリ８への書込みプログラム３ｂおよび運用プログラム３ａを端末２からダウンロードする。 - 特許庁 - A data management section 106 compares the data held by the nonvolatile memory cell 103 and volatile memory cells 104, 105 to determine whether matching is obtained or not.
データ管理部１０６は、不揮発性メモリセル１０３、揮発性メモリセル１０４、１０５が保持するデータを比較し、整合が取れているか否かを判断する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile memory device, in which a memory cell size is reduced, and low-voltage operation and low-current operation are realized, and to provide a method for producing the device.
メモリセルサイズを小さくし、かつ低電圧動作及び低電流動作を実現した不揮発性記憶装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁 - A storage medium 10 is provided with a read only memory 12 for recording a program and a non-volatile memory 14 in which a version code is written in a non-use state.
記録媒体１０に、プログラムを記録した読出専用メモリ１２の他、未使用状態ではバージンコードが書き込まれた不揮発性メモリ１４を設ける。 - 特許庁 - According to an embodiment, a non-volatile semiconductor storage device comprises a first memory string, a source contact, a second memory string, and a shield conductive layer.
実施形態によれば、第１メモリストリングと、ソースコンタクトと、第２メモリストリングと、シールド導電層と、を備えた不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory device that prevents a write error when data are simultaneously written into all the memory cells selected by one word line.
１つのワード線により選択される全てのメモリセルに同時に書き込みを行う際において、過書き込みを防止可能な不揮発性半導体記憶装置。 - 特許庁 - A memory board MB including a memory for storing waveform data representing a musical sound waveform so as to be rewritable in a volatile way is detachable from a sound source circuit 14.
音源回路１４に、楽音波形を表す波形データを書き換え可能かつ不揮発に記憶するメモリを備えたメモリボードＭＢを着脱可能とする。 - 特許庁 - Then, control is performed to return the volatile memory from the self-refresh operation mode depending on the progress of writing of data to the nonvolatile memory.
そして、不揮発性メモリへのデータ書込みの進行状況に応じて、その揮発性メモリをセルフリフレッシュ動作モードから復帰させるように制御する。 - 特許庁 - To suppress the amount of electric power expended during a data saving operation from a volatile memory to a nonvolatile memory to reduce the supply power required for the data saving operation.
揮発性メモリから不揮発性メモリへのデータ退避動作時に費やされる電力量を抑え、データ退避動作時に要する供給電力を低減する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory device capable of preventing erroneous writing and erasing of data at setting or resetting memory cells.
メモリセルのセット／リセット動作におけるデータの誤書き込みや誤消去を防止することができる不揮発性半導体記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a controller of a non-volatile memory in which retrieval operation of a block to be a compaction processing target candidate, does not influence an access speed of access to a main memory.
コンパクション処理の対象候補となるブロックの検索動作がメインメモリへのアクセス速度に影響しない不揮発性メモリのコントローラを提供する。 - 特許庁 - This method is a method for changing threshold voltage of plural non-volatile memory cells after erasure processing, for example, flash EEPROM memory cells (NOR-MX).
消去処理後の複数の不揮発性メモリセル、例えばフラッシュＥＥＰＲＯＭメモリセル（ＮＯＲ−ＭＸ）のしきい値電圧を変更する方法を開示する。 - 特許庁 - To provide a test method for characteristics of a non-volatile semiconductor memory in which the retention of all memory cells can be sufficiently guaranteed by only adding simple procedures.
簡単な手順を追加するだけで全メモリセルのリテンションを十分に保証できる不揮発性半導体メモリの特性検査方法を提供すること。 - 特許庁 - The mobile code reader 1 memorizes an input communication setting information of bluetooth not only in its memory, but also in the non-volatile memory 14d of the wireless module 14.
携帯型コードリーダ１は、入力したBluetoothの通信設定情報を自己のメモリに加えて無線モジュール１４の不揮発性メモリ１４ｄにも記憶する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory provided with a constitution by which a leak current is prevented in a virtual grounding memory array.
本発明は、仮想接地メモリアレイにおいてリーク電流を防ぐ構成を備えた不揮発性半導体記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The calculated length around waist is stored together with age and height in a third memory 140 constituting a rewritable non-volatile memory.
算出されたウエスト周囲径は、年齢や身長といった情報と共に、書き換え可能な不揮発性のメモリで構成される第３記憶部１４０に記憶する。 - 特許庁 - To provide a memory access method and device, capable of performing data reading from a rewritable non-volatile memory without requiring address control for the data reading.
