「active layer」を含む例文一覧(7476)
＜前へ 1 2 .... 16 17 18 19 20 21 22 23 24 .... 149 150 次へ＞- The P-type impurities which are directly adjacent to an active layer are doped on a layer in order to manufacture an embedding ribbon laser, and a layer obtained by doping thin N-type impurities is formed on the above layer.
埋め込みリボンレーザを製造するために、活性層に直接隣接するｐ型不純物がドープされた層に、薄いｎ型不純物がドープされた層が形成される。 - 特許庁 - An SiGe alloy layer 4 is formed on this active region 2a, and a silicon film 5 and an n-type diffusion layer (emitter layer) 6 are formed on the SiGe alloy layer 4.
この活性領域２ａ上にＳｉＧｅ合金層４を形成し、ＳｉＧｅ合金層４上にシリコン膜５およびｎ型拡散層（エミッタ層）６を形成する。 - 特許庁 - In this edge emission type semiconductor laser, a second waveguide layer 2 adjoins a second mantle layer 5, and the active layer is not embedded in the second waveguide layer.
エッジ発光型半導体レーザでは第２の外套層（５）に第２の導波体層（２）が隣接しており、この第２の導波体層にはアクティブ層が埋め込まれていない。 - 特許庁 - A layer having a binding site and an electricity conducting site is formed on a counter electrode substrate, and a catalytic active layer comprising a conductive polymer layer is formed on the layer.
対極基体上に結着部位と電気導通部位とを有する層を形成し、該層上に導電性高分子層からなる触媒活性層を形成する。 - 特許庁 - On the semiconductor laminate portion 3, an n-type clad layer 11, an active layer 12, a p-type clad layer 13, and a p-type contact layer 14 are laminated in this order from the side of the substrate 2.
半導体積層部３には、ｎ型クラッド層１１と、活性層１２と、ｐ型クラッド層１３と、ｐ型コンタクト層１４とが基板２側から順に積層されている。 - 特許庁 - The light emitting diode chip 4 comprises a lower clad layer 12, an active layer 13, a current interruption layer 15, and an upper clad layer formed sequentially on a semiconductor substrate 11.
この発光ダイオードチップ４は、半導体基板１１の上に下クラッド層１２、活性層１３、電流遮断層１５、および上クラッド層が順に積層されてなる。 - 特許庁 - In a substrate for active elements, on the upper side of a channel layer 12 and a contact layer 14, a low reflective layer 2a is formed, on which an uppermost layer of source wiring 6b is provided.
アクティブ素子基板において、チャネル層１２及びコンタクト層１４の上部に低反射層２ａを形成し、その上に最上層ソース配線６ｂを設ける。 - 特許庁 - An SOI layer 3 is formed on an embedded oxide film layer (BOX layer) 2, and a MOS transistor 10 is formed in the active region specified by an isolation insulating film 5 on the SOI layer 3.
埋込酸化膜層（ＢＯＸ層）２上に形成されたＳＯＩ層３には、分離絶縁膜５で規定された活性領域にＭＯＳトランジスタ１０が形成されている。 - 特許庁 - In the semiconductor laminate 6; an n-type clad layer 9, an active layer 11, a p-type clad layer 13, and a p-type contact layer 15 are laminated successively on a substrate 7.
半導体積層部６は、基板７上に、ｎ型クラッド層９、活性層１１、ｐ型クラッド層１３、及びｐ型コンタクト層１５が順次積層されてなる。 - 特許庁 - A multi-crystal semiconductor layer 3 is formed as an active layer, and wiring is connected through a contact hole 7 formed in an inter-layer insulating film 6 to the multi-crystal semiconductor layer 3.
多結晶半導体層３を活性層とし、層間絶縁膜６に形成されたコンタクトホール７を介して配線が多結晶半導体層３に接続されている。 - 特許庁 - An n-type semiconductor layer, an active layer 14, and a p-type semiconductor layer are deposited on a substrate 11, and a p-side electrode 22 is provided on the p-type semiconductor layer.
基板１１にｎ型半導体層，活性層１４およびｐ型半導体層が積層され、ｐ型半導体層の上にはｐ側電極２２が設けられている。 - 特許庁 - The semiconductor optical element 1 includes a first n-type semiconductor layer 13, the active layer 15, a p-type semiconductor layer 17, and a second n-type semiconductor layer 19.
