「Volatile memory」を含む例文一覧(2819)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 56 57 次へ＞- The non-volatile semiconductor memory device includes a non-volatile memory array having a plurality of memory blocks.
本発明による不揮発性半導体メモリ装置は、複数個のメモリブロックを有する不揮発性メモリアレイを含む。 - 特許庁 - NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
不揮発性メモリ装置及びその製造方法 - 特許庁 - NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
非揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁 - NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT AND FABRICATION METHOD THEREFOR
不揮発性メモリ素子並びにその製造方法 - 特許庁 - PROGRAMMING METHOD FOR NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY
不揮発性半導体メモリ装置のプログラム方法 - 特許庁 - NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
非揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁 - NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND ITS EVALUATION METHOD
不揮発性メモリ装置及びその評価方法 - 特許庁 - NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, AND WRITE-IN AND READ-OUT METHOD FOR NON-VOLATILE MEMORY CELL
不揮発性半導体記憶装置並びに不揮発性メモリセルの書き込み及び読み取り方法 - 特許庁 - NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD OF OPERATING THE SAME
不揮発性メモリ素子及びその動作方法 - 特許庁 - NAND TYPE NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY
ＮＡＮＤ型不揮発性半導体記憶装置 - 特許庁 - NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD OF OPERATING THE SAME
不揮発性メモリ装置及びその動作方法 - 特許庁 - DATA REWRITING METHOD FOR NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY
不揮発性半導体メモリのデータ書換方法 - 特許庁 - METHOD FOR PROGRAMMING NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY
不揮発性半導体メモリ装置のプログラム方法 - 特許庁 - NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT AND METHOD OF OPERATING THE SAME
不揮発性メモリ素子及びその動作方法 - 特許庁 - DRIVING METHOD FOR NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY
不揮発性半導体記憶装置の駆動方法 - 特許庁 - NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
不揮発性メモリ素子及びその形成方法 - 特許庁 - STORAGE DEVICE USING NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY
不揮発性半導体メモリを用いた記憶装置 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR NON-VOLATILE MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD
半導体不揮発性メモリとその製造方法 - 特許庁 - NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND ITS TESTING METHOD
不揮発性半導体メモリとその検査方法 - 特許庁 - NON-VOLATILE MEMORY DEVICES AND SYSTEMS INCLUDING THE SAME, AND METHODS OF PROGRAMMING NON-VOLATILE MEMORY DEVICES
不揮発性メモリ装置、それらを含むシステム、及び該不揮発性メモリ装置をプログラミングする方法 - 特許庁 - The non-volatile memory system comprises a plurality of non-volatile memory devices (FLS1-FLS16) and a control device (CTR).
複数の不揮発性記憶装置（ＦＬＳ１〜ＦＬＳ１６）と制御装置（ＣＴＲ）とを有する。 - 特許庁 - MODE REGISTER AND NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY
モ—ドレジスタおよび不揮発性半導体メモリ装置 - 特許庁 - NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
不揮発性記憶装置とその製造方法 - 特許庁 - NON-VOLATILE MEMORY UNIT AND ITS ERASING METHOD
不揮発性メモリ装置及びその消去方法 - 特許庁 - NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
不揮発性メモリー装置及び該形成方法 - 特許庁 - NON VOLATILE MEMORY HAVING PAGE ERASING
ページ消去を有する不揮発性半導体メモリ - 特許庁 - NON-VOLATILE MEMORY DEVICE INCLUDING DOUBLE TRAP LAYER
二重トラップ層を備えた不揮発性メモリ素子 - 特許庁 - This IC card is provided with an arithmetic processing part 5, a volatile memory 2, a read only non-volatile memory 3 and a read/write enabling non-volatile memory 4.
