「active layer」を含む例文一覧(7476)
＜前へ 1 2 .... 6 7 8 9 10 11 12 13 14 .... 149 150 次へ＞- A well layer in an active region of the multiple quantum well is formed by a GaInNas layer.
多重量子井戸の活性領域の井戸層はＧａＩｎＮＡｓ層で形成されている。 - 特許庁 - The thin-film transistor includes a gate electrode, an active layer, a source electrode, a drain electrode, and a buffer layer.
薄膜トランジスタは、ゲート電極、アクティブ層、ソース電極、ドレイン電極、及びバッファ層を含む。 - 特許庁 - This prevents the dopant from diffusing from the p-type clad layer 106 to the active layer 104.
こうして、ｐ型クラッド層１０６から活性層１０４へのドーパントの拡散が防がれる。 - 特許庁 - A plurality of semiconductor laser media are laid in layer in the direction perpendicular to the active layer.
また、複数の半導体レーザ媒質が活性層に垂直な方向に積層配置されている。 - 特許庁 - A first gallium nitride-based semiconductor layer 17 covers the whole major surface 15a of an active layer 15.
第１の窒化ガリウム系半導体層１７は、活性層１５の主面１５ａの全体を覆う。 - 特許庁 - An active absorption layer is formed on the covering surface of the covering layer by carrying out a deposition process.
蒸着工程が行われて、被覆層の被覆面に活性吸収層が形成される。 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING ACTIVE CARBON FOR ELECTRIC DOUBLE-LAYER CAPACITOR, AND ELECTRIC DOUBLE-LAYER CAPACITOR USING THE SAME
電気二重層コンデンサ用活性炭の製造方法およびこれを用いた電気二重層コンデンサ - 特許庁 - A lamination gate composed of the first conductive layer and second conductive layer is formed on the active region.
アクティブ領域の上部に第１導電層と第２導電層との積層ゲートを形成する。 - 特許庁 - In the thin film solid secondary battery, the lower electrode current collector layer 3, an active material layer 4 of a lower electrode, a solid electrolyte layer 5, an active material layer 6 of an upper electrode, and the upper electrode current collector layer 7, are continuously film-formed.
薄膜固体二次電池において、下部電極集電体層３、下部電極の活物質層４、固体電解質層５、上部電極の活物質層６、上部電極集電体層７を連続成膜する。 - 特許庁 - An active layer 9, an upper clad layer 10 and a contact layer 11 are laminated on an intermediate clad layer 8, and when they are energized between electrodes 12, 14, so that light is generated and amplified on the active layer.
中間クラッド層８上に活性層９、上部クラッド層１０、およびコンタクト層１１を積層させ、電極１２と１４の間に通電すると、活性層で光の発生、増幅を行うようになっている。 - 特許庁 - The nitride semiconductor device includes an active layer 15 formed between an n-type cladding layer 13 and a p-type cladding layer 22, and a current confining layer 18 having a conductive area through which a current flows to the active layer 15.
窒化物半導体装置は、ｎ型クラッド層１３とｐ型クラッド層２２との間に形成された活性層１５と、活性層１５への電流が流れる通電部を有する電流狭窄層１８とを備えている。 - 特許庁 - A cap layer 17 is provided with a wider band gap than that of the active layer 16, and the band gap of the level difference confinement layer 19 is set so as to be wider than the band gap of the active layer 16, and narrower than the band gap of the cap layer 17.
キャップ層１７は、活性層１６よりも広いバンドギャップを有し、段差閉じ込め層１９のバンドギャップは、活性層１６のバンドギャップよりも広く、かつキャップ層１７のバンドギャップよりも狭い。 - 特許庁 - In a super-luminescent diode, only a contact layer 6 is formed in a stripe-like state and the width L1 and length L2 of the strip, the thickness L3 from the interface between the contact layer 6 and an upper clad layer 5 to an active layer 4, and the width L4 of the active layer 4 are specified.
コンタクト層６だけをストライプとして形成し、ストライプ幅Ｌ_１、長さＬ_２、コンタクト層と上部クラッド層５界面から活性層４までの厚さＬ_３、活性層の幅Ｌ_４を規定している。 - 特許庁 - A composite porous carbon material or non-graphitizable carbon material having a carbonaceous material on the surface of active carbon is used for a main constituent of a negative electrode active material constituting a negative electrode active material layer, and active carbon is used for a main constituent of a positive electrode active material constituting a positive electrode active material layer.
