「active layer」を含む例文一覧(7476)
＜前へ 1 2 .... 15 16 17 18 19 20 21 22 23 .... 149 150 次へ＞- An insulator film 7 is formed above an organic TFT 200 and on the active layer/hole injection layer 6.
有機ＴＦＴ２００の上方でかつ活性層兼ホール注入層６上に絶縁膜７を形成する。 - 特許庁 - To provide a III nitride compound semiconductor laser diode, in which the stress of a guide layer pinching an active layer is relaxed.
活性層を挟むガイド層の応力が緩和されたIII族窒化物半導体レーザダイオードを提供すること。 - 特許庁 - Between the organic acid-containing nuclear particle and the active ingredient-containing layer, a slow-release coating layer may be arranged further.
該有機酸含有核粒子および該有効成分含有層の間に、徐放性被膜層を更に有してよい。 - 特許庁 - An even and high-resistance N- layer con be manufactured easily on the active layer side of a laminated substrate at a low cost.
張り合わせ基板の活性層側に均一で高抵抗のＮ^−層を簡単に低コストで作製できる。 - 特許庁 - To improve the element characteristics of a thin film bipolar transistor, using a thin polysilicon layer as an active layer.
活性層として薄い多結晶シリコン層を用いた薄膜バイポーラトランジスタの素子特性を改善すること。 - 特許庁 - When a reverse voltage is applied, the first forward FP 45 stops the depletion layer extending from the active layer 10.
逆方向の電圧印加時、第１順方向ＦＰ４５は、活性領域１０から伸びる空乏層を止める。 - 特許庁 - To provide an optical semiconductor element that increases planarity of an active layer, and includes a cladding layer preventing surface oxidation.
活性層の平坦性を高くすると共に、表面酸化しないクラッド層を備えた光半導体素子とする。 - 特許庁 - The cathode buffer layer 5 is provided between the active layer and the cathode 6, and contains a compound having a cinnoline skeleton.
陰極バッファ層５は、活性層と陰極６との間に設けられ、シンノリン骨格を有する化合物を含む。 - 特許庁 - On the n-type InP cladding layer 16, an insulating film 17 is formed so as to cover the upper part of the active layer 15.
ｎ型ＩｎＰクラッド層１６上に、活性層１５の上方を覆うように絶縁膜１７を形成する。 - 特許庁 - The first layer 14 is an active elastic layer having a low stiffness per unit area that can be electrically activated.
第１の層１４は電気的に励起可能で単位面積あたりの剛性の小さい能動型弾性層である。 - 特許庁 - An active region 13 is provided between a p-type semiconductor layer 15 and an n-type semiconductor layer 17.
活性領域１３は、ｐ型半導体層１５とｎ型半導体層１７との間に設けられている。 - 特許庁 - On the semiconductor substrate 1, an Al_xGa_1-xAs layer 3 and the active layer 6 are deposited in this order.
半導体基板１上にＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ層３と、活性層６とをこの順に堆積する。 - 特許庁 - The manufacturing method of an epitaxial wafer includes a barrier layer formation step, and a device active layer formation step.
また、バリア層形成工程と、デバイス活性層形成工程とを含むエピタキシャルウェーハの製造方法である。 - 特許庁 - A second electrode supplies a current to the tuning layer, and this current is supplied independently from the current for the active layer.
第２の電極が、チューニング層に、活性層に供給される電流とは独立に電流を供給する。 - 特許庁 - The p-type clad layer 54 is arranged between the active layer 18 and the top surface 52t of the semiconductor mesa 52.
ｐ型クラッド層５４は、活性層１８と半導体メサ５２の頂面５２ｔとの間に配置されている。 - 特許庁 - On an anode collector 11 has an anode active substance layer 13 with a conductive adhesive layer 12 between.
負極集電体１１に、導電性接着層１２を介して負極活物質層１３が設けられている。 - 特許庁 - The active layer 17 is provided on a primary surface 15a of the InGaN layer 15.
