「Volatile memory」を含む例文一覧(2819)
＜前へ 1 2 .... 19 20 21 22 23 24 25 26 27 .... 56 57 次へ＞- The vehicle model-based data 7 are acquired from a memory card 61 storing vehicle model-based data 7 of a vehicle model different from the vehicle model-based data 7 stored in the non-volatile memory 40, to be added and stored in the non-volatile memory 40.
そして、不揮発性メモリ４０に記憶された車種別データ７とは異なる車種の車種別データ７が記憶されたメモリカード６１から当該車種別データ７を取得して、不揮発性メモリ４０に追加して記憶させることが可能である。 - 特許庁 - The flash memory includes a non-volatile memory cell array, an error correction circuit for correcting an error in first phase data stored in the non-volatile memory array and outputting second phase data, and a phase register for storing the second phase data.
本発明はフラッシュメモリ装置に係り、非揮発性メモリセルアレイ、前記非揮発性メモリセルアレイに貯蔵された第１フューズデータをエラー訂正して、第２フューズデータで出力するエラー訂正回路と、前記第２フューズデータが貯蔵されるフューズレジスタを含む。 - 特許庁 - The firmware has: an initialization routine of reading the logical expression from the second nonvolatile memory, analyzing it, and storing an analysis result thereof into the volatile memory; and a logical operation execution routine of reading the analysis result of the logical expression from the volatile memory and executing it.
ファームウェアは、第２の不揮発性メモリから論理式を読み出して解析し、その解析結果を揮発性メモリに記憶する初期化ルーチンと、揮発性メモリから論理式の解析結果を読み出して実行する論理演算実行ルーチンとを有する。 - 特許庁 - When data of the application program are generated to be arranged continuously in a non-volatile memory, processing of the memory access monitoring function is simplified.
アプリケーションプログラムのデータが不揮発性メモリ中に連続して配置されるように生成することで、メモリアクセス監視機能の処理を簡略化する。 - 特許庁 - To substantially increase a data write cyclability per sector of a non-volatile memory represented by a flash memory or the like to extend a service life.
フラッシュメモリ等に代表される不揮発性メモリのセクタ当たりのデータ書換え可能回数を実質的に増加し、寿命を延ばすようにする。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory device in which data written in a non-volatile memory once is surely protected and a security function of EEPROM data is high.
不揮発性メモリに一度書き込んだデータを確実に保護し、ＥＥＰＲＯＭデータのセキュリティー機能の高い半導体記憶装置の提供。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory device having a memory cell in which kinds of operating voltages are few and the scale of the peripheral circuit is reduced.
動作電圧種が少なく周辺回路の回路規模を小さくできるメモリセルを有する不揮発性半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a memory controller capable of using highly reliable information stored in a volatile memory when recovering from a power saving mode.
省電力モードからの復帰時に、揮発性メモリに記憶されている信頼性の高い情報を利用可能なメモリ制御装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for programming a non-volatile semiconductor memory in which programming time can be shortened and the deterioration of the characteristics of a memory cell can be prevented.
プログラム時間を短縮でき、かつメモリセルの特性低下を防止できる不揮発性半導体メモリ装置のプログラム方法を提供すること。 - 特許庁 - To securely back up data stored in a memory provided in the transmission and reception device by using a volatile memory even in a long-period power break.
送受信装置内に設けられたメモリに蓄積されたデータを、長期の電源断にかかわらず揮発性メモリを用いて確実にバックアップする。 - 特許庁 - The semiconductor memory device comprises a non-volatile programmable and electrically erasable memory cell having a single layer of grid material.
不揮発性の書き込み可能かつ電気的に消去可能な、単一グリッド材レイヤを有するメモリ・セルを備えた半導体メモリ素子を提供する。 - 特許庁 - This device is provided with plural memory cell sections having plural non-volatile memory cells being rewritable electrically, a storage section, and an access prohibition circuit.
