「Volatile memory」を含む例文一覧(2819)
＜前へ 1 2 .... 16 17 18 19 20 21 22 23 24 .... 56 57 次へ＞- To enhance the heat generating efficiency of a non-volatile memory element, provided with a recording layer containing a phase changing material.
相変化材料を含む記録層を備えた不揮発性メモリ素子の発熱効率を高める。 - 特許庁 - To provide a method and a device for performing wear leveling in a non-volatile memory system.
不揮発性メモリシステムにおいて摩耗一様化を実施する方法および装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory, its data input/output control method, and a memory application system in which page size of a non-volatile semiconductor memory can be extended independently of the memory application system and high speed read and write operation can be attained.
不揮発性半導体メモリ装置のページサイズはメモリ応用システムに関係なく拡張でき、高速読み出し／書き込み動作を達成できる不揮発性半導体メモリ装置、それのデータ入／出力制御方法およびメモリ応用システムを提供すること。 - 特許庁 - When the receiver is started, the program of a software is read from a nonvolatile memory and stored in a volatile memory, and after the program is run before operation is started by a user, the file of a specific application is pre-fetched from the nonvolatile memory to a prefetch operation part and loaded into the volatile memory.
受信機の起動時に、不揮発性メモリからソフトウェアのプログラムを読出し、揮発性メモリに記憶させ、実行した後、ユーザが操作する前に、プリフェッチ動作部に、不揮発性メモリから特定のアプリケーションのファイルを先読みし、揮発性メモリに展開させる。 - 特許庁 - The method includes selecting one of the nonvolatile memory controller and the volatile memory via shared control signals of the shared interface, wherein the shared control signals are issued to the nonvolatile memory controller and the volatile memory.
共通化インターフェースの共通化された各制御信号を介して、非揮発性メモリコントローラ、および揮発性メモリの一方を選択することを含み、上記共通化された各制御信号は、非揮発性メモリコントローラ、および揮発性メモリに対して出力される。 - 特許庁 - To limit the rewriting frequency of a non-volatile memory for storing the operation frequency of a vehicle and the fault diagnosis frequency of a vehicle controlling apparatus to an operation assurance count or less without increasing the memory capacity of the non-volatile memory.
不揮発性メモリの記憶容量を増加させることなく、車両の運転回数及び車両制御装置の故障診断回数を記憶する不揮発性メモリの書き換え回数を動作保証回数以下に制限すること。 - 特許庁 - According to this constitution, the memory resource of the non-volatile memory 32 provided in the thermal printer 100 can be effectively utilized by controlling the frequency of writing the traveling distance of the thermal head 22 to the non-volatile memory 32.
この構成によれば、不揮発性メモリ３２に対するサーマルヘッド２２の走行距離の書き込み頻度を制御することにより、サーマルプリンタ１００に備えられた不揮発性メモリ３２の記憶資源を有効に活用することができる。 - 特許庁 - When reading is performed in a memory block C in the state 2, specified data stored in the second non-volatile memory area 202 is connected to a calculated result held in the volatile memory 204 and is supplied to the electronic apparatus 100.
状態２で、メモリブロックＣの読み出しがあったときに、揮発性メモリ２０４に保管している演算結果に、第２不揮発性メモリ領域２０２に記憶されている特定のデータを結合して電子機器１００に供給する。 - 特許庁 - When the data are written into the volatile memories 22a, 22b of the memory devices 20a, 20b from the memory controller 10, the copying of data is performed from the volatile memories 22a, 22b to the nonvolatile memories 21a, 21b in the memory devices 20a, 20b.
メモリコントローラ１０からメモリデバイス２０ａ、２０ｂの揮発性メモリ２２ａ、２２ｂにデータが書き込まれると、メモリデバイス２０ａ、２０ｂ内で、揮発性メモリ２２ａ、２２ｂから不揮発性メモリ２１ａ、２１ｂにデータのコピーが行われる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory having a non-volatile memory in which connection can be confirmed by an easy method without changing the hardware of a general purpose ROM writer and a rewriting method for the non-volatile memory.
汎用ＰＲＯＭライターにて、ソケット付きの変換アダプターを使用してフラッシュメモリ内蔵の半導体装置と接続する場合、狭ピッチの場合接続不具合が起こる場合があるが、検出する手段がないため、対応が遅れる。 - 特許庁 - Data corresponding to an address of write data is searched on the volatile memory 103, and when the address is present, the write data is stored in the nonvolatile memory 102 after invalidation of read data (or disposal of the cache of the address on the volatile memory) is performed.
