「Volatile memory」を含む例文一覧(2819)
＜前へ 1 2 .... 22 23 24 25 26 27 28 29 30 .... 56 57 次へ＞- To provide a new photochromic material applicable to a non-volatile memory, etc., and to provide the use thereof.
本発明は、不揮発性メモリなどへの適用が可能な新たなフォトクロミック材料およびその利用を提供する。 - 特許庁 - The non-volatile semiconductor storage device is provided with a semiconductor substrate 1 and a plurality of memory cells 10a and 10b.
不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板１と複数のメモリセル１０ａ、１０ｂとを具備する。 - 特許庁 - After turning off the ignition switch 19, the control data are stored in the volatile memory 42 until a predetermined time elapses.
イグニッションスイッチ１９のオフ後、所定時間が経過するまでは、制御データを揮発性メモリ４２に記憶する。 - 特許庁 - To simply and inexpensively attain circuit configuration for switching generation sources of driving voltage of a volatile memory.
揮発性メモリの駆動電圧の生成源を切り替えるための回路構成を簡易かつ安価に実現すること - 特許庁 - A channel number and a corresponding Internet site name are read from the volatile memory, and displayed with a menu format.
チャネルナンバーおよび対応するインターネットサイト名は、揮発性メモリから読み出されてメニュー形式で表示される。 - 特許庁 - NON-VOLATILE MEMORY DEVICES AND PROGRAMMING METHODS THEREOF INCLUDING MOVING ELECTRONS THROUGH PAD OXIDE LAYERS BETWEEN CHARGE TRAP LAYERS
パッドオキサイドレイヤーを通じてチャージトラップレイヤー間で電子を移動させる不揮発性メモリ装置及びプログラミング方法 - 特許庁 - To improve coupling between a floating gate electrode and a control gate electrode of a non-volatile semiconductor memory device.
不揮発性半導体記憶装置のフローティングゲート電極とコントロールゲート電極間のカップリング比を向上させる。 - 特許庁 - The radio module of the expendables receives them to rewrite stored contents of the non-volatile memory to prepare for following management.
消耗品の無線モジュールは、これを受信して揮発性メモリの記憶内容を書き換え、以後の管理に備える。 - 特許庁 - Thus, the control device may substitute a chip for the other chips in order to relieve the writing errors occurred in one of the non-volatile memory devices.
一つの不揮発性記憶装置で発生した書込みエラーの救済にチップ間代替が可能になる。 - 特許庁 - To recover program and data loss in a volatile memory in built-in equipment by arranging a saving server and reading it thereinto.
組み込み機器内の揮発性メモリのプログラム、データ消失を、保存サーバを設けて読み込み、復旧させる。 - 特許庁 - The navigation apparatus stores path travel history information in a non-volatile memory where the information can be read.
本発明に記載のナビゲーション装置は、経路移動履歴情報を取り出し可能な不揮発性メモリに格納する。 - 特許庁 - A state flag expressing whether or not the data are under writing after the updating is written in the non-volatile memory.
また、不揮発性メモリには、更新後データの書き込み途中であるか否かを表す状態フラグが書き込まれる。 - 特許庁 - Accordingly, while supplying backup power from the power supply 5 to a volatile memory 1, the condenser 4 is also charged.
これにより、揮発性メモリ１に電源からバックアップ電力を供給しつつ、コンデンサ４の充電も行う。 - 特許庁 - To provide a robust processor-based system in which the usage of a non-volatile re-programmable semiconductor memory is improved.
不揮発性再プログラム可能半導体メモリの使用法を改善した、頑強なプロセッサ搭載システムを提供する。 - 特許庁 - A cache memory backup device 50 includes: a volatile cache memory 54; a nonvolatile memory 54 for evacuating the data stored in the cache memory, having capacity not less than the cache memory; and a capacitor 51 supplying power to the cache memory and the nonvolatile memory when the supply of the power from the main power supply to the cache memory stops.