活性層１７は、ＩｎＧａＮ層１５の主面１５ａ上に設けられ、この主面１５ａに接触している。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a coated active material, which enables the efficient and short-time production of a coated active material having an active material and a coating layer uniformly covering the surface of the active material.
本発明は、活物質の表面が被覆層で均一に被覆された被覆活物質を短時間で効率良く得ることが可能な被覆活物質の製造方法を提供することを主目的とする。 - 特許庁 - Alternatively, a collector having a first layer having pores and a second layer arranged on the first layer and provided with a porosity lower than that of the first layer is arranged, and interface resistance with the active material layer is lowered, while the physical binding force with the active material layer is increased.
または、空隙を有する第１層と、この第１層に設けられ、第１層よりも空隙率が小さい第２層とを有する集電体を備えており、活物質層との界面抵抗が小さくなっていると共に、活物質層との物理的な結着力が強化されている。 - 特許庁 - The clad layer 6 contains more constituent elements than an n-type clad layer 2 does, and the potential difference of the conduction band end between the clad layer 6 and active layer 4 is larger than that at the conduction band end between the clad layer 2 and active layer 4.
障壁高さ規定用ｐ型クラッド層６はｎ型クラッド層２よりも多くの構成元素を含み、障壁高さ規定用ｐ型クラッド層６と活性層４との伝導帯端のポテンシャル差は、ｎ型クラッド層２と活性層４との伝導帯端のポテンシャル差よりも大きい。 - 特許庁 - The impurity diffusion prevention layer 8 composed of In_yGa_1-yN is provided in the vicinity of the active layer 5 so that p-type impurities present in the p-type clad layer 10, p-type second guide layer 9, etc., can be accumulated in the impurity diffusion prevention layer 8 and are not diffused in the active layer 5.
活性層５に近接してＩｎ_yＧａ_1-yＮからなる不純物拡散防止層８を設けるため、ｐ型クラッド層１０やｐ型第２ガイド層９などの内部に存在するｐ型不純物を不純物拡散防止層８に蓄積でき、ｐ型不純物が活性層５に拡散しなくなる。 - 特許庁 - Since the impurity diffusion prevention layer 8 composed of In_yGa_1-yN is formed in proximity to the active layer 5; p-type impurities existing in the p-type clad layer 10, the p-type second guide layer 9, etc. is accumulated in the impurity diffusion prevention layer 8, thereby preventing the diffusion of the p-type impurities into the active layer 5.
活性層５に近接してＩｎ_yＧａ_1-yＮからなる不純物拡散防止層８を設けるため、ｐ型クラッド層１０やｐ型第２ガイド層９などの内部に存在するｐ型不純物を不純物拡散防止層８に蓄積でき、ｐ型不純物が活性層５に拡散しなくなる。 - 特許庁 - A collector layer 20, a positive electrode active material layer 30, a solid electrolyte layer 40, and an oxide conductive film layer 50 functioning as a negative electrode active material layer, are laminated on a substrate 10 in this order, and the oxide conductive film layer 50 comprises a substance having a resistivity of not more than 1×10^-2 Ωcm.
基板１０上に、集電体層２０、正極活物質層３０、固体電解質層４０、負極活物質層として機能する酸化物導電膜層５０がこの順に積層され、酸化物導電膜層５０は、抵抗率が１×１０^−２Ω・ｃｍ以下の物質からなる。 - 特許庁 - In the light emitting diode including an n-type nitride semiconductor layer, an active layer and a p-type nitride semiconductor layer over a substrate, the nitride semiconductor light emitting diode structure includes a nitride semiconductor layer containing In between the active layer and the p-type nitride semiconductor layer.
基板上に、ｎ型窒化物半導体層、活性層、ｐ型窒化物半導体層を有する発光ダイオードにおいて、活性層とｐ型窒化物半導体層の間にＩｎを含む窒化物半導体層を形成することを特徴とする窒化物半導体発光ダイオード構造に関する。 - 特許庁 - Since a diffraction grating is arranged on the lower part of an active layer, the film thickness of a 1st upper clad layer can be thinned, a leak current leaked from the 1st upper clad layer to a contact layer can be suppressed, and the efficiency of current injection into the active layer and a variable wavelength layer can be improved.