ライトデータのアドレスに相当するデータを揮発メモリ１０３上で検索し、存在する場合はリードデータの無効化（即ち、揮発メモリ上の、該当アドレスのキャッシュの廃棄）を行った上で、不揮発メモリ１０２にライトデータを格納する。 - 特許庁 - A plurality of partitions 96 to 106 may be formed in a non-volatile re-programmable memory which may act as a primary non-volatile file system for a processor-based system.
プロセッサ搭載システム用の主不揮発性ファイルシステムとして作用する不揮発性再プログラム可能メモリに複数の区分９６〜１０６が形成される。 - 特許庁 - To enhance reduction of power consumption by extending a refresh cycle of a volatile memory as mush as possible in a video recording apparatus including a plurality of volatile memories.
複数の揮発性メモリを備えた録画機器において、揮発性メモリのリフレッシュサイクルをできるだけ長くし、消費電力を低減できるようにする。 - 特許庁 - To realize an efficient and quick defect substitution method in a nonvolatile memory and a volatile memory including a defective area.
不良領域を含む不揮発性メモリ及び揮発性メモリにおいて、効率的かつ高速な不良代替方式の実現を目的とする。 - 特許庁 - Then, the memory control unit 30 acquires the coincidence information and deletes the "unexpected behavior data" stored in the non-volatile memory 35.
そして、記憶制御装置３０は、前記一致情報を取得すると不揮発性メモリ３５に記憶した「予期せぬ挙動データ」を削除する。 - 特許庁 - To provide a method and computer-readable medium for saving the contents of a memory structure stored in a volatile memory.
揮発性のメモリ内に格納されたメモリ構造体の内容を保存するための方法およびコンピュータ読取り可能媒体を提供する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory device in which the tunnel insulating film of a memory cell is improved in reliability, and a method of manufacturing the same.
メモリセルのトンネル絶縁膜の信頼性が向上された不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a recording medium including a ferroelectric film, a non-volatile memory including the recording medium and a data recording/reproducing method of a memory element.
強誘電膜を含む記録媒体とそれを含む不揮発性メモリ素子、このようなメモリ素子のデータ記録／再生方法を提供する。 - 特許庁 - A non-volatile memory is provided with a read-out control circuit controlling signals of word lines WLC connected to memory cells 11,1-1n,m.
不揮発性メモリ装置は、メモリセル１_１,１〜１_ｎ,ｍに接続されたワード線ＷＬＣの信号を制御する読出制御回路を備える。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory in which the influence of dispersion of gm of a memory cell is reduced and which can perform high speed read-out.
メモリセルのｇｍのばらつきの影響を低減し、高速読み出しを可能とした不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To obtain a high-speed storage device for a sector read command in a storage device using a non-volatile semiconductor memory such as a flush memory.
フラッシュメモリなどの不揮発性半導体メモリを用いた記憶装置において、セクタリード・コマンドに対し、高速な記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an electronic control device dispensing with additional memory capacity and time, and promptly judging necessity of initialization of a volatile memory.
余分なメモリ容量や時間を必要とせず、速やかに揮発性メモリの初期化の要否を判定する電子制御装置を提供する。 - 特許庁 - A volatile memory element 312 and a nonvolatile memory element 313 each consisting of a field effect transistor are formed on one semiconductor chip.
１つの半導体チップ上に電界効果トランジスタからなる揮発性メモリ素子３１２と不揮発性メモリ素子３１３を形成する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory with a reduced area of a memory cell array while maintaining the same function as that of a conventional one.
従来と同等の機能を維持しつつ、メモリセルアレイの面積をより縮小した不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To obtain a non-volatile semiconductor memory having high reliability and capable of reducing the stress to be applied to a memory cell at the time of applying an erase pulse.
消去パルス印加時にメモリセルに加えられるストレスを低減できる信頼性の高い不揮発性半導体メモリ装置を得る。 - 特許庁 - This semiconductor memory device is provided with a first non-volatile memory 14 having a first external interface and capable of recording one bit data in one memory cell; a second non-volatile memory 12 having a test terminal interface and capable of recording a plurality of data in one memory cell; and a control means 13 having a second external interface and for controlling a physical status inside the second non-volatile memory.