キャッシュメモリバックアップ装置は、揮発性のキャッシュメモリと、キャッシュメモリと同一又はそれ以上の容量を有し、キャッシュメモリに格納されたデータを退避するための不揮発性メモリと、キャッシュメモリに対する主電源からの電力の供給が停止した場合にキャッシュメモリ及び不揮発性メモリに電力を供給するキャパシタとを備える。 - 特許庁 - To provide a non-volatile memory rewriting method capable of rewriting a non-volatile memory without requiring memory devices other than the memory to be rewritten, executing rewriting processing or retrial again even when the rewriting processing can not be correctly completed and easily executing program maintenance and a monitor and control system using the method.
不揮発メモリ書き換えの際に、書き換え対象となるもの以外のメモリデバイスを必要とせず、且つ、書き換え処理が正しく完了しなかった場合でも再度書き換え処理のやり直しを行うことが可能でプログラムメンテナンスの容易な不揮発メモリ書き換え方法、及びその方法を用いた監視制御システムを提供すること。 - 特許庁 - The methods of operating the multi-level non-volatile memory device include the steps of: accessing data stored in the device and associated with read voltages; and modifying the read voltages applied to a plurality of multi-level non-volatile memory cells to discriminate between states stored by the cells in response to a read operation to the multi-level non-volatile memory device.
前記方法は、前記装置に格納され、読み出し電圧に関連したデータをアクセスするステップと、前記マルチレベル不揮発性メモリ装置に対する読み出し動作に応じて多数のマルチレベル不揮発性メモリセルに印加された前記読み出し電圧を変更して、前記セルにより格納された状態の間を区別するステップとを含むことができる。 - 特許庁 - The portable storage device includes: a volatile memory capable of storing data during the supply of power; a power supply for supplying power to the volatile memory; and the switch for switching power supply so that power supply from the power supply to the volatile memory is performed when the switch is operated by a user and power supply is not performed when the switch is not operated by the user.
電力が供給されている間データを記憶可能な揮発性メモリと、揮発性メモリに電力を供給する電源と、電源から揮発性メモリへの電力の供給を、ユーザから操作されているときに行い、ユーザから操作されていないときに行わないよう切り換えるスイッチとを有するよう、可搬記憶装置を構成する。 - 特許庁 - An update program reserves a storage area for storing new control information in a volatile memory section, makes the volatile memory section sequentially store the new control information received by a communication section in the storage area, and after reception of all the new control information, updates control information stored in a non-volatile memory area with the stored new control information.
更新プログラムは、揮発性記憶部に新規制御情報を格納する格納領域を確保し、通信部が受信する新規制御情報を逐次格納領域に格納させ、新規制御情報を全て受信し終えた後、格納されている新規制御情報で不揮発性記憶部に記憶されている制御情報を更新する。 - 特許庁 - The semiconductor device having the non-volatile memory using a high voltage in rewriting of data and the high voltage generating circuit for supplying the high voltage thereto is provided with a voltage discriminating means for deciding the voltage value of the high voltage supplied to the non-volatile memory and discriminates and decides the abnormality of the high voltage generating circuit and the non-volatile memory.
データ書き換え時に高電圧を使用する不揮発性メモリと、これに高電圧を供給する高電圧発生回路とを有する半導体装置に、不揮発性メモリに供給される高電圧の電圧値を判定する電圧判定手段を設けて、高電圧発生回路及び不揮発性メモリの異常を区別して判定する。 - 特許庁 - The portable information processor is equipped with at least a random-number generating means (21) and a volatile and/or nonvolatile memory, and a generated random number is stored in the volatile and/or nonvolatile memory (5) in advance and when a random number is necessary, the random number stored in the volatile and/or nonvolatile memory is referred to and used.
少なくとも乱数発生手段（２１）と揮発性及び／又は不揮発性メモリを備えた可搬情報処理装置（１）において、あらかじめ発生させた乱数を揮発性及び／又は不揮発性メモリ（５）に記憶しておき、乱数を必要とするときは前記揮発性及び／又は不揮発性メモリに記憶した乱数を参照して使用するようにしたものである。 - 特許庁 - To solve a problem of being unable to deliver reception data which a management PC has not obtained to a user due to the data disappearance when blackout and the like occurs because of property of a volatile memory, although the volatile memory is used in the storage area of an external storage.