データ読出のためのアドレス制御を必要とせず、書換式不揮発メモリからデータ読出を行うことが可能なメモリアクセス方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - A microcontroller 102 sets a memory edition mode for correcting the contents of a non-volatile memory 103 according to instructions from a user inputting means 101.
マイクロコントローラ１０２はユーザ入力手段１０１からの指示により不揮発性メモリ１０３の内容を修正すべくメモリ編集モードにする。 - 特許庁 - A flash memory is provided with an address bus, a data bus, a control line, and an address specifiable non-volatile memory cell carry 64 connected to the address bus and the data bus.
フラッシュメモリは、アドレスバスと、データバスと、制御線と、前記アドレスバスおよびデータバスに接続したアドレス指定可能不揮発性メモリセルアレイとを備える。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory of a batch erasure type in which usage efficiency of a flash memory cell is improved by redundancy constitution having good efficiency.
効率の良い冗長構成によりフラッシュメモリセルの使用効率を向上させた一括消去型の不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - The memory cell of the non-volatile memory 1 comprises: a cell selection transistor 5, and a ferroelectric capacitor 2 connected to the cell selection transistor 5 electrically.
不揮発性メモリ１のメモリセルは、セル選択トランジスタ５と、セル選択トランジスタ５に電気的に接続された強誘電体キャパシタ２とを有している。 - 特許庁 - To provide a compact semiconductor memory device fully utilizing characteristics of a plurality of types of non-volatile memories having different memory cell configurations.
異なるメモリセル構成を持つ複数種類の不揮発性メモリの特性を最大限に活用できると共に、小型化が可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - Programming voltage is applied to a DRAM memory cell consisting of word lines, bit lines, transistors, and capacitive storing devices to fully employ the functions of a non-volatile memory.
不揮発性メモリの機能を発揮させるために、プログラミング電圧をワード線、ビット線、トランジスタ、および容量記憶デバイスからなるＤＲＡＭメモリ・セルに印加する。 - 特許庁 - To provide a memory system for achieving speed-up and an increase in efficiency in data writing processing in non-volatile memory, to which overwriting is inapplicable and to which writing involves block-to-block data move.
上書き不可能な不揮発性メモリにおけるブロック移動を伴うデータ書き込み処理の効率化、高速化をなし得るメモリシステムを提供すること。 - 特許庁 - Moreover, the time required for writing is a higher speed than a non-volatile memory composed of a floating gate type MOS transistor to be used for a conventional flash memory.
しかも、その書き込みに要する時間は、従来のフラッシュメモリで使用されるフローティングゲート型のＭＯＳトランジスタからなる不揮発性メモリよりも高速である。 - 特許庁 - To provide a non-volatile memory device which includes a three-dimensional cross-point variable resistance memory array, having common connections for common bit line, common word line etc.
共用ビット線や共用ワード線等の共用接続を備える３次元クロスポイント型可変抵抗メモリアレイを備えた不揮発性記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory in which over-erasion is not caused even if a memory cell is replaced in the direction of word line, and which has good relieving efficiency.
ワード線方向にメモリセルを置換しても過剰消去が生じず、且つ救済効率の良い不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - A power supply voltage is detected and simultaneously with power-on, a plurality of kinds of information in a nonvolatile memory are transferred to an amplifier circuit via a volatile memory.
電源電圧を検出して、電源の投入と同時に、不揮発性メモリの複数の情報を揮発性メモリを介して増幅回路に転送するようにした。 - 特許庁 - Each of the non-volatile memories 21-0, 21-1 includes a plurality of pages each of which is composed of a plurality of memory cells, and each memory cell can store N bits (N is a natural number of ≥2).
不揮発性メモリは、それぞれが複数のメモリセルからなる複数のページを含み、各メモリセルは、Ｎビット（Ｎは２以上の自然数）を記憶可能である。 - 特許庁 - This data processor comprises: an electrically erasable and writable nonvolatile memory 18 for storing vector addresses and a processing program; a volatile memory; and a central processor 12.
ベクタアドレスと処理プログラムを格納する電気的に消去及び書き込み可能な不揮発性メモリ（１８）、揮発性メモリ、及び中央処理装置（１２）を有する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory equipped with an erasion voltage control circuit in which the area occupancy rate of a memory cell array is never reduced.
メモリセルアレイの面積占有率を低下させることのない消去電圧制御回路を備えた不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - Therefore, the memory cell can be protected against damage caused by etching of an oxide film, so that a semiconductor non-volatile memory excellent in characteristics can be obtained.