半導体光素子１は、第１のｎ型半導体層１３と、活性層１５と、ｐ型半導体層１７と、第２のｎ型半導体層１９とを備える。 - 特許庁 - In a semiconductor laser element containing a quantum well as an active layer 5, an undoped thin spacer layer 7 is provided between an undoped optical guide layer 6 and a p-type clad layer 8.
量子井戸を活性層５とする半導体レーザ素子において、ノンドープ光ガイド層６とｐ型クラッド層８との間にアンドープの薄いスペーサ層７を設ける。 - 特許庁 - A TJS laser element 1 comprises a GaAs substrate 2, a first clad layer 3, an active layer 4, a second clad layer 5, a GaAs contact layer 6, and electrodes 7a and 7b.
ＴＪＳレーザ素子１は、ＧａＡｓ基板２、第１クラッド層３、活性層４、第２クラッド層５、ＧａＡｓコンタクト層６、及び電極７ａ，７ｂを有する。 - 特許庁 - The group III nitride compound semiconductor light-emitting diode includes a substrate, a buffer layer, an N-type semiconductor material layer, an active layer, and a P-type semiconductor material layer.
ＩＩＩ族窒素化合物半導体発光ダイオードは、基板と、バッファ層と、Ｎ型半導体材料層と、活性層と、Ｐ型半導体材料層とを備えている。 - 特許庁 - A semiconductor laser device has a lower clad layer 3, an active layer 4, an upper clad layer 5, a contact layer 9 and an insulated film 6 on the surface of a semiconductor substrate 2.
半導体レーザ装置は、半導体基板２の上面に、下側クラッド層３、活性層４、上側クラッド層５、コンタクト層９、絶縁膜６が生成されている。 - 特許庁 - A nitride semiconductor light emitting element has a nitride semiconductor layer, a p-type nitride semiconductor layer, and an active layer laminated in order on an n-type nitride semiconductor layer.
ｎ型窒化物半導体層上に、窒化物半導体層、ｐ型窒化物半導体層および活性層が順に積層されている窒化物半導体発光素子である。 - 特許庁 - An undoped AlGaN layer of 10 nm or thicker having a band gap equal to or larger than that of a p-AlGaN clad layer is inserted between the clad layer and an active layer.
活性層とｐ−ＡｌＧａＮクラッド層の間に、クラッド層とバンドギャップが同じかより大きいアンドープのＡｌＧａＮ層を１０ｎｍ以上の厚みで挿入する。 - 特許庁 - The chip 10 is constituted by stacking an n-type clad layer 22, an active layer 24, a p-type clad layer 26, and a p-type contact layer 28 in this order on an n-type GaN substrate 20.
チップ１０は、ｎ型クラッド層２２、活性層２４、ｐ型クラッド層２６、ｐ型コンタクト層２８がこの順にｎ型ＧａＮ基板２０に積層して構成される。 - 特許庁 - At least the barrier layer included in the first quantum well active layer, the first guide layer, and the second guide layer have an Al molar ratio of more than 0.47 and 0.60 or less.
少なくとも第１量子井戸活性層を構成するバリア層、第１ガイド層及び第２ガイド層の各々のＡｌ組成は、０．４７よりも大きく且つ０．６０以下である。 - 特許庁 - A current constriction layer 24 which limits the current injection region of the active layer 30 is interposed between the N-type contact layer 21 and the N-type guide layer 23.
ｎ型コンタクト層２１とｎ型ガイド層２３との間には、活性層３０の電流注入領域を制限する電流狭窄層２４が設けられている。 - 特許庁 - A transducer element 65 for ultrasound reception comprises a first active transducer layer 73 connected to a first receiver, and a second active transducer layer 77 laminated to the first active transducer layer 73 and connected to a second receiver.
超音波受信のための変換器素子（６５）は、第１の受信器に接続された第１の活性変換器層（７３）と、第１の活性変換器層（７３）に積層され且つ第２の受信器に接続された第２の活性変換器層（７７）とを具備する。 - 特許庁 - When the area of the positive electrode active material layer is formed so as to be larger than that of the negative electrode active material layer, all LTO (Lithium Titanium Oxide) contained in the negative electrode active material layer is used for charge and discharge.