電気的にデータを書き換え可能な複数の不揮発性メモリセルを有する複数のメモリセル部と、記憶部と、アクセス禁止回路とを備えている。 - 特許庁 - To put a system into sleep state without complicated software processing in the memory control system having an interface of volatile semiconductor memory.
揮発性半導体メモリのインタフェースを有するメモリ制御システムにおいて、複雑なソフトウエア処理をすることなくシステムをスリープ状態にする。 - 特許庁 - A non-volatile semiconductor memory device has a plurality of memory cells M111-M1nm, a sector selecting circuit 8, a writing/erasure control circuit 9 and well circuits 10, 11.
複数のメモリセルＭ１１１〜Ｍ１ｎｍと、セクタ選択回路８と、書込／消去制御回路９と、ウエル回路１０、１１とを有している。 - 特許庁 - To provide a non-volatile memory device having a multi-banks which is a plurality of memory banks and in which parallel write-in operation and parallel erasing operation can be performed.
複数のメモリバンクで並列書き込み動作や並列消去動作が可能なマルチバンクを有する不揮発性記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory in which over-erasure is not caused even if a memory cell is replaced in the direction of word line and relieving efficiency is good.
ワード線方向にメモリセルを置換しても過消去が生じず且つ救済効率の良い不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - The reference circuit of this invention is used as a circuit generating reference voltage in a non-volatile semiconductor memory device, namely, in a ferroelectric random access memory device.
不揮発性半導体メモリ装置、すなわち強誘電体ランダムアクセスメモリ装置において基準電圧を発生する回路として使用される。 - 特許庁 - To provide a monitor diagnosing device capable of protecting the data of a volatile memory without extending a power supply device for power interruption or a memory.
停電時電源供給装置やメモリを増設することなく揮発性メモリのデータを保護できるようにした監視診断装置を提供する。 - 特許庁 - In addition to this, the non-volatile memory includes a voltage supply line regulator that limits voltage supply based on a sensed operational current that results from the controlled current source in the non-volatile memory.
このほか、該非揮発性メモリは電圧供給線調整器を具え、それは検出した操作電流に基づき電圧供給を制限し、該操作電流は該非揮発性メモリ内の被制御電流源において発生する。 - 特許庁 - The image processing apparatus 101 is provided with a main CTL board 105 loaded with an ASIC (Application Specific Integrated Circuit) 107 and a non-volatile memory 203, and an HDD unit 115 loaded with a control circuit 201 and a non-volatile memory 202.
画像処理装置１０１は、ＡＳＩＣ１０７及び不揮発メモリ２０３を搭載したメインＣＴＬ基板１０５と、制御回路２０１及び不揮発メモリ２０２を搭載したＨＤＤユニット１１５を備える。 - 特許庁 - To provide a vehicle control device for constantly storing an abnormal code in a non-volatile memory, and preventing a vehicle from being available on the market while leaving the setting in which the abnormal code cannot be stored in the non-volatile memory.
異常コードを不揮発性メモリに常時保存でき、異常コードが不揮発性メモリに保存できない設定のまま、車両が市場に出るのを防ぐことができる車両制御装置を提供すること。 - 特許庁 - This control method of the assemblies includes an actuator 40 related to an assembly component 20, an additional control unit 42 having a first non-volatile memory section 44 and connected to the control unit 30, and a second non-volatile memory section 46.
アセンブリコンポーネント２０に関連するアクチュエータ４０と、第１の不揮発性メモリセクション４４を有し、かつコントロールユニット３０に接続された追加的なコントロールユニット４２を含み、第２の不揮発性メモリセクション４６を含む。 - 特許庁 - To enable prevention of unauthorized access to data stored in a non-volatile memory to be prevented, and to enable to dispense with control of complicated access limitation relating to the non-volatile memory by each application, in an IC card.
ＩＣカードにおいて、不揮発性メモリに格納されているデータへの不正なアクセスすることを防止でき、各アプリケーションによる不揮発性メモリに対する複雑なアクセス制限の制御も不要とすることができる。 - 特許庁 - To provide a non-volatile memory that suppresses the leakage current of a ferroelectric substance and can be used stably, and to provide a method of manufacturing the non-volatile memory.