半導体記憶装置は、第１外部インターフェイスを有し１つのメモリセルに１ビットのデータを記録することが可能な第１不揮発性メモリ１４と、テスト端子インターフェイスを有し１つのメモリセルに複数のデータを記録することが可能な第２不揮発性メモリ１２と、第２外部インターフェイスを有し前記第２不揮発性メモリ内部の物理状態を制御するように構成された制御手段１３とを具備する。 - 特許庁 - The control circuit responds to the write-protection flag signal by controlling reading and writing operations to the nonvolatile memory and volatile memory.
制御回路は書き込み防止フラッグ信号に応答して不揮発性メモリ及び揮発性メモリの読み出し及び書き込み動作を制御する。 - 特許庁 - A NAND cell of this non-volatile semiconductor memory is constituted of memory cells MC0-MC31 and selection transistors SST, GST connected with each other in series.
ＮＡＮＤセルは、複数個直列接続されたメモリセルＭＣ０〜ＭＣ３１と選択トランジスタＳＳＴ，ＧＳＴにより構成される。 - 特許庁 - To control a defective block for one self in a non-volatile semiconductor memory in which a memory cell being not operable is permitted to exist.
動作しないメモリセルの存在が許容される不揮発性半導体記憶装置に関し、不良ブロックを自ら管理することにある。 - 特許庁 - To provide efficient processing and performance improvement for a non volatile memory having data sector whose size is different from the memory page size and block size.
メモリのページサイズやブロックサイズとは異なるサイズを有するデータセクタを備えた不揮発性メモリシステムの性能改善と効率的な処理。 - 特許庁 - In a non-volatile semiconductor memory having a floating gate 2, plural memory cells 21 connected to one word line are programmed simultaneously.
浮遊ゲート２を有する半導体不揮発性メモリにおいて、１本のワード線に接続した複数のメモリセル２１を同時にプログラムする。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a non-volatile memory apparatus including a self-aligned gate structure, and to provide the memory apparatus manufactured thereby.
自己整列されたゲート構造を含む不揮発性メモリ装置の製造方法及びこれによる不揮発性メモリ装置を提供する。 - 特許庁 - The action state of a function circuit 6 is set in accordance with the set data written into the volatile memory 10 or the nonvolatile memory 11.
機能回路６は、揮発性メモリ１０又は不揮発性メモリ１１に書き込まれた設定データに従って動作状態が設定される。 - 特許庁 - Consequently, the memory medium to store the received electronic mails is switched to the volatile memory device (RAM108) or to the nonvolatile memory device (NVRAM109).
この結果、メールサーバから受信した電子メールの保存先は、揮発性の記憶媒体（ＲＡＭ１０８）あるいは不揮発性の記憶媒体（ＮＶＲＡＭ１０９）に切り替えられる。 - 特許庁 - It is preferable that this auxiliary non-volatile memory 10 is a memory capable of writing data at a higher speed than the flash memory 2 and for example, a Ferroelectric RAM (FeRAM) is practical example.
この補助不揮発性メモリは、好ましくは、フラッシュメモリよりも高速書き込みが可能なメモリであり、例えば、ＦｅＲＡＭ（Ferroelectric ＲＡＭ）が実際的な例である。 - 特許庁 - A memory module by one embodiment of this invention includes a volatile memory device and a power sensor which generates digital data corresponding to power consumption of the memory device.
本発明の１実施形態によるメモリモジュールは、揮発性メモリデバイスと、このメモリデバイスの消費電力に対応したデジタルデータを生成する電力センサとを備えている。 - 特許庁 - The non-volatile semiconductor memory device 10 has a plurality of memory strings 100, to which a plurality of memory transistors MTr1-4 which can be electrically rewritten is connected in series.
不揮発性半導体記憶装置１０は、電気的に書き換え可能な複数のメモリトランジスタＭＴｒ１〜４が直列に接続された複数のメモリストリングス１００を有する。 - 特許庁 - To realize improving reliability of write-in of a non-volatile semiconductor memory such as especially a single gate type flash memory or the like without changing basic constitution of a memory cell array.
特に単ゲート型のフラッシュメモリ等、不揮発性半導体メモリの書き込み信頼性向上を、メモリセルアレイの基本構成を代えずに実現することを課題とし、 - 特許庁 - In the image display device (client PC), a work memory part 320 is a volatile memory for securing an image display memory to be used for displaying images by the image viewer software.
