「Volatile memory」を含む例文一覧(2819)
＜前へ 1 2 .... 18 19 20 21 22 23 24 25 26 .... 56 57 次へ＞- SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE WITH BLOCK ERASING TYPE NON-VOLATILE MEMORY MOUNTED THEREON AND ITS DATA WRITING/READING METHOD
ブロック消去型不揮発メモリを搭載した半導体記憶装置とそのデータの書込み・読出し方法 - 特許庁 - To provide electronic equipment excellent in security properties which can prevent leakage of data in a non-volatile memory.
不揮発性メモリ内のデータの漏洩を防ぐことができるセキュリティ性にすぐれた電子機器を提供する。 - 特許庁 - The rewritable non-volatile memory cell 1 has a selection transistor 10 and a data storage element 20.
書換え可能な不揮発性メモリセル１は、選択トランジスタ１０とデータ記憶素子２０とを備えている。 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR PROGRAMMING NON-VOLATILE MEMORY BY CONTROLLING PULL-DOWN SPEED OF SOURCE CURRENT
ソース電流プルダウン速度を制御することにより不揮発性メモリをプログラミングするための方法及び装置 - 特許庁 - To provide a method for recording information on a semiconductor non-volatile memory cell with improved current efficiency.
半導体不揮発性メモリセルに対して電流効率よく情報の記録を行う方法を提供する。 - 特許庁 - EVALUATION ELEMENT FOR NON-VOLATILE MEMORY CELL, SEMICONDUCTOR CHIP CONTAINING THE SAME, WAFER, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE CELL AND CHIP
不揮発性メモリセル用の評価素子及びこれを含む半導体チップ、ウェハ、及び、これらの製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR DISCRIMINATING NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT BY INADEQUATE SUBTHRESHOLD VALUE GRADIENT OR WEAK TRANSCONDUCTANCE
不十分な副しきい値勾配または弱いトランスコンダクタンスによって不揮発性メモリ素子を識別する方法 - 特許庁 - FORMATION OF ELEMENT ISOLATION REGION FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURE OF NON VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT
半導体装置の素子分離領域の形成方法及び不揮発性半導体メモリ素子の製造方法 - 特許庁 - SHADOW RAM CELL USING FERROELECTRIC CAPACITOR, NON- VOLATILE MEMORY DEVICE, AND ITS CONTROL METHOD
強誘電体容量を用いたシャドーＲＡＭセル及び不揮発性メモリ装置並びにその制御方法 - 特許庁 - To provide a non-volatile memory device for executing a fast data-reading operation by shortening a charging time.
充電時間を短縮して、高速なデータ読出を実行する不揮発性記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To achieve the efficient mirroring of data processing by using a non-volatile semiconductor memory.
不揮発性の半導体メモリを用いてデータ処理の効率のよいミラーリングを実現することを課題とする。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory device which improves data retention characteristics and reduces an area.
データ保持特性の改善と面積縮小の両立した半導体不揮発性記憶装置を提供する。 - 特許庁 - The channel controller controls the writing and reading of data to each non-volatile memory of a plurality of channels.
チャネルコントローラは、複数チャネルの各不揮発性メモリに対してデータの書き込み、読み出しを制御する。 - 特許庁 - To prevent collective erasure of a non-volatile memory in an undesiredly large address range.
不揮発性メモリに対し不所望に大きなアドレス範囲で一括消去が行われることを防止する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory in which improving the number of times of rewriting can be realized.
書き換え回数の向上を実現することができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a memory cell in which reliability for holding non-volatile storage in low power source voltage is improved.
低電源電圧における不揮発性記憶保持の信頼性を改善させたメモリセルを提供する。 - 特許庁 - Further, the menu screen is displayed based on the file name of the image data stored into the non-volatile memory.
さらに、不揮発性メモリに記憶された画像データのファイル名に基づいて、メニュー画面を表示する。 - 特許庁 - To obtain a non-volatile memory which can record multi-level data, has new structure, and is programmable.
多値のデータを記録することができる新規な構造のプログラム可能な不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁 - A non-volatile memory 106 is provided for storing the system program and at least one application program.
システムプログラム及び少なくとも１つのアプリケーションプログラムを格納した不揮発性メモリ１０６を設ける。 - 特許庁 - To provide a non-volatile memory in which highly accurate threshold value control can be performed in write-in operation.
