「X-Ray Diffraction」を含む例文一覧(997)
＜前へ 1 2 .... 4 5 6 7 8 9 10 11 12 .... 19 20 次へ＞- A diffraction grating 20 for an X-ray Talbot interferometer has a plurality of X-ray absorption parts 20b formed on a substrate 22 by cutting a metal film 20bx in a wavy shape at prescribed intervals in one direction.
基板２２上に金属膜２０ｂｘを切削して形成したＸ線吸収部２０ｂが、一方向に沿って所定間隔で畝状に複数形成されているＸ線タルボ干渉計用回折格子２０である。 - 特許庁 - The hydroxygallium phthalocyanin crystal exhibits major diffraction peaks at the Bragg angles of (2θ+0.2°) of 7.9°, 8.3°, 14.6°, 17.3°, 22.8°, 24.0°, 26.0°, and 28.9° in the X-ray diffraction spectrum by the CuK α-rays.
ＣｕＫα線によるＸ線回折スペクトルにおいてブラッグ角（２θ±０．２°）７．９°、８．３°、１４．６°、１７．３°、２２．８°、２４．０°、２６．０°、２８．９°に主たる回折ピークを示すヒドロキシガリウムフタロシアニン。 - 特許庁 - The first tantalum carbide coating film has a maximum peak value at 80° or more in an orientation angle of the (311) plane of a diffraction peak which corresponds to the tantalum carbide in an X-ray diffraction analysis.
第１炭化タンタル被覆膜は、Ｘ線回折により炭化タンタルに対応した回折ピークの（３１１）面の配向角度において８０°以上に最大のピーク値を有する。 - 特許庁 - The tantalum carbide coating film 42 has a maximum peak value at 80° or more in an orientation angle of the (311) plane of a diffraction peak which corresponds to the tantalum carbide in an X-ray diffraction analysis.
炭化タンタル被覆膜４２は、Ｘ線回折により炭化タンタルに対応した回折ピークの（３１１）面の配向角度において８０°以上に最大のピーク値を有する。 - 特許庁 - The bis-maleic acid salt (a mixture of bis-maleic acid salt form I and bis-maleic acid salt form III) and free base forms of the compound have peaks at specific diffraction angles in a powder X-ray diffraction pattern.
粉末Ｘ線回折図において、特定の回折角にピークを有するビスマレイン酸塩（ビスマレイン酸塩Ｉ型、ビスマレイン酸塩ＩＩＩ型）及び遊離塩基型化合物。 - 特許庁 - Preferably, the maximum peak diffraction angle in the wide angle X-ray diffraction of the polyethylene naphthalate fiber is 25.5-27.0, and the tanδ peak temperature of the fiber is 150-170°C.
さらには、該ポリエチレンナフタレート繊維におけるＸ線広角回折における最大ピーク回折角が２５．５〜２７．０であることや、ｔａｎδのピーク温度が１５０〜１７０℃であることが好ましい。 - 特許庁 - Further, the above oxide has a half-value width at a diffraction peak appearing at 15°<2θ<20° and 30°<2θ<45° of 5°(2θ) or more in an X-ray diffraction method using CuKα beams.
また、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折法で、１５°＜２θ＜２０°および３０°＜２θ＜４５°に現れる回折ピークの半値幅が５°（２θ）以上である上記酸化物を用いる。 - 特許庁 - To provide an X-ray diffraction apparatus having high resolving power in a high-angle region of an angle 2θ of diffraction, low in background at a low angle and extremely simple in the control of slit width.
回折角度２θの高角度領域において分解能が高く、低角度でバックグラウンドが低く、しかもスリット幅の制御が非常に簡単であるＸ線回折装置を提供する。 - 特許庁 - For the ferrite with cadmium chloride structure (LiFeO_2 with CdCl_2 structure), the integrated intensity ratio of the diffraction peak of (003) against the diffraction peak of (104), obtained by the powder method of X ray diffraction, is 2.5 or more, or the half value width of the diffraction peak of (003) is 0.45 of less.
