「Volatile memory」を含む例文一覧(2819)
＜前へ 1 2 .... 6 7 8 9 10 11 12 13 14 .... 56 57 次へ＞- To provide non-volatile memory devices including variable resistance material.
可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子を提供する。 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR CHARGE PUMP CIRCUIT AND NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY
半導体チャージポンプ回路および不揮発性半導体記憶装置 - 特許庁 - NON-VOLATILE MEMORY DEVICE HAVING ROW REDUNDANCY BEING FREELY CONSTITUTED
構成自在な行冗長性を有する不揮発性メモリデバイス - 特許庁 - NON VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ITS CHARGE INJECTING METHOD
不揮発性半導体メモリ装置およびその電荷注入方法 - 特許庁 - NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND ITS PROGRAM VERIFYING METHOD
不揮発性半導体メモリ装置及びそれのプログラム検証方法 - 特許庁 - FERROELECTRIC NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND SEMICONDUCTOR DEVICE
強誘電体型不揮発性半導体メモリ、及び、半導体装置 - 特許庁 - NON-VOLATILE FERROELECTRICS MEMORY ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
不揮発性強誘電体メモリ素子並びにその製造方法 - 特許庁 - NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY HAVING DIVIDED BIT LINES
分割されたビット線を有する不揮発性半導体記憶装置 - 特許庁 - NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, AND OPERATING METHOD THEREOF AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
不揮発性メモリ素子、その動作方法及びその製造方法 - 特許庁 - DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING THRESHOLD VOLTAGE OF NON-VOLATILE MEMORY
非揮発性メモリのしきい電圧制御装置及びその方法 - 特許庁 - A nonvolatile memory 17 stores the vehicle information stored in the volatile memory 16.
不揮発性メモリ１７は、揮発性メモリ１６に記憶された車両情報を記憶する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing the NOR-type memory cell of a non-volatile memory device of high integration degree.
集積度の高い非揮発性メモリ素子のＮＯＲ型メモリセルの製造方法。 - 特許庁 - This device has a memory cell array 1 in which non-volatile memory cells being electrically rewritable.
電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルが配列されたメモリセルアレイ１を有する。 - 特許庁 - To suppress erroneous writing in a memory transistor of a non-volatile semiconductor memory device.
不揮発性半導体記憶装置のメモリトランジスタに誤書き込みが生ずるのを抑制する。 - 特許庁 - To suppress inequality in the number of times of data deletion among memory blocks in a non-volatile memory.
不揮発性メモリにおける記憶ブロック間のデータ消去回数のばらつきを抑える。 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR MEMORY PROVIDED WITH A PLURALITY OF INTERNAL COUNTERS, AND NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY
内部カウンタを複数備えた半導体記憶装置、及び不揮発性半導体記憶装置 - 特許庁 - To provide a backup means efficiently sharing a volatile memory and a nonvolatile memory.
揮発性メモリと不揮発性メモリを効率よく共用するバックアップ手段を提供する。 - 特許庁 - To provide an electronic controller in which the memory efficiency of a non-volatile memory is high.
不揮発性メモリにおけるメモリ効率の高い電子制御装置を提供すること。 - 特許庁 - NON-VOLATILE FERROELECTRIC MEMORY AND DETECTING METHOD FOR DEFECTIVE CELL USING THE MEMORY
不揮発性強誘電体メモリ装置並びにそれを用いた不良セル検出方法 - 特許庁 - NON-VOLATILE FLASH MEMORY DEVICE USABLE AS SYSTEM BOOT- UP MEMORY AND ITS OPERATION METHOD
システムのブートアップメモリとして使用可能な不揮発性フラッシュメモリ装置及びその動作方法。 - 特許庁 - NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, ITS DATA INPUT/OUTPUT CONTROL METHOD, AND MEMORY APPLICATION SYSTEM
不揮発性半導体メモリ装置、それのデータ入／出力制御方法及びメモリ応用システム - 特許庁 - A non-volatile memory 2 and a memory 3 for download are treated on the same memory map, and data read from the prescribed address of the memory 3 for download are written in the corresponding address on the non-volatile memory 2.