書き込み動作において高精度のしきい値制御を可能とする不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁 - To provide an art retracting, at a power-off, important data in a non-volatile memory in a short time.
電源断時において、短時間で重要なデータを不揮発性メモリに退避する技術を提供する。 - 特許庁 - A steering angle is obtained and parameters of driving corridor image are selected correspondingly from a non-volatile memory.
操向角度が得られ、非揮発性メモリから対応してドライビングコリドーイメージのパラメータが選択される。 - 特許庁 - When the power is turned on, by comparing the initial data of a volatile memory 78 for readout via a comparator circuit 79, after initialization operations of the volatile memory 78 for readout and the comparator circuit 79 have been completed, failure diagnosis is performed on the volatile memory 78 for readout and the comparator circuit 79.
電源立ち上げ時に前記読み出し用揮発性メモリ７８および比較回路７９の初期化動作完了後に前記読み出し用揮発性メモリの初期データを比較回路７９を介して比較することにより、この読み出し用揮発性メモリ７８および比較回路７９の故障診断をする構成としたものである。 - 特許庁 - A bi-directional television 100 is provided with a non-volatile memory 140 so that program contents can be stored.
双方向テレビ１００に不揮発性メモリ１４０を設けて番組コンテンツを記憶できるようにする。 - 特許庁 - METHOD FOR FORMING ASYMMETRICAL NON-VOLATILE MEMORY DEVICE BY USING SMALL IN-SITU DOPED POLYSILICON SPACERS
その場でドープされる小さなポリシリコンスペーサーを用いて非対称不揮発性メモリデバイスを形成する方法 - 特許庁 - The capture electronic appliance also includes a non-volatile memory device mapped on a store data slot with predetermined size.
キャプチャ電子機器はまた、所定のサイズのストアデータスロットにマップされた不揮発性記憶装置を含む。 - 特許庁 - Furthermore, the computer writes the data in the high speed buffer 65 into the non-volatile memory 61 by using the auxiliary power supply unit 62.
そして、補助電源６２で高速バッファ６５のデータを不揮発性記憶装置６１に書き込む。 - 特許庁 - The MP3 player 300 uses a non-volatile memory for preserving the voice data file or the down-loaded file.
MP3プレーヤー300は音声データファイルやダウンロードされたファイルを保存するために不揮発性メモリ314を使用する。 - 特許庁 - ROW DECODER FOR NON-VOLATILE MEMORY WHICH CAN BIAS SELECTIVELY WORD LINE BY POSITIVE OR NEGATIVE VOLTAGE
正または負の電圧で選択的にワード線をバイアスすることができる不揮発性メモリ用ロウデコーダ - 特許庁 - NON-VOLATILE MEMORY ELECTRONIC DEVICE HAVING NANOWIRE CHANNEL AND NANOPARTICLE FLOATING GATE NODE AND METHOD THEREOF
ナノワイヤーチャンネルとナノ粒子—フローティングゲートノードを具備した非揮発性メモリ電子素子及びその製造方法 - 特許庁 - NON-VOLATILE FERROELECTRIC MEMORY DEVICE PROVIDED WITH COLUMN REDUNDANT CIRCUIT, AND SUBSTITUTING METHOD FOR ITS DEFECTIVE ADDRESS
カラム冗長回路を備えた不揮発性強誘電体メモリ装置及びその欠陥アドレス代替方法 - 特許庁 - To improve data retention characteristics and retention time in a vertical non-volatile semiconductor memory cell.
縦型の不揮発性半導体メモリセルにおいて、データ保持特性もしくは保持時間（retention time）を向上させる。 - 特許庁 - ELECTRONIC DEVICE HAVING LV TRANSISTOR INCLUDING SALICIDE JUNCTION AND NON-VOLATILE MEMORY CELL, AND MANUFACTURE THEREOF
サリサイド接合をもつＬＶトランジスタ及び不揮発性メモリセルを有する電子装置及びその製造方法 - 特許庁 - FUSE-FREE CIRCUIT, FUSE-FREE SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, FUSE-FREE NON-VOLATILE MEMORY SYSTEM, AND FUSE-FREE METHOD
ヒューズフリー回路、ヒューズフリー半導体集積回路、ヒューズフリー不揮発性メモリ装置、およびヒューズフリー方法 - 特許庁 - Same control is performed for the other commands for rewriting the non-volatile memory cell array 10.
