「active layer」を含む例文一覧(7476)
＜前へ 1 2 .... 14 15 16 17 18 19 20 21 22 .... 149 150 次へ＞- The semiconductor laser 1 has an active layer 5 of quantum well structure comprising a clad layer 9 composed of p-type semiconductor material, a clad layer 3 composed of n-type semiconductor material and a light confinement layer, and emits a laser beam from the active layer 5.
半導体レーザ１は、ｐ型半導体材料からなるクラッド層９とｎ型半導体材料からなるクラッド層３と光閉じ込め層と量子井戸構造からなる活性層５を有し、活性層５から出射されるレーザ光を出射する。 - 特許庁 - The epitaxial film 30 includes a substrate 32, a first conductivity-type clad layer formed on the substrate 32; an active layer 35 formed on the first conductivity-type clad layer; and a second conductivity-type clad layer formed on the active layer 35.
エピタキシャル膜３０は、基板３２と、基板３２上に形成された第１導電型クラッド層と、第１導電型クラッド層上に形成された活性層３５と、活性層３５上に形成された第２導電型クラッド層とを備えている。 - 特許庁 - The semiconductor light-emitting element comprises: a first cladding layer 111; a nitride semiconductor layer 101 including an active layer 113 and a second cladding layer 116; and current blocking layers 121 for selectively injecting current into the active layer 113.
半導体発光素子は、第１のクラッド層１１１、活性層１１３及び第２のクラッド層１１６を有する窒化物半導体層１０１と、活性層１１３に選択的に電流を注入する電流ブロック層１２１とを備えている。 - 特許庁 - The LED element (the semiconductor light-emitting element) has an n-type active layer 4 having an MQW structure, a diffusion preventive layer 5 formed on the active layer 4 and a semi-insulating second clad layer 6 formed on the diffusion preventive layer 5.
このＬＥＤ素子（半導体発光素子）は、ＭＱＷ構造を有するｎ型活性層４と、活性層４上に形成された拡散抑止層５と、拡散抑止層５上に形成された半絶縁性の第２クラッド層６とを備えている。 - 特許庁 - The semiconductor laser device comprises a lower clad layer, a barrier layer, the active region having the quantum well layer and an upper clad layer laminated on the active region, on a GaAs substrate in such a manner that the quantum well layer is made of In_xGa_1-xAs_1-yP_y, and x is 0.69 or more.
ＧａＡｓ基板上に、下クラッド層、バリア層と量子井戸層を有する活性領域、及び上クラッド層を積層してなる半導体レーザ装置において、前記量子井戸層がＩｎ_xＧａ_1-xＡｓ_1-yＰ_yからなり、ｘが０．６９以上である。 - 特許庁 - Of the laminated structure, the upper layer part of n-InP clad layer, an active layer, the lower-part p-InP clad layer, the AlInAs layer, the upper-part p-InP clad layer, and the p-GaInAs contact layer are formed as a stripe-like ridge 33.
積層構造のうち、ｎ−ＩｎＰクラッド層の上層部、活性層、下部ｐ−ＩｎＰクラッド層、ＡｌＩｎＡｓ層、上部ｐ−ＩｎＰクラッド層、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層は、ストライプ状リッジ３３として形成されている。 - 特許庁 - The semiconductor film includes a current diffusion layer 42, a first p-clad layer 44a, a second p-clad layer 44b, an active layer 46, a first n-clad layer 48a, and a second n-clad layer 48b, which are stacked from the light reflection layer side.
半導体膜は、光反射層側から電流拡散層４２、第１のｐクラッド層４４ａ、第２のｐクラッド層４４ｂ、活性層４６、第１のｎクラッド層４８ａ、第２のｎクラッド層４８ｂを積層して構成される。 - 特許庁 - The cell has a positive electrode layer to reduce oxygen, an electrolyte layer disposed on the periphery of the positive electrode layer, a negative electrode layer disposed on the periphery of the electrolyte layer, and a negative electrode active material layer disposed on the periphery of the negative electrode layer.
セルは、酸素を還元する正極層、正極層の外周に配置された電解質層、電解質層の外周に配置された負極層、負極層の外周に配置された負極活物質層を有している。 - 特許庁 - A semiconductor laser having a structure laminating a buffer layer 11, a grating layer 2, a grating buried layer 3, a light confinement layer 4, a multiple quantum well active layer 5, a light confinement layer 6, and a clad layer 7 is formed on an n-type substrate 1.
