「active layer」を含む例文一覧(7476)
＜前へ 1 2 .... 12 13 14 15 16 17 18 19 20 .... 149 150 次へ＞- Thereby, no influence is exerted on an increase in resistance due to reduction of the thickness of the p-type semiconductor layer by forming the surface plasmon layer between the n-type semiconductor layer and the active layer or between the active layer and the p-type semiconductor layer, and optical characteristics can be improved by inducing a resonance phenomenon between the surface plasmon layer and the active layer.
従って、ｎ型半導体層と活性層との間または活性層とｐ型半導体層との間に表面プラズモン層を形成することによってｐ型半導体層の厚さ減少による抵抗増加に影響を受けることなく、表面プラズモン層と活性層との間に共鳴現象を誘導することによって光特性を改善させることができる。 - 特許庁 - The nitride semiconductor light-emitting element includes an n-type nitride semiconductor layer and a nitride semiconductor active layer, has a first p-type nitride semiconductor layer between the n-type nitride semiconductor layer and the nitride semiconductor active layer, and has a second p-type nitride semiconductor layer at a side opposite to a side having the first p-type nitride semiconductor layer when viewed from the nitride semiconductor active layer.
また、ｎ型窒化物半導体層と窒化物半導体活性層とを含み、ｎ型窒化物半導体層と窒化物半導体活性層との間に第１のｐ型窒化物半導体層を備え、窒化物半導体活性層から見て第１のｐ型窒化物半導体層がある側とは反対側に第２のｐ型窒化物半導体層を備えた窒化物半導体発光素子である。 - 特許庁 - The thin film transistor includes: a substrate; a source electrode and a drain electrode on the substrate; an oxide active layer between the source electrode and the drain electrode; a gate electrode on one side of the oxide active layer; a gate insulating film between the gate electrode and the oxide active layer; and a buffer layer between the gate insulating film and the oxide active layer.
本発明の薄膜トランジスターは、基板、基板上のソース電極、及びドレーン電極、ソース電極、及びドレーン電極間の酸化物活性層、酸化物活性層の一面の上のゲート電極、ゲート電極と酸化物活性層との間のゲート絶縁膜、及びゲート絶縁膜と酸化物活性層との間の緩衝層を含む。 - 特許庁 - In the method including thinning of an active layer wafer after laminating the active layer wafer and a supporting layer wafer, when oxygen ion is implanted to the active layer wafer, oxygen ion is implanted with a dose amount of 5×10^15 to 5×10^16 atoms/cm^2 while the temperature of the active layer wafer is maintained at 200°C or lower.
活性層用ウェーハと支持層用ウェーハを貼り合わせたのち、活性層用ウェーハを薄膜化することからなる貼り合わせウェーハの製造方法において、 活性層用ウェーハに酸素イオンを注入するに際し、該活性層用ウェーハの温度を200℃以下に保持した状態で、ドーズ量：５×10^15〜５×10^16atoms/cm^2の条件で酸素イオンを注入する。 - 特許庁 - When the structure of a negative electrode plate comprises metal foil, an electron conducting layer and an active material layer, adhesiveness is enhanced and a current collecting property is improved by using a silane coupling agent for at least an interfacial surface between the electron conducting layer and the active material layer.
負極板の構成が金属箔／電子伝導層／活物質層である場合に、少なくとも電子伝導層／活物質層界面にシランカップリング剤を用い、接着性を高め、集電性向上を図る。 - 特許庁 - The optical semiconductor element B comprises an n-type Zn_1-zMg_zO (barrier layer) 11/Zn_1-xMg_xO (active layer) 15/p-type Zn_1-yMg_yO (barrier layer) 17, and has a structure for emitting light from the active layer 15.
光半導体素子Ｂは、ｎ型Ｚｎ_１−ｚＭｇ_ｚＯ（バリア層）１１/Ｚｎ_１−ｘＭｇ_ｘＯ（活性層）１５/ｐ型Ｚｎ_１−ｙＭｇ_ｙＯ（バリア層）１７からなり、活性層１５から発光する構造である。 - 特許庁 - In an electric storage device, a layer having conductivity is provided by contacting the surface of an active material layer made up of a silicon layer, that is, removing an oxide film such as a natural oxide film formed on the surface of the active material layer.
