「Volatile memory」を含む例文一覧(2819)
＜前へ 1 2 .... 10 11 12 13 14 15 16 17 18 .... 56 57 次へ＞- To enable, when performing an operation on a volatile memory having a limited capacity by use of a high-capacity flash memory, even an operation with the block number exceeding the capacity of the volatile memory.
高容量フラッシュメモリを用いる場合において、制限された容量の揮発性メモリ上で運営される時、ブロック個数が揮発性メモリを越えても運営できるようにする。 - 特許庁 - To reduce power consumption by a volatile memory in a power saving mode in an electronic device having the volatile memory consisting of a plurality of memory regions in which electric supply can be individually performed.
個別に電源供給が可能な複数のメモリ領域からなる揮発性メモリを有する電子機器において、省電力モード時の揮発性メモリによる消費電力を低減する。 - 特許庁 - The information processor, the volatile memory and the non-volatile memory are serially connected, and the number of connection signals is reduced so that a high speed operation can be achieved while the scalability of a memory capacity is maintained.
情報処理装置、揮発性メモリおよび不揮発性メモリは直列接続させ、接続信号数を少なくすることにより、メモリ容量の拡張性を保ちつつ、高速化を図る。 - 特許庁 - A volatile RAM 2 is a volatile memory of low electric power consumption which has a memory cell of a high software error resistance connected with a capacitor to an internal memory node and does not require a refresh operation.
揮発性ＲＡＭ２は、内部の記憶ノードにキャパシタが接続されたソフトエラー耐性の高いメモリセルを備え、かつ、リフレッシュ動作が不要な低消費電力の揮発性メモリである。 - 特許庁 - The information processor, the volatile memory and the non-volatile memory are serially connected, and the number of connection signals is reduced, so that extensibility of memory capacity is maintained and a high speed operation is attained.
情報処理装置、揮発性メモリおよび不揮発性メモリは直列接続させ、接続信号数を少なくすることにより、メモリ容量の拡張性を保ちつつ、高速化を図る。 - 特許庁 - A constant current circuit 1 and a non-volatile memory cell 2 are connected in series, and writing is performed in the non-volatile memory cell in a write state in a read or retention mode using the connecting point of the constant current circuit 1 and the non-volatile memory cell 2 as an output.
定電流回路１と不揮発性メモリセル２を直列接続し、前記両者の接続点を出力とし、読出、もしくは保持モードにおいて、ＷＲＩＴＥ状態の不揮発性メモリセルには書き込みがおきる。 - 特許庁 - A duplexing write-in circuit 106 simultaneously selects the first non-volatile memory 102 and the second non-volatile memory 103 based on a duplexing signal (enable signal) from a CPU 101, and writes the duplexed data in the second non-volatile memory element 103 when writing the data in the first non-volatile memory 102.
二重化書込み回路１０６は、ＣＰＵ１０１からの二重化信号（イネーブル信号）に基づいて、第１の不揮発メモリ１０２と第２の不揮発性メモリ素子１０３を同時に選択し、第１の不揮発メモリ１０２へデータを書込むときに、第２の不揮発性メモリ素子１０３へ二重化したデータを書込む。 - 特許庁 - Then, before shifting the power supply to the volatile memory to the off-state according to the shifting condition, the specific job held in the volatile memory is saved to the non-volatile memory so that the CPU satisfies the holding condition, thereafter, the power supply to the volatile memory is shifted to the off state according to the shifting condition (605).
そして、移行条件で揮発性のメモリへの電源をオフ状態に移行させる前に、ＣＰＵが保持条件を満たすように、揮発性のメモリに保持される特定のジョブを不揮発性のメモリに退避させた後、移行条件に従い揮発性のメモリへの電源をオフ状態に移行させる（６０５）。 - 特許庁 - A data holding characteristic is improved by providing a non- volatile memory group 40 for reference of which a characteristic is inferior to a non-volatile memory in a memory cell array, and rewriting data accumulated in a non-volatile memory by a control circuit 44 based on a referred result of the non-volatile memory group 40 for reference.
メモリセルアレイ内の不揮発性メモリ（７）に比して特性の劣る参照用の不揮発性メモリ群（４０）を設けて、前記参照用の不揮発性メモリ群（４０）の参照結果に基づいて、制御回路（４４）により前記不揮発性メモリ（７）に蓄積されたデータを再書き込みすることで、データ保持特性の向上を図るものである。 - 特許庁 - Also, the failure information can be easily read by a note-sized personal computer or the like without using any exclusive device such as an ROM writer by adopting a memory card slot and a non-volatile memory card instead of the memory socket and the non-volatile memory.