このように正極活物質層の面積が負極活物質層の面積より大きく形成される場合、負極活物質層に含まれた全てのＬＴＯ（Ｌｉｔｈｉｕｍ Ｔｉｔａｎｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）が充放電に使われる。 - 特許庁 - An actuator thickness t_0 equal to the total thickness of an actuator unit including an active layer arranged between an individual electrode and a common electrode and a non-active layer holding the common electrode in combination with the active layer is measured (actuator thickness measuring step).
個別電極と共通電極との間に配置された活性層及び活性層との間に共通電極を挟む非活性層を含むアクチュエータユニット全体の厚みであるアクチュエータ厚ｔ_０を測定する（アクチュエータ厚測定工程）。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor light emitting element wherein a damage which an active layer receives is reduced and further an Al contained in the active layer is prevented from oxidizing, and to provide the semiconductor light emitting element wherein the Al contained in the active layer is prevented from oxidizing.
活性層が受けるダメージを低減すると共に活性層に含まれるＡｌの酸化を防止できる半導体発光素子の製造方法、及び活性層に含まれるＡｌの酸化が防止された半導体発光素子を提供する。 - 特許庁 - To provide a method by which a nitride semiconductor element having superior characteristics, such as a superior light emitting characteristic, etc., can be manufactured by solving problems, such as the deterioration of an active layer, etc., caused by the growth temperatures of the active layer and nitride semiconductor layers which are laminated upon another after the active layer is grown.
活性層とその後に積層する窒化物半導体層の成長温度に起因する活性層の劣化等の問題を解決し、発光特性などの素子特性の優れた窒化物半導体素子を製造する方法を提供する。 - 特許庁 - A positive electrode plate comprises a first active material layer with a porosity of 50% or less, and a second active material layer with a porosity of 50% or more coated over the surface of the first active material layer.
鉛蓄電池の正極板であって、多孔度が５０％以下の活物質層を第１の活物質層とし、該第１の活物質層の表面に多孔度が５０％を超える活物質からなる第２の活物質層を有することを特徴とする。 - 特許庁 - An active layer 5 is formed on this substrate, and then a semiconductor active layer 6 of different conductivity type is formed on the active layer 5 by a chemical vapor deposition method or a diffusion method so that a PN-joint face having a stereoscopic structure can be formed.
この基板に、活性層５を形成し、次に、化学的気相成長法あるいは拡散法により、活性層５の表面に異種伝導型の半導体活性層６を形成して、立体的構造を持つＰＮ接合面を形成する。 - 特許庁 - The avalanche quantum intersubband transition semiconductor laser includes a first cladding layer, an active layer, and a second cladding layer formed on a semiconductor substrate, wherein the active layer includes at least one unit-cell structure which consists of combination of a carrier-multiplication structure layer for multiplying carriers, a carrier guide structure layer and a QW active region to which carriers are injected and in which optical radiative transitions occur.
半導体基板上に形成される第１のクラッド層、活性層及び第２のクラッド層を含み、 前記活性層は、キャリアを増倍させるキャリア増倍構造層と、キャリアガイド構造層と、前記キャリアが注入され、光放射遷移(optical radiative transition)が生じるＱＷ活性領域との組み合わせからなる少なくとも一つの単位セル構造物を含む。 - 特許庁 - This semiconductor laser comprises an active layer, a ridge formed like a belt at a part on the active layer, a current rejecting layer which is formed in both sides of the ridge to reject a current flowing into the active layer, and a thin cap layer which is formed on the current rejecting layer and has small spreading resistance in the lateral direction.
活性層と、前記活性層上の一部に帯状に形成されたリッジ部分と、前記リッジ部分を挟んでその両側に形成され前記活性層に向かう電流を阻止する電流阻止層と、前記電流阻止層上に形成され横方向の広がり抵抗が小さい薄膜のキャップ層と、を備える半導体レーザを提供する。 - 特許庁 - On a sapphire substrate 11, a GaN buffer layer 12, an n-type GaN contact layer 13, an n-type InGaN quantum well active layer 14, a p-type AlGaN sublimation preventing layer 15, and a p-type GaN contact layer 16 are laminated sequentially and the quantum well active layer 14 has a well layer sandwiched by a pair of partition wall layers.
