「active layer」を含む例文一覧(7476)
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基板１００上に、下クラッド層１０１、活性層１０２、第１上クラッド層１０３、エッチングストップ層１０４、リッジとしての第２上クラッド層１０６がこの順に積層されている。 - 特許庁 - In an SOI substrate 12, an SOI active layer 3 is formed on a buried oxide film 2, and at least a part of the layer 3 is formed by ALE (atomic layer epitaxy: atomic layer epitaxial growth).
埋め込み酸化膜２上に、ＳＯＩ活性層３が形成され、この少なくとも一部がＡＬＥ（Atomic Layer Epitaxy:原子層エピタキシャル成長）によって形成されているＳＯＩ基板１２。 - 特許庁 - An npn bipolar transistor consists of a first semiconductor layer group sharing constituted of the n-type emitter layer 12, the p-type base layer 13, the active layer 14, and the n-type base layer 15.
ｎ型エミッタ層１２、ｐ型ベース層１３、活性層１４、及びｎ型ベース層１５からなる第１の半導体層群区分からｎｐｎ型のバイポーラトランジスタを構成する。 - 特許庁 - A pnp bipolar transistor consists of a second semiconductor layer sharing constituted of a p-type base layer 13, the active layer 14, the n-type base layer 15 and the p-type emitter layer 16.
ｐ型ベース層１３、活性層１４、ｎ型ベース層１５、及びｐ型エミッタ層１６からなる第２の半導体層群区分からｐｎｐ型のバイポーラトランジスタを構成する。 - 特許庁 - In the device, there is formed proton implanted parts 34 that reaches a first clad layer 12 by penetrating a contact layer 24, a current blocking layer 20, a second clad layer 16, and an undoped active layer 14.
コンタクト層２４と電流ブロック層２０と第２クラッド層１６とアンドープ活性層１４とを貫通して、第１クラッド層１２まで達するプロトン注入部３４を形成する。 - 特許庁 - An n-type buffer layer, an n-type clad layer, an active layer 38, a p-type clad layer and a p-type cap layer are sequentially laminated on an n-type substrate, and an (n) electrodes 44 is provided on a lower surface of the substrate.
ｎ型基板上に、ｎ型バッファ層、ｎ型クラッド層、活性層３８、ｐ型クラッド層、及びｐ型キャップ層を順次積層し、基板の下面にｎ電極４４を設ける。 - 特許庁 - On the AlN buffer layer 2, an undoped GaN layer 3, an n-type GaN layer 4, an active layer 5, and a p-type GaN layer 6 are laminated in order, and an isolation groove A isolating elements is formed.
ＡｌＮバッファ層２上には、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮ層４、活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層され、素子間を分離する分離溝Ａが形成される。 - 特許庁 - On a surface of a substrate 1, a semiconductor layer 30 is formed which has an undoped GaN layer 2, an n-type semiconductor layer 3, an active layer 4, and a p-type semiconductor layer 5 laminated in this order.
基板１表面には、アンドープＧａＮ層２、ｎ型半導体層３、活性層４、ｐ型半導体層５がこの順に積層した半導体層３０を形成してある。 - 特許庁 - The semiconductor layer 11 includes an n-type semiconductor layer, an active layer thereupon, and a p-type semiconductor layer further thereupon, and the Ni ultrathin film 12 is formed in contact with the p-type semiconductor layer.
半導体層１１はｎ型半導体層、その上の活性層およびその上のｐ型半導体層を含み、このｐ型半導体層に接してＮｉ超薄膜１２を形成する。 - 特許庁 - In the semiconductor light emitting element, a lower cladding layer 32, an active layer 33, an upper cladding layer 34, and a contact layer 35 are formed on an opening 20A of an insulating layer 20 on a surface of a substrate 10 in this order.
基板１０表面の絶縁層２０の開口２０Ａ上に、下部クラッド層３２と、活性層３３と、上部クラッド層３４と、コンタクト層３５とが順に形成されている。 - 特許庁 - Since the active layer is formed in the p-type semiconductor and the n-type semiconductor is formed on the active layer, a region by the side of a lower layer which is a region in which good quantum dot is formed among the active layers becomes a region nearer at the p-type semiconductor of the active layers.
