「active layer」を含む例文一覧(7476)
＜前へ 1 2 .... 8 9 10 11 12 13 14 15 16 .... 149 150 次へ＞- To enhance an electric charge mobility between an electric active organic layer and an electrode.
電気活性有機層と電極との間の電荷移動度を高める。 - 特許庁 - To make it possible to control an optional width of an active layer and realize a high mesa structure without making the active layer containing aluminum be in contact with air.
所望の活性層幅の制御が可能で、アルミニウムを含む活性層を空気に接触させることなく、かつ、高いメサ構造を実現する。 - 特許庁 - The thickness of the substrate 13 is greater than the thickness of the active layer 11.
基板１３の肉厚は、活性層１１の肉厚より厚肉である。 - 特許庁 - The active layer wafer 10 is thermally oxidized to cover a silicon oxide film 12.
活性層用ウェーハ１０を熱酸化し、シリコン酸化膜１２で覆う。 - 特許庁 - THICK ACTIVE LAYER FOR MEMS DEVICE USING WAFER DISSOLVE PROCESS
ウェハ溶解プロセスを使用したＭＥＭＳデバイスに関する厚い活性化層 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING OPTICALLY ACTIVE SUBSTANCE BY USING ENZYME PRESENTED ON CELL SURFACE LAYER
細胞表層提示酵素を用いる光学活性体の製造方法 - 特許庁 - An n-type clad layer, a first guide layer, an active layer, a second guide layer, a p-type clad layer, a ZnSSe cap layer, a ZnSe cap layer 19, a graded composition superlattice layer 20 and a low defect contact layer 21 are laminated sequentially on an n-type substrate.
ｎ型基板の上にｎ型クラッド層，第１のガイド層，活性層，第２のガイド層，ｐ型クラッド層，ＺｎＳＳｅキャップ層，ＺｎＳｅキャップ層１９，組成傾斜超格子層２０および低欠陥コンタクト層２１を順次積層する。 - 特許庁 - A silicon oxide layer 5 and a trapezoidal projection p-type GaN layer 6' are formed on an n-type GaN layer 2, an active layer 3, and a p-type GaN layer 4, and a transparent electrode layer 7 and a reflecting electrode layer 8 are formed on the silicon oxide layer 5 and the trapezoidal projection p-type GaN layer 6'.
ｎ型GaN層２、活性層３、ｐ型GaN層４上に酸化シリコン層５及び台形凸部ｐ型GaN層６’を設け、酸化シリコン層５及び台形凸部ｐ型GaN層６’上に透明電極層７及び反射電極層８を設ける。 - 特許庁 - A semiconductor element mounting substrate or a heat sink has at least a thin film layer 2 consisting of an active metal layer, a thin film layer 3 consisting of an Ni3Mo layer, a thin film layer 4 consisting of a Cu layer, a thin film layer 5 consisting of an Ni layer and an Au thin film layer 6 on an AlN substrate 1.
ＡｌＮ基板１に活性金属からなる薄膜層２と、Ｎｉ_3 Ｍｏからなる薄膜層３と、Ｃｕからなる薄膜層４と、Ｎｉからなる薄膜層５と、Ａｕ薄膜層６とを少なくとも有することを特徴としている。 - 特許庁 - The negative electrode 1 for nonaqueous electrolyte secondary battery comprises an active material layer 5, a surface layer 4 for collecting electron formed on one side of the active material layer, and an elastic layer 3 placed on the other side of it.
非水電解液二次電池用負極１は、活物質層５と、その一方の面側に形成された集電用表面層４と、他方の面側に配された弾性膜３とを備える。 - 特許庁 - An upper DBR mirror 42 with a low refractive point layer and a high refractive point layer alternately laminated thereon is divided into a primary region 44 located near an active layer, and a secondary region 46 located far from the active layer.
低屈折率層及び高屈折率層が交互に積層された上部ＤＢＲミラー４２を、活性層近傍の第１の領域４４と、活性層から遠い第２の領域４６とに分ける。 - 特許庁 - The semiconductor laser has an electron barrier layer 16 constituted of a material having an absolute value larger than that of an active layer 14 at the band end of a conductive band between the active layer 14 and a first p-type clad layer 17.
活性層１４と第１ｐ型クラッド層１７との間に、伝導帯のバンド端の絶対値が活性層１４よりも大きい材料により構成された電子障壁層１６を有している。 - 特許庁 - The laser diode has a structure in which refractive index of a p-cladding layer on a second surface of an active layer is smaller than that of an n-cladding layer 50 on a first surface of an active layer.