シリコン層からなる活物質層の表面に形成される自然酸化膜などの酸化膜を除去してから、当該活物質層の表面に接して導電性を有する層を設けた蓄電装置である。 - 特許庁 - The distance d_1 between the photonic crystal layer 7 and the active layer 5 is specified to a degree to introduce 3% or more of the light within the element among the light emitted from the active layer 5 into the photonic crystal layer 7.
活性層５から出た光のうち素子の内部に存在する光の３％以上をフォトニック結晶層７に導入できる程度に、フォトニック結晶層７と活性層５との距離ｄ_1が規定されている。 - 特許庁 - This semiconductor leaser is provided with an n-type Al_xGa_xAs clad layer 2 below an active layer 4, and a p-type (Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP clad layer 6 for controlling barrier height above the active layer 4.
半導体レーザ装置は、活性層４の下方にＡｌ_x1Ｇａ_1-x1Ａｓからなるｎ型クラッド層２を、活性層４の上方に（Ａｌ_x Ｇａ_1-x ）_y Ｉｎ_1-y Ｐからなる障壁高さ規定用ｐ型クラッド層６をそれぞれ備えている。 - 特許庁 - Further, by using the InGaN waveguide layer or the clad layer, a lattice mismatch between the waveguide layer and an active region 116 is reduced, and therefore a high structural fitness of an epi-layer of an active region can be obtained.
さらに、ＩｎＧａＮ導波路層、又はクラッド層の利用は、導波路層と活性領域１１６との間の格子不整合を減少させるため、活性領域のエピ層の構造整合性を高めることもできる。 - 特許庁 - A wider contact area of the active material layer 12 and the surface of the current collector layer 11 is arranged like this and therefore, the exfoliation of the active material layer 12 from the current collector layer 11 can be suppressed efficiently.
こうして、活物質層１２と集電体層１１表面との接触面積が広くとられており、集電体層１１からの活物質層１２の剥離を効果的に抑制することが可能となっている。 - 特許庁 - Namely, an active layer 101 formed of a polysilicon layer is arranged on an insulating substrate 100, and a plurality of gates 20 are arranged on the active layer 101 in a comb teeth shape through a gate insulating layer 102.
すなわち、絶縁性基板１００上にポリシリコン層から成る能動層１０１が配置され、この能動層１０１上にゲート絶縁層１０２を介して、複数のゲート２０がくし歯状に配置されている。 - 特許庁 - The semiconductor laser comprises an MQW active layer formed on a first conductivity type clad layer formed on a first conductivity type substrate, and a second conductivity type clad layer formed on the active layer.
本発明の半導体レーザでは、第１導電型基板上に形成された第１導電型のクラッド層上にＭＱＷ活性層が形成され、その上に第２導電型の第１クラッド層が形成されている。 - 特許庁 - The interface becomes steep between the quantum well active layer 107 and the upper guide layer 109 and between the quantum well active layer 107 and the lower guide layer 105 and epitaxial growth is improved.
上記量子井戸活性層１０７と上ガイド層１０９との間および量子井戸活性層１０７と下ガイド層１０５との間の界面が急峻になるとともに、結晶のエピタキシー成長が良好になる。 - 特許庁 - In the semiconductor optical device, a compound semiconductor layer which includes an active layer is formed on a substrate, and a current constriction layer having an opening part between the substrate and the active layer is formed.
基板上に活性層を含む化合物半導体層が形成されており、該基板と該活性層との間に開口部を有する電流阻止層が形成されていることを特徴とする半導体光デバイス装置。 - 特許庁 - The conductive layer 12 of the first layer has a conductive filler and a binder having ether linkage, and the active material layer 13 of the second layer has at least a positive active material, a conductor, and a binder.
第１層の導電層１２は少なくとも導電性フィラーとエーテル結合部を有する結着剤とを備え、第２層の活物質層１３は少なくとも正極活物質と導電剤と結着剤とを備えている。 - 特許庁 - The negative electrode for lithium secondary battery is composed of a first active material layer 2 consisting of a compound particulate formed directly on the current collector 1 without containing a binder, and a second active material layer 3 formed on the first active material layer using the binder, and the first active material layer contains the compound particulate.