ｐ形半導体に活性層が形成されており、活性層上にｎ形半導体が形成されているため、活性層のうちで良質な量子ドットが形成される領域である下層側の領域は、活性層のうちのｐ形半導体に近い領域となる。 - 特許庁 - The active material is firmly fixed to the surface of the collector by connecting active materials without using the binder, and the electrode active material layer made of at least two layers of an accurate layer formed by the active material and substantially having no gap and a gap formation layer is formed.
結着材を用いずに活物質同士を接合させることにより該活物質を集電体表面に固着させるとともに、当該活物質から構成される実質的に空隙を有しない緻密層と、空隙形成層の少なくとも２層から電極活物質層を構成する。 - 特許庁 - A negative electrode 30 includes: a negative current collector 31 in which a negative active material layer 33 containing an active material capable of absorbing and releasing lithium is formed on the surface 32; and a conductive member 35 formed on the negative active material layer and extending in the thickness direction within the negative active material layer.
負極３０は、リチウムを吸蔵、放出可能な活物質を含む負極活物質層３３が表面３２に形成された負極集電体３１と、負極活物質層に設けられ、負極活物質層内において厚み方向に伸びる導電性部材３５と、を有している。 - 特許庁 - Active materials are fixed on a surface of a collector by joining the active materials together without using any bonding materials, and the electrode active material layer is composed of two layers: a compact layer that is composed of the active material and substantially does not have voids and a void-forming layer.
結着材を用いずに活物質同士を接合させることにより該活物質を集電体表面に固着させるとともに、当該活物質から構成される実質的に空隙を有しない緻密層と、空隙形成層の少なくとも２層から電極活物質層を構成する。 - 特許庁 - An electrode active material layer 5 is formed by bonding active materials together without using a binder to fix the active materials onto a surface of a collector 2 and comprises at least a dense layer 3 made of the active materials and having substantially no void, and a void formation layer 4.
結着材を用いずに活物質同士を接合させることにより該活物質を集電体２表面に固着させるとともに、当該活物質から構成される実質的に空隙を有しない緻密層３と、空隙形成層４の少なくとも２層から電極活物質層５を構成する。 - 特許庁 - Then, a core layer 8 is formed by irradiating the photosensitive transparent resin layer 5 with the active energy rays using the lamination layer 6 having such constitution.
このような構成の積層材６を用い、感光性透明樹脂層１２に活性エネルギー線を照射してコア層８を形成する。 - 特許庁 - The laminate 11 is composed of a clad layer 12, an active layer 13 and a clad layer 14 which are formed starting from the substrate 10.
積層体１１は、基板１０の側から順にクラッド層１２，活性層１３およびクラッド層１４が形成されたものである。 - 特許庁 - An n-type clad layer 7 of III nitride compound conductor, an active layer 9, and a p-type clad layer 11 are formed thereon.
その上にＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体よりなるｎ型クラッド層７，活性層９，ｐ型クラッド層１１などを積層する。 - 特許庁 - Further, the efficiency of carrier injection to the active layer 145 can be improved by providing both Hall stop layer 143 and electron stop layer 147.
また，ホール停止層１４３と電子停止層１４７とを設けることで，活性層１４５へのキャリア注入の効率化が図られる。 - 特許庁 - An inclination composition layer 104 of about 5 to 100 nm film thickness is formed between the base layer 103 and the active layer 105.
ベース層１０３と活性層１０５との間には、膜厚が約５ｎｍ〜約１００ｎｍの傾斜組成層１０４が形成されている。 - 特許庁 - An active layer 104 has a quantum well structure including: a well layer constituted of GaInPAs; and a barrier layer constituted of Ga_0.6In_0.4P.
活性層１０４は、ＧａＩｎＰＡｓからなる井戸層と、Ｇａ_０．６Ｉｎ_０．４Ｐからなる障壁層とを含む量子井戸構造からなる。 - 特許庁 - In a semiconductor optical device, a compound semiconductor layer is laminated which includes an etching stop layer 32 and an active layer 36 and is laminated on a semiconductor substrate 2.
半導体基板２に積層された、エッチング停止層３２と活性層３６とを含む化合物半導体層を積層する。 - 特許庁 - An opening divides the p-type compound semiconductor layer and active layer into at least two regions, and exposes the n-type compound semiconductor layer.