本発明は、不揮発性メモリ及びその製造方法に関し、強誘電体のリーク電流を抑制し、安定して使用することができる不揮発性メモリ及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a backup device of vehicle information for suppressing the number of times of data rewriting, and for backing up data which are extremely close to the latest data stored in a volatile semiconductor memory to a non-volatile semiconductor memory.
データ書き換え回数を抑えつつ、揮発性半導体メモリに記憶される最新のデータに極力近いデータを不揮発性半導体メモリにバックアップすることのできる車両情報のバックアップ装置を提供する。 - 特許庁 - Storage of information represented by a multi-bit word in a single non-volatile memory cell is made possible by programming the threshold voltage of the non-volatile memory to a specific threshold level corresponding to the multi-bit word.
マルチビットワードによって表される情報を１つの非揮発性メモリセルに格納することは、非揮発性メモリの閾値電圧をマルチビットワードに対応する特定の閾値レベルにプログラムすることによって可能になる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device capable of discriminating the abnormality on a high voltage generating circuit side or the abnormality on a non-volatile memory side and of detecting the defective state such as leakage within the non-volatile memory.
高電圧発生回路側の異常か不揮発性メモリ側の異常かを判別するとともに、不揮発性メモリ内部のリークなどの不具合な状態を検出することを可能にした、半導体装置を提供すること。 - 特許庁 - Then, when it is judged that the input data stored in the volatile memory reach the prescribed amounts by the judging means, the input data stored in the volatile memory are executed as a program for generating a picture.
そして、判定手段によって揮発性メモリに格納された入力データが所定量に達したことを判定されたとき、揮発性メモリに格納した入力データを画像生成用のプログラムとして実行する。 - 特許庁 - The contents of a non-volatile memory(ROM 32) mounted on an auxiliary substrate (communication control part 3) are read, and the read contents are written in a non-volatile memory (ROM 22) mounted on another auxiliary substrate (communication control part 2).
補助基板（通信制御部３）に搭載された不揮発性メモリ（ＲＯＭ３２）の内容を読み込み、読み込んだ内容を別の補助基板（通信制御部２）に搭載された不揮発性メモリ（ＲＯＭ２２）に書き込む。 - 特許庁 - The incorporated equipment includes a refresh execution part (CPU 1, SDRAM 4) which refreshes programs stored so as to be divided into readable/writable fixedly sized blocks of a non-volatile memory, in the non-volatile memory.
提案する組み込み機器は、前記不揮発性メモリのリード／ライト可能な固定サイズのブロックに分割して格納された前記プログラムを、前記不揮発性メモリ内でリフレッシュするリフレッシュ実行部（ＣＰＵ１、ＳＤＲＡＭ４）、を有する。 - 特許庁 - A sense amplifier circuit compares the reference current to a drain current generated by a non-volatile memory bit cell as sweeping gate voltages are applied to the non-volatile memory bit cell until a transitioning gate voltage is identified.
センスアンプ回路は、遷移ゲート電圧が識別されるまで不揮発性メモリビットセルに掃引ゲート電圧が印加されるとき、前記基準電流を前記不揮発性メモリビットセルによって生成されるドレイン電流と比較する。 - 特許庁 - If the queues sufficiently have the storage spaces secured in the commitment records, the queues are synchronized 708 to confirm that all messages to be stored in a volatile memory have been moved to a non-volatile memory.
待ち行列が、コミットレコードに確保される格納空間を十分に持つ場合、それぞれの待ち行列を同期して７０８、揮発性メモリ内に格納されるどのメッセージも不揮発性メモリへ移動したことを確認する。 - 特許庁 - To provide a control apparatus of a non-volatile memory in which a reliability of data which are written into the non-volatile memory less deteriorates or does not deteriorate in various using states, and an image forming apparatus.