回折格子を活性層の下部に配設したことにより、第１上部クラッド層の膜厚を薄くすることでき、第１上部クラッド層からコンタクト層へ漏れるリーク電流を抑制し、活性層及び波長可変層への電流注入効率を高める。 - 特許庁 - More preferably, since a carrier confinement layer 28 having the band gap energy larger than that of the first barrier layer 2a is provided in the second conductivity type layer 12, a band structure opposed to a non- symmetrical structure of the active layer is provided in each conductivity type layer sandwiching the active layer.
更に好ましくは、第２導電型層１２内には、第１の障壁層２ａよりもバンドギャップエネルギーの大きなキャリア閉じ込め層２８が設けられることで、活性層を挟む各導電型層に、活性層の非対称構造とは反対のバンド構造が設けられる。 - 特許庁 - A first additional barrier layer of ZnMgSe having a thickness of 1 to 10 nm is additionally provided between the active layer and the p-type clad layer so as to prevent an overflow of electrons, and a second additional barrier layer having a thickness of 1 to 10 nm is additionally provided between the active layer and the n-type clad layer so as to prevent the overflow of holes.
活性層とｐ型クラッド層の間に１〜１０ｎｍのＺｎＭｇＳｅ第１追加障壁層を追加して電子オーバーフローを防ぎ、活性層とｎ型クラッド層の間に１〜１０ｎｍのＺｎＳＳｅ第２追加障壁層を追加して正孔オーバーフローを防ぐ。 - 特許庁 - A diffusion-stop layer 16 is provided between the active layer 14 and the p cover layer 20 so as to suppress the diffusion of Mg-doping atom from the p cover layer to the active layer 14 (the diffusion usually occurs at high growth temperatures to the GaP window layer 22).
Ｍｇドープ原子がｐカバー層２０からアクティブ層１４へ拡散するのを抑圧するために（この拡散は通常、ＧａＰ窓層２２に対する高い成長温度の際に発生する）、アクティブ層１４とｐカバー層２０との間に拡散ストップ層１６が設けられている。 - 特許庁 - A buffer layer 2, an intermediate layer 3, a first contact layer 4a, a first clad layer 5, an active layer 6, a second clad layer 7 and a second contact layer 4b are formed on a board 1, an insulating film 8 is provided on the surface of the layer 4a and the layer 4b, and an electrode 9 is provided.
基板１上にバッファ層２、中間層３、第一のコンタクト層４a、第一のクラッド層５、活性層６３、第二のクラッド層７、第二のコンタクト層４bを形成し、さらに第一のコンタクト層４aと第二のコンタクト層４bの表面上に絶縁膜８を設け、電極９を設けている。 - 特許庁 - A buffer layer 102, a first contact layer 103, a first clad layer 104, a first optical guide layer 107, an active layer 108, a cap layer 109, a second optical guide layer 110, a second clad layer 111 and a second contact layer 112 are formed in order on a sapphire substrate 101.
サファイア基板１０１上に、バッファ層１０２、第１のコンタクト層１０３、第１のクラッド層１０４、第１の光ガイド層１０７、活性層１０８、キャップ層１０９、第２の光ガイド層１１０、第２のクラッド層１１１、及び第２のコンタクト層１１２を順次形成する。 - 特許庁 - An n-type clad layer 21, n-side guide layer 22, active layer 23, p-side guide layer 24, first p-type clad layer 25, etching stop layer 26, second p-type clad layer 27, low-refractive index layer 28, and contact layer 29 are sequentially laminated on a substrate 10 starting from the side of the substrate 10.
基板１０上に、ｎ型クラッド層２１、ｎ側ガイド層２２、活性層２３、ｐ側ガイド層２４、第１ｐ型クラッド層２５、エッチングストップ層２６、第２ｐ型クラッド層２７、低屈折率層２８およびコンタクト層２９が基板１０側から順に積層されている。 - 特許庁 - A first n-type layer, second n-type layer, third n-type layer, active layer having a multiple quantum well structure, a first p-type layer, second p-type layer, third p-type layer and p-type contact layer are laminated in the order on an n-type contact layer and this light-emitting element has a double heterostructure.