不揮発性メモリセルアレイ１０の書き換えを行うための他のコマンドに対しても同様の制御を行う。 - 特許庁 - The non-volatile memory device includes a substrate having a cell region, a low voltage region, and a high voltage region.
不揮発性メモリー装置は、セル領域、低電圧領域及び高電圧領域を持つ基板を含む。 - 特許庁 - VOLTAGE SWITCH CIRCUIT, HIGH VOLTAGE DECODER CIRCUIT USING IT, AND NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY
電圧スイッチ回路およびそれを用いた高電圧デコーダ回路、並びに、不揮発性半導体記憶装置 - 特許庁 - To accurately delete information stored in a memory cell while achieving miniaturization and high integration of non-volatile semiconductor storage devices.
微細化および高集積化が可能であり、かつメモリセルに記憶された情報を正確に消去する。 - 特許庁 - The semiconductor integrated circuit is provided with a plurality of non-volatile memory cells to which electric erasure and writing are made possible and includes a control means for applying a pulse-shaped voltage to the non-volatile memory cell until a threshold voltage of the non-volatile memory cell having a first threshold voltage is changed into a second threshold voltage.
半導体集積回路は、電気的消去及び書込み可能な不揮発性メモリセルを複数個備え、第１のしきい値電圧を持つ前記不揮発性メモリセルのしきい値電圧が第２のしきい値電圧に変化されるまで不揮発性メモリセルにパルス状電圧を与えるための制御手段を含む。 - 特許庁 - To obtain a non-volatile memory circuit in which write-in voltage is low, data can be read out at high speed and surely even if difference of threshold values between an enhancement state and a depression state of a non-volatile memory element is small, and rewriting can be performed many times, in a non-volatile memory circuit of FLOTOX type.
ＦＬＯＴＯＸ型の不揮発記憶回路において、書き込み電圧が低く、不揮発性メモリ素子のエンハンスメント状態とデプレッション状態のしきい値の差が小さくても、データを高速かつ確実に読み出すことができ、また書き換え可能な回数の多い不揮発性記憶回路を得ること。 - 特許庁 - To provide a structure and a method for discriminating a specific bit to be stored in a non-volatile memory cell.
非揮発性メモリセルに格納される特定のビットを判定するための構造及び方法を提供する。 - 特許庁 - A non-volatile memory 102 is arranged to store a configuration program which has been encrypted with the first secret key.
不揮発性メモリ１０２は、第１の秘密鍵により暗号化されたコンフィグレーションプログラムを保存する。 - 特許庁 - To provide a test method of FPGA(field programmable gate array) using a NVM(non-volatile memory) for a programmable mutual connection body.
プログラマブルな相互接続体のためのＮＶＭメモリセルを使用するＦＰＧＡのテスト方法を提供。 - 特許庁 - To improve processing efficiency while lowering quantity of information stored in a volatile memory such as a RAM.
ＲＡＭなどの揮発性メモリに記憶される情報の量を低減しつつ処理の効率化を実現する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile memory device and a method for manufacturing the same capable of improving cell distribution.
セル散布を向上させることができる非揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The sales of the vending machine can be externally managed on the basis of the integration value stored in the non-volatile memory.
不揮発メモリに記憶した積算値に基づいて、販売機の売上を外部管理できるようにする。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory device which is enhanced in isolation characteristics.
分離特性が向上した不揮発性半導体記憶装置を提供することを主要な目的とする。 - 特許庁 - The download channel is stored in a non-volatile memory or the like in S18, and processing is terminated in S19.
Ｓ１８でダウンロードチャネルを不揮発性メモリなどに格納し、Ｓ１９において処理を終了する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile multi-level memory in which 3 bits/1 cell and defect relieving are realized with a simple circuit.
３ビット／１セル化と欠陥救済を簡単な回路で実現した多値不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁 - When the parameters need to be saved, the parameter values are stored temporarily in the volatile memory 6 and when the parameters need to be saved, the data in the volatile memory 6 are transferred to the save memory 6 through the write control circuit 14.
そして、パラメータの退避を要しない場合にはパラメータ値を揮発性メモリ６に一時的に記憶し、また、パラメータの退避を要するときには揮発性メモリ６内のデータが書き込み制御回路１４を介して退避用メモリ５に転送されるようにする。 - 特許庁
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