外部ストレージの保存領域には揮発性メモリを用いるが、揮発性メモリの性質から停電などが生じるとデータは消失してしまい、管理ＰＣで取得していない受信データをユーザーに届けられなくなる。 - 特許庁 - The image forming apparatus comprises the device unit having a 1st non-volatile memory to hold recognition information in, and the image forming apparatus main body having a 2nd non-volatile memory to hold 2nd recognition information related to the device unit in.
本発明の画像形成装置は、認識情報を保持する第１不揮発性メモリを有する装置ユニットと、装置ユニットに係わる第２認識情報を保持する第２不揮発性メモリを有する画像形成装置本体とを備える。 - 特許庁 - By preserving the calculated operating frequency of the main body 1 of equipment in a volatile memory 9 or non-volatile memory 10, an operating program stored in an external ROM 3 can be run corresponding to the operating frequency.
算出された装置本体１の動作周波数を揮発性メモリ９または不揮発性メモリ１０に保存しておくことで、外部ＲＯＭ３に格納された動作プログラムを動作周波数に応じて動作させることができる。 - 特許庁 - At a first operation mode (PROM), the data are written into a non-volatile memory cell with a non-destructively rewritable mode, and at a second operation mode (OTP), the data are written into the non-volatile memory cell with destructively un-rewritable mode.
第１の動作モード（ＰＲＯＭ）時には、不揮発性メモリセルに対し非破壊的に書換え可能な態様でデータを書込み、第２の動作モード（ＯＴＰ）時には不揮発性メモリセルに対し、破壊的に書換え不可能な態様でデータを書込む。 - 特許庁 - Addresses or the like of finally obtained defective pixels are stored in a non-volatile memory 300, and defect correction processing is executed based on information of defective pixels stored in the non-volatile memory when an image is actually outputted.
そして、最終的に得た欠陥画素のアドレス等を不揮発性メモリ３００に記憶させ、実際の画像出力時に、この不揮発性メモリ３００に記憶した欠陥画素の情報に基づいて欠陥補正処理を実行する。 - 特許庁 - When power ON, if the flag 14B is '1', the user data of the RAM 14 are transferred to a non-volatile memory 15, and the flag is set as '0', and when the flag is '1', the user data of the non-volatile memory 15 are transferred to the area 14A of the RAM 14.
そして電源オン時に、もし上記フラグ１４Ｂが“１”ならＲＡＭ１４ユーザデータを不揮発性メモリ１５へ転送してフラグを“０”とし、“１”なら不揮発性メモリ１５のユーザデータをＲＡＭ１４のエリア１４Ａへ転送する。 - 特許庁 - To provide a game machine in which when a signal indicating erasion of stored contents of a volatile memory is received, a state of commanding erasion of the stored contents of the volatile memory by an erasion-command state holding means can be released.
揮発性メモリの記憶内容が消去されたことを示す信号を受信したときに、消去指示状態保持手段による前記揮発性メモリの記憶内容の消去を指示する状態を解除できる遊技機を提供する。 - 特許庁 - An image reproducing device comprises: a record information reading device with its attachable/detachable recording medium; a content reproducing unit; a communication unit performing communication with an external server; a control unit; an operation unit; a volatile memory; and a non-volatile memory.
映像再生装置は、記録媒体の装着−脱着が自在な記録情報読取装置と、コンテンツ再生部と、外部サーバとの間で通信を行う通信部と、制御部と、操作部と、揮発性メモリと、不揮発性メモリとを有する。 - 特許庁 - A portable data storage device includes a non-volatile memory 3 for storing user data, an interface section 7 for transmitting and receiving data to and from a host, and a master control unit 1 for moving data from/to the non-volatile memory 3.
ポータブルデータ記憶デバイスはユーザデータを記憶する不揮発性メモリ３と、データをホストに送信および受信するインターフェイスセクション７と、データを不揮発性メモリ３からおよび不揮発性メモリ３へ移すマスター制御ユニット１とを有する。 - 特許庁 - After written, all the data in the non-volatile memory on the engine control substrate is written to the non-volatile memory 6 of the printer control substrate received through the engine I/F5, both control substrates mutually store data and finish backup.
書込後にエンジン制御基板上の不揮発性メモリの全データ内容が、エンジンＩ／Ｆ５を介して受け取ったプリンタ制御基板の不揮発性メモリ６に書き込まれ、両制御基板で相互にデータを保存し、バックアップが完了する。 - 特許庁 - To provide a microcomputer of a type mixedly mounting non-volatile memory and a non-volatile memory writing method capable of shortening the written program verification period and reducing the size of a RAM necessary for writing.