この塩化カドミウム型フェライト（ＣｄＣｌ_2 型ＬｉＦｅＯ_2 ）は、粉末Ｘ線回折法により得られる、（１０４）の回折ピークに対する（００３）の回折ピークの積分強度比が２．５以上、または（００３）の回折ピークの半値幅が０．４５以下となっている。 - 特許庁 - To provide a method of measuring a crystallite diameter of a thin film material for easily measuring the crystallite diameter of the thin film material by X-ray diffraction measurement with high precision, a measuring objective sample for performing the X-ray diffraction measurement of the thin film, and a method of manufacturing the measuring objective sample.
Ｘ線回折測定により薄膜材料の結晶子径を簡易且つ高精度に測定する薄膜材料の結晶子径測定方法、薄膜に対するＸ線回折測定を行うための測定対象試料、及びこの測定対象試料の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The bentonite particle does not have an X-ray diffraction peak derived from SiO_2 crystals, but has an X-ray diffraction peak derived from the plane index (001) of dioctahedral type smectite treated with ethylene glycol, and an electroconductivity of ≤4.0 mS/cm.
ＳｉＯ_２結晶に由来するＸ線回折ピークは有していないが、エチレングリコール処理した状態の２八面体型スメクタイトの面指数（００１）に由来するＸ線回折ピークは有しており、且つ電気伝導度が４．０ｍＳ／ｃｍ以下の範囲にあることを特徴とする。 - 特許庁 - The rolled copper foil, when recrystallization-annealed, develops a texture in which the intensity (I) of a rolled face (200) determined by X-ray diffraction has such a relation with the intensity (I_0) of the face (200) on the fine powder of copper determined by the X-ray diffraction, as to satisfy I_(200)/I_0(200)<1.0.
再結晶焼鈍を施すことにより、Ｘ線回折で求めた圧延面の（２００）面の強度（Ｉ）が、微粉末銅のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ_０）に対し、Ｉ_（２００）／Ｉ_０（２００）＜１．０である集合組織が発現することを特徴とする圧延銅箔 - 特許庁 - A stable crystalline dihydrate D olanzapine polymorph has a typical X-ray powder diffraction pattern as represented by specific interplanar spacings, or a stable crystalline dihydrate B olanzapine polymorph has a typical X-ray powder diffraction pattern as represented by specific interplanar spacings.
特定の面間隔によって示される典型的なＸ線粉体回折パターンを有する安定な結晶２水和物Ｄオランザピン多形又は、特定の面間隔によって示される典型的なＸ線粉体回折パターンを有する結晶２水和物Ｂオランザピン多形。 - 特許庁 - The aripiprazole anhydride crystals have the same ^1H-NMR spectrum as ^1H-NMR spectrum shown in Fig 9, the same powder X-ray diffraction spectrum as powder X-ray diffraction spectrum shown in Fig 10, and the same IR spectrum as an IR (KBr) spectrum shown in Fig 11.
本発明のアリピプラゾール無水物結晶は、例えば図９に示される^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルと同じ^１Ｈ−ＮＭＲスペクトル、図１０に示される粉末Ｘ線回析スペクトルと同じ粉末Ｘ線回析スペクトル、図１１に示されるＩＲ（ＫＢｒ）スペクトルと同じＩＲスペクトルを示す。 - 特許庁 - An angle ω0 where the intensity of light from the light source 4 entering the photodetector 5 is maximized, and an angle ω1 where the intensity of diffraction X-rays which are detected by an X-ray diffraction system that is set at a specific angle is maximized, are measured.
次いで、測定対象試料を装着して同様に光強度が最大になる角度ω_２と回折Ｘ線強度が最大になる角度ω_３を測定し、次式に基づき測定対象試料の偏差角δを求める。 - 特許庁 - A diffraction condition of an X-ray relates not only to a y-directional component r_ijy of a bond vector r_ij connecting an A_i atom and an A_j within a test piece generating diffraction but also to an x-directional component r_ijx.