結着剤を含まず集電体１上に直接形成された複合微粒子からなる第１の活物質層２と、結着剤を用いて第１の活物質層の上に形成された第２の活物質層３とからなり、第１の活物質層は複合微粒子を含むリチウム二次電池用負極を作製する。 - 特許庁 - An edge of a seal part facing the edge, which is positioned inside, of the edges of the positive electrode active material layer 13 and the negative electrode active material layer 15 offsetting each other is positioned inside of the edge, which is positioned outside, of the edges of the positive electrode active material layer 13 and the negative electrode active material layer 15 offsetting each other.
また、互いにオフセットしている正極活物質層１３および負極活物質層１５のエッジのうちの内側に位置するエッジと対向するシール部のエッジは、互いにオフセットしている正極活物質層１３および負極活物質層１５のエッジのうちの外側に位置するエッジよりも、内側に位置する。 - 特許庁 - In this nickel hydrogen secondary battery for interposing the separator between a positive electrode active material layer and a negative electrode active material layer, the nickel hydrogen secondary battery is characterized by using the separator having an average hole diameter smaller than either average hole diameter of the positive electrode active material layer and the negative electrode active material layer.
正極活物質層及び負極活物質層の間にセパレータが介在してなるニッケル水素二次電池であって、正極活物質層及び負極活物質層のいずれの平均孔径よりも小さい平均孔径を有するセパレータを用いることを特徴とするニッケル水素二次電池に係る。 - 特許庁 - In at least one of a positive electrode active material layer and a negative electrode active material layer constituting electrodes of a nonaqueous electrolyte battery, the percentage of the volume of the solid contents to the total volume of the active material layer is 50% or lower, and the smoothness of the surface of the active material layer defined by the formula 1 is 50% or higher.
非水電解質電池の電極を構成する正極活物質層または負極活物質層の少なくとも一方において、活物質層の全体積に対する固形分体積の割合を５０％以下とし、さらに、下記数式１：により定義される活物質層表面の平滑率を５０％以上とする。 - 特許庁 - At least one of a positive electrode active material layer and a negative electrode active material layer which constitute electrodes of the non-aqueous electrolyte battery, satisfies that proportion of solid content volume to the total volume of the active material layer is 50% or less and the smoothness modulus of an active material layer surface defined by a formula 1, is 50% or more.
非水電解質電池の電極を構成する正極活物質層または負極活物質層の少なくとも一方において、活物質層の全体積に対する固形分体積の割合を５０％以下とし、さらに、下記数式１：により定義される活物質層表面の平滑率を５０％以上とする。 - 特許庁 - The In composition of an active layer 12b in both the side parts of the ridge stripe 13 is higher than that of the active layer 12b in a part corresponding to the ridge stripe 13, or the thickness of the active layer 12b in the both side parts of the ridge stripe 13 is larger than that of the active layer 12b in the part corresponding to the ridge stripe 13.
リッジストライプ１３に対応する部分の活性層１２ｂのＩｎ組成よりもリッジストライプ１３の両脇の部分の活性層１２ｂのＩｎ組成が高く、あるいは、リッジストライプ１３に対応する部分の活性層１２ｂの厚さよりもリッジストライプ１３の両脇の部分の活性層１２ｂの厚さが大きい。 - 特許庁 - This is equipped with a current collector 11, a first active material layer 12 deposited on the current collector 11 by the aerosol deposition method, and a second active material layer 13 which is deposited on the first active material layer 12 by the aerosol deposition method and of which the average void content is higher than that of the first active material layer 12.
集電体１１と、エアロゾルデポジション法によって集電体１１上に堆積された第１の活物質層１２と、エアロゾルデポジション法によって第１の活物質層１２上に堆積され、かつ前記第１の活物質層１２よりも平均の空隙率が高い第２の活物質層１３とを備える。 - 特許庁 - In this semiconductor laser element, an active layer area I of layer structure including an active layer and a waveguide layer area II butt- joined therewith are formed on a semiconductor substrate, and the butted joint surface J is a vertical surface inclined at 45 degrees to the crystal azimuth (011) of a conductor material comprising at least the active layer in the active layer area I.
活性層を含む層構造の活性層領域Ｉとそれにバットジョイント接合する導波路層領域IIとが半導体基板の上に形成されており、バットジョイント接合面Ｊは、活性層領域Ｉにおける少なくとも活性層を構成する半導体材料の結晶方位［０１１］に対して４５°の角度で傾斜する垂直面である半導体レーザ素子。 - 特許庁 - The semiconductor element comprises second nitride semiconductor layers 31 containing no In between an active layer 12 and an n-type clad layer 25 and between a p-type clad layer 30 and the active layer 12 and first In-containing nitride semiconductor layers 32 between the first nitride semiconductor layers and the active layer, and the active layer composed of quantum wells has two well layers.
