「active layer」を含む例文一覧(7476)
＜前へ 1 2 .... 19 20 21 22 23 24 25 26 27 .... 149 150 次へ＞- An active layer 44 may be substantially transparent to light of infrared wavelength.
活性層４４は、赤外波長の光に対して実質的に透明であってもよい。 - 特許庁 - The shield encompasses the active layer and the cable, and is grounded via an electrode.
シールドは、能動層とケーブルを取り囲んでおり、電極を介して接地されている。 - 特許庁 - To suppress, in a semiconductor laser device having an InGaAsP active layer over a GaAs substrate, the leakage of electrons from the active layer and improve the dependence of the device on temperature.
ＧａＡｓ基板上にＩｎＧａＡｓＰ系活性層を備えた半導体レーザ素子において、活性層からの電子の漏れを抑制して、素子の温度依存性を改善する。 - 特許庁 - The active layer is formed over the gate electrode to cover the gate electrode.
アクティブ層はゲート電極をカバーするようにゲート電極の上部に形成される。 - 特許庁 - A first spacer layer 26 is formed between the source and the gate above the active region, and a second spacer layer 28 is formed between the drain and the gate above the active region.
第１のスペーサ層２６が、活性領域の上方でソースとゲートの間にあり、第２のスペーサ層２８が、活性領域の上方でドレインとゲートの間にある。 - 特許庁 - The liquid crystal layer is disposed between the active element array substrate and the counter substrate.
液晶層は、能動素子アレイ基板と対向基板との間に配置されている。 - 特許庁 - A first deep trench 6 is formed in an active layer 5 of the semiconductor device 1.
半導体装置１において、活性層５に第１ディープトレンチ６を形成する。 - 特許庁 - To provide a transistor active substrate provided with a protective layer capable of protecting an active layer and sufficiently securing electrical continuity between a drain electrode and a pixel electrode.
活性層を保護するとともにドレイン電極と画素電極との電気的導通を十分確保できるような保護層を設けたトランジスタアクティブ基板を提供する。 - 特許庁 - The active layer 6 includes six quantum dot layers 61 and five spacer layers 62.
活性層６は、６個の量子ドット層６１と、５個の間隙層６２とを含む。 - 特許庁 - Prior to the rolling treatment, the moisture content in the active material layer is measured, and pressure P of the rolling treatment is adjusted according to the moisture content in the active material layer.
この圧延処理に先立ち、活物質層中の水分量を判定し、圧延処理の圧力Ｐを、活物質層中の水分量に応じて調整する。 - 特許庁 - As the maximum charge/discharge capacity pre volume of the positive active material layer 30 and the negative active material layer 50, a value obtained by actual measurement is used.
このとき、正極活物質層３０と負極活物質層５０のそれぞれの単位体積あたりの最大充放電容量として、実測により求めた値を使用する。 - 特許庁 - A neutral and stable radical compound is used as an active material for positive electrode layer.
正極層の活物質として中性かつ安定なラジカル化合物を用いる。 - 特許庁 - To provide a method of producing a wafer for active layer in which an active layer having a good flatness can be produced easily and inexpensively, particularly when a large-size wafer having a diameter of not less than 300 mm is used.
特に300mm以上の大口径のウェーハに対して、良好な平坦度を有する活性層用ウェーハを、容易かつ低コストで製造できる方法を提供する。 - 特許庁 - An oxide layer in the neighborhood of the surface of a cathode active material thin film and/or an oxide layer in the neighborhood of the boundary surface between the cathode active material thin film and a collector are thinned.
負極活物質薄膜の表面近傍の酸化層及び／又は負極活物質薄膜と集電体との界面近傍の酸化層を薄くする。 - 特許庁 - The semiconductor quantum dot element comprises a first semiconductor layer 3, an active layer 13 provided on the first semiconductor layer 3, and a second semiconductor layer 6 provided on the active layer 13 wherein the active layer 13 comprises a quantum dot layer 4 having a plurality of unit quantum dots and a film thickness adjusting layer 5 provided to fill the gap between the plurality of unit quantum dots.
本発明の半導体量子ドット素子は、第１の半導体層３と、前記第１の半導体層３の上に設けられた活性層１３と、前記活性層１３の上に設けられた第２の半導体層６とから成り、前記活性層１３が、複数の単位量子ドットから成る量子ドット層４と、前記複数の単位量子ドット間を満たすように設けられた膜厚調整層５とから成る事を特徴とする。 - 特許庁 - The semiconductor laser 100 on the InP substrate having an active layer constituted of Al series material is provided with the active layer 105 constituted of the Al series material, a boundary layer 108A on the active layer 105, a ridge 111 having a waveguide layer 109, not containing Al and positioned on the boundary layer 108A, and an embedding layer 112 for embedding the ridge on the boundary layer 108A.