ｎ型コンタクト層の上に、第一のｎ型層と、第二のｎ型層と、第三のｎ型層と、多重量子井戸構造を有する活性層と、第一のｐ型層と、第二のｐ型層と、第三のｐ型層と、ｐ型コンタクト層とが順に積層され、ダブルへテロ構造を有する。 - 特許庁 - The uneven surface 20 has a plurality of protrusion portions and recess portions which are alternately provided between a semiconductor layer farthest in the multilayer film 13 from the active layer 11 on the opposite side from the active layer 11 and a position at a distance of 50 μm or less from the center of the thickness of the active layer 11 to the multilayer film 13.
この凹凸面部２０は、多層膜部１３における活性層１１とは反対側の最も離れた位置の半導体層から活性層１１の厚み中心より多層膜部１３側の５０μｍ以下の位置の間に、複数の凹部と凸部が交互に連設してなる。 - 特許庁 - The active region 5 is composed of a first aluminum-containing layer 12 serving as the lowest layer of the active region, a second aluminum-containing layer 14 serving as the highest layer of the active region, and at least an InGaN quantum well layer 13 interposed between the aluminum-containing layers 12 and 14.
この活性領域（５）は、活性領域の最下部層を形成する第１アルミニウム含有層（１２）、活性領域の最下部層を形成する第２アルミニウム含有層（１４）、および第１アルミニウム含有層（１２）と第２アルミニウム含有層（１４）との間に配置された少なくとも１つのＩｎＧａＮ量子井戸層（１３）を備える。 - 特許庁 - The semiconductor laser 1 is comprised of an n-type DBR layer 12, an n-type clad layer 13, an active layer 14 having a light emitting area 14A, a p-type clad layer 15, a p-type DBR layer 16, and a p-type contact layer 17.
半導体レーザ１は、ｎ型ＤＢＲ層１２、ｎ型クラッド層１３、発光領域１４Ａを有する活性層１４、ｐ型クラッド層１５、ｐ型ＤＢＲ層１６およびｐ型コンタクト層１７とを有する。 - 特許庁 - In this semiconductor laser diode(LD) 1, an n-type clad layer 3, an optical guide layer 4, an active layer 5, an optical guide layer 6, a p-type clad layer 7, and a contact layer 8 are sequentially formed on an n-type GaAs substrate 2.
半導体レーザダイオード(ＬＤ)１は、ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、ｎ型クラッド層３、光ガイド層４、活性層５、光ガイド層６、ｐ型クラッド層７、及びコンタクト層８が順次形成され構成されている。 - 特許庁 - A GaAs buffer layer 12, a channel layer 13, a spacer layer 14, an electron supply layer 15 and a barrier layer 16 for constituting an active layer of a HEMT are laminated sequentially, for example, on a semi-insulating GaAs substrate 11.
例えば半絶縁性ＧａＡｓ基板１１上に、ＨＥＭＴの能動層を構成するＧａＡｓバッファ層１２、チャネル層１３、スペーサ層１４、電子供給層１５、障壁層１６が順に積層されている。 - 特許庁 - A positive electrode 10 has two layer structure of a first layer of a conductive layer 12 formed on a positive current collector 11 and a second layer of an active material layer 13 formed on the first layer.
正極１０は正極集電体１１上に形成された導電層１２となる第１層と、この第１層上に形成された活物質層１３となる第２層とからなる二層構造を備えている。 - 特許庁 - Then, a bonding side semiconductor layer 60 made of the second-conductivity cladding layer 6 and a cushion layer 20 is arranged between an active layer 5 and an electrode junction layer 31 for the oxide transparent electrode layer 30.
そして、活性層５と、酸化物透明電極層３０に対する電極接合層３１との間には、第二導電型クラッド層６とクッション層２０よりなるボンディング側半導体層６０が配置される。 - 特許庁 - On one surface, a dispersion type Bragg reflector, an n-type confinement layer, an active layer, a p-type confinement layer, a current diffusion layer, an ohmic contact layer with a mesh structure, a transparent conductive oxide layer and a front electrode are formed.