画像表示装置（クライアントＰＣ）において、ワークメモリ部３２０は、画像ビューアソフトが画像を表示するために使用する画像表示メモリを確保する揮発性メモリである。 - 特許庁 - This non-volatile memory is extracted from the memory socket, and memory contents are read by an ROM writer or the like, and displayed at a display device so that the cause of the failure can be analyzed.
この不揮発性メモリをメモリソケットから取り出し、ＲＯＭライタ等でメモリ内容を読み出し、表示装置に表示することで、障害の原因を解析できる。 - 特許庁 - The non-volatile semiconductor memory device 100 includes a memory string MS which is electrically rewritable and includes a plurality of memory transistors MTr connected in series.
不揮発性半導体記憶装置１００は、電気的に書き換え可能であり且つ直列接続された複数のメモリトランジスタＭＴｒを含むメモリストリングスＭＳ備える。 - 特許庁 - A memory cell MC in the non-volatile memory has a memory gate electrode MG formed on the main surface of a semiconductor substrate 1S via an insulating film 2 for accumulating charge.
不揮発性メモリのメモリセルＭＣは、半導体基板１Ｓの主面上に電荷蓄積用の絶縁膜２を介して形成されたメモリゲート電極ＭＧを有している。 - 特許庁 - The non-volatile semiconductor memory device 100 includes a plurality of memory strings MS and a plurality of drain side selection transistors SDTr connected to one end of the memory string MS.
不揮発性半導体記憶装置１００は、複数のメモリストリングＭＳ、及びメモリストリングＭＳの一端に接続された複数のドレイン側選択トランジスタＳＤＴｒを有する。 - 特許庁 - Completion of the initializing operation is stored in a non-volatile memory, and the initializing operation is not performed if the state of the non-volatile memory is agreed with the state of an actual sensor when the power supply is turned ON.
不揮発性メモリーにユニットの初期化動作終了を記憶させ、電源ＯＮ時に不揮発性メモリーの状態と実センサの状態が一致した場合には、初期化動作を実施しない。 - 特許庁 - The portable terminal equipment stores the general information in a non-volatile memory (S115), and stores the secret information being the definition information of data in a volatile memory (S117), and executes data display (S123).
携帯端末装置は、一般情報を不揮発メモリに保存し（Ｓ１１５）、データの定義情報である機密情報を揮発メモリに保存し（Ｓ１１７）、これらによりデータ表示を行う（Ｓ１２３）。 - 特許庁 - The thermal printer 100 has a non-volatile memory 32 for storing the traveling distance of the thermal head 22 and a control unit 10 for controlling the frequency of writing the traveling distance to the non-volatile memory 32.
サーマルプリンタ１００は、サーマルヘッド２２の走行距離を記憶する不揮発性メモリ３２と、不揮発性メモリ３２に対する走行距離の書き込み頻度を制御する制御部１０と、を備える。 - 特許庁 - The apparatus unit 20 installed to be exchangeable to the image forming apparatus body is provided with a second non-volatile memory 153 retaining information related to the information of the first non-volatile memory 111.
画像形成装置本体に交換可能に設置される装置ユニット２０は、第１不揮発性メモリ１１１の情報に関連する情報を保持する第２不揮発性メモリ１５３を具備する。 - 特許庁 - To provide an angular velocity sensor capable of accurately comparing correction data by a volatile memory at all times by detecting failure of the volatile memory, and having improved reliability.
揮発性メモリの故障を検知することにより、常に、正確に揮発性メモリによる補正データの比較をすることが可能な信頼性の向上した角速度センサを提供することを目的とするものである。 - 特許庁 - Contents stored in the high-capacity non-volatile memory can be reproduced by only the display unit 207 to which the high-capacity non-volatile memory with small power consumption is attached, and it becomes possible to be driven for a long time.
消費電力の小さい大容量不揮発性メモリを装着した表示部２０７のみで、大容量不揮発性メモリに蓄積されたコンテンツの再生が可能であり、長時間駆動が可能となる。 - 特許庁 - In the case of judging that the non-volatile memory of the 1st cartridge 231 and a CPU can not communicate with each other, whether or not the non- volatile memory of the 2nd cartridge 232 and the CPU can communicate with each other is judged.
そして、第１カートリッジ２３１の不揮発性メモリとＣＰＵとが通信不能と判断された場合、第２カートリッジ２３２の不揮発性メモリとＣＰＵとが通信可能か否かを判断させた。 - 特許庁
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