「active layer」を含む例文一覧(7476)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 149 150 次へ＞- It is desirable that a main light emission layer in the active layer region consists of GaInNAs.
前記活性層領域における主発光層がＧａＩｎＮＡｓなることが好ましい。 - 特許庁 - To reduce the fraction defective when a resin layer is formed on an active matrix substrate with the resin layer.
樹脂層付アクティブマトリクス基板への樹脂層形成時の不良率を低減する。 - 特許庁 - A chromaticity conversion layer 15 is formed on the upper surface of a pillar-like mesa part 16 which includes an active layer.
柱状のメサ部１６の上面に色度変換層１５が設けられている。 - 特許庁 - An active part of the field effect transistor 15 is covered with a fluorine polymer layer 18 (sarificial layer).
電界効果トランジスタ１５の能動部分をフッ素系ポリマー層１８（犠牲層）で覆う。 - 特許庁 - The conductor layer 12 is made of an active metal and is formed inside the oxide layer 15.
導体層１２は、活性金属からなり、酸化物層１５の内側に形成されている。 - 特許庁 - The organic layer 52 is formed at least inside of the anode active material layer 50a.
有機物層５２は負極活物質層５０ａの少なくとも内部に形成されている。 - 特許庁 - A polysilicon layer 102 is formed on the silicon layer so as to cover the active region.
ポリシリコン層１０２は、シリコン層上に設けられ、活性領域を覆うように設けられる。 - 特許庁 - An apparatus (500)includes an active region (530), a phosphor layer (550) and a reflective layer (520).
装置（５００）は、アクティブ領域（５３０）、蛍光体層（５５０）及び反射層（５２０）を備える。 - 特許庁 - A crystal defect R is formed in a resistive layer 10b of a wafer 10 for active layer.
活性層用ウェーハ１０の抵抗層１０ｂに結晶欠陥Ｒを形成する。 - 特許庁 - The active layer 5 is formed on one main face-side of the photonic crystal layer 7.
活性層５は、フォトニック結晶層７の一方の主面側に形成されている。 - 特許庁 - Alternatively, the active absorption layer can be deposited before the sealing layer is formed.
あるいは、活性吸収層は、封止層が形成される前に、蒸着可能である。 - 特許庁 - ION CONDUCTOR MATERIAL, SOLID ELECTROLYTE LAYER, ELECTRODE ACTIVE MATERIAL LAYER, AND ALL-SOLID BATTERY
イオン伝導体材料、固体電解質層、電極活物質層および全固体電池 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE ACTIVE MATERIAL FOR ELECTRIC DOUBLE LAYER AND ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR
電気二重層用電極活物質の製造方法および電気二重層キャパシタ - 特許庁 - SLURRY, PRODUCTION METHOD OF SOLID ELECTROLYTE LAYER AND PRODUCTION METHOD OF ELECTRODE ACTIVE MATERIAL LAYER
スラリー、固体電解質層の製造方法および電極活物質層の製造方法 - 特許庁 - The semiconductor layer 12 has an active layer 26, and a waveguide ridge 40 is formed.
半導体層１２は活性層２６を有し、導波路リッジ４０が形成されている。 - 特許庁 - The negative electrode active material layer 12 has a tin-contained layer 12A containing Sn.
負極活物質層１２は、Ｓｎを含有するスズ含有層１２Ａを有している。 - 特許庁 - The diffraction grating layer 8 is formed within a range narrower than that of the principal face of the active layer 4.
回折格子層８は、活性層４の主面よりも狭い範囲内に形成する。 - 特許庁 - The pressure sensitive adhesive layer is preferably an active energy ray curing pressure sensitive adhesive layer.
前記粘着剤層が活性エネルギー線硬化性の粘着剤層であることが好ましい。 - 特許庁 - To reduce defect rate, when a resin layer is formed to manufacture an active matrix substrate with the resin layer.
樹脂層付アクティブマトリクス基板への樹脂層形成時の不良率を低減する。 - 特許庁 - HIGHLY ACTIVE ARMING YEAST HAVING HIGHLY ACTIVE LIPASE B IN CELL SURFACE LAYER, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND HIGHLY ACTIVE LIPASE B
高活性リパーゼＢを細胞表層に有する高活性アーミング酵母及びその製造方法並びに高活性リパーゼＢ - 特許庁 - The optical medium sequentially comprises: a substrate; a first dielectric layer on the substrate; an active layer on the first dielectric layer and absorbing a laser beam; a second dielectric layer on the active layer; a recording layer needing no initialization on the second dielectric layer; and a third dielectric layer on the recording layer needing no initialization.
光学媒体は、順に、基板と、基板上の第一誘電層と、レーザー光を吸収する第一誘電層上の活性層と、前記活性層上の第二誘電層と、第二誘電層上の初期化不要記録層と、初期化不要記録層上の第三誘電層と、からなる。 - 特許庁 - The cavity 2 includes an active layer and emits laser light.
そして、キャビティ２は、活性層を含み、レーザ光を出射する。 - 特許庁 - After the plasma processing, the active layer wafer and the support substrate wafer are laminated, and the active layer wafer is exfoliated through thermal treatment.
プラズマ処理後、活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハを貼り合わせ、熱処理により活性層用ウェーハを剥離させる。 - 特許庁 - An active layer 23 contains GaInN, and the In composition ratio of the active layer 23 has an uneven distribution inside a laminated surface.
活性層２３はＧａＩｎＮを含み、活性層２３のＩｎ組成比は、積層面内において不均一な分布を有している。 - 特許庁 - An active layer is made in the form of a plurality of GaInNAs quantum dots.
活性層を複数のＧaＩnＮＡs量子ドットで構成する。 - 特許庁 - The peak wavelength of a light emitting wavelength of the active layer 17 and the peak wavelength of a light emitting wavelength of the active layer 57 are different from each other.