演算処理部５、揮発性メモリ２、読み出し専用不揮発性メモリ３及び読み出し書き込み可能不揮発性メモリ４を具備する。 - 特許庁 - NON-VOLATILE MEMORY HAVING A PLURALITY OF PORT
複数のポートを有する不揮発性記憶装置 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND CELL STRUCTURE OF NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY
不揮発性半導体記憶装置の製造方法及び不揮発性半導体記憶装置のセル構造 - 特許庁 - NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND DATA ERASING METHOD FOR NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY
不揮発性半導体記憶装置および不揮発性半導体記憶装置のデータ消去方法 - 特許庁 - This information processing system includes an information processor, a volatile memory and a non-volatile memory.
情報処理装置、揮発性メモリおよび不揮発性メモリを含む情報処理システムを構成する。 - 特許庁 - NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁 - NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁 - NONVOLATILE MEMORY CONTROLLER, NON-VOLATILE STORAGE DEVICE, AND NON-VOLATILE STORAGE SYSTEM
不揮発性メモリコントローラ、不揮発性記憶装置、及び不揮発性記憶システム - 特許庁 - MEMORY CONTROLLER, NON-VOLATILE STORAGE DEVICE, ACCESS DEVICE, AND NON-VOLATILE STORAGE SYSTEM
メモリコントローラ、不揮発性記憶装置、アクセス装置、及び不揮発性記憶システム - 特許庁 - Preferably, the semiconductor device further includes a volatile memory, transfers data on the nonvolatile memory to the volatile memory by system reset, and accesses the volatile memory instead of read access to the nonvolatile memory.
好ましくはさらに揮発性メモリを備え、システムリセットにより、不揮発性メモリのデータを揮発性メモリへ転送し、不揮発性メモリへのリードアクセスに代えて、揮発性メモリへアクセスする。 - 特許庁 - CACHE MEMORY SYSTEM, SEMICONDUCTOR MEMORY, NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, SEMICONDUCTOR MEMORY SYSTEM, AND MEMORY VERIFY-CIRCUIT
キャッシュメモリシステム、半導体記憶装置、不揮発性半導体記憶装置、半導体記憶システムおよびメモリベリファイ回路 - 特許庁 - NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND SCREENING METHOD FOR ITS MEMORY CELL
不揮発性半導体記憶装置およびそのメモリセルスクリーニング方法 - 特許庁 - The body part 11 includes a volatile memory and a memory control part.
本体部１１は、揮発性メモリと、メモリ制御部とを備えている。 - 特許庁 - MEMORY CELL ARRAY STRUCTURE FOR NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY UNIT, THE NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY UNIT ACCESS METHOD FOR MEMORY CELL ARRAY OF THE UNIT, NAND FLASH MEMORY UNIT, AND SEMICONDUCTOR MEMORY
不揮発性半導体メモリ装置のメモリセルアレイ構造、不揮発性半導体メモリ装置、同装置のメモリセルアレイアクセス方法、ＮＡＮＤフラッシュメモリ装置及び半導体メモリ - 特許庁 - NON-VOLATILE MEMORY CIRCUIT RECORDING MULTI-BIT INFORMATION
多ビット情報を記録する不揮発性メモリ回路 - 特許庁 - ERASURE METHOD OF NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY
不揮発性半導体メモリ装置の消去方法 - 特許庁 - CELL BLOCK STRUCTURE FOR NON-VOLATILE FERROELECTRIC MEMORY
不揮発性強誘電体メモリのセルブロック構造 - 特許庁 - TEST METHOD FOR CHARACTERISTICS OF NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY
不揮発性半導体メモリの特性検査方法 - 特許庁 - ERASING SYSTEM FOR NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY
不揮発性半導体記憶装置の消去方式 - 特許庁 - ERASING METHOD IN NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY
不揮発性半導体メモリ装置の消去方法 - 特許庁 - ERASING METHOD FOR NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY
不揮発性半導体メモリ装置の消去方式 - 特許庁 - NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY PREVENTING ILLEGAL COPY
不正コピーを防止した不揮発性半導体メモリ - 特許庁 - NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND DRIVE METHOD THEREOF
不揮発性半導体メモリ及びその駆動方法 - 特許庁
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