開口部がｐ型化合物半導体層及び活性層を少なくとも二領域に分け、ｎ型化合物半導体層を露出する。 - 特許庁 - On an InP substrate 11, a semiconductor laminate part 10 is grown which has an active layer 14a and a surface layer (cap layer) 17a.
ＩｎＰ基板１１上に、活性層１４ａ及び表層（キャップ層）１７ａを有する半導体積層部１０を成長させる。 - 特許庁 - The active layer 10 has a multiple quantum well structure for which an InGaN quantum well layer and an AlGaN barrier layer are stacked.
活性層１０は、ＩｎＧａＮ量子井戸層とＡｌＧａＮ障壁層とを積層した多重量子井戸構造を有している。 - 特許庁 - The section 1 has the double heterostructure, constituted by laminating a p-type clad layer 8, the active layer 4, and an n-type clad layer 7 on another.
該発光層部１は、ｐ型クラッド層８、活性層４及びｎ型クラッド層７が互いに積層されたダブルヘテロ構造を有する。 - 特許庁 - The semiconductor laser element 10 includes a first conductivity type clad layer 11, a second conductivity type clad layer 15, and an active layer 13.
半導体レーザ素子１０は、第１導電型クラッド層１１と、第２導電型クラッド層１５と、活性層１３と、を備えている。 - 特許庁 - A first semiconductor layer 20, an active layer 30, and a second semiconductor layer 40 are successively laminated on the one surface of a board 10.
基板１０の一面に、第１の半導体層２０，活性層３０および第２の半導体層４０が順に積層されている。 - 特許庁 - On the upper surface of a sapphire substrate 1, an N-type semiconductor layer 2, an active layer 4, and a P-type semiconductor layer 5 are laminated in this order.
サファイア基板１の上面には、Ｎ型半導体層２、活性層４、Ｐ型半導体層５がこの順に積層してある。 - 特許庁 - The temperature of the substrate is set higher than that when forming the first layer, a second layer 5 composed of InP being formed, with an active layer 7 being formed thereon.
基板温度を第１の層の形成時よりも高くし、ＩｎＰからなる第２の層を形成し、その上に、活性層を形成する。 - 特許庁 - The active layer 4 is formed by alternately stacking an InN layer 4a with a first thickness and a GaN layer 4b with a second thickness.
活性層４は第１の厚さのＩｎＮ層４ａと第２の厚さのＧａＮ層４ｂとを交互に積層して形成されている。 - 特許庁 - An active layer composed of semiconductor material whose band gap is smaller than that of the lower carrier confining layer is formed on the lower carrier confining layer.
下部キャリア閉込層の上に、下部キャリア閉込層よりもバンドギャップの小さな半導体材料からなる活性層が形成されている。 - 特許庁 - To provide a high quality GaN-based light-emitting element, in which a GaNP layer or a GaNAs layer is used as an active layer and to provide its formation method.
ＧａＮＰやＧａＮＡｓを活性層とした良質なＧａＮ系発光素子およびその作成方法を提供すること。 - 特許庁 - The surface-emitting semiconductor laser device is provided with a lamination structure wherein an active layer 26 is formed between a pair of a lower clad layer 24 and an upper clad layer 28.
一対の下部クラッド層２４と上部クラッド層２８の間に活性層２６が形成されている積層構造を備えている。 - 特許庁 - An n-type clad layer 21, an active layer 25 and a p-type clad layer 23 are arranged in the direction of a normal axis NX of a principal surface 17a.
ｎ型クラッド層２１、活性層２５及びｐ型クラッド層２３は主面１７ａの法線軸ＮＸの方向に配置される。 - 特許庁 - On the composition modulation buffer layer 20, first semiconductor layer 40 is formed which includes an active layer made of a nitride semiconductor.
組成変調バッファ層２０上に、窒化物半導体からなる活性層を含む第１の半導体層４０が形成されている。 - 特許庁 - At an interface between the SCH layer 52 and the clad layer 16, a uniform diffraction grating 36 is formed over the entire length of the active layer 45.
ＳＣＨ層５２とクラッド層１６との界面には、活性層４５の全長に沿って均一回折格子３６が設けられている。 - 特許庁 - The quantum well layer 32 and the barrier layer 31 in the active layer 30 are each composed of a nitride semiconductor containing Al.