また、メモリソケットと不揮発性メモリの代わりに、メモリカードスロットと不揮発性メモリカードを採用することで、ＲＯＭライタ等の専用装置を使用しなくても、ノートパソコン等で簡単に障害情報を読み出せる。 - 特許庁 - To reduce the power consumption of a memory means in a program controller in which a read only memory or a non-volatile and electric rewritable memory is used for a memory means such as a program memory or a font memory.
プログラムメモリやフォントメモリ等のメモリ手段に読み出し専用メモリ又は不揮発性且つ電気的書き換え可能メモリを用いたプログラムコントローラにおいて、メモリ手段の消費電力を低減する。 - 特許庁 - A plurality of program inhibit schemes are employed for a single non-volatile memory system.
１つの不揮発性メモリシステムに、複数のプログラム禁止スキームを採用している。 - 特許庁 - NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, AND ITS AUTOMATIC ERASING METHOD AND AUTOMATIC WRITE-IN METHOD
不揮発性半導体メモリ及びその自動消去方法／自動書き込み方法 - 特許庁 - NON-VOLATILE MEMORY DEVICE HAVING FOUR STORAGE NODE FILMS AND METHOD OF OPERATING THE SAME
四つのストレージノード膜を備える不揮発性メモリ素子及びその動作方法 - 特許庁 - To provide a dual comparison cell detection system for a non-volatile memory.
本発明は不揮発性メモリ用のデュアル比較セル検知方式を提供する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile memory capable of reducing power consumption.
消費電力を低減した不揮発性メモリを提供することを課題とする。 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR MAINTAINING PROGRAMMING DATA IN VOLATILE MEMORY DEVICE
揮発性メモリ装置におけるプログラミング・データを保全するための方法及び装置 - 特許庁 - NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF WRITING AND READING THE SAME
不揮発性半導体記憶装置およびその書き込み方法と読み出し方法 - 特許庁 - To store variable data in an erasable and DRAW enable non-volatile memory.
消去可能で追記書き込み可能な不揮発性メモリへ可変データを記憶する。 - 特許庁 - CHARGE GAIN STRESS TEST CIRCUIT FOR NON-VOLATILE MEMORY AND CHARGE GAIN STRESS TEST METHOD
不揮発性メモリの電荷利得ストレステスト回路及び電荷利得ストレステスト方法 - 特許庁 - To obtain a partially non-volatile dynamic random access memory(PNDRAM).
部分的に不揮発性のダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＰＮＤＲＡＭ）を提供すること。 - 特許庁 - BSZT DIELECTRIC, CAPACITOR, NON-VOLATILE MEMORY, AND MANUFACTURING METHOD OF THEM
ＢＳＺＴ誘電体、キャパシタ及び不揮発性メモリ並びにそれらの製造方法 - 特許庁 - PARTIAL BLOCK DATA PROGRAMMING AND READING OPERATION IN NON-VOLATILE MEMORY
不揮発性メモリにおける部分的ブロックデータのプログラミング動作および読出し動作 - 特許庁 - A device and a method for operating a non-volatile memory comprises a bit cell array.
不揮発性メモリを動作させる装置および方法は、ビット・セル・アレイを含む。 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
不揮発性記憶装置の製造方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁 - The log record is subsequently written from the non-volatile memory to the target storage system.
ログ記録は続いて、不揮発性メモリからターゲット記憶システムに書き込まれる。 - 特許庁 - NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT HAVING FIN-TYPE CHANNEL REGION, AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
フィン型チャンネル領域を有する不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory circuit in which read-out margin is improved.
読み出しマージンが改善された不揮発性半導体メモリ回路を提供する。 - 特許庁 - One or more long-term storage media are integrated with a non-volatile memory.
１つまたは複数の長期記憶媒体を不揮発性メモリと一緒にする。 - 特許庁 - The programming strip 10 includes a non-volatile memory 12 and a communication bus 14.
プログラムストリップ１０は、不揮発メモリ１２とコミュニケーションバス１４とを含んでいる。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory device where steps are less around a gate.
ゲート近傍に段差の少ない不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile memory device having a novel structure which does not conventionally exist.
従来にない新規な構造を有する不揮発性メモリ装置を提供する。 - 特許庁 - To provide column scanning accelerating technology in a non-volatile semiconductor memory.
