NON VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND ELECTRON PULL OUT METHOD THEREOF 不揮発性半導体記憶装置およびその電子引き抜き方法 - 特許庁
CIRCUIT AND METHOD FOR PREVENTING ERRONEOUS ERASURE AND ERRONEOUS WRITING OF NON-VOLATILE MEMORY 不揮発性メモリ誤消去,誤書込み防止回路及び方法 - 特許庁
STORING AND READING METHOD OF DATA IN NON-VOLATILE MEMORY DEVICE 不揮発性メモリ装置におけるデータの記憶及び読み出し方法 - 特許庁
To provide an information processing device for saving further large pieces of data from a volatilememory to a non-volatile memory when a power supply is turned off. 電源オフ時に揮発メモリから不揮発メモリへより多くのデータを退避させることのできる情報処理装置を提供する。 - 特許庁
On the other hand, the control part 102 saves the storage data of the volatilememory 103 to the non-volatile memory 104 when the power supply from the outside is interrupted. 一方、外部からの電力供給が杜絶えたら揮発性メモリ103の記憶データを不揮発性メモリ104に退避する。 - 特許庁
To provide an image pickup device and data transfer device capable of quick data transfer between a volatilememory and a non-volatile memory. 揮発性メモリと不揮発性メモリとのデータの転送を迅速に行なうことができる撮像装置及びデータ転送装置を実現する。 - 特許庁
Transfer control means of an external connection device transfers a rewriting program for rewriting a program of a non-volatile memory to a volatilememory. 外部接続装置の転送制御手段は、不揮発性メモリのプログラムを書き換えるための書換プログラムを揮発性メモリに転送する。 - 特許庁
A volatile semiconductor memory (8) includes a plurality of areas, some of which are used as cache memories of the non-volatile semiconductor memory. 揮発性半導体メモリ(8)は、複数の領域を含み、少なくとも一部が不揮発性半導体メモリのキャッシュメモリとして用いられる。 - 特許庁
To surely execute the reload of information recorded in a non-volatile memory concerning electronic device having the non-volatile memory. 不揮発性メモリを有する電子機器において、該不揮発性メモリに記録された情報の書き換えを確実に実行することを可能にする。 - 特許庁
EVALUATION DEVICE OF NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND ITS EVALUATING METHOD, AND NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD 不揮発性半導体記憶装置の評価装置およびその評価方法、ならびに不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 - 特許庁
A control part (1) determines an area to arrange the data from among the plurality of areas of the volatile semiconductor memory, based on layout hint information generated based on the characteristics of the data written on the non-volatile semiconductor memory or the volatile semiconductor memory and giving a hint for determining a data layout area on the non-volatile semiconductor memory or the volatile semiconductor memory. 制御部(1)は、不揮発性半導体メモリ又は揮発性半導体メモリに書き込まれるデータの特性に基づいて生成され、データの不揮発性半導体メモリ又は揮発性半導体メモリ上の配置領域を決定するヒントとなる配置ヒント情報に基づき、揮発性半導体メモリの複数の領域からデータの配置領域を決定する。 - 特許庁
The non volatile semiconductor memory device comprises a memory part MU; and a non memory part PU provided beside the memory part. 実施形態によれば、メモリ部MUと、メモリ部に併設された非メモリ部PUと、を備えた不揮発性半導体記憶装置が提供される。 - 特許庁
To provide a method for persistently tracking volatilememory faults, and to provide a memory module. 揮発性メモリの故障を永続的に追跡するための方法およびメモリモジュールを提供する。 - 特許庁
To provide a memory system in which a deterioration in a volatilememory performance due to a refresh operation is prevented. 揮発性メモリの性能がリフレッシュにより低下することを防止できるメモリシステムを提供する。 - 特許庁
This method is a method for refreshing a reference memory cell (Cref) in a non-volatile memory. 本発明は、不揮発性メモリ(10)内の基準メモリセル(Cref)をリフレッシュする方法である。 - 特許庁
To provide a method and device for testing memory for shortening an erase test of non-volatile memory. 不揮発性メモリの消去試験を短縮するメモリ試験方法及び装置を提案する。 - 特許庁
The IC card includes a volatilememory, a nonvolatile memory, and arithmetic processing means for executing an application. ICカードは、揮発メモリと、不揮発メモリと、アプリケーションを実行する演算処理手段とを備える。 - 特許庁
MEMORY-CELL STRUCTURE OF NON-VOLATILE FLASH MEMORY WITH SLIT TYPE GATE ELECTRODE AND ITS OPERATING METHOD スリット式ゲート電極を有する不揮発性フラッシュメモリの記憶セル構造及びその操作方法 - 特許庁
A compressor memory system includes a first non-volatile memory connected to a module. 圧縮機メモリシステムは、モジュールに接続した第1不揮発性メモリを有する圧縮機を包含する。 - 特許庁
This intelligent type multifunctional compound memory is provided with a volatilememory, a non-volatile memory, and a data conversion circuit and packaged in a single chip or multi-chips. 本発明に係わるう知能型多機能複合式メモリは、揮発性メモリと、非揮発性メモリとデータ変換回路とを備え、シングル・チップまたはマルチ・チップにパッケージされる。 - 特許庁
