「Volatile memory」を含む例文一覧(2819)

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  • To provide a non-volatile memory element with low power consumption and high reliability.
    低消費電力であり、信頼性の高い不揮発性のメモリ素子を提供する。 - 特許庁
  • To provide a non-volatile memory device having a cell diode and a method of fabricating the same.
    セルダイオードを備えた不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To solve a problematical point of consumption current about the read-out from a non volatile memory where a beforehand acquired adjustment data is memorized, and the life of the non volatile memory.
    事前取得調整データが記憶される不揮発性メモリからの読み出しについての消費電流および不揮発性メモリの寿命の問題点を解決する。 - 特許庁
  • To solve the problem that additional buffers are needed to efficiently transfer a data burst to a non-volatile memory device across a page boundary of a non-volatile memory.
    不揮発性記憶装置への書き込みデータバーストが不揮発性メモリのページ境界をまたぐとき、効率よく書き込みを行うために追加のバッファが必要となる。 - 特許庁
  • NON-VOLATILE MEMORY DEVICE OF REVERSE STRUCTURE, ITS STACK MODULE, AND METHOD OF MANUFACTURING METHOD THEREOF
    逆転構造の不揮発性メモリ素子、そのスタックモジュール及びその製造方法 - 特許庁
  • The semiconductor integrated circuit includes a nonvolatile memory (11) and volatile memories (12, 13).
    半導体集積回路は不揮発性メモリ(11)と揮発性メモリ(12,13)とを含む。 - 特許庁
  • COMBINED SELF-ALIGNED SOURCE AND ONO CAPACITOR FOR SPLIT GATE NON-VOLATILE MEMORY
    スプリット・ゲート不揮発性メモリ用の組み合わされた自己整合ソースおよびONOキャパシタ - 特許庁
  • To provide an atomic data transaction device and method, having a non-volatile cache memory.
    非揮発性キャッシュ・メモリを有するアトミック・データ・トランザクション装置および方法を得る。 - 特許庁
  • METHOD OF ORGANIZING INFORMATION STORED IN NON-VOLATILE RE-PROGRAMMABLE SEMICONDUCTOR MEMORY
    不揮発性再プログラム可能半導体メモリに記憶された情報を編成する方法 - 特許庁
  • To provide a non-volatile semiconductor memory in which increasing rewriting operation speed of data for a non-volatile semiconductor memory and reducing power consumption can be realized.
    不揮発性半導体メモリに対するデータの書き換え動作の高速化、低消費電力化を実現できる不揮発性半導体メモリ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
  • The new version of software is downloaded from the server 420 to the non-volatile memory of the base device 100 or the non-volatile memory of the portable display device 200.
    サーバ420からベース装置100における不揮発性メモリあるいは可搬型表示装置200における不揮発性メモリに、新バージョンのソフトウェアをダウンロードする。 - 特許庁
  • The semiconductor integrated circuit has a non-volatile memory region (PGM) where information storage is performed by a difference in threshold voltages, and a second non-volatile memory region (DAT).
    半導体集積回路は、閾値電圧の相違によって情報記憶を行う第1の不揮発性メモリ領域(PGM)と第2の不揮発性メモリ領域(DAT)とを有する。 - 特許庁
  • In the process, a circuit in the volatile memory automatically creates the copy, and the processor copies the initialization codes from the volatile memory.
    この工程では、上記揮発性メモリ内の回路が、上記コピーを自動的に作成し、そしてプロセッサによって、上記揮発性メモリからの上記初期化コードのコピーを行う。 - 特許庁
  • To achieve a non-volatile memory allowing effective implantation of hot-electrons under low voltage condition.
    低電圧で効率よくホットエレクトロン注入できる不揮発性メモリを実現する。 - 特許庁
  • The recording and reproducing device has a non-volatile memory and records values varying with each of recording media on the recording medium and the non-volatile memory when the recording medium is inserted to a recorder.
    記録再生装置は不揮発性メモリを有し、記録媒体が記録装置に挿入された時、記録媒体と上記不揮発性メモリに、媒体毎に異なる値を記録する。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method for a non-volatile memory element in which a cell size is not increased.
    セルサイズを増加させない不揮発性メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • A mother/daughter card non-volatile memory system includes a daughter memory card 11 containing a memory and mother controller cards 13, 14 and 15 containing a memory controller and host interface circuits.
    マザー/ドーターカード不揮発性メモリシステムは、メモリを含むドーターメモリカード11と、メモリコントローラおよびホストインタフェース回路を備えるマザーコントローラカード13、14、15とを備える。 - 特許庁
  • An external interface part 18, while it executes external data transfer between the outside and at least any one of the plurality of volatile memories 22A to 22C, executes memory-to-memory data transfer between the volatile memory and the nonvolatile memory 22D.
    外部インタフェース部18は、外部と複数の揮発性メモリ22A〜22Cの少なくとも一つとの間で外部データ転送を実行しているときに、揮発性メモリと不揮発性メモリ22Dとの間でメモリ間データ転送を実行する。 - 特許庁
  • The information processing unit includes: a volatile memory (RAM22) temporarily holding, as memory data, information which indicates programs; a nonvolatile memory (flash memory 23); and a page information generation section (image list generation module, MIG) generating page information which identifies memory data for a plurality of predetermined pages from memory data stored in the volatile memory.
