「Volatile memory」を含む例文一覧(2819)
＜前へ 1 2 .... 4 5 6 7 8 9 10 11 12 .... 56 57 次へ＞- NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND DATA ERROR CORRECTION METHOD
不揮発性半導体メモリ装置とデータ誤り訂正方法 - 特許庁 - MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND NON-VOLATILE RANDOM ACCESS MAGNETIC MEMORY
磁気抵抗効果素子及び不揮発性ランダムアクセス磁気メモリ - 特許庁 - WORDLINE DECODER OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE USING HPMOS
ＨＰＭＯＳを用いた不揮発性メモリ装置のワードラインデコーダ - 特許庁 - To miniaturize a semiconductor device having a non-volatile memory.
不揮発性メモリを有する半導体装置を小型にする。 - 特許庁 - NONVOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE, AND NON-VOLATILE MEMORY CELL
不揮発性半導体記憶装置および不揮発性メモリセル - 特許庁 - The semiconductor device has the non-volatile memory transistor 100.
半導体装置は、不揮発性メモリトランジスタ１００を有する。 - 特許庁 - NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF AND SEMICONDUCTOR CHIP
不揮発性メモリ素子、その製造方法及び半導体チップ - 特許庁 - NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND PROGRAM VERIFY METHOD
不揮発性半導体記憶装置及びプログラムベリファイ方法 - 特許庁 - MICROCOMPUTER INCORPORATING ELECTRICALLY REWRITABLE NON-VOLATILE MEMORY
電気的に書き換え可能な不揮発性メモリ内蔵マイクロコンピュータ - 特許庁 - NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND PROGRAMMING METHOD THEREFOR
不揮発性半導体記憶装置およびそのプログラミング方法 - 特許庁 - NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND ITS DATA REWRITING METHOD
不揮発性半導体記憶装置とそのデータ書換え方法 - 特許庁 - NON-VOLATILE MEMORY, ITS VERIFY-METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
不揮発性メモリとそのベリファイ方法、及び半導体装置 - 特許庁 - METHOD OF PROGRAMMING NON-VOLATILE MEMORY CELL AND ITS CONSTITUTION OBJECT
不揮発性メモリセルのプログラミング方法およびその構成体 - 特許庁 - NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND ITS ERASING METHOD
不揮発性半導体メモリ装置及びそれの消去方法 - 特許庁 - STORAGE OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME
不揮発性記憶装置のストレージ及びその形成方法 - 特許庁 - To provide a recovery system for non-volatile memory after a power outage.
停電後の不揮発性メモリの回復システムを提供する。 - 特許庁 - NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND ITS READ-OUT METHOD
不揮発性半導体記憶装置およびその読み出し方法 - 特許庁 - PREVENTING CIRCUIT FOR ERRONEOUS DATA OF NON-VOLATILE MEMORY AND ITS METHOD
不揮発性メモリのデータ化け防止回路およびその方法 - 特許庁 - VARIABLE RESISTANCE NON-VOLATILE MEMORY CELL AND ITS MANUFACTURING METHOD
可変抵抗不揮発性メモリセル及びそれの製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR STORING DATA IN NON-VOLATILE MEMORY AND CONTROL DEVICE
不揮発性メモリへのデータ保存方法および制御装置 - 特許庁 - NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND PRODUCING METHOD THEREFOR
不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 - 特許庁 - REPROGRAMMING SYSTEM FOR NON-VOLATILE MEMORY OF IN-VEHICLE CONTROL UNIT
車載用制御ユニットの不揮発性メモリの書き換えシステム - 特許庁 - NON-VOLATILE FERROELECTRIC MEMORY DEVICE AND ITS DRIVING CIRCUIT
不揮発性強誘電体メモリ装置並びにその駆動回路 - 特許庁 - VERTICAL NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY CELL AND ITS MANUFACTURING METHOD
縦型不揮発性半導体メモリセルおよびその製造方法 - 特許庁 - NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND ITS WRITE METHOD
不揮発性半導体メモリ装置およびその書き込み方法 - 特許庁 - NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND OPERATING METHOD THEREFOR
不揮発性半導体記憶装置およびそのオペレーティング方法 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD FOR FERROELECTRIC NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY
強誘電体型不揮発性半導体メモリの製造方法 - 特許庁 - NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR DISK DEVICE
不揮発性半導体記憶装置および半導体ディスク装置 - 特許庁 - FORMATION OF NON VOLATILE MEMORY DEVICE USING NANOCRYSTAL
ナノ結晶を利用した非揮発性記憶素子の形成方法 - 特許庁 - A non-volatile memory array can be recovered after the power outage.