活性層１７の発光波長のピーク波長と、活性層５７の発光波長のピーク波長とは互いに異なる。 - 特許庁 - As the concentration of In in the active layer is higher, band gap energy in the active layer becomes smaller, and consequently, the oscillation wavelength becomes longer.
活性層中のＩｎ濃度が高い程、活性層のバンドギャップエネルギーが小さくなり、従って発振波長が長くなる。 - 特許庁 - Thereby, impregnation of the electrolytic liquid to the positive electrode active material layer and the negative electrode active material layer is improved.
これにより、正極活物質層および負極活物質層に対する電解液の含浸性を向上することができる。 - 特許庁 - To suppress relaxation of strain of an active layer even when a strained semiconductor element is formed on a fine active layer.
微細な活性層上にひずみ半導体素子を形成しても、活性層のひずみの緩和を抑制することを可能にする。 - 特許庁 - Thus, damages to the sidewalls of the active layer 2 can be eliminated.
これにより、活性層２の側壁の損傷が低減される。 - 特許庁 - A process of etching an active component from the Si mechanism layer is included.
Ｓｉ機構層から活動部品をエッチングする工程を含む。 - 特許庁 - Hereby, electric resistances of the positive electrode active material layer 14 and the negative electrode active material layer 18 in the film thickness direction can be reduced.
これにより、正極活物質層１４及び負極活物質層１８の膜厚方向の電気抵抗を低減できる。 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING ACTIVE CARBON FOR ELECTRODE OF ELECTRIC DOUBLE-LAYER CAPACITOR
電気二重層キャパシタの電極用活性炭の製造方法 - 特許庁 - THIN-FILM TRANSISTOR INCLUDING POLYSILICON ACTIVE LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
ポリシリコン活性層を含む薄膜トランジスタ及び製造方法 - 特許庁 - ACTIVE CARBON FOR ELECTRIC DOUBLE-LAYER CAPACITOR, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
電気二重層キャパシタ用活性炭及びその製造方法 - 特許庁 - The measuring part measures a weight of each layer of the active charcoal by having a strain gage for each layer of the active charcoal, for example.
計測部は、例えば活性炭の各層ごとにひずみゲージを有することにより、活性炭の各層の重量を計測する。 - 特許庁 - Then, a total resistivity of the current collector 11 and the active material layer are measured in order to presume the composition of the active material layer.
そして活物質層の組成を推定するために集電体１１と活物質層の合計の抵抗率を測定する。 - 特許庁 - METHOD OF PRODUCING ACTIVE CARBON FOR ELECTRIC DOUBLE-LAYER CAPACITOR ELECTRODE
電気二重層キャパシタ電極用活性炭の製造方法 - 特許庁 - The active material layer 12 has a binder 14 on its surface.
活物質層１２はその表面に結着剤１４を有する。 - 特許庁 - A negative electrode active material layer composed of negative electrode active material is protected by a first layer composed of material having lithium ion conductivity.
負極活物質からなる負極活物質層がリチウムイオン導電性を持つ材質からなる第１の層で保護される。 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING ACTIVE ELECTRODE MATERIAL FOR ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR
電気二重層キャパシタ用電極活物質の製造方法 - 特許庁 - ACTIVE CARBON AND ACTIVE CARBON ELECTRODE FOR ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR, AND ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR USING THE SAME
電気二重層キャパシタ用活性炭、電気二重層キャパシタ用活性炭電極およびそれを用いた電気二重層キャパシタ - 特許庁 - A p-type electrode 3 is formed on the p-type active layer 2a, and an n-electrode 4 is formed on the n-type active layer 2a.
ｐ型活性層２ａ上にｐ電極３が形成され、ｎ型活性層２ａ上にｎ電極４が形成される。 - 特許庁 - An active layer is formed as a polysilicon film on a glass substrate.
ガラス基板上にポリシリコン膜としての活性層を形成する。 - 特許庁 - A fixed electrode 31 is formed by etching the active layer 3.
固定電極３１は、活性層３をエッチングして形成される。 - 特許庁 - A cathode active substance is composed of an oxide of a lithium containing layer type.
正極活物質は、リチウム含有層状酸化物からなる。 - 特許庁 - The cavity 2 contains an active layer and emits laser beam.
そして、キャビティ２は、活性層を含み、レーザ光を出射する。 - 特許庁 - On an n-GaAs substrate 21, an n-AlGaAs clad layer 22, an undoped AlGaAs optical guide layer 23, an undoped active layer 24, an undoped AlGaAs optical guide layer 25, a p-AlGaAs clad layer 25, and a p-GaAs cap layer 27 are in sequence laminated.
n-GaAs基板21の上に、n-AlGaAsクラッド層22、アンドープAlGaAs光ガイド層23、アンドープ活性層24、アンドープAlGaAs光ガイド層25、p-AlGaAsクラッド層26、p-GaAsキャップ層27を順次積層する。 - 特許庁 - A semiconductor laser device comprises an n-cladding layer 3, an active layer 4, a p-cladding layer 5, mesa structures 7 to 9, a block layer 13, a low-loss layer 11, and a contact layer 10.
半導体レーザ装置は、ｎ−クラッド層３、活性層４、ｐ−クラッド層５、メサ構造７−９、ブロック層１３、低損失層１１、コンタクト層１０を具備する。 - 特許庁 - A first clad layer 2, an active layer 3, a second clad layer 4, an etching-stop layer 5, an intermediate layer 6, and a third clad layer 7, are formed on a semiconductor substrate 1.
半導体基板１の上に、第１のクラッド層２、活性層３、第２のクラッド層４、エッチング停止層５、中間層６および第３のクラッド層７を形成する。 - 特許庁
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