アクティブレイヤの第１面に設けられるｎ−クラッドレイヤ５０の屈折率に比べてアクティブレイヤの第２面に設けられるｐ−クラッドレイヤの屈折率が小さな構造を有するレーザーダイオード。 - 特許庁 - The lithium-ion secondary battery has a power generating element including at least one unit cell layer in which a positive electrode active material layer, an electrolyte layer, and a negative electrode active material layer are sequentially layered.
、本発明のリチウムイオン二次電池は、正極活物質層と、電解質層と、負極活物質層と、が順次積層されてなる少なくとも１つの単電池層を含む発電要素を有する。 - 特許庁 - The semiconductor device comprises an active layer 13 formed on a substrate 11, a superlattice layer 14 formed on the active layer 13, and an ohmic electrode 15 formed on the superlattice layer 14.
半導体装置は、基板１１の上に形成された活性層１３と、活性層１３の上に形成された超格子層１４と、超格子層１４の上に形成されたオーミック電極１５とを備えている。 - 特許庁 - The electrode 11 has an active material layer forming part 12 having an active material layer contributing to a charge/discharge reaction and an active material unapplied part 13 in order to mount the metal lead 14.
電極１１は充放電反応に寄与する活物質層を有する活物質層形成部１２と金属リード１４を取り付けるための活物質未着部１３を有する。 - 特許庁 - A negative electrode active material layer 22B is provided in the negative electrode 22, and the negative electrode active material layer 22B contains mesophase graphite globules having pores as a negative electrode active material.
負極２２には、負極活物質層２２Ｂが設けられており、この負極活物質層２２Ｂは、負極活物質として細孔が設けられたメソフェーズ黒鉛小球体を含んでいる。 - 特許庁 - The active material layer 5 includes particles of the active material and is penetrated by a material low in forming ability of lithium compounds, in the whole area of thickness direction of the active material layer 5.
活物質層５は、活物質の粒子を含んで構成されており、また、リチウム化合物の形成能の低い材料が、活物質層５の厚み方向全域に亘って浸透している。 - 特許庁 - In the electrode having a collector and an active material layer containing active material particles formed on a surface of the collector, a surfactant is further included in the above active material layer.
集電体と、前記集電体の表面に形成された、活物質粒子を含む活物質層とを有する電極において、前記活物質層に界面活性剤をさらに含ませる。 - 特許庁 - This positive electrode includes a conductive support body, and an active material containing layer disposed on the surface of the support body, and the active material containing layer contains active material powder containing nickel hydroxide and a binder.
導電性の支持体と支持体の表面に配置された活物質含有層とを含み、活物質含有層が、水酸化ニッケルを含む活物質粉末とバインダーとを含む。 - 特許庁 - To provide a negative electrode for a nonaqueous electrolyte secondary battery with a fiber sheet hardly peeling off a nonwoven fabric from the surface of an active material layer and for preventing coming off of an active material from the active material layer.
活物質層の表面から不織布が剥がれ難く、活物質層からの活物質の脱落を防止し得る繊維シート付非水電解液二次電池用負極を提供すること。 - 特許庁 - A distributed feedback variable wavelength semiconductor laser is provided with a cladding layer, an active layer that is formed on the cladding layer, a light guide layer that is formed on the active layer, a liquid crystal layer that is formed on the light guide layer, an electrode for semiconductor laser or injecting current to the active layer, and an electrode for liquid crystal for applying an electric field to a liquid crystal layer.
分布帰還型の波長可変半導体レーザにおいて、クラッド層と、このクラッド層の上に形成された活性層と、この活性層の上に形成された光ガイド層と、この光ガイド層の上に形成された液晶層と、活性層に電流を注入する半導体レーザ用電極と、液晶層に電界を印加する液晶用電極とを設ける。 - 特許庁 - On the nonaqueous electrolyte battery 1, a positive pole member 10 having a positive pole active material layer 12 and a negative pole member 20 having a negative pole active material layer 22 are laminated, and in the positive pole member 10, a solid electrolyte layer 13 is formed on the positive pole active material layer 12.
非水電解質電池1は、正極活物質層12を有する正極部材10と負極活物質層22を有する負極部材20とが積層され、正極部材10には、正極活物質層12の上に固体電解質層13が形成されている。 - 特許庁 - A lower DBR mirror layer 11, a lower spacer layer 12, an active layer 13, an upper spacer layer 14, a current constriction layer 15, an upper DBR mirror layer 16, a polarization control layer 17 and a contact layer 18 are installed on a substrate 10.