即ち、Ｘ線の回折条件は、回折を起こす、試験片内の、Ａ_ｉ原子及びＡ_ｊ原子を結ぶボンドベクトルｒ_ｉｊのｙ方向成分ｒ_ｉｊｙみならず、ｘ方向の成分ｒ_ｉｊｘとも関係する。 - 特許庁 - (3) an intensity peak ratio I_003/I_110 of the diffraction peak intensity I_003 of the (003) planes determined in the X-ray diffraction image and diffraction peak intensity I_110 in the (110) planes in the vicinity of 2θ=66° is 4 to 10.
（３）前記Ｘ線回折像において測定される前記（００３）面回折ピーク強度Ｉ_００３と２θ＝６６°付近の（１１０）面回折ピーク強度Ｉ_１１０との強度比Ｉ_００３／Ｉ_１１０が、４以上１０以下であること。 - 特許庁 - The graphitized carbon fibers have a spacing (d002) of graphite layers, measured by the X-ray diffraction method, of <0.3370 nm and, at the same time, a peak intensity ratio (P101/P100) of the (101) diffraction peak to the (100) diffraction peak of ≥1.15.
黒鉛化炭素繊維は、Ｘ線回折法による黒鉛層間の面間隔（ｄ００２）が０．３３７０ｎｍ未満で、かつ、（１０１）回折ピークと（１００）回折ピークのピーク強度比（Ｐ１０１／Ｐ１００）が１．１５以上である。 - 特許庁 - When the surface layer is subjected to X-ray diffraction, a primary diffraction peak corresponding to a (111) crystal plane is observed as the diffraction peaks corresponding to polycrystalline silicon carbide whose crystal polymorph is 3C, and no other primary diffraction peaks having diffraction intensity of 10% or more that of the primary diffraction peak corresponding to the (111) crystal plane is observed.
表層のＸ線回折により、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に対応した回折ピークとして、（１１１）結晶面に対応した１次回折ピークが観察され、（１１１）結晶面に対応した１次回折ピークの回折強度の１０％以上の回折強度を有する他の１次回折ピークが観察されない。 - 特許庁 - Preferably, an average layer spacing calculated from a 002 diffracted ray measured by an X-ray diffraction of the graphite crystal is in a range of 0.3354-0.35 nm.
前記グラファイト結晶のＸ線回折によって測定された００２回折線より算出された平均層面間隔が０．３３５４〜０．３５ｎｍの範囲にあることが好ましい。 - 特許庁 - The zirconia sintered compact is characterized in that the half-value width of a peak of (111)plane of the tetragonal system in the X-ray diffraction pattern by CuKα ray is 0.38-10°.
ＣｕＫα線によるＸ線回折パターンにおける正方晶の（１１１）面のピークの半値幅が０．３８度以上１０度以下であることを特徴とするジルコニア焼結体。 - 特許庁 - To observe a reaction process (a carbon deposition) of a sample (a zinc ferrite desulfurization agent) on site by an X-ray diffraction while the large quantity of a reaction gas flows.
多量の反応ガスを流しながらＸ線回折で試料（亜鉛フェライト脱硫剤）の反応過程（炭素析出）をその場で観察する。 - 特許庁 - The crystallite size caused by the (111) plane of the negative electrode active material particles obtained by X-ray diffraction is 5 nm or more, and 130 nm or less.
Ｘ線回折により得られる負極活物質粒子の（１１１）面に起因する結晶子サイズは、５ｎｍ以上１３０ｎｍ以下である。 - 特許庁 - Then, the oxide powder is heated and held under the non-oxidizing atmosphere, thereby having an X-ray diffraction peak belonging to a pyrochlore phase and exhibiting a high OSC.
