「Volatile memory」を含む例文一覧(2819)
＜前へ 1 2 .... 11 12 13 14 15 16 17 18 19 .... 56 57 次へ＞- A memory system includes a non-volatile semiconductor storage device 18, a control unit 13, a memory 14, an extension register and a timer.
メモリシステムは、不揮発性半導体記憶装置18と、制御部13と、メモリ14と、拡張レジスタと、タイマを含んでいる。 - 特許庁 - An image data storage memory part 330 is a non-volatile memory for storing image data received from a monitoring camera.
画像データ保存メモリ部３３０は、監視カメラから受信した画像データを保存する不揮発性メモリである。 - 特許庁 - To prevent concentration of current to a source line driver in a semiconductor memory provided with a non-volatile memory cell.
不揮発性メモリセルを備えた半導体記憶装置においてソース線ドライバへの電流集中を防止する。 - 特許庁 - Only selected system programs of additional functionality are transferred from the nonvolatile memory to the volatile memory (S9, S10).
選択された付加的機能のシステムプログラムのみを不揮発性メモリから揮発性メモリに転送する（Ｓ９，Ｓ１０）。 - 特許庁 - PAGE MODE WRITE-IN METHOD FOR NON-VOLATILE MEMORY BEING ELECTRICALLY ERASABLE/PROGRAMMABLE, AND CORRESPONDING CONSTITUTION OF MEMORY
電気的に消去／プログラム可能な不揮発性メモリのページモード書込み方法、ならびに対応するメモリの構成 - 特許庁 - To reduce the area occupied by a non-volatile memory element and to enable memory rewriting at a low voltage.
不揮発性メモリ素子が占める面積サイズを縮小し、かつ低電圧でのメモリ書換えができるようにする。 - 特許庁 - Each memory cell includes a flip-flop FF and a non-volatile memory Mnv that stores the state of corresponding flip-flop.
各メモリセルは、フリップフロップＦＦと、対応するフリップフロップの状態を保持する不揮発性メモリＭｎｖを含む。 - 特許庁 - A non-volatile semiconductor memory device 100 includes a memory cell transistor layer 30 and a dummy layer 70 for a second CMP.
不揮発性半導体記憶装置１００は、メモリセルトランジスタ層３０、第２ＣＭＰ用ダミー層７０を備える。 - 特許庁 - Another embodiment disclosed relates to the memory module 450 that permanently tracks the volatile memory faults.
本発明の別の実施形態は、揮発性メモリの故障を永続的に追跡するメモリモジュール４５０に関する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile memory element, where the interval between the channel region and the source region of a memory cell is made constant.
メモリセルのチャネル領域及びソース領域の間の間隔が一定な不揮発性メモリ素子を提供する。 - 特許庁 - A control part reads the data from the first nonvolatile memory and the second volatile memory, in response to a read-out command.
制御部１４は、読出命令に応じて第１不揮発性メモリ及び第２不揮発性メモリからデータを読み出す。 - 特許庁 - The memory may be containing a non-volatile memory component where the generation time of the personal event is stored.
メモリは、個人的事件の発生の時間がそこに記憶される不揮発性メモリ成分を含んでいてもよい。 - 特許庁 - A write control section 102 writes the data to the nonvolatile memory cell 103 and the volatile memory cells 104, 105.
書込み制御部１０２は、不揮発性メモリセル１０３及び揮発性メモリセル１０４、１０５にデータ書込む。 - 特許庁 - The same data as data held by the nonvolatile memory cell 103 are written to the volatile memory cells 104, 105.
揮発性メモリセル１０４、１０５には、不揮発性メモリセル１０３が保持するデータと同じデータが書き込まれる。 - 特許庁 - Then, the characteristic information of the toner concentration sensor is stored in the non-volatile memory chip of the memory circuit board 19Y.
そして、このメモリ回路基板１９Ｙの不揮発性メモリチップに、トナー濃度センサの特性情報を記憶させた。 - 特許庁 - To improve largely yield by redundancy-relieving not only a nonvolatile memory but a volatile memory.
不揮発性メモリだけでなく、揮発性メモリも冗長救済することにより、歩留まりを大幅に向上する。 - 特許庁 - Moreover, each of a plurality of the memory cells 11 includes a transistor 30, a capacitor 40 and a non-volatile memory 50.