基板１０上に、下部ＤＢＲミラー層１１、下部スペーサ層１２、活性層１３、上部スペーサ層１４、電流狭窄層１５、上部ＤＢＲミラー層１６、偏光制御層１７およびコンタクト層１８を備える。 - 特許庁 - The semiconductor laser comprises on a substrate 11 an n-type cladding layer 12, an n-type guide layer 13, an i-type guide layer 14, an active layer 15, an i-type guide layer 16, an electron barrier layer 17, a p-type superlattice cladding layer 18, and a p-type contact layer 19.
基板１１上にｎ型クラッド層１２，ｎ型ガイド層１３，ｉ型ガイド層１４，活性層１５，ｉ型ガイド層１６，電子障壁層１７，ｐ型超格子クラッド層１８およびｐ側コンタクト層１９を有する。 - 特許庁 - A substrate, an n-type clad layer, an active layer, a p-type clad layer, and a multiple ohmic contact layer are sequentially stacked, and the multiple ohmic contact layer is a nitride-based light-emitting element formed by a first transparent thin-film layer, an Ag layer, and a second transparent thin-film layer.
基板、ｎ型クラッド層、活性層、ｐ型クラッド層、マルチオーミックコンタクト層が順次に積層されており、マルチオーミックコンタクト層は、第１透明薄膜層／Ａｇ／第２透明薄膜層より形成される窒化物系発光素子である。 - 特許庁 - In addition, a second active material layer 9b is formed by printing the active material paste 72 on the collector 8.
さらに、その集電体８の上に活物質ペースト７２を印刷して第２活物質層９ｂを形成する。 - 特許庁 - A cathode active material layer 21B of a cathode 21 includes a cathode active material and a cathode conductive agent.
正極２１の正極活物質層２１Ｂは、正極活物質および正極導電剤を含んでいる。 - 特許庁 - The negative electrode active material layer 22B contains a negative electrode active material as well as a polymer having a sulfonate ionic group.
負極活物質層２２Ｂは、負極活物質と共にスルホン酸イオン基を有する重合体を含んでいる。 - 特許庁 - A negative electrode 10 for a nonaqueous electrolyte secondary battery has an active material layer 2 containing active material particles 2a.
非水電解液二次電池用負極１０は、活物質の粒子２ａを含む活物質層２を備えている。 - 特許庁 - A positive electrode active material layer 21B of a positive electrode 21 contains a lithium composite oxide as a positive electrode active material.
正極２１の正極活物質層２１Ｂは、正極活物質として、リチウム複合酸化物を含有する。 - 特許庁 - In the active material-containing layer, the electrode active material and the conductive assistant are electrically joined without being isolated.
活物質含有層において、電極活物質と導電助剤とが孤立せずに電気的に結合している。 - 特許庁 - The anode active material layer 45 contains a first active material layer 451 mainly composed of a carbon material (such as graphite) as a first anode active material, and a second active material layer 452 mainly composed of a second anode active material (such as a lithium titanium oxide) having a higher electropositive potential than the above carbon material, provided between the anode collector 42 and the first active material layer 451.
負極活物質層４５は、第一負極活物質としての炭素材料（例えば黒鉛）を主体とする第一活物質層４５１と、負極集電体４２と第一活物質層４５１との間に設けられた層であって上記炭素材料よりも貴な電位を有する第二負極活物質（例えば、リチウムチタン酸化物）を主体とする第二活物質層４５２とを含む。 - 特許庁 - The semiconductor device includes: a mounting substrate 10; a lower-layer chip 20 mounted on the mounting surface of the mounting substrate 10 while facing a surface opposite surface to an active surface of the lower-layer chip 20; and an upper-layer chip 30 mounted on an active surface of the lower-layer chip 20, while facing the active surface of the upper-layer chip.
半導体装置は実装基板１０を備え、この実装基板１０の実装面と、能動面とは反対側の面とを対向させて実装された下段チップ２０と、この下段チップ２０の能動面に、能動面を対向させて実装された上段チップ３０とを備える。 - 特許庁 - An oxygen ion implantation layer is collected into a single layer by incorporating a step of applying rapid-rising/falling-temperature heat treatment to a wafer for an active layer between a step of implanting oxygen ions to the wafer for an active layer and a step of executing heat treatment to the wafer for an active layer in a non-oxidizing atmosphere.
活性層用ウェーハへの酸素イオンの注入工程と、活性層用ウェーハへの非酸化性雰囲気中での熱処理工程との間に、活性層用ウェーハに対し急速昇降温の熱処理を施す工程を入れることで、酸素イオン注入層を単一層に纏めるものである。 - 特許庁 - In the semiconductor laser, having an InGaAlAs active layer using an InP substrate, an n-type clad layer making direct contact with the active layer is made of InP or InGaAsP, and a p-type optical waveguide layer making direct contact with the active layer is made of an InGaAlAs or an InAlAs.
