「Volatile memory」を含む例文一覧(2819)
＜前へ 1 2 .... 17 18 19 20 21 22 23 24 25 .... 56 57 次へ＞- In addition to it, even when the accessory switch SW is turned off during writing data in the non-volatile memory 21, the main CPU 10A can complete writing data in the non-volatile memory 21.
これに加えて、不揮発性メモリ２１にデータを書き込んでいるときに、アクセサリスイッチＳＷがオフしても、主ＣＰＵ１０Ａが、不揮発性メモリ２１に対するデータの書き込みを完了させることができる。 - 特許庁 - Simultaneously, information of the timer 46 at this time is also recorded in the volatile memory 45, and the control part 44 relates the patient information with a photographed image and timer information to be recorded in the non-volatile memory 4.
同時に、このときのタイマ４６の情報も揮発性メモリ４５に記録され、制御部４４は患者情報、撮影画像及びタイマ情報を関連付けて不揮発性メモリ４５に記録する。 - 特許庁 - A first detection means 15 detects data to be transferred from the volatile semiconductor memory to the non-volatile semiconductor memory, based on the first flag data stored in the second storage means at shutdown.
第１の検出手段１５は、シャットダウン時、第２の記憶手段に記憶された第１のフラグデータに基づき、揮発性半導体メモリから不揮発性半導体メモリに転送すべきデータを検出する。 - 特許庁 - As a tester pushes a photography switch 11, photography is conducted, a photographed image is recorded in the volatile memory 45, and the patient information is related with the photographed image to be recorded in the non-volatile memory 4.
検者が撮影スイッチ１１を押すことにより、撮影を行い揮発性メモリ４５に撮影画像を記録し、更に患者情報と撮影画像を関連付けて不揮発性メモリ４５に記録する。 - 特許庁 - A terminal includes a battery, a volatile memory that is supplied with electric power only from the battery and stores data input from the outside, and display means for displaying the data stored in the volatile memory.
端末装置は、バッテリと、前記バッテリからのみ給電され、外部から入力されたデータを記憶する揮発性メモリと、前記揮発性メモリに記憶されたデータを表示する表示手段と、を備える。 - 特許庁 - To provide a static random access memory with a non-volatile data holding function and its operating method, where a static random access memory is made to have the non-volatile data holding function so as to be further reduced in power consumption and manufacturing cost.
不揮発データ保持機能付きスタティック・ランダム・アクセス・メモリ及びその動作方法に関し、不揮発データ保持機能を持たせることによって、さらなる低消費電力化、低価格化を実現する。 - 特許庁 - The first volatile memory cell 201 is in a size of X in the row direction and Y1 in the column direction, and the second volatile memory cell 203 is in a size of X in the row direction and Y2 in the column direction, wherein Y1 is larger than Y2.
第１の揮発性メモリセル２０１が行方向Ｘ、列方向Ｙ１の大きさであり、第２の揮発性メモリセル２０３が行方向Ｘ、列方向Ｙ２の大きさであり、かつＹ１＞Ｙ２である。 - 特許庁 - To provide a game machine which reports a time till contents stored in a volatile memory is erased or a timing to indicate the erasure of the storage contents in the volatile memory by an erasure indicating means.
揮発性メモリの記憶内容が消去されるまでの時間又は消去指示手段により前記揮発性メモリの記憶内容の消去を指示するタイミングを報知することができる遊技機を提供する。 - 特許庁 - To provide a firmware startup management device and method which satisfy a request for shortening startup time in a built-in apparatus in which firmware is transferred from non-volatile memory and operable on volatile memory.
ファームウェアが不揮発性メモリから転送されて揮発性メモリ上で動作可能な組込み機器における起動時間の短縮要求を満たすファームウェア起動管理装置および方法を提供する。 - 特許庁 - The real data part of data to be written is cached in a hard disk being a non-volatile memory, and file management information related with the data is stored in a prescribed region in the non-volatile memory.
書き込むべきデータの実データ部分を不揮発性メモリであるハードディスクにキャッシュすると共に、前記データに関するファイル管理情報を前記不揮発性メモリにおける所定の領域に格納する。 - 特許庁 - To provide a system provided with a non-volatile memory, having reliability higher than a conventional system and capable of previously preventing or reducing the writing of defective data in the non-volatile memory and resisting circuit malfunction/runaway.