一方の面に分散型ブラッグ反射体、ｎ型閉込め層、活性層、ｐ型閉込め層、電流拡散層、メッシュ構造オーミック・コンタクト層、透明導電性酸化物層、および前面電極を形成する。 - 特許庁 - The decorative film is obtained by layering an adhesive layer, a film base material, when necessary a primer layer, a base coat layer and a protective layer comprising an active energy ray curable composition.
接着層、フィルム基材、必要に応じてプライマー層を介し、ベースコート層、及び下記特徴の活性エネルギー線硬化組成物による保護層を積層してなる加飾フィルム。 - 特許庁 - Moreover, on the first metal material layer 102, a second metal material layer 110 for supplying current to the active layer via the second insulating layer 106 is formed.
また、第１の金属材料層上に、第２の絶縁層１０６を介して活性層に電流を注入するための第２の金属材料層１１０が形成されている。 - 特許庁 - A first semiconductor laser structure 110 consists of an n-type clad layer 111, an active layer 112, a p-type clad layer 113 and an n-type current blocking layer 114.
第１の半導体レーザ構造１１０は、ｎ型クラッド層１１１、活性層１１２、ｐ型クラッド層１１３、ｎ型電流ブロック層１１４により構成されている。 - 特許庁 - The light-emitting device 10 has: a buffer layer 22; a first-conductivity-type semiconductor layer; and a thin-film crystal layer including an active structure 25 and a second-conductivity-type semiconductor layer.
発光素子１０は、バッファ層２２、第一導電型半導体層、活性構造２５および第二導電型半導体層を含む薄膜結晶層を有している。 - 特許庁 - A band gap of a final barrier layer 1 that is a barrier layer, positioned at the closest to the p-side out of barrier layers configuring the active layer 20 is made smaller than that of a barrier layer 2.
活性層２０を構成するバリア層のうち、最もｐ側に位置するバリア層である最終バリア層１のバンドギャップを、バリア層２のバンドギャップより小さくする。 - 特許庁 - An n type cladding layer 21, an active layer 22, a p type cladding layer 23, a p-side contact layer 24, and a p-side electrode 30 are laminated on a first surface 11 of a substrate 10 in this order.
基板１０の第１面１１に、ｎ型クラッド層２１，活性層２２，ｐ型クラッド層２３，ｐ側コンタクト層２４およびｐ側電極３０をこの順に積層する。 - 特許庁 - The layer 11 has sufficient film thickness and thermal capacity, an increased interlayer distance between the active layer and the lower metal layer is increased, and hence a heat leakage of the metal layer can be relieved.
バッファ層１１は十分な膜厚と熱容量を備え能動層とその下層金属層との層間距離を大きくし、金属層による熱リークをを緩和できる。 - 特許庁 - A lower clad layer 102, an active layer 103 and an upper clad layer 104 are stacked in order from the lowest layer on a principal surface of a substrate 101 made of GaAs.
ＧａＡｓからなる基板１０１の主面上には、下層から順に下部クラッド層１０２、活性層１０３および上部クラッド層１０４が積層されている。 - 特許庁 - The semiconductor multilayer structure 3 is provided with an n-type contact layer 11, an active layer 12, a p-type electron stopping layer 13 and a p-type contact layer 14 sequentially from the substrate 2 side.
半導体積層構造３は、基板２側から順に、ｎ型コンタクト層１１と、活性層１２と、ｐ型電子阻止層１３と、ｐ型コンタクト層１４とを備えている。 - 特許庁 - Thereby, the hydrogen adsorption layer 221 suppresses the diffusion of hydrogen present in the insulating layer 222 to the active layer 205 by the hydrogen attraction force of the hydrogen adsorption layer 221.
本発明によれば、水素吸着層２２１が、その水素を吸い寄せる力により、絶縁層２２２内に存在する水素の、活性層２０５への拡散を抑制する。 - 特許庁
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