半導体レーザ１００は、Ａｌ系材料で構成された活性層を有するＩｎＰ基板上の半導体レーザにおいて、Ａｌ系材料で構成された活性層１０５と、活性層１０５の上の境界層１０８Ａと、境界層１０８Ａの上の、Ａｌを含有しない導波層１０９を有するリッジ１１１と、境界層１０８Ａの上のリッジを埋め込む埋め込み層１１２とを備える。 - 特許庁 - The semiconductor light emitting diode includes a substrate and an n-type semiconductor layer, an active layer, a p-type semiconductor layer, and a p-type electrode having a first metal layer formed on the p-type semiconductor layer and a second metal layer formed on the first metal layer and reflecting light generated by the active layer, which are formed on the substrate in this order.
基板、この基板上に順次に設けられたｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層、ｐ型半導体層上に形成される第１金属層とこの第１金属層上に形成されて活性層から発生した光を反射させる第２金属層とを備えるｐ型電極と、を含む半導体発光ダイオードである。 - 特許庁 - This nitride semiconductor device comprises an n-type nitride semiconductor layer 220, an electron emitting layer 230 comprising a nitride semiconductor layer including a tertiary group transition element, formed on the n-type nitride semiconductor layer, an active layer 240 formed on the electron emitting layer, and a p-type nitride semiconductor layer 250 formed on the active layer.
窒化物半導体発光素子は、ｎ型窒化物半導体層２２０と、前記ｎ型窒化物半導体層上に形成され、第３族転移元素を含む窒化物半導体層からなる電子放出層２３０と、前記電子放出層上に形成された活性層２４０と、前記活性層上に形成されたｐ型窒化物半導体層２５０と、を含む。 - 特許庁 - A laminated ceramic capacitor element is composed of an active layer composed of a ceramic dielectric layer and an inner electrode layer and reactive layers of ceramic dielectric layers formed on the upper and lower sides of the active layer so as to sandwich it and openings are formed at the ends of the inner electrode layer.
セラミック誘電体層と内部電極層より成る有効層を挟むようにその上下にセラミック誘電体層より成る無効層を設けることにより構成された積層セラミックコンデンサ素子において、前記内部電極層の端部に空隙を形成させた。 - 特許庁 - In the epitaxial wafer for the light emitting diode which includes an active layer 6 having a multiple quantum well structure formed by laminating a well layer 6a and a barrier layer 6b alternately, at least one well layer 6a of the active layer 6 is different in thickness from other well layers 6a.
ウエル層６ａとバリア層６ｂを交互に積層した多重量子井戸構造の活性層６を有する発光ダイオード用エピタキシャルウエハにおいて、活性層６の少なくとも１つのウエル層６ａの厚さが、他のウエル層６ａの厚さと異なるものである。 - 特許庁 - An etching stopper layer between the inner clad layer on an active layer and a mesa-striped outer clad layer is made of strain compensation structure, thereby suppressing the entry of glide dislocation generating at a stress concentrating point into the active layer and preventing a defective characteristic element.
活性層上のインナークラッド層とメサストライプ状のアウタークラッド層との間にあるエッチングストッパ層を歪補償構造とすることで、応力集中点から生じるすべり転位の活性層への侵入を抑制し、特性不良素子の発生を防止する。 - 特許庁 - The energy gap of the current diffusion layer 16 is made larger than that of the active layer 14 while the GaP substrate 12 and the InGaP current diffusion layer 16 at the top layer are made transparent to the radiation light from the InAlGaP active layer 14, for raised light-emission efficiency.
また、電流拡散層１６のエネルギーギャプを、活性層１４のエネルギーギャプよりも大きくして、ＧaＰ基板１１と最上層のＩnＧaＰ電流拡散層１６とをＩnＡlＧaＰ活性層１４からの放射光に対して透明にして発光効率を高める。 - 特許庁 - The semiconductor laser has the active layer interposed between a p-clad layer and an n-clad layer wherein the active layer has multiple quantum wells including a plurality of barrier layers and well layers and at least one barrier layer is subjected to p-type modulation doping.
ｐ−クラッド層とｎ−クラッド層との間に活性層が設けられ、活性層が、障壁層およびウェル層を複数有する多重量子井戸を有し、かつ、少なくとも１つの障壁層にｐ型変調ドープが施された半導体レーザを提供する。 - 特許庁 - An emission element 1 includes: a quantum cascade active layer 4 being an active layer using the intersubband transition; an n-type buffer layer 3 and an n-type guide layer 5 as first conduction-type semiconductor layers; and a photonic crystal layer 7 as a two-dimensional diffraction grating.