そして非酸化性雰囲気下で加熱保持することで、パイロクロア相に帰属するＸ線回折ピークを有するようになり、高い OSCを示す。 - 特許庁 - This insert contains, in addition, W_2C in an amount such that in the X-ray diffraction pattern the peak ratio W_2C(101)/W(110) is ∠ 0.3.
このインサートは、他にＷ_2Ｃを含み、Ｘ線回折パターンにおいてピーク比Ｗ_2Ｃ（１０１）／Ｗ（１１０）が０．３未満になる量である。 - 特許庁 - A polybasic salt of a complex metal having a specified chemical composition and X-ray diffraction peaks is used as a stabilizer for a chlorine- containing polymer.
特定の化学組成及びＸ線回折ピークを有する複合金属多塩基性塩を塩素含有重合体用安定剤として用いる。 - 特許庁 - X-ray diffraction pattern (lattice plane spacing d/Å): 13.2±0.6, 12.3±0.3, 9.0±0.3, 6.8±0.3, 3.9±0.2, 3.5±0.1, and 3.4±0.1.
Ｘ線回折パターン格子面間隔ｄ／Å（オングストローム）１３．２±０．６１２．３±０．３９．０±０．３６．８±０．３３．９±０．２３．５±０．１３．４±０．１ - 特許庁 - To improve analysis efficiency when X-ray diffraction quantitative analysis of many samples is performed using a base standard absorption correction method.
多数の試料について基底標準吸収補正法を用いたＸ線回折定量分析を行う場合の分析効率を向上させる。 - 特許庁 - In other words, this compound is not detectable by X-ray diffraction of the composition after its firing in the air at 700°C for two hours.
言い換えれば、この化合物は、空気中で７００℃において２時間焼成した後に、組成物のＸ線回折で検出不能である。 - 特許庁 - Spacing (d002) between graphite layers of the resulting graphitized carbon powder by X-ray diffraction is preferably <0.3370 nm.
得られる黒鉛化炭素粉末のＸ線回折法による黒鉛層間の面間隔（ｄ００２）は０．３３７０ｎｍ未満であることが好ましい。 - 特許庁 - The α-crystalline form of strontium ranelate of formula (I) is characterized by its powder X-ray diffraction diagram and by a water content of from 22 to 24%, wherein the diagram is expressed by items of a ray position, a ray quantity, a ray range, a ray width in a half height, and a distance between faces.
光線位置、光線高、光線範囲、半分の高さにおける光線幅および面間距離の項目で表わされる、粉末Ｘ線回析ダイヤグラムおよび２２〜２４％の水分含有量により特徴付けられる、式（Ｉ）：のストロンチウムラネレートのα−結晶形。 - 特許庁 - This catalyst is a titanosilicate catalyst which has an X-ray diffraction pattern of the values indicated below and is also represented by the general formula: xTiO_2-(1-x)SiO_2 (x in the formula represents a figure of 0.0001 to 0.1), and serves for producing propylene oxide.
下記に示す値のＸ線回折パターンを有し、かつ一般式 ｘＴｉＯ_２・（１−ｘ）ＳｉＯ_２ （式中ｘは０．０００１〜０．１の数値を表す。）で表されるチタノシリケートであるプロピレンオキサイド製造用触媒。 - 特許庁 - The conductive compound has a main peak similar to a main peak of AgNiO_2 (X=Y=1) in X-ray diffraction, and is formed of a crystal where peaks of Ag_2O and AgO do not appear.
この導電性化合物は、Ｘ線回折においてＡｇＮｉＯ_2（Ｘ＝Ｙ＝１）の主ピークと同じ主ピークを有し、Ａｇ_2ＯおよびＡｇＯのピークが現れない結晶からなる。 - 特許庁 - When mounting parts 9, 10 are mounted on a rail 1, this X-ray diffraction device 5 is installed on the rail 1, and the incident angle ϕ_0 of X-rays is set at a single-incident angle.