さまざまな使用状態において不揮発性メモリに書き込まれるデータの信頼性の低下を軽減、抑制できる不揮発性メモリの制御装置及び画像形成装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To insert and execute an instruction cycle of a CPU between the execution of writing and erase command sequence of a non-volatile memory and the start of writing and erase operation of the non-volatile memory by the CPU.
ＣＰＵによる不揮発性メモリの書き込み及び消去コマンドシーケンスの実行から不揮発性メモリの書き込み及び消去動作の開始の間に、ＣＰＵの命令サイクルの挿入及び実行を可能にする。 - 特許庁 - To provide a memory controller for surely preventing the generation of any bit error due to read disturb, and a non-volatile storage device using the same, and a non-volatile storage system.
リードディスターブによるビット誤りの発生を確実に防ぐことができるメモリーコントローラ、及びこれを用いた不揮発性記憶装置並びに不揮発性記憶システムを提供する。 - 特許庁 - A first control unit having a first non-volatile memory and a second control unit having a second non-volatile memory are mounted on a vehicle, and the same program or the same data are stored in the first and second non-volatile memories, and reprogrammed from a reprogramming device.
第１の不揮発性メモリを有する第１の制御ユニットおよび第２の不揮発性メモリを有する第２の制御ユニットが車両に搭載され、第１および第２の不揮発性メモリには同じプログラムまたは同じデータが記憶されて書き換え装置から書き換えられる。 - 特許庁 - To return to a normal operation regardless of existence of a malfunction detecting device when memory information of the nonvolatile memory is changed and the malfunction is effected due to a momentary break, α-rays, etc., in a configuration of nonvolatile memory and volatile memory.
不揮発性メモリーと揮発性メモリーの構成において、瞬断、α線等によって不揮発性メモリーの記憶情報が変化し誤動作した場合に、誤動作検知の有無に関わらず、正常動作に復帰する。 - 特許庁 - The memory 11 comprises a volatile semiconductor memory, or the like, and stores data, a program, and the like, and has a temporary storage buffer in the hard disk drive 12 or a cache memory function.
メモリ１１は、揮発性の半導体メモリなどからなり、データやプログラムなどを記憶するとともに、ハードディスクドライブ１２における一時記憶バッファ、もしくはキャッシュメモリ機能を有する。 - 特許庁 - This device comprises a volatile memory 10 having a plurality of memory blocks 1, 2, 3, and 4, so that the backup of the individual memory blocks 1, 2, 3 and 4 is performed by the use of a backup power source 610.
複数のメモリブロック１，２，３，４を有する揮発性メモリ１０を備え、個々のメモリブロック１，２，３，４に対してバックアップ用電源６１０を用いてバックアップを行うようになっている。 - 特許庁 - To provide a non-volatile memory which can prevent an over-erasing state of a memory cell being easy to be erased, and can perform normal read- out operation even if a memory cell is turned into an over-erasing state.
消去されやすいメモリセルが過消去状態となるのを防ぎ、メモリセルが過消去状態となっても正常な読み出し動作が行える不揮発性記憶装置を得ることである。 - 特許庁 - This circuit has a memory cell array 1 having non-volatile memory cells MC and a reference cell array 2, and a data '1' state (a state of current-pull-in) is written in a memory cell MC of the reference cell array 2.
不揮発性のメモリセルＭＣを持つメモリセルアレイ１と、参照セルアレイ２を有し、参照セルアレイ２のメモリセルＭＣには、データ“１”状態（電流引き込みがある状態）に書かれている。 - 特許庁 - A designation data evacuation means 10b evacuates data stored in a volatile memory 14 backupped by a battery 15 to a nonvolatile memory 16 needing no battery in data name units, and makes the nonvolatile memory 16 store them.
バッテリ１５でバックアップされた揮発性メモリ１４に記憶するデータを、指定データ退避手段１０ｂは、データ名単位でバッテリ不要の不揮発性メモリ１６に退避させ記憶させる。 - 特許庁 - A non-volatile semiconductor memory has memory cells 100 having first and second MONOS memory cells controlled by a word gate and a control gate, and a memory cell array region in which a plurality of memory cells are arranged in the direction of A and B.
