「Volatile memory」を含む例文一覧(2819)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 56 57 次へ＞- MEMORY CELL AND STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR NON-VOLATILE MEMORY HAVING THE SAME
メモリセル及びそのメモリセルを有する半導体不揮発性メモリの構造。 - 特許庁 - Each backup battery has limited capacity and can only enable operation of the disk drive and volatile memory enough to execute a memory dump onto the disk drive from the volatile memory.
バックアップ・バッテリは、揮発性メモリからバックアップ・ディスク・ドライブへのメモリ・ダンプを行うのに十分な程度の容量しかない。 - 特許庁 - ERASE RAMP PULSE WIDTH CONTROL FOR NON-VOLATILE MEMORY
不揮発性メモリにおける消去ランプパルス幅制御 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR EDITING, AND NON-VOLATILE MEMORY
編集装置、編集方法および不揮発性メモリ - 特許庁 - CONTROL DEVICE FOR MULTI-LEVEL STORAGE NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY
多値記憶不揮発性半導体メモリの制御装置 - 特許庁 - STRUCTURE OF NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD
不揮発性メモリ素子の構造とその製造方法 - 特許庁 - PHASE CHANGE NON-VOLATILE MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD
相変化型不揮発性メモリ及びその製造方法 - 特許庁 - DRIVING METHOD FOR WORD LINE OF NON-VOLATILE MEMORY, AND DEVICE
不揮発性メモリのワード線駆動方法及び装置 - 特許庁 - NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
不揮発性半導体メモリ装置とその製造方法 - 特許庁 - NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND ITS OPERATION METHOD
不揮発性半導体記憶装置とその動作方法 - 特許庁 - NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
不揮発性半導体メモリ素子及び半導体装置 - 特許庁 - NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND ITS PROGRAMMING METHOD
不揮発性半導体記憶装置とそのプログラム方法 - 特許庁 - METHOD FOR FORMING ELEMENT ISOLATION FILM OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE
不揮発性メモリ素子の素子分離膜形成方法 - 特許庁 - DEPOSITION METHOD FOR NON-VOLATILE RESISTANCE SWITCHING MEMORY
不揮発性抵抗切替メモリのための堆積方法 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR CHECKING DATA IN NON-VOLATILE MEMORY
不揮発性メモリのデータチェック方法とデータチェック装置 - 特許庁 - EXTERNAL STORAGE DEVICE USING NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY
不揮発性半導体メモリを用いた外部記憶装置 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR CIRCUIT DEVICE AND NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY
半導体回路装置及び不揮発性半導体メモリ - 特許庁 - NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
不揮発性半導体メモリ装置および製造方法 - 特許庁 - The memory controller controls an access to the nonvolatile memory and the volatile memory in response to a memory request and includes a memory for storing address information of data stored in the volatile memory.
メモリコントローラはメモリ要求に応答して不揮発性メモリおよび揮発性メモリのアクセスを制御し、揮発性メモリに貯蔵されたデータのアドレス情報を貯蔵するメモリを含む。 - 特許庁 - The volatile semiconductor memory is connected to a second nonvolatile memory.
前記揮発性半導体メモリには、第２の不揮発性メモリが接続される。 - 特許庁 - The volatile semiconductor memory is connected to a first nonvolatile memory.
前記揮発性半導体メモリには、第１の不揮発性メモリが接続される。 - 特許庁 - A non-volatile storage device 100A is provided with a non-volatile memory 120 for storing data; and a memory controller 110A for performing the reading and the writing of data to the non-volatile memory 120.
不揮発性記憶装置１００Ａは、データを記憶する不揮発性メモリ１２０と、不揮発性メモリ１２０にデータを読み書きするメモリコントローラ１１０Ａとを備える。 - 特許庁 - NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, READ-OUT METHOD OF DATA FROM THE NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, AND WRITE-IN METHOD OF DATA FOR THE NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY
不揮発性半導体記憶装置、該不揮発性半導体記憶装置からのデータの読み出し方法及び、該不揮発性半導体記憶装置へのデータの書き込み方法 - 特許庁 - When transferring data of the non-volatile memory to the volatile memory, error correction is performed, and reliability is improved.