Then, when the backup of the values of the non- volatilememory is selected, the backup processing of the non-volatile memory is operated by a memory backup processing part 111 in the microcomputer. そこで不揮発性メモリの値をバックアップすることが選択されれば、マイクロコントローラ内のメモリバックアップ処理部111にて不揮発性メモリのバックアップ処理が行われる。 - 特許庁
A cache system of an embodiment of the invention includes: a volatile cache memory; a nonvolatile cache memory with the same capacity as that of the volatile cache memory; an address decoder designating the same line for the volatile cache memory and the nonvolatile cache memory; and a save region for storing data inputted from the volatile cache memory and outputting the stored data to the volatile cache memory. 本発明の実施形態によるキャッシュシステムは、揮発性キャッシュメモリーと、前記揮発性キャッシュメモリーと同容量の不揮発性キャッシュメモリーと、前記揮発性キャッシュメモリーと前記不揮発性キャッシュメモリーとに対して同じラインを指定するアドレスデコーダと、前記揮発性キャッシュメモリーから入力されるデータを記憶し、記憶したデータを前記揮発性キャッシュメモリーへ出力する退避領域とを有することを特徴とする。 - 特許庁
To improve the controllability of a memory device which is equipped with a volatilememory (for example, SDRAM) and a non-volatile memory (for example, flash memory) from a host by allowing the host to control data transfer between the SDRAM and the flash memory. 本発明は、揮発性メモリ(例えば、SDRAM)と不揮発性メモリ(例えば、フラッシュメモリ)間のデータ転送をホストから制御可能とし、揮発性メモリと不揮発性メモリとを備えたメモリ装置のホストからの制御性を向上する。 - 特許庁
A memory device (110) includes the write-once memory (112), a non-volatile memory (214), and a circuit (210) for writing user data to the write-once memory (112) and at least one of user data and error correction data to the non-volatile memory (214). メモリデバイス(110)は、ライトワンスメモリ(112)と、不揮発性メモリ(214)と、ユーザデータをライトワンスメモリ(112)に書き込み、かつユーザデータ及び誤り訂正データのうちの少なくとも一つを不揮発性メモリ(214)に書き込むための回路(210)とを含む。 - 特許庁
DATA WRITE-IN DEVICE FOR NON-VOLATILE MEMORY ON MEMORY MODULE SUBSTRATE, RECORDING MEDIUM, AND INSPECTION EQUIPMENT FOR MEMORY MODULE SUBSTRATE メモリモジュール基板上の不揮発性メモリへのデータ書込装置及び記録媒体並びにメモリモジュール基板の検査装置 - 特許庁
A memory device 100 includes a volatile main memory device (RAM 120) and a nonvolatile secondary memory device (HDD). 記憶装置100は、揮発性の主記憶装置(RAM120)と不揮発性の二次記憶装置(HDD)を備える。 - 特許庁
MEMORY APPARATUS INCLUDING PROGRAMMABLE NON-VOLATILE MULTI-BIT MEMORY CELL, AND APPARATUS AND METHOD FOR DEMARCATING MEMORY STATE OF THE CELL プログラマブル不揮発性複数ビットメモリセルを有する記憶装置およびそのセルの記憶状態を分界する装置と方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE, NON-VOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY, FLOATING GATE MEMORY CELL SEMICONDUCTOR MEMORY ARRAY, AND METHOD OF FORMING THE SAME 半導体装置、不揮発性ランダムアクセスメモリセル、フローティングゲートメモリセルの半導体メモリアレイ、及び、このアレイを形成する方法 - 特許庁
PROGRAMMING METHOD FOR MULTI-LEVEL NON-VOLATILE MEMORY BY CONTROL OF GATE VOLTAGE ゲート電圧の制御よるマルチレベル不揮発性メモリのプログラミング方法 - 特許庁
To provide a test method for shortening a test time of a volatilememory. 揮発性メモリのテスト時間を短縮化するテスト方法を提供する。 - 特許庁
To provide a highly reliable and fine non-volatile memory element. 高信頼性かつ微細な不揮発性メモリ素子を提供することにある。 - 特許庁
NON-VOLATILE FERROELECTRIC MEMORY DEVICE, DRIVER FOR THE SAME, AND DRIVING METHOD 不揮発性強誘電体メモリ装置、その駆動装置及び駆動方法 - 特許庁
To properly decide the reliability of data stored in a non-volatile memory. 揮発性メモリに記憶されたデータの信頼性を適切に判断する - 特許庁
NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND MANUFACTURING AND WRING METHOD THEREOF 不揮発性半導体記憶装置、製造方法および書き込み方法 - 特許庁
A non-volatile memory array includes a plurality of word-lines and a plurality of columns. 不揮発性メモリアレイが、複数のワード線と複数の列を備える。 - 特許庁
To improve performance of a semiconductor device having a non-volatile memory. 不揮発性メモリを有する半導体装置の性能を向上させる。 - 特許庁
To prevent data retardation failure of a non-volatile semiconductor memory device. 不揮発性半導体記憶装置のデータ・リタデーション不良を防止する。 - 特許庁
NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, ITS FABRICATING METHOD AND ITS OPERATING METHOD 不揮発性メモリ素子及びその製造方法、並びにその動作方法 - 特許庁
NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND STORAGE MEDIUM STORED WITH PROGRAM 不揮発性半導体記憶装置及びプログラムを記憶した記憶媒体 - 特許庁
METHOD FOR ERASING NON-VOLATILE MEMORY CELL OF FIELD- PROGRAMMABLE GATE ARRAY フイールドプログラム可能ゲートアレイの不揮発性メモリセルを消去する方法 - 特許庁
To provide the circuit arrangement of a volatile semiconductor memory device. 揮発性半導体メモリ装置の回路配置を提供することにある。 - 特許庁