不揮発性半導体メモリ装置において、列スキャニング加速技術を提供する。 - 特許庁 - SINGLE-BIT NON-VOLATILE MEMORY CELL, ITS PROGRAMMING METHOD, AND ITS ERASING METHOD
単一ビット不揮発性メモリーセル、および、その書き込み方法および消去方法 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory device having improved readout accuracy.
読み出し精度を向上させた不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - CURRENT OR VOLTAGE MEASUREMENT CIRCUIT, SENSE CIRCUIT, AND SEMICONDUCTOR NON-VOLATILE MEMORY
電流または電圧測定回路、センス回路、および半導体不揮発性メモリ - 特許庁 - To reduce the power consumption of a volatile memory which requires refreshing.
リフレッシュ動作を必要とする揮発性メモリの低消費電力化を実現する。 - 特許庁 - HIGH SPEED FANNED OUT SYSTEM ARCHITECTURE AND INPUT/OUTPUT CIRCUITS FOR NON-VOLATILE MEMORY
不揮発性メモリ用の高速ファンアウトシステムアーキテクチャおよび入出力回路 - 特許庁 - HYBRID MULTI-BIT NON-VOLATILE MEMORY DEVICE OF NOR STRUCTURE AND OPERATING METHOD THEREOF
ＮＯＲ構造のハイブリッドマルチビットの不揮発性メモリ素子及びその動作方法 - 特許庁 - METHOD AND SYSTEM FOR PROVIDING INDEPENDENT BANK REFRESH FOR VOLATILE MEMORY
揮発性メモリのために独立したバンクリフレッシュを提供する方法及びシステム - 特許庁 - To provide a memory protecting circuit for excluding any abnormal access to a memory to protect system information stored in a non-volatile memory.
不揮発性メモリに格納されているシステム情報を保護するため、該メモリに対する非正常なアクセスを排除するメモリ保護回路にある。 - 特許庁 - To provide a memory module for monitoring power consumption by a volatile memory device loaded on the memory module.
本発明は、メモリモジュールに搭載されている揮発性メモリデバイスの消費電力を監視するメモリモジュールを提供することを目的としている。 - 特許庁 - An entry pertaining to the memory error is written in a non-volatile memory of a fault storage unit 454 on the particular memory module 450.
メモリエラーに関連するエントリが、その特定のメモリモジュール４５０上の故障記憶ユニット４５４の不揮発性メモリに書き込まれる。 - 特許庁 - To efficiently test a volatile semiconductor memory and a nonvolatile semiconductor memory, which are mounted as external memories, by means of a memory BIST.
外部メモリとして搭載された揮発性半導体メモリ、および不揮発性半導体メモリをメモリＢＩＳＴにより効率よくテストする。 - 特許庁 - The function part 10 is configured so as to support a nonvolatile memory control function to the nonvolatile memory (flash memory) 8 which performs interface control having compatibility with the volatile memory (SDRAM) 4 through a volatile memory control part 6 in the controller 2.
該機能部１０は、揮発性メモリ（ＳＤＲＡＭ）４と互換性を有するインタフェース制御を行う、不揮発性メモリ（フラッシュメモリ）８に対する不揮発性メモリ制御機能を、前記コントローラ２内の揮発性メモリ制御部６を介してサポートするように構成する。 - 特許庁 - To provide a relieving method for a memory module in which a defective memory cell can be relieved without replacing a volatile memory decided as defective in an electrical test of a memory module and a memory module.
メモリモジュールの電気的試験で不良と判定された揮発性メモリを交換することなく、不良メモリセルの救済が可能なメモリモジュールの救済方法及びメモリモジュールを提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory device having both of a merit of a DRAM and a merit of a non-volatile memory element.
ＤＲＡＭがもつ利点と不揮発性メモリ素子がもつ利点とを併せ持つ半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for erasing a non-volatile memory including memory cells arrayed in rows and columns.
ここには行と列に配列されたメモリセルを含む不揮発性メモリ装置を消去する方法が提供される。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory device with uniform characteristics of memory cell transistors, and to provide a method for manufacturing the same.
メモリセルトランジスタの特性が均一な不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To minimize current consumption in a memory array during programming of non-volatile memory cells, such as NROM cells.
メモリアレイにおいて、ＮＲＯＭセル等の不揮発性メモリセルのプログラム時に電流消費量を最小にする。 - 特許庁
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