また、この複数のメモリセル１１の各々は、トランジスタ３０と、キャパシタ４０と、不揮発性メモリ５０と備える。 - 特許庁 - To provide a non-volatile memory in which memory cells which make a high speed access possible can be formed more minutely.
高速アクセスを可能とするメモリセルをより微細に形成することのできる不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁 - To provide an evaluating device capable of quickly and accurately evaluating an operating program to be executed on a microcomputer incorporating a non-volatile memory while realizing operations and functions specific to the non-volatile memory without using the non-volatile memory.
不揮発性メモリを内蔵するマイコン上で実行される動作プログラムの評価を、不揮発性メモリを使用することなく、不揮発性メモリに特有な動作、機能を実現しながら迅速かつ正確に行える評価装置を提供すること - 特許庁 - The transmitter reads out the third numerical value stored in the non-volatile memory and writes the third numerical value in the volatile memory as the first numerical value when the first numerical value stored in the volatile memory is deleted by battery replacement or the like.
そして、電池交換等により揮発性メモリに記憶されている第一の数値が消去されると、送信機は、不揮発性メモリに記憶されている第三の数値を読み出して、当該第三の数値を第一の数値として揮発性メモリに書き込む。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a non-volatile semiconductor memory device capable of forming an embedded bit line structure by a simple method in a non-volatile semiconductor memory device using a charge trap layer as a memory device.
電荷トラップ層を記憶素子に用いる不揮発性半導体記憶装置において、簡便な方法で埋め込みビット線構造を形成できる不揮発性半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A dedicated controlling element 23 then transfers and saves the various data once saved in the volatile memory 21 from the volatile memory 21 to a flash memory 22 under power supply from a capacitor 7 (S320).
そして、その揮発性メモリ２１に一旦保存された各種データを、専用制御素子２３が、コンデンサ７からの電力供給により揮発性メモリ２１からフラッシュメモリ２２へ転送して保存させる（Ｓ３２０）。 - 特許庁 - This memory is provided with non-volatile memory cells 41 having a ferroelectric capacitor 42 and a control section 11 comprising a refresh- controller for rewriting data in the non-volatile memory cells 41.
このメモリは、強誘電体キャパシタ４２を有する不揮発性のメモリセル４１と、その不揮発性のメモリセル４１に対して再書き込みするためのリフレッシュコントローラを含む制御部１１とを備えている。 - 特許庁 - To provide a system provided with a non-volatile semiconductor memory such that memory control of a non-volatile semiconductor memory in which erasion can be electrically performed can be simply performed and the operability is improved.
電気的に消去が可能にされた不揮発性半導体記憶装置のメモリ管理が簡便に行え、使い勝手を良くした不揮発性半導体記憶装置を備えたシステムを提供する。 - 特許庁 - To provide a data backup method for storing more data into a small-capacity non-volatile memory, and to provide a memory device storing the data into the non-volatile memory by use of the data backup method.
小容量の不揮発性メモリにより多くのデータを格納するためのデータバックアップ方法、及びこのデータバックアップ方法を用いてデータを不揮発性メモリに格納するメモリ装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile memory which can test the continuity of a bit line and to realize surely a test for the discontinuity of a bit line of a non-volatile memory.
ビット線の断線の有無の検査が可能となる不揮発性メモリの提供と、その不揮発性メモリのビット線の断線の有無の検査を確実に実現すること。 - 特許庁 - MAGNETIC RESISTANCE EFFECT ELEMENT AND NON-VOLATILE SOLID STATE MEMORY COMPRISING THE SAME
磁気抵抗効果素子及び該磁気抵抗効果素子を備える不揮発性固体メモリ - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor storage that improves the performance and reliability of a memory cell and at the same time can reduce the size of the memory cell, and to provide a method for manufacturing the non-volatile semiconductor storage.
メモリセルの性能や信頼性を向上しながらメモリセルの縮小化を行なえる不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - In this non-volatile memory device, the data before being updated and updating data necessary for the updating are written into the non-volatile memory before erasing the data before being updated.
本発明では、更新される前のデータと更新に必要な更新用データが、更新される前のデータが消去される前に不揮発性メモリに書き込まれる。 - 特許庁 - In the method for operating the PRAM and the PRAM system, power consumption is reduced by operating the PRAM that is a non-volatile memory, like a volatile memory.