負極活物質層を構成する負極活物質の主成分を、活性炭の表面に炭素質材料を有する複合多孔性炭素材料または難黒鉛化性炭素材料とし、正極活物質層を構成する正極活物質の主成分を活性炭とする。 - 特許庁 - A reflecting insulating layer is formed covering the transparent electrode layer, and reflects light traveling from the active layer to the support substrate side.
反射絶縁層が透明電極層を覆って形成され、活性層から支持基板側に向かう光を反射する。 - 特許庁 - A semiconductor region 2 containing an n-type clad layer 7, and active layer 8, and a p-type clad layer 9 is provided on a substrate 1.
基板１の上にｎ型クラッド層７、活性層８、ｐ型クラッド層９を含む半導体領域２を設ける。 - 特許庁 - The semiconductor light emitting element comprises an n-type cladding layer 14, a p-type cladding layer 16, and an active layer 12.
本発明の実施の形態の半導体発光素子は、ｎ型クラッド層と、ｐ型クラッド層と、活性層とを備える。 - 特許庁 - The semiconductor mesa 15 includes an active layer 19, a second conductive clad layer 21, and a second conductive contact layer 23.
半導体メサ１５は、活性層１９、第２導電型クラッド層２１および第２導電型コンタクト層２３を含む。 - 特許庁 - The semiconductor multilayer film includes a lower clad layer, an active layer, and an upper clad layer sequentially integrated from the substrate side.
半導体多層膜は、基板側から順に積層された下側クラッド層、活性層、および上側クラッド層を含む。 - 特許庁 - A III-V compound semiconductor layer 25 forms a junction with an active layer 23 and forms a junction with a second cladding layer 27.
III−Ｖ化合物半導体層２５は活性層２３と接合を成すと共に第２のクラッド層２９と接合を成す。 - 特許庁 - The structure includes three layers of a lower clad layer, an active layer, and an upper clad layer all of which are made of semiconductor materials.
発光積層構造は、半導体材料からなる下部クラッド層、活性層、及び上部クラッド層の３層を含む。 - 特許庁 - This nitride semiconductor laser is provided with a stress concentration suppressing layer between an active layer and a cap layer.
活性層とキャップ層との間に応力集中抑制層を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ。 - 特許庁 - The second conductivity type semiconductor layer 23 is provided between the first conductivity type semiconductor layer 25 and active layer 17.
第２導電型半導体層２３は第１導電型半導体層２５と活性層１７との間に設けられる。 - 特許庁 - On top of it, an active layer is arranged that includes a well layer having a band gap smaller than that of the first carrier confinement layer.
その上に、第１のキャリア閉込層よりも小さなバンドギャップを有する井戸層を含む活性層が配置されている。 - 特許庁 - DOUBLE-ACTIVE-LAYER STRUCTURE WITH POLYSILICON LAYER AND MICROCRYSTALLINE SILICON LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND APPARATUS USING THE STRUCTURE
ポリシリコン層及び微細結晶シリコン層を有する２重活性層構造、その製造方法及びこれを使用する装置 - 特許庁 - The active layer 4 of the semiconductor laser device is formed of a quantum dot layer 100 and a barrier layer 101.
このような半導体レーザ装置の記活性層４は、量子ドット層１００とバリア層１０１により形成されている。 - 特許庁 - To form a resist layer in a less number of processes and avoid damaging active layers, etc., by including a step of forming a surface protection film so as to cover the surface of an active layer, and stripping a resist layer formed on the surface protection layer leaving this film on the active layer surface.
２層のゲート金属２、９を積層してゲート電極を形成した半導体装置に関し、良好なプロファイルを有するレジスト層を、より少ない工程で形成し、かつ動作層５等にダメージを与えない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the electrode laminate consisting of a laminate active material layer which is laminated on a current collecting base material, the active material layer contains at least an active material, a conductive agent, and a binding agent, the apparent density of the active material layer being made to be 1.2 g/cm^3 or more.