本発明は、書き込みプログラムの検証期間の短縮化及び書き込みに必要なＲＡＭのサイズの低減化を図ることができる不揮発メモリ混載型マイクロコンピュータ及び不揮発メモリ書き込み方法を提供することを課題とする。 - 特許庁 - To supply a non-volatile memory data protecting device in which even when a main power source is turned off, the main power source is switched to a backup power source only when data are written in a non-volatile memory and the backup power source is switched to the main power source again when the backup is ended.
主電源が切断されても、不揮発性メモリへの書き込みがあるときのみバックアップ電源に切り替わり、バックアップ終了時には再び主電源に切り替わる不揮発性メモリデータ保護装置を供給する。 - 特許庁 - METHOD FOR GROWING OXIDE CRYSTAL, CERIUM OXIDE, PROMETHIUM OXIDE, OXIDE LAMINATED STRUCTURE, PRODUCTION OF FIELD EFFECT TRANSISTOR, FIELD EFFECT TRANSISTOR, PRODUCTION OF FERROELECTRIC NON-VOLATILE MEMORY AND FERROELECTRIC NON-VOLATILE MEMORY
酸化物の結晶成長方法、セリウム酸化物、プロメチウム酸化物、酸化物積層構造、電界効果トランジスタの製造方法、電界効果トランジスタ、強誘電体不揮発性メモリの製造方法および強誘電体不揮発性メモリ - 特許庁 - To provide a rewritable non-volatile memory cell that is a type having a chance of inducing dielectric breakdown, which requires less space in the lateral direction, to provide a method of manufacturing the memory cell, and to provide a memory cell array having a plurality of such memory cells.
絶縁破壊を誘発するタイプの書換え可能な不揮発性メモリセルにおいてラテラルな方向に場所を取らないもの、そして、そのようなメモリセルの製造方法、ならびに、そのようなメモリセルを多数有するメモリセルアレイを提供する。 - 特許庁 - In a volatile SRAM 1, a row decoder 4 is connected to a memory array 2 having many memory cells arranged inside the memory array 2 in a matrix shape through word lines 3, and a data control part 5 is connected to the memory array 2 through data lines 6.
揮発性のＳＲＡＭ１において、その内部にマトリックス状に配置された複数のメモリセルを多数有するメモリアレイ２に、ワード線３を介してロウデコーダ４が接続され、データ線６を介してデータ制御部５が接続されている。 - 特許庁 - A memory write-in control device is provided with: a processing part 17 for executing an instruction; and a protect part (protect circuit 10) for permitting write-in to the non-volatile memory 11 based on a power supply voltage when a write-in instruction signal from the processing part 17 to a non-volatile memory 11 is inputted.
メモリ書き込み制御装置は、命令を実行する処理部１７と、処理部１７から不揮発性メモリ１１への書き込み命令信号が入力されると、電源電圧に基づいて、不揮発性メモリ１１への書き込みを許可するプロテクト部（プロテクト回路１０）と、を備える。 - 特許庁 - When a keyboard lid is closed to turn off a power switch (step 31), storage contents of a volatile memory (register group) are saved in a nonvolatile memory (steps 32 to 35), and then a sub-switching circuit or main switching circuit is closed to cease power supply to the volatile memory etc., (steps 36 to 37).
鍵盤蓋が閉じられて電源スイッチがオフされると（ステップ３１）、揮発性メモリ（レジスタ群）の記憶内容が不揮発性メモリに退避され（ステップ３２〜３５）、この後サブ開閉回路またはメイン開閉回路が閉成されて揮発性メモリなどへの電源が遮断される（ステップ３６〜３７）。 - 特許庁 - The memory control part allows reading and writing from/in the volatile memory from a transfer source computer device 20 connected via the connection terminal 15 and allows only reading from the volatile memory from a transfer destination computer device 30 connected via the connection terminal 16.