ｎ型クラッド層２５、ｐ型クラッド層３０と活性層１２との間に、Ｉｎを含まない窒化物半導体からなる第２の窒化物半導体層３１、さらに第１の窒化物半導体層と活性層との間にＩｎを含む窒化物半導体からなる第１の窒化物半導体層３２とをそれぞれ有し、さらに量子井戸からなる活性層の井戸層数を２とする。 - 特許庁 - To provide a nonaqueous electrolyte battery in which pressing characteristics of an anode active substance layer is improved and a damage to an anode by the anode active substance is prevented.
負極活物質層のプレス特性を改善し、負極活物質による負極への損傷を防止する。 - 特許庁 - Then, the negative electrode active material layer contains the negative electrode active material having the silicon-based negative electrode material as a main component, and a binder.
そして、負極活物質層は、ケイ素系負極材料を主成分とする負極活物質と、バインダと、を含む。 - 特許庁 - The positive electrode active material layer may also further include a conductive material C which is not complexed with positive electrode active material particles.
前記正極活物質層は、正極活物質粒子と複合化していない導電材Ｃをさらに含んでもよい。 - 特許庁 - The negative electrode 10 for non-aqueous electrolyte secondary batteries comprises an active material layer 12 containing a particle 12a of an active material.
非水電解液二次電池用負極１０は、活物質の粒子１２ａを含む活物質層１２を備える。 - 特許庁 - The anode active material particles have a multi-layer structure of the anode active material containing silicon as a composition element.
負極活物質粒子は、ケイ素を構成元素として含有する負極活物質の多層構造を有している。 - 特許庁 - A negative electrode active material layer 22B contains a negative electrode active material of crystalline property having silicon as a constituent element.
負極活物質層２２Ｂは、ケイ素を構成元素として有する結晶性の負極活物質を含んでいる。 - 特許庁 - A positive electrode active material layer 21B contains lithium nickel complex oxide of a high nickel content as a positive electrode active material.
正極活物質層２１Ｂは、正極活物質として、ニッケル含有量が高いリチウムニッケル複合酸化物を含む。 - 特許庁 - An active substance layer 3 including particles 2 of an active substance with a high formation capability for a lithium compound is provided between the surfaces 1.
前記面間に、リチウム化合物の形成能の高い活物質の粒子２を含む活物質層３を備えている。 - 特許庁 - This negative electrode 10 for a nonaqueous electrolyte secondary battery comprises an active material layer 12 containing particles 12a of an active material.
非水電解液二次電池用負極１０は、活物質の粒子１２ａを含む活物質層１２を備えている。 - 特許庁 - The negative electrode for nonaqueous electrolyte secondary battery includes an active material layer containing active material particles that contain Si.
本発明の非水電解液二次電池用負極は、Ｓｉを含有する活物質粒子を含む活物質層を備える。 - 特許庁 - The active matrix layer to be transferred contains not only ITO pixel electrodes 30 but TFT thin film active devices 90 or the like.
転写すべきアクティブマトリックス層は、ＩＴＯ画素電極３０のほか、ＴＦＴ薄膜アクテイブ素子９０等を含む。 - 特許庁 - Then, the negative electrode active material layer contains a negative electrode active material capable of storing/releasing lithium ions, and a stress relaxing material.
そして、該負極活物質層は、リチウムイオンを吸蔵・放出可能な負極活物質と、応力緩和材とを含む。 - 特許庁 - The electrode for the nonaqueous electrolyte secondary battery has an active material layer containing this electrode active material formed on a collector.
この電極活物質を含む活物質層を集電体上に形成してなる非水電解質二次電池用電極。 - 特許庁 - Moreover, at the recess of the active material layer base body, an active material containing an element capable of alloying with lithium is retained.
さらには、前記活物質層基体の有する凹部に、リチウムと合金化しうる元素を含む活物質が保持される。 - 特許庁 - To provide a high-quality alkaline battery which can prevent falling-off of active materials by increasing adhesive strength onto a core body of an active material layer on an opposite side, where an active material layer is scraped off.