本発明に係るPRAMの動作方法及びPRAM装置は、不揮発性メモリであるPRAMを揮発性メモリのように動作させることによって電力消費を減らすことができる。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a non-volatile memory element with low electric power and high reliability.
低電力、高信頼性の非揮発性メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile memory in which effectiveness of data stored in the non-volatile memory can be determined, and a device and a method for deciding data effectiveness for the same.
不揮発性メモリに貯蔵されたデータの有効性を判断できる不揮発性メモリ、そのためのデータ有効性を判断する装置及び方法を提供する。 - 特許庁 - To program a non-volatile memory system so as to reduce or prevent program disturbance.
不揮発性メモリシステムを、プログラム妨害を低減又は防止するようにプログラムする。 - 特許庁 - To provide a fine tunnel window having high controllability in a non-volatile memory cell.
不揮発性メモリセルにおいて、制御性の良い、微細なトンネルウィンドウを提供する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory device, which has the reliable charge holding characteristics of a non-volatile memory and can lower the voltages of a peripheral circuit and a power source.
信頼できる不揮発性メモリーの電荷保持特性を有し、周辺回路と供給電源の低電圧化を可能とする不揮発性半導体記憶装置を得る。 - 特許庁 - To provide multi-level non-volatile memory devices and systems, and methods for operating the same.
マルチレベル不揮発性メモリ装置及びシステム、並びにその動作方法が開示される。 - 特許庁 - To provide a reliable non-volatile memory device and a method of manufacturing the same.
信頼性が高い不揮発性記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory device which has improved data holding characteristics.
データ保持特性を向上させた不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - A second storage means DBF stores first flag data showing data updated in the volatile semiconductor memory, and not updated in the non-volatile semiconductor memory.
第２の記憶手段ＤＢＦは、揮発性半導体メモリ内で更新され、不揮発性半導体メモリに更新されていないデータを示す第１のフラグデータを記憶する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory device which performs a stable operation.
安定した動作を実行可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - NON-VOLATILE MEMORY CELL STRUCTURE HAVING ELECTRIC CHARGE TRAP FILM AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME
電荷トラップ膜を有する不揮発性メモリセル構造物及びその製造方法 - 特許庁 - To lengthen an actual backup time for a volatile memory without losing data.
データを失うことなく、実際の揮発性メモリに対するバックアップ時間を長くする。 - 特許庁 - METHOD OF PATTERNING GATE STACK OF NON-VOLATILE MEMORY WITH FORMATION OF CAPACITOR
キャパシタの形成とともに不揮発性メモリのゲートスタックをパターニングするための方法 - 特許庁 - To provide a non-volatile memory cell having a floating gate and its forming method.
フローティングゲートを有する不揮発性記憶セル及びその形成方法を提供する。 - 特許庁 - The CPU 7 for the main body reads the non-volatile memory 18 of the cartridge 17 and compares it with data in the EEPROM 10.
本体用CPU７は、カートリッジ17の不揮発メモリ18を読み、EEPROM10のデータと比較する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device capable of performing direct access to an incorporated non-volatile memory and preventing data stored in the non- volatile memory from being illegally read.
内蔵する不揮発性メモリにダイレクトアクセスできると共に、不揮発性メモリに記憶されているデータの不正な読み出しを防止できる半導体装置を提供する。 - 特許庁 - SWITCH CIRCUIT FOR TRANSFERRING HIGH VOLTAGE FOR LINE DECODING OF NON-VOLATILE MEMORY
特に不揮発性メモリのラインデコーディングのための高電圧転送を行うスイッチ回路 - 特許庁 - The network supply PAP is stored into a first place of the non-volatile memory of the computer and the system install PAP is stored into a second place of the non-volatile memory.
ネットワーク供給ＰＡＰは、コンピュータの不揮発性メモリの第一の場所に記憶され、システムインストールＰＡＰは、不揮発性メモリの第二の場所に記憶される。 - 特許庁 - To provide a non-volatile memory cell using a low-cost high-throughput printing technology.
低コストで高スループットなプリント技術を使用した不揮発性メモリセルを提供する。 - 特許庁 - To provide a charge trap non-volatile memory which can simplify the fabrication process.
製造プロセスを簡素化することができる電荷トラップ不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