不揮発性メモリ２とダウンロード用メモリ３を同一のメモリマップで扱い、ダウンロード用メモリ３の所定のアドレスから読み込んだデータを不揮発性メモリ２上の対応するアドレスに書き込む。 - 特許庁 - The memory card includes a non-volatile memory having memory capacity larger than the maximum memory capacity defined in the first standard, and a control part for controlling access to the non-volatile memory.
本発明のメモリカードは、第１の規格で定められた最大メモリ容量よりも大きいメモリ容量を有する不揮発性メモリと、不揮発性メモリへのアクセスを制御する制御部と、を備える。 - 特許庁 - To provide a data check method of a non-volatile memory for preventing the erroneous operation of specific equipment on which a non-volatile memory is loaded even when the non-volatile memory breaks down due to any factor, and data are deteriorated, or after the non-volatile memory is exchanged.
不揮発性メモリが何等かの原因で破損してデータが変質していたり、不揮発性メモリが交換された後であっても、当該不揮発性メモリを搭載する特定機器の誤動作を防止できる不揮発性メモリのデータチェック方法を提供すること。 - 特許庁 - Regarding the image processing apparatus having a non-volatile memory and the volatile memory to hold the received job, a shifting condition for shifting the power supply to the volatile memory to the off-state and a holding condition for holding the specific job in the non-volatile memory are set.
不揮発性のメモリと、受信するジョブを揮発性のメモリとを備える画像処理装置において、揮発性のメモリへの電源をオフ状態に移行させるための移行条件と、特定のジョブを不揮発性のメモリで保持しておくための保持条件とを設定する。 - 特許庁 - To materialize the long service life of a non-volatile memory by increasing effective capacity on the non-volatile memory and by restraining useless data erasing processing to the non-volatile memory (namely, each erasure block) in a data management system for the non-volatile memory.
不揮発性メモリのデータ管理システムにおいて、前記不揮発性メモリ上の実効容量を増大させ、前記不揮発性メモリ（即ち、各消去ブロック）に対する無用なデータ消去処理を抑制することで前記不揮発性メモリの長寿命化を実現する。 - 特許庁 - The liquid crystal projector for which a writable non-volatile memory is being used as program memory is provided with non-volatile memory, and a means for storing an alteration history of the program in the non-volatile memory when the program in the program memory is altered.
書き換え可能な不揮発性メモリがプログラムメモリとして使用されている液晶プロジェクタにおいて、不揮発性メモリ、およびプログラムメモリ内のプログラムを変更した際、プログラムの変更履歴を不揮発性メモリに記憶する手段を備えている。 - 特許庁 - MULTI-PORT VOLATILE MEMORY DEVICE, LOW-SPEED MEMORY LINK TYPE HIGH-SPEED MEMORY DEVICE, DATA PROCESSING APPARATUS AND MULTI-CHIP SEMICONDUCTOR DEVICE
マルチポート揮発性メモリ装置、低速メモリリンク型高速メモリ装置、データ処理装置及びマルチチップ半導体装置 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory which can control one memory chip as well as plural memory chip.
１メモリチップを複数メモリチップと同様に制御可能とした不揮発性半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁 - The memory cell (MC_1) of the MONOS type non-volatile memory is constituted of a control transistor (C_1) and a memory transistor (M_1).
ＭＯＮＯＳ型不揮発性メモリのメモリセル（ＭＣ_1）は、コントロールトランジスタ（Ｃ_1）とメモリトランジスタ（Ｍ_1）とで構成されている。 - 特許庁 - After the lapse of the predetermined time, the control data stored in the volatile-memory 42 are written into the non-volatile memory 9, and then power supply to the volatile memory 42 from a power circuit 7 is stopped.