不揮発性半導体記憶装置は、ワードゲートと、コントロールゲートにより制御される第１，第２のＭＯＮＯＳメモリセルとを有するメモリセルを１００、第１及び第２の方向Ａ，Ｂにそれぞれ複数配列してなるメモリセルアレイ領域を有する。 - 特許庁 - A power supplying part 105 supplies a power supplied from the outside of a semiconductor memory 1 to a control part 102, and simultaneously stores a power necessary for the control part 102 to save storage data on a volatile memory 103 to a non-volatile memory 104.
電力供給部１０５は、半導体記憶装置１の外部から供給された電力を制御部１０２等に供給しつつ、制御部１０２が揮発メモリ１０３上の記憶データを不揮発性メモリ１０４に退避するのに必要な電力を蓄積する。 - 特許庁 - To provide a designing method capable of preventing the read of wrong data by reducing the apparent shift quantity of a threshold value concerning a non-volatile semiconductor memory circuit provided with a non-volatile memory cell (memory cell) for storing data corresponding to the level of a threshold voltage.
しきい値電圧の高低によりデータを記憶する不揮発性記憶素子（メモリセル）を含む不揮発性半導体記憶回路において、見かけ上のしきい値のシフト量を小さくして誤ったデータの読み出しを防止できる設計方法を提供する。 - 特許庁 - First, a 1st microcomputer stores data transmitted from a program writing device in a temporary storage area in a volatile memory, and the microcomputer 1 subsequently executes the rewriting of a nonvolatile memory based on the data stored in the temporary storage area in the volatile memory.
まず、第１マイクロコンピュータが、プログラム書込装置から送信されてくるデータを揮発性メモリ内の仮格納領域に格納し、その後、第１マイクロコンピュータが、揮発性メモリ内の仮格納領域に格納したデータに基づいて不揮発性メモリの書き換えを実行する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile memory element using a carrier spin injected magnetoresistive effect film that consumes only a small amount of power and does not result in malfunction even if element size and the distance between the elements are greatly reduced, and can be integrated on a large scale, and to provide a memory device using the non-volatile memory element.
消費電力が小さく、素子サイズ及び素子間距離を大幅に縮小しても誤動作がなく、大規模集積化が可能な、キャリヤスピン注入型磁気抵抗効果膜を用いた不揮発性メモリー素子とそれを用いたメモリー装置を提供する。 - 特許庁 - The occurrence frequency of stopping or restarting the engine stored in a volatile memory is stored in the nonvolatile memory, in a state of having risk of dissipating data on the occurrence frequency of stopping or restarting the engine stored in the volatile memory, by storing the detected occurrence frequency of stopping or restarting the engine in the volatile memory, by detecting the occurrence frequency of stopping or restarting the engine.
エンジンの停止又は再始動の発生回数を検出し、検出されたエンジンの停止又は再始動の発生回数を揮発性メモリに記憶し、揮発性メモリに記憶されたエンジンの停止又は再始動の発生回数のデータが消失するおそれがある状態であるとき、揮発性メモリに記憶されたエンジンの停止又は再始動の発生回数を不揮発性メモリに記憶する。 - 特許庁 - The control task 23 performs processing of allowing a nonvolatile memory device 16 to store each event information and periodic information stored in a volatile memory device 15 (S24).
ログ制御タスク２３が、揮発メモリデバイス１５へ記憶済みの各イベント情報及び定期情報を不揮発メモリデバイス１６へ記憶させる処理を行う（Ｓ２４）。 - 特許庁 - To make a program loadable in a short time without causing increases in the capacity of a nonvolatile memory and the capacity of a volatile memory.
不揮発性メモリの容量の増大をもたらさず、しかも揮発性メモリの容量を増大させることなく短時間でプログラムのローディングを可能とする。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