ｎ型基板１の上に、バッファ層１１、回折格子層２、回折格子埋込層３、光閉込層４、多重量子井戸活性層５、光閉込層６、クラッド層７を積層した構造の半導体レーザが形成されている。 - 特許庁 - This semiconductor laser 10 has a double-heterojunction multiplayer structure of a 1st buffer layer 14, a 2nd buffer layer 16, an n-type clad layer 18, an active layer/guide layer 20, a p-type clad layer 22, and a p-type cap layer 24 on a substrate 12.
本半導体レーザ素子１０は、基板１２上に、第１バッファ層１４、第２バッファ層１６、ｎ型クラッド層１８、活性層／ガイド層２０、ｐ型クラッド層２２、及びｐ型キャップ層２４のダブルヘテロ接合積層構造を備える。 - 特許庁 - This constitution can prevent impurities from creeping into the active layer.
これにより不純物が活性層に侵入することを抑制することができる。 - 特許庁 - A negative electrode active substance layer 13B contains Si and O as components.
負極活物質層１３Ｂは構成元素としてＳｉとＯとを含んでいる。 - 特許庁 - To provide a novel compound capable of giving a thin film of an organic semiconductor active layer.
有機半導体活性層の薄膜を与え得る新規化合物の提供。 - 特許庁 - In other word, the active layer width of the source and drain region 103 is not more than F/3.
つまり、ソース、ドレイン領域１０３の活性層幅は、Ｆ／３以下である。 - 特許庁 - The electrode active material layer 122 is formed on double faces of the collector 121.
電極活物質層１２２は、集電体１２１の両面に形成される。 - 特許庁 - The negative electrode mixture layer has a negative electrode active material comprising a carbon material.
前記負極合剤層は、カーボン材料からなる負極活物質を有する。 - 特許庁 - The positive electrode active material layer can carry lithium ions or anions reversibly.
正極活物質層はリチウムイオンまたはアニオンを可逆的に担持可能である。 - 特許庁 - The first separation membrane 31 includes a substrate 32 and a separation active layer 33.
第１分離膜３１は、基材３２と、分離活性層３３とを備えている。 - 特許庁 - To manufacture an electronic component having at least one active organic layer.
少なくとも一つの活性有機層を備えた電子構成要素を製造する。 - 特許庁 - An active layer 5 is provided on the first conductive semiconductor region 3.
活性層５は、第１導電型半導体領域３上に設けられている。 - 特許庁 - A positive electrode active material layer 1b is formed on a positive electrode collector 1a.
正極集電体１ａの上に、正極活物質層１ｂを形成する。 - 特許庁 - The active layer is formed on a gate insulation film, corresponding to the gate electrode part.
アクティブ層は、ゲート電極部に対応してゲート絶縁膜上に形成される。 - 特許庁 - In addition, the liquid crystal layer is disposed between the front substrate and the active device array.
更に、液晶層は前面基板とアクテイブ素子アレイの間に配置される。 - 特許庁 - Moreover, this trend continues until at least an active layer 106 is formed completely.
また、この傾向は、少なくとも活性層１０６を形成し終わるまで続く。 - 特許庁 - A thickness of the active material layer 200 is more than 0 μm and less than 10 μm.
また、活物質層２００は、厚さが０μｍ超１０μｍ未満である。 - 特許庁 - The method forms an element isolation layer defining an active region in a semiconductor substrate.
半導体基板に活性領域を画定する素子分離膜を形成する。 - 特許庁 - To manufacture an electronic component having at least one active organic layer.
少なくとも一つの活性有機層を備えた電子構成要素を製造する。 - 特許庁 - ORGANIC FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH ACTIVE CHANNEL FORMED OF DENSIFIED LAYER
高密度化層で形成された能動チャネルを有する有機電界効果トランジスタ - 特許庁 - The active layer preferably includes a polymer compound and a fullerene derivative.
活性層が、高分子化合物とフラーレン誘導体とを含むことが好ましい。 - 特許庁 - An AlGaN layer 6 is formed on a substrate side of the active region.