活物質層が削り落とされた反対側の活物質層の芯体への接着強度を強くして活物質の脱落を防止できるようにし、高品質なアルカリ蓄電池が得られるようにする。 - 特許庁 - Then, in the MBE device, a current constriction layer, a lower part clad layer, an active layer, and an upper-part clad layer are formed, while an upper-part DBR mirror and a contact layer are formed in the MOCVD device.
続いて、ＭＢＥ装置内で、電流狭窄層、下部クラッド層、活性層、上部クラッド層を形成し、ＭＯＣＶＤ装置内で、上部ＤＢＲミラー、コンタクト層を形成する。 - 特許庁 - On a ZnO single crystal substrate 1, an n-type contact layer 6, an n-type clad layer 7, an active layer 8, p-type clad layer 9, and a p-type contact layer 10 are sequentially laminated.
ＺｎＯ単結晶基板１上にｎ形コンタクト層６、ｎ形クラッド層７、活性層８、ｐ形クラッド層９、及びｐ形コンタクト層１０が順次積層されている。 - 特許庁 - A semiconductor light emitting device includes an n-type semiconductor layer 11, a p-type semiconductor layer 13, and an active layer 12 having a multilayer quantum well structure sandwiched by the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.
半導体発光装置は、ｎ型半導体層１１とｐ型半導体層１３とに挟まれてなる多重量子井戸構造を有する活性層１２とを有している。 - 特許庁 - Impurity density setting regions in both of the N-type clad layer 4 and the P-type clad layer 2 are set to be the regions having a width of 3 μm or less from the interface between a P-type active layer 3 and the N-type clad layer 4/the P-type clad layer 2.
また、不純物密度の設定領域を、Ｎ型クラッド層４、Ｐ型クラッド層２共にＰ型活性層３との界面から３μｍ以内の幅の領域とする。 - 特許庁 - The anode active material layer 22 includes a Li thin film layer 22A formed on the SE layer 3 by a gas phase method and a Li foil layer 22B joined under pressure to the Li thin film layer 22A.
負極活物質層２２は、ＳＥ層３上に気相法により形成されたＬｉ薄膜層２２Ａと、Ｌｉ薄膜層２２Ａに圧接されたＬｉ箔層２２Ｂと、を備える。 - 特許庁 - On the AlN buffer layer 2, an undoped GaN layer 3, an n-type GaN layer 4, an active layer 5 and a p-type GaN layer 6 are sequentially laminated and a separation groove A for separating between the elements is formed.
ＡｌＮバッファ層２上には、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮ層４、活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層され、素子間を分離する分離溝Ａが形成される。 - 特許庁 - Then, when a solid electrolyte layer (SE layer 3) is formed on the positive electrode active material layer 12 of the positive electrode layer 1 by the gas phase method, temperature change of the positive electrode layer 1 is controlled within ±30°C.
そして、正極層１の正極活物質層１２上に固体電解質層（ＳＥ層３）を気相法により形成する際、正極層１の温度変化を±３０℃以内に制御する。 - 特許庁 - Then, when a solid electrolyte layer (SE layer 3) is formed on the positive electrode active material layer 12 of the positive electrode layer 1 by the gas phase method, temperature of the positive electrode layer 1 is controlled at 0-90°C.
そして、正極層１の正極活物質層１２上に固体電解質層（ＳＥ層３）を気相法により形成する際、正極層１の温度を０〜９０℃に制御する。 - 特許庁 - The semiconductor light emitting element includes an n-type cladding layer 13, an active layer 14, a p-type cladding layer 15 containing AlGaInP, an intermediate layer 16, and a p-side contact layer 17 containing GaP, sequentially in this order.
ｎ型クラッド層１３、活性層１４、ＡｌＧａＩｎＰを含むｐ型クラッド層１５、中間層１６およびＧａＰを含むｐ側コンタクト層１７をこの順で備えている。 - 特許庁 - The semiconductor structure includes: a nucleation layer; a thick InGaN layer that is grown on the nucleation layer; and an active layer that is formed on the thick InGaN layer.
本発明にかかる半導体構造は、核形成層と、前記核形成層上に成長させた厚いＩｎＧａＮ層と、前記厚いＩｎＧａＮ層上に形成した活性層と、を備える。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