ＩｎＰ基板を用いたＩｎＧａＡｌＡｓ系活性層を有する半導体レーザにおいて、活性層に直接接するｎ−クラッド層をＩｎＰまたはＩｎＧａＡｓＰとし、活性層に直接接するｐ−光ガイド層をＩｎＧａＡｌＡｓまたはＩｎＡｌＡｓとする。 - 特許庁 - The composite electrode active material includes a main electrode active material 1 containing lithium, and a coating electrode active material 2 containing lithium which is used for coating an external layer of the main electrode active material 1 and has a particle size less than that of the main electrode active material.
リチウムを含む主電極活物質１と、主電極活物質１の外層を被覆するのに使用され、粒径が主電極活物質より小さいリチウムを含む被覆電極活物質２とを含む。 - 特許庁 - A semiconductor light emitting element as an embodiment includes an n-side contact layer, an active layer and a p-side contact layer, in the order.
一実施態様に係る半導体発光素子は、ｎ側コンタクト層と、活性層と、ｐ側コンタクト層と、を順に備える。 - 特許庁 - In the p-type guide layer 16 and the n-type guide layer 15, In-compositions become larger as approaching the active layer 10, respectively.
ｐ型ガイド層１６およびｎ型ガイド層１５は、それぞれ、活性層１０に近づくほどＩｎ組成が大きくなっている。 - 特許庁 - The light emitting layer 104 is formed at such a position that the active layer 101 can be irradiated with light generated from the light emitting layer 104.
そして、発光層１０４が、発光層１０４で発生した光を、活性層１０１に照射可能な位置に配置される。 - 特許庁 - A first conductivity type layer 102, an active layer 104 and a p-type clad layer 107 are formed in order on a substrate 101.
基板１０１上に第１導電型層１０２、活性層１０４及びｐ型クラッド層１０７が順次形成されている。 - 特許庁 - Respective semiconductor layers such as an n-type GaN layer 2, an active layer 3, and a p-type GaN layer 4 are formed on a C-plane sapphire substrate 1.
Ｃ面サファイア基板１上にｎ型GaN層２、活性層３及びｐ型GaN層４の各半導体層を形成する。 - 特許庁 - Further, a carrier trap layer 82 having a potential well structure is formed between an active layer 81 and the saturable absorption layer 83.
また、活性層８１と可飽和吸収層８３との間に、ポテンシャル井戸構造を有するキャリアトラップ層８２を形成する。 - 特許庁 - The optical amplifier includes a second conductive type first clad layer, a second active layer, and a first conductive type second clad layer.
光増幅器は、第２導電型の第１のクラッド層と、第２の活性層と、第１導電型の第２のクラッド層とを含む。 - 特許庁 - The upper end of the valence band of the electron stopper layer flatly declines from a p-type clad layer side to an active layer side.
電子ストッパー層の価電子帯上端は、ｐ型クラッド層の側から活性層の側に向かって単調に低下する。 - 特許庁 - At least two of the plurality of active layers each include a multilayered laminate, an n-side barrier layer, a well layer, and a p-side barrier layer.
複数の活性層の少なくとも２つは、多層積層体と、ｎ側障壁層と、井戸層と、ｐ側障壁層と、を含む。 - 特許庁 - The semiconductor laser includes a lower clad layer 101, an active layer 102, and a first upper clad layer 103 that are laminated in increasing order on a substrate 100.
基板１００上に、下クラッド層１０１、活性層１０２、第１上クラッド層１０３がこの順に積層されている。 - 特許庁 - The semiconductor region 15 includes a first conductivity type semiconductor layer 23, an active layer 25, and a second conductivity type semiconductor layer 27.
半導体領域１５は、第１導電型半導体層２３、活性層２５及び第２導電型半導体層２７を含む。 - 特許庁 - A buffer layer 11, a non-doped gallium nitride layer 12 and an n-type gallium nitride active layer 13 are formed on a sapphire substrate 10.
サファイア基板１０上に、バッファ層１１、ノンドープの窒化ガリウム層１２及びｎ型窒化ガリウム活性層１３を形成する。 - 特許庁 - A semiconductor laser of a PN junction consists of the p-type base layer 13, the active layer 14 and the n-type base layer 15.
ｐ型ベース層１３、活性層１４、及びｎ型ベース層１５からＰＮ接合型の半導体レーザ部分を構成する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