    プログラムを示す情報をメモリデータとして一時格納する揮発性メモリ(RAM22)と、不揮発性メモリ(フラッシュメモリ23)と、揮発性メモリに記憶されたメモリデータのうちの予め定められた複数ページ分のメモリデータを特定するページ情報を生成するページ情報生成部(イメージリスト生成モジュールMIG)とを備える。 - 特許庁
  • A data control method is applied to a multiple level non-volatile memory device having a memory array 10 formed by plural memory cells 11.
    データ管理方法は、複数のメモリセル11によって形成されたメモリアレイ10を有する多重レベル不揮発性メモリ装置に適用される。 - 特許庁
  • The page information includes a memory address for each page in the volatile memory, and a program number of a program including memory data for each page.
    上記ページ情報は、各ページの揮発性メモリにおけるメモリアドレスと、各ページのメモリデータが属するプログラムのプログラム番号とを含むものである。 - 特許庁
  • A memory circuit holds data, which have been stored in a memory part corresponding to a volatile memory, in a capacitor provided in a memory part corresponding to a nonvolatile memory while power is not supplied to the memory circuit.
    記憶回路に電源が供給されない間は、揮発性のメモリに相当する記憶部に記憶されていたデータを、不揮発性のメモリに相当する記憶部に設けられた容量素子によって保持する記憶回路である。 - 特許庁
  • This system is provided with a function for writing data to be written in the other area of the second non-volatile memory 4 before writing data in the second non-volatile memory 4 and a function for recording write-back information 14 indicating that the data to the second non-volatile memory 4 has been written back in the second non-volatile memory 4.
    前記第2の不揮発性メモリ4に対しデータを書き込む前に、書き込みが行われるデータを前記第2の不揮発性メモリ4の別の領域に書き込む機能、及び前記第2の不揮発性メモリ4に対するデータを書き戻したことを示す書き戻し情報14を第2の不揮発性メモリ4に記録する機能を具備する。 - 特許庁
  • By recognizing the first two bits of initial data, which has been transferred from a volatile memory 77 to the volatile memory 80 for output via a volatile memory 78 for readout and a comparator circuit 79, as prescribed data immediately after the power has been turned on, failure diagnosis is performed on the volatile memory for output 80.
    電源立ち上げ直後に前記不揮発性メモリ77から読み出し用揮発性メモリ78および比較回路79を介して出力用揮発性メモリ80に移送された初期データの最初の2ビットが所定のデータであることを確認することにより、出力用揮発性メモリ80の故障診断をする構成としたものである。 - 特許庁
  • To provide a controller for automatic transmission which can prevent an increase in difference between a learning value stored in a volatile memory at an initial stage when the learning value does not converge and a learning value stored in a non-volatile memory, and also prevent a newest learning value stored in the volatile memory from being not written into the non-volatile memory.
    学習値が収束していない初期段階で揮発性メモリに記憶されている学習値と不揮発性メモリに記憶されている学習値との差が大きくなってしまうことを防止できるとともに、揮発性メモリに記憶されている最新の学習値が不揮発性メモリに書込まれなくなることを防止できる自動変速機の制御装置を提供する。 - 特許庁
  • By transferring the data stored in the nonvolatile memory FLASH to the volatile memory SDRAM together with the error code without having to perform an error correction for the data stored in the nonvolatile memory FLASH, transfer time of the data from the nonvolatile memory FLASh to the volatile memory SDRAM is shortened.
    不揮発性メモリFLASHに記憶されたデータをエラー訂正することなく、エラー訂正コードとともに揮発性メモリSDRAMに転送することで、不揮発性メモリFLASHから揮発性メモリSDRAMへのデータの転送時間を短くできる。 - 特許庁
  • A memory device comprises multiple simultaneously-accessible non-volatile memories as non-volatile memories allowing simultaneously access to multiple physical blocks.
    複数の物理ブロックへの同時アクセス可能な不揮発性メモリとして、同時アクセス可能な複数の不揮発性メモリが設けられている。 - 特許庁
  • Then, memory card data 3b being the information of the memory card 1 are read, and stored in a non-volatile data storing part 54.
    そして、メモリカード1の情報であるメモリカードデータ3bを読み取って、不揮発性のデータ記憶部54に記憶する。 - 特許庁
  • To provide a non-volatile memory circuit whose occupation space is small, whose memory storage capacity can be improved and which can inexpensively be manufactured.
    占有スペースが小さく、メモリ記憶容量が改善され、安価に製造できる不揮発性メモリ回路を提供する。 - 特許庁
  • To provide an apparatus and a system that set the write protection region of a memory block in a non-volatile semiconductor memory device.
    不揮発性半導体メモリ装置のメモリブロックの書き込み防止領域を設定する装置およびシステムを提供する。 - 特許庁
  • A video recording/reproducing apparatus includes a memory disk 10 including the plurality of volatile memories to record video recording data to the memory disk 10.