所定時間経過すると、揮発性メモリ４２に記憶された制御データは不揮発性メモリ９に書き込まれ、その後、電源回路７から揮発性メモリ４２への電源供給が停止される。 - 特許庁 - To provide an electronic control device enabling to initialize a volatile memory more efficiently by determining whether the volatile memory is required to be initialized or not in accordance with the condition of supplying power to the volatile memory.
揮発性メモリへの給電状態に基づき揮発性メモリの初期化の要否を判定したことにより、揮発性メモリの初期化の効率化が図られた電子制御装置を提供する。 - 特許庁 - This device has a plurality of memory banks (3, 4) which is provided with a non-volatile memory cell and which can perform memory operation independently, and a control section (5) controlling memory operation of the memory bank.
不揮発性メモリセルを備え夫々独立にメモリ動作可能な複数個のメモリバンク（３，４）と、メモリバンクのメモリ動作を制御する制御部（５）を有する。 - 特許庁 - NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR PERFORMING VERIFY WRITE OPERATION ON THE SAME
不揮発性半導体メモリデバイスと、そのベリファイ書き込み方法 - 特許庁 - INCORPORATED EQUIPMENT, AND AUTOMATIC REFRESH METHOD FOR NON-VOLATILE MEMORY AND PROGRAM
組み込み機器、不揮発性メモリの自動リフレッシュ方法およびプログラム - 特許庁 - CHARGE TRAP NON-VOLATILE MEMORY STRUCTURE FOR 2 BITS PER TRANSISTOR
各トランジスタに２ビット記憶する電荷トラップ不揮発性メモリ構造 - 特許庁 - DATA STORAGE DEVICE AND DATA WRITING METHOD IN NON-VOLATILE MEMORY
データ記憶装置及び不揮発性メモリに対するデータ書き込み方法 - 特許庁 - NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND METHOD FOR CONTROLLING DATA WRITING
不揮発性半導体メモリ装置およびデータ書き込み制御方法 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory and a programming method thereof.
不揮発性半導体メモリ装置及びそのプログラム方法の提供。 - 特許庁 - The microcomputer is provided with a CPU (2), a non-volatile memory (13), and a RAM (3).
ＣＰＵ（２）と、不揮発性メモリ（１３）と、ＲＡＭ（３）とを設ける。 - 特許庁 - CHARGE PUMP CIRCUIT AND OPERATING METHOD FOR NON- VOLATILE MEMORY USING IT
チャージポンプ回路およびこれを用いた不揮発性メモリの動作方法 - 特許庁 - REFERENCE VOLTAGE GENERATING CIRCUIT FOR NON-VOLATILE FERROELECTRIC MEMORY DEVICE
不揮発性強誘電体メモリ装置の参照電圧発生回路 - 特許庁 - NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND ERASING METHOD FOR ITS STORAGE DATA
不揮発性半導体記憶装置とその記憶データの消去方法 - 特許庁 - To provide a non-volatile memory realizing high speed verify-operation.
高速なベリファイ動作を実現する不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁 - To reduce power consumption required for refreshing a volatile memory element.
揮発性記憶素子のリフレッシュに要する消費電力を削減する。 - 特許庁 - MULTI-BIT NON-VOLATILE MEMORY UTILIZING NON-CONDUCTIVE CHARGE TRAP GATE
非導電性のチャージトラップゲートを利用した多ビット不揮発性メモリ - 特許庁 - NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND SYSTEM LSI USING IT
不揮発性半導体記憶装置およびそれを用いたシステムＬＳＩ - 特許庁 - NON-VOLATILE MEMORY DEVICE HAVING CELL DIODE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
セルダイオードを備えた不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁 - NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, AND ITS THRESHOLD VOLTAGE CONTROL METHOD
不揮発性半導体メモリおよびそのスレシホールド電圧制御方法 - 特許庁 - NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY HAVING SELECTIVE MULTIPLE-SPEED OPERATION MODE
選択的倍速動作モードをもつ不揮発性半導体メモリ装置 - 特許庁
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