停電後に不揮発性メモリアレイを回複することができる。 - 特許庁 - NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND ITS REFRESHING METHOD
不揮発性半導体記憶装置およびそのリフレッシュ方法 - 特許庁 - ELECTRONIC APPARATUS AND STANDBY VOLTAGE CONTROL METHOD FOR VOLATILE MEMORY
電子装置及び揮発性メモリの待機電圧制御方法 - 特許庁 - VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND ITS ACCESS EVALUATING METHOD
揮発性半導体記憶装置及びそのアクセス評価方法。 - 特許庁 - NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
半導体不揮発性記憶装置およびその製造方法 - 特許庁 - To shorten the time required for recording vehicle information stored in a volatile memory to a non-volatile memory.
揮発性メモリに記憶されている車両情報を不揮発性メモリに記録するために要する時間を短縮する。 - 特許庁 - In addition, the data storage server processes multiple accesses to the plurality of non-volatile memory at a time to speedily write data to the non-volatile memory.
また、データストアサーバは、複数の不揮発性メモリへのアクセスをまとめて、不揮発性メモリへ書きみを高速化する。 - 特許庁 - The non-volatile memory performs the erasure of storage information to the non-volatile memory cells in erasure block units having different size.
不揮発性メモリは不揮発性メモリセルに対する記憶情報の消去をサイズの異なる消去ブロック単位で行う。 - 特許庁 - To provide a non-volatile memory module capable of further enhancing confidentiality of data held in a non-volatile memory.
不揮発性メモリに保持されているデータの機密性をより高めることができる不揮発性メモリモジュールを提供する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile memory device with improved immunity to erase saturation, and to provide a method for manufacturing the non-volatile memory device.
消去飽和について改善したイミュニティを備えた不揮発性メモリデバイスおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - OVER-ERASURE CELL DETECTION SYSTEM FOR NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, OVER-ERASION CELL ELIMINATION SYSTEM FOR NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, NON- VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, OVER-ERASURE CELL DETECTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR MEMORY, OVER- ERASURE CELL ELIMINATION METHOD FOR NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY
不揮発性半導体メモリの過剰消去セル検出システム，不揮発性半導体メモリの過剰消去セル解消システム，不揮発性半導体メモリ，不揮発性半導体メモリの過剰消去セル検出方法，不揮発性半導体メモリの過剰消去セル解消方法 - 特許庁 - The control part 11 of a memory controller 1 temporarily writes data to be written in a non-volatile memory 2 in the data region of a volatile memory 12.
メモリ制御装置１の制御部１１は、不揮発性メモリ２に書き込むべきデータを揮発性メモリ１２のデータ領域に一旦書き込む。 - 特許庁 - To shorten time from a start of a transfer from a nonvolatile memory to a volatile memory until the data in the volatile memory becomes accessible.
不揮発性メモリから揮発性メモリに転送が開始されてから揮発性メモリ内のデータがアクセス可能になるまでの時間を短縮する。 - 特許庁 - The memory device includes a nonvolatile memory, a volatile memory as the buffer memory, a write-protection control circuit, and a control circuit.
メモリ装置は不揮発性メモリ、バッファメモリとして揮発性メモリ、書き込み防止制御回路、及び制御回路を含む。 - 特許庁 - This memory backup system includes a first memory cell (310) and a non-volatile memory cell the(320) connected to the first memory cell (310).
本発明のメモリバックアップシステムは、第１のメモリセル(310)とこの第１のメモリセル(310)に接続された不揮発性メモリセル(320)を含む。 - 特許庁 - When the temporary storage non-volatile memory is connected to the connection part for temporary storage, the control part temporarily copies and saves the data in the main non-volatile memory to the temporary storage non-volatile memory.
制御部は、一時記憶用接続部に一時記憶不揮発メモリが接続された場合には、メイン不揮発メモリ内のデータを一時記憶不揮発メモリに一時的に複写し退避させる。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory device, especially the non-volatile semiconductor memory device which provides a non-volatile memory function wherein writing and erasing are repeated by a buried semiconductor device.
不揮発性半導体メモリ装置、特に、埋め込み半導体装置で書き込みと消去を繰り返し得る不揮発性メモリ機能を提供する不揮発性半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁 - Thereby, the control data can be reliably kept at the volatile memory 42 or the non-volatile memory 9, and the dark current in the volatile memory 9 can be reduced.
従って、揮発性メモリ４２もしくは不揮発性メモリ９によって制御データを確実に保持することができるとともに、揮発性メモリ９における暗電流も低減することができる。 - 特許庁 - During power supply to the volatile memory, when the flag written in the non-volatile memory is set ON, it is determined that the displacement disappears from the volatile memory.
そして、揮発性メモリへの電源供給時に、不揮発性メモリに書き込まれたフラグが「ＯＮ」に設定されているときには、揮発性メモリから変位量が消失されていると判定する。 - 特許庁 - To provide a vertical memory array including a plurality of non-volatile variable resistive memory cells.
複数の不揮発性可変抵抗メモリセルを含む縦型のメモリアレイを提供する。 - 特許庁
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