    録画再生機器は、複数の揮発性メモリを備えたメモリディスク10を有し、メモリディスク10に録画データを記録する。 - 特許庁
  • To provide a non-volatile semiconductor memory device that has a large charge storage amount in terms of an individual memory cell and its production process.
    個々のメモリセルの電荷蓄積量が多い不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • An apparatus and an associated method for a non-volatile memory cell such as a multi-bit magnetic random access memory cell are provided.
    マルチビット磁気ランダムアクセスメモリセルなどの不揮発性メモリセルについての装置および関連の方法が提供される。 - 特許庁
  • A storage device according to an embodiment comprises a volatile memory, an auxiliary power supply, a nonvolatile memory, writing means and prohibition means.
    実施形態の記憶装置は、揮発性メモリと、補助電源と、不揮発性メモリと、書込手段と、禁止手段と、を備える。 - 特許庁
  • A program and data memory part 340 is a non-volatile memory for storing a program to be executed by a client PC 300 and data.
    プログラム・データメモリ部340は、クライアントPC300で実行されるプログラムとデータが記憶される不揮発性メモリである。 - 特許庁
  • To provide a means to form an electrically rewritable non-volatile memory in a semiconductor memory device of a SOI structure.
    SOI構造の半導体記憶装置に電気的に書換え可能な不揮発性メモリを形成する手段を提供する。 - 特許庁
  • To improve the data read rate of a non-volatile semiconductor memory device using a floating gate electrode MOS transistor as a memory cell.
    浮遊ゲート電極型MOSトランジスタをメモリセルとする不揮発性半導体記憶装置の読み出し速度を速くする。 - 特許庁
  • To provide a non-volatile semiconductor memory device having a memory cell including a high coupling ratio and to provide a method for manufacturing the same.
    高いカップリング比を有するメモリセルを備えた不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁
  • To provide a non-volatile semiconductor memory device for improving the data erasure speed with respect to MONOS memory cells.
    MONOS型のメモリセルに対するデータの消去速度を改善させる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
  • The auxiliary memory device 60 comprises a non-volatile memory device 61, an auxiliary power supply unit 62, and a high speed buffer 65.
    また、補助記憶装置60は、不揮発性記憶装置61、補助電源62および高速バッファ65を有する。 - 特許庁
  • A temporary memory is configured to store the common data loaded from the non-volatile memory and the unique data of each of the plurality of systems.
    一時メモリは、不揮発性メモリからロードされた共通データおよび複数のシステムそれぞれの固有データを格納する。 - 特許庁
  • To allow reducing a cell area of a non-volatile memory composed of a single layer polysilicon gate and to enable operation of the memory in a superlow power consumption.
    単層ポリシコンゲートから成る不揮発性メモリのセル面積を低減し、かつ超低消費電力で動作させる。 - 特許庁
  • To provide an electronic control device that memory efficiency in a non-volatile memory is high and a burden of software can be lightened.
    不揮発性メモリにおけるメモリ効率が高く、ソフトの負担を軽減できる電子制御装置を提供すること。 - 特許庁
  • To provide a new semiconductor integrated circuit capable of relieving defective places of a nonvolatile memory and/or a volatile memory.
    不揮発性メモリ及び/又は揮発性メモリの不良箇所を救済可能な新たな半導体集積回路を提供する。 - 特許庁
  • A non-volatile semiconductor memory comprises a program state detecting circuit for discriminating a state of a programmed memory cell.
    不揮発性半導体メモリ装置はプログラムされたメモリセルの状態を判別するためのプログラム状態検出回路を含む。 - 特許庁
  • PROCESSING TECHNIQUE FOR NON VOLATILE MEMORY HAVING DATA SECTOR WHOSE SIZE IS DIFFERENT FROM MEMORY PAGE SIZE AND/OR BLOCK SIZE
    メモリのページサイズおよび/またはブロックサイズとは異なるサイズを有するデータセクタを備えた不揮発性メモリシステムの処理技法 - 特許庁
  • NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, STRUCTURE OF ITS LOCAL ROW DECODER, SEMICONDUCTOR MEMORY, AND WORD LINE DRIVING METHOD FOR THE DEVICE
    不揮発性半導体メモリ装置、そのローカルロウデコーダ構造、及び半導体メモリ装置、同装置でのワードライン駆動方法 - 特許庁
  • To prevent occupancy of an external bus in the case of performing data transfer between a nonvolatile memory and a volatile memory.
    不揮発性メモリと揮発性メモリとの間のデータ転送を行う際に外部バスの占有を防止することを課題とする。 - 特許庁
  • To automatically initialize a computer system provided with a processor, a volatile memory and a nonvolatile memory, and perform environment setting for it.
    プロセッサと、揮発性メモリと、不揮発性メモリとを備えたコンピュータシステムを自動的に初期化し、環境設定をおこなう。 - 特許庁
  • To enhance data reliability of non-volatile memory and increase speed and stability of reading access time.
    不揮発性メモリのデータ信頼性向上と読出アクセス時間の高速化及び安定化 - 特許庁
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