このため、酸化膜エッチングによってメモリセルにダメージを与えることがなく、良好な特性を有する半導体不揮発性メモリを得ることができる。 - 特許庁 - To read out surely data held in a memory cell of a non-volatile semiconductor memory having a plurality of word lines of which wiring width are different.
配線幅の異なる複数のワード線を有する不揮発性半導体メモリのメモリセルに保持されているデータを確実に読み出すことを目的とする。 - 特許庁 - As a result, the time from the start of the transfer from the nonvolatile memory FLASH to the volatile memory SDRAM until the data becomes accessible can be shortened.
この結果、不揮発性メモリＦＬＡＳＨから揮発性メモリＳＤＲＡＭに転送が開始されてからデータがアクセス可能になるまでの時間を短縮できる。 - 特許庁 - The typical integrated chip (IC) card having the display function includes a central processing unit, a volatile memory, a nonvolatile memory, a card interface and a display unit.
表示機能を有する模範的な集積チップ（ＩＣ）カードは、中央処理装置、揮発性メモリ、不揮発性メモリ、カード・インターフェース、及び表示装置を含む。 - 特許庁 - To improve the erasure characteristic of a memory cell of a rewritable non-volatile semiconductor memory in which data erasure, data write or the like is possible.
データの消去、書き込みなどの書き換え可能な不揮発性半導体記憶装置のメモリセルの消去特性を向上させることを目的とする。 - 特許庁 - To enable an external volatile semiconductor memory device to secure therein a buffer memory region, having a suitable capacity size corresponding to the level of a bit rate of digital broadcast data.
デジタル放送データのビットレートの大小に対応する適切な容量サイズを持つバッファメモリ領域を外部揮発性半導体記憶装置で確保すること。 - 特許庁 - A method for processing elements included in a non-volatile memory of a memory system includes obtaining erase counts associated with a plurality of erased elements.
メモリシステムの不揮発性メモリに含まれる要素を処理する方法が、複数の消去要素に関連付けられた消去カウントを得ることを含む。 - 特許庁 - The non-volatile semiconductor storage device has a plurality of memory strings MS to which a plurality of electrically rewritable memory transistors are connected in series.
不揮発性半導体記憶装置は、電気的に書き換え可能な複数のメモリトランジスタが直列に接続された複数のメモリストリングスＭＳを有する。 - 特許庁 - On the contrary, in a case where the electronic mail are erased the memory medium to store the received electronic mails (S33) is set at a volatile memory medium (RAM108).
一方、電子メールを消去する場合、受信する電子メールを保存する記憶媒体を揮発性の記憶媒体（ＲＡＭ１０８）に設定する（Ｓ３３）。 - 特許庁 - When the numerical control device is powered up, whether or not to transfer each program of additional functionality from a nonvolatile memory to a volatile memory is selected.
数値制御装置に電源が投入されたとき、各付加的機能のプログラムを不揮発性メモリから揮発性メモリに転送するか否かを選択する。 - 特許庁 - The transitioning gate voltage and the reference current are stored in memory as current-voltage characteristic information for the non-volatile memory bit cell.
前記遷移ゲート電圧および前記基準電流を前記不揮発性メモリビットセルに対する電流−電圧特性情報としてメモリに格納する。 - 特許庁 - To prevent storage of failure information in non-volatile memory means in checking motion of a control device for a vehicle.
車両用制御装置の動作チェック時に故障情報を不揮発性記憶手段に記憶させないようにする。 - 特許庁 - To suitably determine whether or not abnormality is generated on a non-volatile memory 20 more than ever.
従来よりも不揮発性メモリに異常が発生しているか否かを適切に判定することができるようにする。 - 特許庁 - Either all or part of mapping information, which is stored in a volatile memory, is written to a nonvolatile storage area.
揮発性のメモリに記憶されているマッピング情報の全部又は一部を、不揮発性の記憶領域に書込む。 - 特許庁 - A function as a non-volatile memory is provided to the SRAM by combining the SRAM and an RF battery.
ＳＲＡＭとＲＦバッテリーとを組み合わせることで、ＳＲＡＭに不揮発性メモリとしての機能を持たせる。 - 特許庁 - The address space of the CPU has a protection area for protecting a program stored in the non-volatile memory.
ＣＰＵのアドレス空間は、不揮発性メモリに記憶されるプログラムを保護するための保護領域を配置する。 - 特許庁
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