サファイア基板１１上に、ＧａＮバッファ層１２、ｎ型ＧａＮコンタク層１３、ｎ型ＩｎＧａＮ量子井戸活性層１４、ｐ型ＡｌＧａＮ昇華防止層１５、ｐ型ＧａＮコンタクト層１６が順次積層されており、量子井戸活性層１４は、一対の障壁層にて挟まれた井戸層を有している。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a multilayer structure made of semiconducting materials which includes an active layer, a support layer, and an electrically insulating layer between the active layer and the support layer, the method including modifying the density of carrier traps and/or the electrical charge within the electrically insulating layer in order to minimize electrical losses in the structure support layer.
能動層と、支持層と、能動層と支持層の間の電気絶縁層とを備える、半導体材料製の多層構造を製造するための方法であって、構造支持層内の電気的損失を最小限に抑えるために、キャリア・トラップの密度および／または電気絶縁層内の電荷を修正する方法を提供する。 - 特許庁 - A GaN buffer layer 12, an n-type GaN contact layer 13, an n-type InGaN quantum well active layer 14, a p-type AlGaN sublimation preventing layer 15, and a p-type GaN contact layer 16 are laminated successively on a sapphire substrate 11, where the quantum well active layer 14 is equipped with a well layer sandwiched inbetween a pair of barrier layers.
サファイア基板１１上に、ＧａＮバッファ層１２、ｎ型ＧａＮコンタク層１３、ｎ型ＩｎＧａＮ量子井戸活性層１４、ｐ型ＡｌＧａＮ昇華防止層１５、ｐ型ＧａＮコンタクト層１６が順次積層されており、量子井戸活性層１４は、一対の障壁層にて挟まれた井戸層を有している。 - 特許庁 - There is provided a semiconductor layer 20, which is formed of an n-type clad layer 21, an active layer 22, a p-type clad layer 23 that includes a stripe shaped embedded ridge portion 28, an n-type buffer layer 24, a p-type contact layer 25, an etching stop layer 26, and a gap layer 27, laminated in this order.
ｎ型クラッド層２１、活性層２２、ならびにストライプ状の埋込リッジ部２８を含むｐ型クラッド層２３、ｎ型バッファ層２４、ｐ側コンタクト層２５、エッチングストップ層２６およびキャップ層２７をこの順に積層してなる半導体層２０を備える。 - 特許庁 - The positive pole current-collecting foil 31 and the negative pole current-collecting foil 36 are stacked so that the positive pole active material layer 32 is opposite to the negative pole active material layer 37 via an electrolytic layer 41.
正極集電箔３１および負極集電箔３６は、正極活物質層３２と負極活物質層３７とが電解質層４１を介して対向するように重ね合わされている。 - 特許庁 - In the IGBT 10, a crystal defect layer 25 is formed in an n-type layer 102 in an active region 20 and a crystal defect layer 25 is formed in a p-type substrate 101 in a non-active region 40.
このＩＧＢＴ１０においては、結晶欠陥層２５が、活性領域２０においてはｎ層１０２中に、非活性領域４０においてはｐ型基板１０１中に形成されている。 - 特許庁 - At a part along a light output end surface at least from the etching stop layer 104 corresponding to a lower part of the ridge to the active layer 102, an impurity is diffused and the active layer 102 is subjected to mixed crystallization.
少なくともリッジの下部にあたるエッチングストップ層１０４から活性層１０２までの光出射端面に沿った部分に、不純物が拡散されて活性層１０２の混晶化が行われている。 - 特許庁 - Moreover, the width L2 that constricts a current route from both the edges of this active layer AL as a part of the insulating layer 12 in the upper part of the active layer AL is set as "10 μm" or below.
そして、その絶縁膜１２の一部として活性層ＡＬの上方で同活性層ＡＬの両端から電流経路を狭窄する両エッジ部分の幅Ｌ２を「１０μｍ」以下に設定する。 - 特許庁 - A deformable layer 16 is in operational contact with the first surface of the active layer 14 and an electrode configuration 20 consisting of a plurality of electrodes come in operational contact with the second surface of the active layer 14.