不揮発性メモリのデータを揮発性メモリへ転送させる際は、エラー訂正を行い、信頼性の向上を図る。 - 特許庁 - To extend a lifetime of a non-volatile semiconductor memory cell.
不揮発性半導体メモリセルの寿命を延長する。 - 特許庁 - The non-volatile memory module is provided with a local CPU (12).
不揮発性メモリモジュールはローカルＣＰＵ（１２）を備える。 - 特許庁 - TEST METHOD FOR MICROCOMPUTER WITH NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY LOADED THEREON
不揮発性半導体メモリ搭載マイコンの検査方法 - 特許庁 - METHOD FOR IMPROVING RELIABILITY OF NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY
半導体不揮発性メモリの信頼性向上方法 - 特許庁 - COMPUTER SYSTEM AND RELOADING METHOD FOR NON-VOLATILE MEMORY
コンピュータシステムおよび不揮発性メモリの書き換え方法 - 特許庁 - CLAMP CIRCUIT AND NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT USING THE SAME
クランプ回路及びこれを用いた不揮発性メモリ素子 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
半導体不揮発性記憶装置およびその製造法 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR NON-VOLATILE MEMORY CELL ARRAY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
半導体不揮発性メモリセルアレイとその製造方法 - 特許庁 - NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND ITS METHOD FOR USE
不揮発性半導体記憶装置およびその使用方法 - 特許庁 - FERROMAGNETIC NON-VOLATILE MEMORY AND REFRESHING METHOD THEREFOR
強磁性体不揮発性メモリおよびそのリフレッシュ方法 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING NON-VOLATILE MEMORY
不揮発性メモリを含む半導体装置の製造方法 - 特許庁 - DEVICE AND METHOD FOR READING NON-VOLATILE MEMORY CELL
不揮発性メモリセルを読み出すための装置および方法 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for a non-volatile memory element using ion implantation, and to provide the non-volatile memory element.
イオン注入を利用した不揮発性メモリ素子の製造方法及び不揮発性メモリ素子を提供する。 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING CAPACITOR OF NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
不揮発性半導体メモリ素子のキャパシタ製造方法 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE INCLUDING SELF-ALIGNED GATE STRUCTURE AND NON-VOLATILE MEMORY APPARATUS THEREBY
自己整列されたゲート構造を含む不揮発性メモリ装置の製造方法及びこれによる不揮発性メモリ装置 - 特許庁 - DATA INPUT METHOD FOR SEMICONDUCTOR NON-VOLATILE MEMORY DEVICE
半導体不揮発性記憶装置のデータ入力方法 - 特許庁 - To protect a non-volatile memory by preventing inaccurate information from being stored in the non-volatile memory a number of times.
正確でない情報が不揮発性メモリに何度も格納されることを防ぎ、不揮発性メモリを保護する。 - 特許庁 - NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND ITS MANUFACTURE
不揮発性半導体メモリ装置及びその製造方法 - 特許庁 - NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND PROGRAMMING METHOD THEREOF
不揮発性半導体メモリ装置及びそのプログラム方法。 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT HAVING NANOCRYSTAL
ナノクリスタルを有する不揮発性メモリ素子の製造方法 - 特許庁 - INTERNAL POWER CIRCUIT AND NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
内部電源回路及び不揮発性半導体記憶装置 - 特許庁 - METHOD AND SYSTEM FOR MONITORING FACILITY TO ACQUIRE DATA FROM NON-VOLATILE MEMORY AND VOLATILE MEMORY, AND MANUFACTURING PRODUCT
不揮発性メモリ及び揮発性メモリからデータを取得するための設備監視システム、方法及び製造物品 - 特許庁 - NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND ITS ERASING METHOD
不揮発性半導体メモリ装置およびその消去方法 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING DRAM AND NON-VOLATILE MEMORY
ＤＲＡＭと不揮発性メモリとが混載された半導体装置 - 特許庁 - METHOD FOR RECORDING INFORMATION ON SEMICONDUCTOR NON-VOLATILE MEMORY
半導体不揮発性メモリへの情報の記録方法 - 特許庁 - NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND ITS ERASING METHOD
不揮発性半導体記憶装置及びその消去方法 - 特許庁
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