装着部９，１０をレール１に装着するとレール１上にＸ線回折装置５が設置されて、Ｘ線の入射角ψ_0が単一入射角度に設定される。 - 特許庁 - To provide a semiconductor X-ray detector which can be configured in a desired shape suitable for detecting diffraction X rays within a short distance by forming an opening in the center.
所望の形状に構成能で、中央部に開口部を形成して近距離での回折Ｘ線の検出に好適な形状に構成可能な半導体Ｘ線検出器を提供する。 - 特許庁 - To provide a stress holding device and an X-ray diffraction device having a low device height, allowing incidence of X-rays of wide angles and holding optional stress.
本発明は、装置の高さが低く、広角度のＸ線が入射でき、かつ、任意の応力が保持できる応力保持装置およびＸ線回折装置を提供することを課題とする。 - 特許庁 - Angle dispersive X-ray diffraction is used to test pharmaceutical products including the dosage form inside packaging, for example the tablet inside a blister pack, without removing the dosage form from the packaging.
パッケージング内の剤形、たとえばブリスターパック内の錠剤を含む医薬製品を、剤形をパッケージングから取り出すことなく試験するために角度分散X線回折が使用される。 - 特許庁 - This optical lever method allows the Young's modulus to be measured with the laser beam without deforming the measuring object because measurement is performed with X-rays in the in-plane X-ray diffraction method.
光てこ方式ではレーザ光によって、in-planeＸ線回折法ではＸ線によって測定を行うため被測定物を変形させることなくヤング率Εを測定することができる。 - 特許庁 - A knowledge of the Debye-Waller factor is essential in order to convert a structure factor measured by electron diffraction at temperature T into the corresponding X-ray structure factor at temperature T.
デバイワラー因子に関する知識は、温度Tにおいて電子回折によって測定された構造因子を温度Tにおけるその対応するX線の構造因子に変換するために不可欠である。 - 科学技術論文動詞集 - To provide a sample holding device capable of coping with both X-ray diffraction measurements of a transmission method or a reflection method, holding a plurality of samples, and arranging an optional portion of each held sample on an X-ray irradiation position.
透過法と反射法、いずれのＸ線回折測定にも対応可能で、複数の試料を保持でき、しかも保持した各試料の任意の部位をＸ線照射位置へ配置することができる試料保持装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an X-ray diffraction equipment fit for large samples, in which large samples can be moved in a small space and a stress in a direction normal to the direction of X-ray beams can be measured for large samples.
小さなスペースで大型試料を移動することができ、また、大型の試料についてもＸ線ビーム方向と垂直な方向の応力測定を行うことができる、大型試料に適したＸ線回折装置を提供する。 - 特許庁 - The objective receptor is composed of a titanylphthalocyanine crystal having the maximum diffraction peak at least at 27.2° as the diffraction peak (±0.2°) of the Bragg angle 2θ with the characteristic X-ray of CuKα (1.514A wavelength), a peak at 7.3° as the diffraction peak of the smallest diffraction angle and further a peak at 26.3°.
ＣｕＫαの特性Ｘ線（波長１．５１４Å）に対するブラッグ角２θの回折ピーク（±０．２°）として、少なくとも２７．２°に最大回折ピークを有し、且つ最も低角側の回折ピークとして７．３°にピークを有し、且つ２６．３°にもピークを有するチタニルフタロシアニン結晶。 - 特許庁 - When the GaN compound semiconductor crystal is epitaxially grown, the substrate where a diffraction angle (2θ) at which a diffraction peak by an X-ray diffraction method appears is within a prescribed range, to put it concretely, NdGaO_3 where a position of the diffraction peak is 40.200° to 40.400° is used.
ＧａＮ系化合物半導体結晶をエピタキシャル成長させる際に、Ｘ線回折法による回折ピークの現れる回折角度（２θ）が所定の範囲内にある基板、具体的には、回折ピークの位置が４０．２００°〜４０．４００°であるＮｄＧａＯ_3を用いるようにした。 - 特許庁 - The negative electrode active material contains Si and O wherein the atomic ratio x of O to Si is expressed as 0<x<2, and wherein B<3° (2θ) where B represents the half width of the diffraction peak of the (220) plane of Si in the X-ray diffraction pattern measured using CuKα radiation.