積層体活物質層が集電基材上に積層された電極積層体において、活物質層は、少なくとも活物質と、導電剤と、結着剤を含み、当該活物質層の嵩密度は１．２ｇ／ｃｍ^3以上とする。 - 特許庁 - In the electrode of the battery having a current collector and an active material layer formed on the surface of the current collector, density of the active material included in the active material layer is increased from a current collector side toward the front side of the active material layer.
集電体と、前記集電体の面に形成された活物質層と、を備えた電池用電極であって、前記活物質層に含まれる活物質の濃度が、前記集電体側から前記活物質層の表面側に向かって増加する。 - 特許庁 - In the solar cell, a positive hole blocking layer 4 having an ionizing potential larger than that of the compound contained in the active layer 3 is arranged between the negative electrode 2 and the active layer 3.
負極２と活性層３との間に、活性層３に含有される化合物のイオン化ポテンシャルより大きなイオン化ポテンシャルを有する正孔阻止層４を設ける。 - 特許庁 - As a result, a current is implanted into the active layer 3 from the side and the forefront part of the trapezoid of the trapezoidal projection p-type GaN layer 6', and light is emitted in a wide area of the active layer 3.
この結果、電流は台形凸部ｐ型GaN層６’の台形の側面、先端部からも活性層３へ注入され、活性層３の広い領域で発光する。 - 特許庁 - The transfer of the active component in the second oxide layer 3 is suppressed, and the active component passing through the second oxide layer 3 is captured by the reaction in the first oxide layer 2.
第２酸化物層３で活性成分の移行を抑制し、第２酸化物層３をすり抜けた活性成分は第１酸化物層２で反応することで捕捉される。 - 特許庁 - The present invention relates to a method of forming a reflective electrode on a semiconductor light emitting device having an active layer for generating light and a cladding layer in electrical contact with the active layer.
光を発生する活性層と、その活性層と電気的に接触したクラッド層とを有する半導体発光装置上の反射電極を形成する方法。 - 特許庁 - An electrode comprises a collector, an active material layer, and a conductive primer layer disposed between the collector and the active material layer and containing a chlorine-containing polymer.
集電体と、活物質層と、前記集電体と前記活物質層との間に配置される塩素含有ポリマーを含む導電性プライマ層と、を含む、電極。 - 特許庁 - Therein, the active layer (amorphous silicon layer) is not extended to the outer part of the wiring and, therefore, wavy noise generated when the active layer is exposed to light can be prevented.
また、アクティブ層(非晶質シリコン層)が配線の外部に延長された形状ではないので、アクティブ層が光に露出された時に発生した波状ノイズが防げる。 - 特許庁 - The etching selectivity of the contact layer to the active layer is high and hence in a channel etching process the thickness of the active layer can be made uniform in the substrate plane.
さらに、コンタクト層と活性層のエッチング選択比が大きいため、チャネルエッチングプロセスにおいて、活性層の厚さを基板面内で均一にすることが可能となる。 - 特許庁 - Besides, the active layer side face is protected by the protection layer formed in the first etching step and therefore, damage to the active layer 24 during the second etching step is reduced.
活性層側面はその上に第１のエッチングで形成された保護層で保護されるので、第２のエッチング中における活性層２４へのダメージは低減される。 - 特許庁 - At a distance from an active layer and in the direction of thickness, a tuning layer is arranged, which has a transition wavelength which is shorter than the wavelength of simulated emission from the active layer.
活性層から厚さ方向にある間隔を隔てて、活性層からの誘導放出光の波長よりも短い遷移波長を有するチューニング層が配置されている。 - 特許庁 - An active layer 2 is provided on an n-type InP substrate 1 while a diffraction grating 5 and a p-type InP clad layer 4 are provided on the active layer 2.
ｎ型ＩｎＰ基板１の上には活性層２が設けられており、活性層２の上方には、回折格子５およびｐ型ＩｎＰクラッド層４が設けられている。 - 特許庁 - Next, a part of an insulating layer near the active component in which the Si mechanism layer is etched is removed and the Si handle layer near the active component is etched.
次に、Ｓｉ機構層のエッチングされた活動部品の近くの絶縁層の一部が取り除かれ、エッチングされた活動部品の近くのＳｉハンドル層が、エッチングされる。 - 特許庁 - The method of manufacturing an electrode for a battery has: an active material layer-forming step of forming an active material layer by applying liquid serving as material of the active material layer, to the surface of the electrolyte film containing an electrolyte material; and a pressure bonding step of pressure-bonding the electrolyte film and the active material layer.