上記活性領域の基板側には、ＡｌＧａＮ層６が設けられている。 - 特許庁 - ACTIVE ENERGY RAY CURABLE SCREEN INK COMPOSITION FOR FORMING INKJET INK RECEIVING LAYER
インキジェットインキ受理層形成用活性エネルギー線硬化型スクリーンインキ組成物 - 特許庁 - Preferably, the photo-active material is a layer of cross linked azobenzene liquid-crystalline polymers.
好ましくは、光活性材料は、架橋アゾベンゼン液晶ポリマーの層である。 - 特許庁 - Density of the negative electrode active material layer 45 is 1.1-1.3 g/cm^3.
ここで、負極活物質層４５の密度は１．１〜１．３ｇ／ｃｍ^３である。 - 特許庁 - THIN-FILM TRANSISTOR CONTAINING POLYSILICON ACTIVE LAYER, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND ARRAY SUBSTRATE
ポリシリコン活性層を含む薄膜トランジスタ及びその製造方法とアレイ基板 - 特許庁 - The counter substrate has a second alignment layer facing the active component array substrate.
対向基板はアクティブコンポーネントアレイ基板に対面する第２配向層を有する。 - 特許庁 - DEVICE AND METHOD OF FORMING ACTIVE MATERIAL LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING BATTERY
活物質層形成装置、活物質層形成方法及び電池製造方法 - 特許庁 - The surface of the pressure sensitive adhesive layer 31 is subjecte to surface-active treatment.
その感圧接着剤層３１の表面に表面活性化処理を施す。 - 特許庁 - TRANSPARENT THIN FILM FIELD EFFECT TYPE TRANSISTOR USING HOMOLOGOUS THIN FILM AS ACTIVE LAYER
ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ - 特許庁 - To improve an electrical jointing properties, on an interface between a collector layer and an active layer structuring an air electrode.
空気極を構成する活性層と集電層との界面における、電気的な接合性を向上させる。 - 特許庁 - A first layer of a first conductivity is formed to a part of surface layer in an active region of a semiconductor substrate.
第１導電型の第１の層が、半導体基板の活性領域の表層部の一部に形成されている。 - 特許庁 - This electrode for a battery is formed by using the conductive layer as a collector, and stacking an active material layer thereon.
この導電層を集電体としてこの上に活物質層を積層し、電池用電極を形成する。 - 特許庁 - A current interruption layer is arranged between a second electrode layer and the active region for forming an opening.
電流遮断層は、開口部を形成するために第２電極層と活性領域との間に配置される。 - 特許庁 - (1) An active brazing material layer 4 is formed on an AlN board 1 and a copper sheet 2 is connected by a solder layer 3 thereon.
ＡｌＮ板１の上に活性ロウ材層４を設け、その上に銅板２をはんだ層３で接合する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor laser device comprising a carrier stopper layer which hardly prevents the injection of a carrier into an active layer.
活性層へのキャリアの注入を妨げにくいキャリアストッパー層を有する半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁 - The third clad layer 23 is provided on the first active layer 17 and consists of a first conductivity type semiconductor.
第３のクラッド層２３は、第１の活性層１７上に設けられ、第１導電型半導体からなる。 - 特許庁 - Since the layer is formed of a synthetic resin, it has more excellent durability as compared with the anti-static layer using a surface active agent.
また、合成樹脂であるから界面活性剤を用いた帯電防止層に比べて耐久性に優れる。 - 特許庁 - The barrier layer 23b of the active layer 23 is formed of a nitride semiconductor containing Al and In.
そして、活性層２３の障壁層２３ｂが、ＡｌとＩｎとを含む窒化物半導体から構成されている。 - 特許庁 - Thereby the second active layer 111 is formed thicker for the portion of the film thickness of the lower polysilicon layer 102P.
したがって、第２の能動層１１１は下層のポリシリコン層１０２Ｐの膜厚分、厚く形成されている。 - 特許庁 - The intermediate layer (first coated film layer) may contain a surface-active agent and/or a hydrophilic agent.
更に、中間層（第１塗膜層）が界面活性剤及び／又は親水剤を含有するものであってもよい。 - 特許庁 - The second metal wiring layer 12 is preferable for a wiring layer not contributing to a function of the active matrix substrate 1.
第２の金属配線層１２は、アクティブマトリクス基板１の機能に貢献しない配線層であるのが好ましい。 - 特許庁
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