不揮発性メモリへの不良データ書込みを未然に防止、あるいは低減し、従来以上に信頼性が高く、回路誤動作・暴走に強い不揮発性メモリを備えたシステムを提供すること。 - 特許庁 - In the semiconductor storage device comprising memory with a redundant relief function, two or more non-volatile elements capable of storing data, and a decoding circuit which decodes the data from the non-volatile memory and outputs a redundant relief address to the memory, the decoding circuit is characterized by assigning the redundancy relief address to the memory in ascending order of operation to vary the data of the non-volatile memory.
冗長救済機能を有したメモリと、データを記憶できる複数の不揮発性素子と、前記不揮発性素子からのデータをデコードして冗長救済アドレスを前記メモリに出力するデコード回路を有した半導体記憶装置において、前記デコード回路は、不揮発性素子のデータを変化させる動作が少ない順に冗長救済アドレスを割り当てたことを特徴とする。 - 特許庁 - The image processing device 20 includes: a first memory module 16 with a first volatile memory part 161 that temporarily stores data; and a memory check unit 18a that checks the errors in the first memory part 161.
画像処理装置２０は、データを一時的に記憶する揮発性の第１メモリ部１６１を有する第１メモリモジュール１６と、第１メモリ部１６１のエラーをチェックするメモリチェック手段１８ａとを備える。 - 特許庁 - To provide bias to a plurality of memory sectors in a memory element by bulk of a smaller region in a non-volatile memory element of especially a flash type and providing method for bias in a memory element.
特にフラッシュ型の不揮発性のメモリ素子、およびメモリ素子内のバイアス付与方法に関し、より小さな領域のバルクによってメモリ素子内の複数のメモリ・セクタにバイアスを付与することを目的とする。 - 特許庁 - In electronic equipment incorporating a flash memory 2, this equipment is provided with an auxiliary non-volatile memory 10 for recording the information of a bus for connecting the flash memory 2 and a control part for controlling that memory at prescribed timing.
本発明は、フラッシュメモリを内蔵する電子機器において、フラッシュメモリとそれを制御する制御部とを接続するバスの情報を、所定のタイミングで記録する補助不揮発性メモリを有する。 - 特許庁 - Vertical transistors (SV0, SV1) and a memory block having memory cells constituted of memory elements (PCM0, PCM1), in which the resistance value changes with the temperature given to the upper parts, are laminated, and a non-volatile memory of high integration is formed.
縦型トランジスタ(SV0,SV1)と、その上方に与えられる温度によりその抵抗値が変化する記憶素子(PCM0,PCM1)で構成されるメモリセルを有するメモリブロックを、積層させ、高集積な不揮発メモリを実現する。 - 特許庁 - A storage device is characterized by having; a nonvolatile memory which stores data; a first volatile memory; a means which decrypts and converts the above data into decrypted data and transfers this decrypted data or the above data to the above first volatile memory; and an arithmetic unit which contains the above first volatile memory inside and processes the transmitted data.
データを格納した不揮発性メモリと、第1の揮発性メモリと、前記データを復号化して復号化データへ変換しこの復号化データまたは前記データを前記第1の揮発性メモリへ転送する手段と、前記第1の揮発性メモリを内に含み転送されたデータを処理する演算装置とを具備することを特徴とする記憶装置。 - 特許庁 - To provide a memory device capable of avoiding a writing of indefinite data into a second memory means and capable of preventing a runaway and a malfunction of a system due to the writing of the indefinite data into the second memory means when writing logic data of a non-volatile first memory means into a volatile second memory means.
不揮発性の第１記憶手段の論理データを揮発性の第２記憶手段へ書き込む際に、この第２記憶手段に不定なデータが書き込まれることをなくすことができ、第２記憶手段への不定なデータの書込みに起因するシステムの暴走さや誤動作を未然に回避することができる記憶装置を提供する。 - 特許庁 - The storage device has: a semiconductor nonvolatile memory storing multiple bits in each memory cell; a semiconductor volatile memory; a controller part for accessing the semiconductor nonvolatile memory and semiconductor volatile memory; a power supply detection circuit; a voltage holding circuit; and a power supply switch control circuit.
記憶装置は、１つのメモリセルに複数ビットの記憶が可能とされた半導体不揮発性メモリと、半導体揮発性メモリと、上記半導体不揮発性メモリ及び半導体揮発性メモリに対してメモリアクセスを行うコントローラ部と、電源検出回路と、電圧保持回路と、電源切替制御回路とを有する。 - 特許庁 - Read out image data is stored in a volatile memory m1, the destination of the image data and presence thereof are stored in a nonvolatile memory m2 and when the image data in the volatile memory m1 is lost due to power interruption, or the like, the destination stored in the nonvolatile memory m2 is notified about it.