可変形層１６は、活性層１４の第１の表面と機能的に接触し、複数の電極からなる電極構成体２０は、活性層１４の第２の表面と機能的に接触する。 - 特許庁 - An overflow prevention layer 12 is provided as to work as a barrier to suppress the overflow of electrons injected to an active layer 106 and its barrier working on a hole before injecting electrons to the active layer 106 is released.
活性層に注入された電子のオーバーフローを抑制するバリアとして作用し、さらに、活性層に注入される前の正孔に対するバリア作用が緩和されたオーバーフロー防止層を設ける。 - 特許庁 - With the electrode plate for the secondary battery made by laminating a collector and an active material layer, a phosphor-containing layer is interposed between the collector and the active material layer.
本発明の電極板は、集電体と活物質層とを積層してなる二次電池用電極板において、前記集電体と活物質層との間に、リン含有層を介在させたものである。 - 特許庁 - A polymer electrolyte layer 17 is interposed between a positive active material layer 13 of a positive sheet 11 and a negative active material layer 16 of a negative sheet 17, and the positive sheet and the negative sheet are stacked.
正極シート１１の正極活物質層１３と、負極シート１４の負極活物質層１６との間に、ポリマー電解質層１７を介装して正極シート及び負極シートが積層される。 - 特許庁 - To suppress influence to an active layer caused by distortion introduced on the occasion of regrowth, in a gallium nitride system semiconductor laser element having a structure in which the active layer is arranged on a refractive index distribution layer.
屈折率分布層上に活性層が配置された構成を備える窒化ガリウム系の半導体レーザ素子において、再成長の際に導入された歪みによる活性層への影響を抑える。 - 特許庁 - The nitride-based semiconductor laser device includes: an active layer 5 made of a nitride-based semiconductor; and a p-type cladding layer 8, made of a nitride-based semiconductor, and formed on the active layer 5.
この窒化物系半導体レーザ素子は、窒化物系半導体からなる活性層５と、その活性層５上に形成され、窒化物系半導体からなるｐ型クラッド層８とを備えている。 - 特許庁 - The electrode for the nonaqueous electrolyte secondary battery includes a positive active material layer 21 containing no binder and the electron insulating layer 22 formed by an aerosol deposition method on the positive active material layer 21.
本発明の非水電解質二次電池の電極は、バインダを含まない正極活物質層２１と、正極活物質層２１上にエアロゾルデポジッション法により形成された電子絶縁層２２とを備える。 - 特許庁 - A first region 17a of the first semiconductor spacer layer 17 is located on the first area 15b of the active layer 15, and a second region 17b is located on a second area 15c of the active layer 15.
第１の半導体スペーサ層１７の第１の領域１７ａは、活性層１５の第１のエリア１５ｂ上に位置し、また第２の領域１７ｂは活性層１５の第２のエリア１５ｃ上に位置する。 - 特許庁 - The semiconductor light emitting element comprises a sapphire substrate 1 having a c-face as a major surface, a light emitting active layer 6 formed on the sapphire substrate 1, and a reflective layer for reflecting light from the active layer 6.
半導体発光素子は、ｃ面を主面とするサファイア基板１と、サファイア基板１の上に形成され、発光する活性層６と、活性層６からの光を反射する反射層とを有する。 - 特許庁 - A positive electrode active layer 31, a solid electrolyte layer 32 and a negative electrode active layer 33 are laminated on the anode electrode 23 of the LCD 20 to form a solid electrolyte cell 30.
発光ダイオ−ド２０のアノ−ド電極２３上に、正極活性質層３１と固体電解質層３２と負極活性質層３３とを積層して固体電解質電池３０を形成する。 - 特許庁 - In the manufacturing method of this semiconductor laser, a cap layer 5a having an aperture 5d in the width w1 corresponding to the width of active layer on a semiconductor film 3 to form the active layer.
この半導体レーザの製造方法では、まず、活性層を形成するための半導体膜３上に、活性層の幅に対応する幅ｗ１の開口５ｄを有するキャップ層５ａを形成する。 - 特許庁 - The n-type layer is in contact with the active region in a first contact region substantially perpendicular to the active region so as to inject electrons into the active region in a lateral direction.
ｎ型層は、活性領域に横方向で電子を注入するために、活性領域に実質的に垂直な第１の接触領域で活性領域と接している。 - 特許庁
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