また、活性層３０の量子井戸層３２および障壁層３１は、それぞれ、Ａｌを含む窒化物半導体から構成されている。 - 特許庁 - A constant diffraction grating 36 is provided along the total length of the active layer 45 on a boundary between the intermediate layer 15 and the clad layer 16.
中間層１５とクラッド層１６との界面には、活性層４５の全長に沿って均一回折格子３６が設けられている。 - 特許庁 - The semiconductor laser element 1 includes a photonic crystal layer 7 as a two-dimensional diffraction grating and an active layer 5 as a light emitting layer.
半導体レーザ素子１は、２次元回折格子としてのフォトニック結晶層７と発光層としての活性層５とを備える。 - 特許庁 - The semiconductor laser device 1A includes: an n-type semiconductor substrate 3; an active layer 12; a diffraction lattice layer 15; and an n-type clad layer 18.
半導体レーザ素子１Ａは、ｎ型半導体基板３、活性層１２、回折格子層１５、及びｎ型クラッド層１８を備える。 - 特許庁 - A uniform diffraction grid 36 is provided in an interface between the upper intermediate layer 15b and the clad layer 16 along the active layer 45.
上部中間層１５ｂとクラッド層１６との界面には、活性層４５に沿って均一回折格子３６が設けられている。 - 特許庁 - The first p-type group III nitride semiconductor layer 27 is provided between the second p-type group III nitride semiconductor layer 29 and the active layer 25.
第１ｐ型III族窒化物半導体層２７は第２ｐ型III族窒化物半導体層２９と活性層２５との間に設けられる。 - 特許庁 - A semiconductor device is provided with an active layer (activate layer) 105 comprising a first semiconductor layer that is formed on a sapphire substrate 101.
半導体装置は、サファイア基板１０１上に形成された第１の半導体層よりなる能動層（活性層）１０５を備えている。 - 特許庁 - The semiconductor light emitting device is provided with a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer interposing an active layer and mutually joined.
半導体発光素子は、活性層を介在させて互いに接合されたｐ型半導体層とｎ型半導体層とを備える。 - 特許庁 - A diffraction grid 35 is provided in the interface between the SCH layer 52 and the clad layer 16 along only one part of length of the active layer.
ＳＣＨ層５２とクラッド層１６との界面には、活性層の長さの一部分のみに沿って、回折格子３６が設けられている。 - 特許庁 - A p-clad layer 105 is composed of two layers having a different carrier concentration, and a Zn dope amount of a p-clad layer 105B on the far side from an active layer 104 is set to be lower than a p-clad layer 105A on the close side to the active layer 104.
ｐ−クラッド層１０５を、キャリア濃度が異なる２層から構成し、活性層１０４に近い側のｐ−クラッド層１０５Ａに対して、活性層１０４に遠い側のｐ−クラッド層１０５ＢのＺｎドープ量が低くなるように設定する。 - 特許庁 - The solid electrolyte cell has a structure in which a positive electrode collector layer 12, a positive electrode active material layer 13, a solid electrolyte layer 14, a negative electrode active material layer 15 and a negative electrode collector layer 16 are sequentially laminated on a substrate 11.
固体電解質電池は、基板１１上に、正極集電体層１２と正極活物質層１３と固体電解質層１４と負極活物質層１５と負極集電体層１６とが順次積層された構造を有する。 - 特許庁 - An N-type GaAlAs clad layer 2 and P-type GaAlAs clad layer 4 confine injection carriers in a P-type GaAlAs active layer 3, while an N-type GaAs block layer 5 concentrates a current in the light-emission region of the active layer 3.
Ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２およびＰ型ＧａＡｌＡｓクラッド層４によってＰ型ＧａＡｌＡｓ活性層３内の注入キャリアを閉じ込め、Ｎ型ＧａＡｓブロック層５によって、活性層３の発光領域に電流を集中させる。 - 特許庁 - The method includes a process of forming a collecting layer 12 on a resin layer 11 in vacuum processing, and a process of forming an active material layer 13 on the collecting layer 12 by injecting an active material together with carrier gas into the collecting layer 12.
真空プロセスによって樹脂層１１の上に集電層１２を形成する工程と、集電層１２に対して活物質をキャリアガスと共に噴射することにより、集電層１２上に活物質層１３を形成する工程とを包含する。 - 特許庁
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