読み取った画データを揮発性メモリｍ_1 に記憶し、この画データの送信先、及び画データの有無を不揮発性メモリｍ_2 に記憶しておき、電源断等で揮発性メモリｍ_1 の画データが消失すると、その旨を不揮発性メモリｍ_2 に記憶してある送信先に通知する。 - 特許庁 - Each non-volatile memory device is defined by a row of memory locations wherein corresponding rows of at least two semiconductor devices maintain of two sectors of information therein together with overhead information relating to the two sectors maintained in one of memory rows of the non-volatile memory device.
各不揮発性メモリデバイスは、メモリロケーションの行によって規定され、ここで、少なくとも２つの半導体デバイスの対応する行が、その内部に２セクタの情報を、不揮発性メモリデバイスのメモリ行の１つに維持された２つのセクタに関連するオーバーヘッド情報と共に維持する。 - 特許庁 - The second unit includes a volatile memory means 205 for temporarily retaining memory of the identification information of the user transmitted from the first unit, and means 206 and 207 for controlling the memory in this volatile memory means in a short period on the basis of a designated period or the times of designated motions.
第２の装置には、第１の装置から転送される利用者本人の認証情報を一時的に記憶保持する揮発性記憶手段２０５と、この揮発性記憶手段での記憶を所定時間または所定動作回数等による短期間に制御する手段２０６，２０７を設ける。 - 特許庁 - The interfaces of the DSP 102 and volatile memory 108 are connected to a data memory 104 of the DSP 102 and the Flash memory 105 is connected to the data memory 104 and a program memory 103 in the DSP 102.
ＤＳＰ１０２と不揮発性メモリ１０８のインターフェイスは、ＳＲＡＭ１０７がＤＳＰ１０２のデータメモリ１０４に接続され、Ｆｌａｓｈメモリ１０５がＤＳＰ１０２内のデータメモリ１０４とプログラムメモリ１０３に接続されている。 - 特許庁 - To provide a memory control method for preventing write to a non-volatile memory when a program runs away, and properly protecting content of a memory, in an address decoder, and to provide a memory control device and a memory control method of a printer.
アドレスデコーダにおいて、プログラムが暴走した際の不揮発性メモリへの書き込みを防止し、当該メモリの内容を適切に保護することができるメモリ制御方法、メモリ制御装置およびプリンタのメモリ制御方法を提供する。 - 特許庁 - Only when this area has no data, the optional parameter can be restored in the non-volatile memory (b5).
この領域にデータが存在しない場合のみ、オプションパラメータを不揮発性メモリにリストア可能とする（ｂ５）。 - 特許庁 - To improve write reliability when a write processing program is held in an on-chip non-volatile memory.
書き込み処理プログラムをオンチップ不揮発性メモリに保持させたとき、書き込みの信頼性を向上させる。 - 特許庁 - In this setting, a dip switch or a volatile memory is used by default or as the destination setting means.
この設定は、デフォルトにより、あるいは、仕向地設定手段として、ディップスイッチまたは揮発メモリを使用。 - 特許庁 - NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING DUMMY WORD LINE VOLTAGE ACCORDING TO LOCATION OF SELECTED WORD LINE
選択ワードラインの位置によってダミーワードライン電圧を制御する不揮発性メモリ装置及び方法 - 特許庁 - All of the analyzed support commands are entirely entered in a non-volatile memory through a card driver (S2, S3).
解析したサポートコマンドを全て不揮発性メモリにカードドライブ１０４を通して記載する（Ｓ２、Ｓ３）。 - 特許庁 - NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT PROVIDED WITH TWO-BIT OPERATED TWO TRANSISTORS AND ITS DRIVING METHOD AND MANUFACTURING METHOD
２ビット作動の２トランジスタを備えた不揮発性メモリ素子並びにその駆動方法及び製造方法 - 特許庁 - In the step S505, the set current value obtained in the step S504 is stored in a non-volatile memory.
ステップＳ５０５では、不揮発性メモリに、ステップＳ５０４で求めた設定電流値Ｉｓを格納する。 - 特許庁 - The image forming apparatus where the non-volatile memory is accessed by an access means is equipped with: a counter for counting the degree of fraudulence in the access to the non-volatile memory by the access means; and a control means for controlling the access to the non-volatile memory by the access means based on a counted value by the counter.