電解質材料が含まれた電解質フィルムの面に活物質層の材料となる液状体を塗布して、前記活物質層を形成する活物質層形成工程と、前記電解質フィルムと前記活物質層とを圧着する圧着工程と、を有する。 - 特許庁 - The semiconductor optical device is provided with an active layer that has an optical amplification function and a light emitting function by current injection, and the active layer includes a quantum dot active layer 4, wherein the deformation quantity of the quantum dot varies depending on its position in the active layer 4.
電流注入による光増幅機能及び発光機能を有する活性層を備えた半導体光素子において、前記活性層は量子ドット活性層４を有し、前記量子ドットは活性層４内の位置により歪量が変化していることを特徴とする。 - 特許庁 - The compound semiconductor light emitting element comprises a lower clad layer, an In-containing active layer formed on the clad layer, an evaporation preventing layer formed on the active layer, and an upper clad layer formed on the evaporation preventing layer.
本発明の化合物半導体発光素子は、下部クラッド層と、前記下部クラッド層上に形成されたＩｎを含む活性層と、前記活性層上に形成された蒸発防止層と、前記蒸発防止層上に形成された上部クラッド層とを含むものである。 - 特許庁 - The light emitting diode is constituted of a substrate, an n-type semiconductor layer formed on the substrate, an active layer formed on the n-type semiconductor layer, a p-type clad layer formed on the active layer, and a hydrogen occlusion layer formed on the p-type clad layer.
発光ダイオードは、基板と、基板上に形成されるｎ型半導体層と、ｎ型半導体層上に形成される活性層と、活性層上に形成されるｐ型クラッド層と、ｐ型クラッド層上に形成される水素吸蔵層とから構成される。 - 特許庁 - The second optical semiconductor element 20 includes: a first cladding layer 23; an optical active layer 21 and a second optical waveguide layer 22 that are optically connected to each other; a second cladding layer 24 on the optical active layer 21; and a thin third cladding layer 27 on the second optical waveguide layer 22.
第２光半導体素子２０は、第１クラッド層２３、光学的に接続された光活性層２１及び第２光導波路層２２、光活性層２１上の第２クラッド層２４、及び第２光導波路層２２上の薄い第３クラッド層２７を含む。 - 特許庁 - A clad layer 102, an active layer 103, and a clad layer 104 are formed by selective growth, and further a p-InP burial layer 106, a p+- InGaAs contact layer 107, and a p-Inp cover layer 108 that is an oxygen passivation prevention film are selectively grown.
選択成長によりクラッド層102、活性層103、クラッド層104を形成し、更にp-InP埋め込み層106、p^+-InGaAsコンタクト層107、水素パッシベーション防止膜であるp-InPカバー層108を選択成長させる。 - 特許庁 - An n-type clad layer 2, n-type waveguide layer 3, n-type carrier block layer 4, an active layer 5, p-type carrier block layer 6, and p-type waveguide layer 7 are successively layered on an n type substrate 1.
ｎ型基板１上に、ｎ型クラッド層２、ｎ型導波層３、ｎ型キャリアブロック層４、活性層５、ｐ型キャリアブロック層６、ｐ型導波層７が順次積層されている。 - 特許庁 - Partial parts of the p-type GaN layer 4 and the active layer 3 are removed, and a transparent electrode layer 5 is formed over the entire surface of the remaining p-type GaN layer 4.
ｐ型GaN層４及び活性層３の一部を除去して残存したｐ型GaN層４の全面に透明電極層５を形成する。 - 特許庁 - The nitride semiconductor laminate structure 3 includes an active layer 12 capable of emitting light, and consists of a GaN layer, an InGaN layer and an AlGaN layer.
窒化物半導体積層構造３は、光を発光可能な活性層１２を含み、ＧａＮ層、ＩｎＧａＮ層及びＡｌＧａＮ層からなる。 - 特許庁 - A first clad layer 2, a quantum well active layer 3, a second clad layer 4, and an etching stop layer 5 are sequentially laminated on a substrate 1.
基板１上には、第１クラッド層２、量子井戸活性層３、第２クラッド層４及びエッチング停止層５が順次積層されている。 - 特許庁
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