メモリ制御部は、接続端子１５を介して接続される移行元コンピュータ装置２０からは、揮発性メモリに対して読出及び書込を許容し、接続端子１６を介して接続される移行先コンピュータ装置３０からは揮発性メモリに対して読出のみを許容する。 - 特許庁 - In a first additive mode named action mode, one or a plurality of blocks of writing data are destaged from a volatile memory 30 and written into the disk 24 while one or a plurality of blocks of the writing data are destaged from the volatile memory 30 and written into the nonvolatile memory 32.
「実行」モードと呼ばれる第１の追加モードでは、書込みデータの１つまたは複数のブロックが揮発性メモリ３０からデステージされ、ディスク２４に書き込まれ、それと同時に、書込みデータの１つまたは複数のブロックが、揮発性メモリ３０からデステージされ、不揮発性メモリ３２に書き込まれる。 - 特許庁 - To protect data stored in a non-volatile memory, whose data are not destroyed, from being erased by initialization when data stored in plural non-volatile memories have been destroyed.
複数個の不揮発性メモリに格納されているデータが破壊された場合に、データが破壊されていない不揮発性メモリに格納されたデータを初期化による消去から保護するようにする。 - 特許庁 - When any parity error is detected (701) in the read data, data stored in a 2nd nonvolatile memory (250) are automatically read and transferred to the volatile memory and the 1st nonvolatile memory.
読み出されたデータ中でパリティーエラーが検出（７０１）されるとき、第２の不揮発性メモリ（２５０）に記憶されたデータが自動的に読み出され揮発性メモリ及び第１の不揮発性メモリに転送される。 - 特許庁 - In the non-volatile semiconductor memory device of split gate structure, memory cells of different gate lengths are integrated because read-out current and read and write endurance are in tradeoff condition due to the gate length of a memory gate.
スプリットゲート構造の不揮発性半導体記憶装置において、読み出し電流と書き換え耐性はメモリゲートのゲート長によりトレードオフの関係にあるため、ゲート長の異なるメモリセルを集積する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory device capable of reducing the capacity between a resistive element and a substrate in a peripheral circuit of a semiconductor device, especially a non-volatile semiconductor memory, such as a flash memory.
半導体装置、特にフラッシュメモリ等の不揮発性半導体メモリの周辺回路部において抵抗素子と基板との容量を小さくすることが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - A non-volatile semiconductor memory element FM having a floating gate is provided with memory cell arrays RCA-RCN for storing redundant relieving address storing a defective address of a semiconductor memory element MEM.
フローティングゲートを有する不揮発性半導体記憶素子ＦＭに、半導体記憶素子ＭＥＭの不良アドレスを記憶する冗長救済アドレス記憶用メモリセルアレイＲＣＡ〜ＲＣＮを設ける。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory device and the manufacturing method of the same, reduced in the affection of an interference due to a coupling capacity between neighbored memory cells and improved in the operational margin of the memory cell.
隣接メモリセル間の結合容量による干渉の影響を小さくしてメモリセルの動作マージンを向上させた不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - The non-volatile semiconductor memory device 100 includes a plurality of memory strings MS including a plurality of memory elements MC, where a resistance change element R and a Schottky diode SBD are connected in series.
不揮発性半導体記憶装置１００は、抵抗変化素子Ｒ及びショットキーダイオードＳＢＤが直列に接続されたメモリ素子ＭＣを複数有する複数のメモリストリングＭＳを備える。 - 特許庁 - A storage control program stored in a flash memory 101 is executed by a CPU 102 so that board unique information stored in the flash memory 101 can be stored in a non-volatile memory 103 in the same way.
フラッシュメモリ１０１に記憶された記憶制御プログラムをＣＰＵ１０２が実行することで同じくフラッシュメモリ１０１に記憶されたボード固有情報を不揮発性メモリに１０３に記憶する。 - 特許庁 - To provide a high-performance non-volatile solid-state memory which is sufficiently reducible and takes low-cost three-dimensional integration into consideration.
十分に縮小し、低価格の三次元統合を考慮した高性能不揮発性固体メモリが必要とされている。 - 特許庁 - To provide a testing circuit for a non-volatile memory which will not read out wrong data, even if a noise is applied.
ノイズが印加されても誤ったデータを読み出してしまうことのない不揮発性メモリの検査回路を提供する。 - 特許庁
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