アクセス手段にて不揮発性メモリにアクセスを行う画像形成装置において、前記アクセス手段による前記不揮発性メモリへのアクセスの不正度合いをカウントするカウンタと、前記カウンタのカウント値に基づいて、前記アクセス手段による前記不揮発性メモリへのアクセスを制御する制御手段とを備えた。 - 特許庁 - The real time clock 13 outputs the time data f as the data to be written in the non-volatile memory 11.
リアルタイムクロック１３は、不揮発性メモリ１１に書き込むデータとして時間データｆを出力する。 - 特許庁 - To initialize data other than partial fixed data out of data stored in a non-volatile memory and to store a changed set value.
不揮発性メモリのうちの一部の固定したデータ以外を初期化し、変更した設定値を保存する。 - 特許庁 - The IDM 40 stores the displacement of the maximum lift amount changing mechanism 100 in the volatile memory.
このＩＤＭ４０は、最大リフト量変更機構１００の変位量を揮発性メモリに記憶する。 - 特許庁 - To provide an image-forming device for reducing the number of write times in a non-volatile memory than before.
不揮発性メモリの書き込み回数を従来より減らすことができる画像形成装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a technology for preventing drain-disturb phenomenon, related to a short channel non-volatile memory cell.
短チャネルの不揮発性メモリセルにおいて、ドレインディスターブ現象を防ぐことのできる技術を提供する。 - 特許庁 - To provide a method and structure for programming for a non-volatile memory which is improved in the programming efficiency.
プログラミング効率を向上させた非揮発性メモリのためのプログラミングの方法及び構造を提供する。 - 特許庁 - The SDRAM is constituted as a volatile memory, and functions as a work area when a program is executed.
ＳＤＲＡＭは、揮発性メモリとして構成され、プログラムが実行されるときにワークエリアとして機能する。 - 特許庁 - To provide an apparatus and associated method for a non-volatile memory cell with a phonon-blocking insulating layer.
フォノンブロック絶縁層を有する不揮発性メモリセルのための装置および関連の方法を提供する。 - 特許庁 - Stored or generated multi-bit words are scanned and converted into a gate voltage to be applied to the non-volatile memory cell until the electrical response from the non-volatile memory cell indicates that the voltage generated from the specific multi-bit word which has been applied to the gate matches the information stored in the non-volatile memory cell.
格納または生成されたマルチビットワードは、非揮発性メモリセルからの電気的応答が、ゲートに印加されていた特定のマルチビットワードから生成された電圧が非揮発性メモリセルに格納された情報と一致することを示すまで、走査され、非揮発性メモリセルに印加されるゲート電圧に変換される。 - 特許庁 - To provide a multi-bit and multi-level non-volatile memory element and its operation method, and to provide its manufacturing method.
マルチビット及びマルチレベル不揮発性メモリ素子、その動作方法及び製造方法を提供する。 - 特許庁 - The logging system is provided with: a log data management region installed in a quickly accessible non-volatile memory such as an SRAM.
本発明は、ＳＲＡＭ等の高速アクセス可能な不揮発性メモリにログデータ管理領域を設ける。 - 特許庁 - The method of soft programming a non-volatile memory blocks includes erasing bits and identifying bits that have been over-erased by the erasing.
方法は、ビットを消去し、消去によって過消去されたビットを識別するステップを含む。 - 特許庁 - This information processing device acquires information of the installed nonvolatile memory device, and stores the acquired information in a non-volatile manner.
装着された不揮発メモリ装置の情報を取得し、その取得した情報を不揮発に記憶する。 - 特許庁 - An output voltage of the device is adjusted until the maximum allowable CM current is detected, and this voltage level and the CM current are recorded and stored in non-volatile memory of the device.
そしてこの電圧レベルおよびＣＭ電流を、不揮発性メモリに記録および記憶する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory whose breakdown voltage and reliability are improved.
耐圧が改善され、信頼性が向上した不揮発性半導体メモリ及びその製造方法を与える。 - 特許庁 - To shorten a time required for backing up storage information to be erased from a non-volatile memory.
不揮発性メモリの消去対象とされる記憶情報をバックアップするのに要する時間を短縮する。 - 特許庁 - A parallel controller can simultaneously write in multiple non-volatile memory devices by using striping.
パラレルコントローラは、ストライピングを使用して、複数の不揮発性記憶装置に同時に書き込むことができる。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory device having a reduced footprint and improved reliability.
占有面積を縮小させ、信頼性を向上させた不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