ＳｉとＯとを含み、Ｓｉに対するＯの原子比ｘが０＜ｘ＜２で表され、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折パターンにおいて、Ｓｉ（２２０）面回折ピークの半値幅をＢとするとき、Ｂ＜３°（２θ）である負極活物質を用いることを特徴とする。 - 特許庁 - In the phase cotrast X-ray imaging device using an X-ray interferometer, a simultaneous reflection type X-ray interferometer is used wherein a signal wave is coupled to a reference wave by the simultaneous reflection of a coplanar or nonplanar Bragg case instead of coupling the signal wave to the reference wave by the diffraction of a Laue case as in the past.
Ｘ線干渉計を利用した位相コントラスト型Ｘ線撮像装置において、従来のラウエケースの回折による信号波と参照波の結合の代わりに、coplanarあるいはnonplanarのブラッグケースの同時反射により信号波と参照波を結合する同時反射型Ｘ線干渉計を用いる。 - 特許庁 - To measure the thickness of a thin film by an X-ray diffraction method by performing the parameter fitting of a theoretical rocking curve of diffracted X-ray intensity considering orientation to a measured rocking curve, even when film thickness measurement by an X-ray reflectivity method can not be performed because of a reason as existence of a contiguous layer having an approximate density or the like.
密度が近い隣接層が存在するなどの理由でＸ線反射率法による膜厚測定ができない場合でも，配向性を考慮した回折Ｘ線強度の理論ロッキングカーブを測定ロッキングカーブにパラメータフィッティングすることで，Ｘ線回折法によって薄膜の膜厚を測定可能にする。 - 特許庁 - To provide an X-ray imaging device and an imaging method capable of performing observation with time in a short measuring time at the same density resolution and in the same dynamic range as those for a diffraction contrast X-ray imaging method, and observing a sample with high sensitivity even if the intensity of an incident X-ray varies with time.
屈折コントラストＸ線撮像法と同じ密度分解能及びダイナミックレンジで、測定時間が短く、経時的な観察が可能で、かつ入射Ｘ線強度が時間的に変動している場合でも高い感度で試料を観察できるＸ線撮像装置及び撮像方法を提供する。 - 特許庁 - The carrier for carrying a catalyst may contain 20 to 45% of a graphite-resembling structural component and 55 to 80% of an amorphous component in a peak near a diffraction angle of 26° in an X-ray diffraction graphic.
前記触媒担持用担体は、Ｘ線回折図形における回折角２６°付近のピークが、２０〜４５％の黒鉛類似構造成分と、５５〜８０％のアモルファス成分と、を含むこととしてもよい。 - 特許庁 - The μ-oxo-aluminum phthalocyanin dimer has crystal transformation exhibiting diffraction peaks at Bragg angles (2θ±0.2°) of 6.9°, 9,7°, 13.8°, 15.4°, 23.9° and 29.5°in a X-ray diffraction spectrum using CuKα rays.
CuKα線によるＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度（２θ±０．２°）６.９°、９.７°、１３.８°、１５.４°、２３.９°及び２９.５°に回折ピークを示す結晶変態を有する、μ−オキソ−アルミニウムフタロシアニンダイマー。 - 特許庁 - When a powder X-ray diffraction analysis regarding the silicon alloy powder is executed, a high-intensity peak can be provided in a range, belonging to the copper/aluminum-containing phase 12, where a diffraction angle 2θ is 43.5-44.5°.
このケイ素合金粉末について粉末Ｘ線回折分析を行うと、銅・アルミニウム含有相１２に帰属する回折角度２θが４３．５°〜４４．５°の範囲内に高強度の回折ピークが得られる。 - 特許庁
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