発光素子１では、サブバンド間遷移を用いた活性層である量子カスケード活性層４と、第１導電型の半導体層としてのｎ型バッファ層３およびｎ型ガイド層５と、２次元回折格子としてのフォトニック結晶層７とを備える。 - 特許庁 - The semiconductor laser chip 1 includes n-type clad layers 5 provided above and below a light emitting layer 6 including an active layer and having a lower refractive index than the active layer, and a p-type first clad layer 7 and a p-type second clad layer 11.
本発明における半導体レーザチップ１は、活性層を含む発光層６の上方と下方に備えられるとともに活性層よりも屈折率の低いｎ型クラッド層５と、ｐ型第１クラッド層７及びｐ型第２クラッド層１１と、を備える。 - 特許庁 - The distribution feedback semiconductor laser which emits laser light from an end surface of an active layer includes an optical guide layer formed on the active layer and formed of a compound semiconductor, and a clad layer 4 formed on the optical guide layer and formed of a compound semiconductor.
活性層の端面からレーザ光を出射する分布帰還型半導体レーザにおいて、活性層上に形成された化合物半導体からなる光ガイド層と、光ガイド層上に形成された化合物半導体からなるクラッド層４とを備えている。 - 特許庁 - An electrode active material layer 4 composed of a radical polymer, an electrolyte layer 6, and an electrolyte layer 5 are interposed between a pair of electrode substrates 1a, 1b, the electrode active material layer 4 is formed on the electrode substrate 1a, and the electrochromic layer 5 is formed on the electrode substrate 1b.
一対の電極基板１ａ，１ｂの間に、ラジカルポリマーからなる電極活物質層４と、電解質層６と、エレクトロクロミック層５とを挟持し、電極基板１ａに電極活物質層４を形成し、電極基板１ｂにエレクトロクロミック層５を形成した。 - 特許庁 - A memory device 50 comprises a device isolation layer 60 defining an active region on a semiconductor substrate, a tunnel insulation layer disposed on the active region, and an insulation pattern 66 disposed on edges of the active region.
この記憶装置は半導体基板に活性領域を限定する素子分離膜と、前記活性領域に形成されたトンネル絶縁膜と、前記活性領域の縁部上に形成された絶縁膜パターンを含む。 - 特許庁 - The electrode of the intrinsic polymer battery has a collector and an active material layer formed on the surface of the collector and including an active material, where the voidage of the active material layer is 60% or more.
集電体と、前記集電体の表面に形成された、活物質を含む活物質層と、を有する真性ポリマー電池用電極において、前記活物質層の空隙率を６０％以上とする。 - 特許庁 - In the electrode having a current collector and the active material layer containing the active material particles formed at a surface of the current collector, metal particles are furthermore contained in the active material layer as a conductive assistant.
集電体と、前記集電体の表面に形成された、活物質粒子を含む活物質層とを有する電極において、前記活物質層に、導電助剤として金属粒子をさらに含ませる。 - 特許庁 - To provide a nonaqueous electrolyte secondary battery anode which contains graphite particles as active material and excels in adhesive strength between an active material layer and collector and in binding strength between graphite particles in the active material layer.
活物質として黒鉛粒子を含み、活物質層と集電体との接着性及び活物質層内における黒鉛粒子同士の結着性に優れた非水電解質二次電池用負極を提供する。 - 特許庁 - The negative electrode 22 has a negative electrode active material layer 22B on a negative current collector 22A, the negative electrode active material layer 22B contains a negative electrode active material containing silicon and has two or more pores.
負極２２は、負極集電体２２Ａ上に負極活物質層２２Ｂを有しており、その負極活物質層２２Ｂは、ケイ素を含有すると共に複数の細孔を有する負極活物質を含んでいる。 - 特許庁 - Then, another active substance material layer 23 is laminated on the active substance material layer 22 with an uneven surface, and ion-transmitting holes 22c are formed along an interface of the both active substance material layers.
次に、不均一な表面を有する活物質材料層２２の上に別の活物質材料層２３を積層し、これら両活物質材料層の境界面に沿ってイオン通過性の孔２２ｃを形成する。 - 特許庁 - To provide a means of furthermore reducing an electric resistance in an active material layer by reducing particle diameters of the active material particles while securing conductivity in the active material layer in an electrode of a battery.
電池の電極において、活物質層における導電性を確保しつつ活物質粒子の粒子径を低減させることにより、活物質層における電気抵抗をより一層低減させうる手段を提供する。 - 特許庁 - The negative electrode 22 has a negative active material layer 22B containing a negative active material and a negative electrode binder on a negative current collector 22A, and the negative active material layer 22B has a plurality of pores on the inside.
負極２２は、負極集電体２２Ａ上に、負極活物質および負極結着剤を含む負極活物質層２２Ｂを有しており、その負極活物質層２２Ｂは、その内部に複数の細孔を有している。 - 特許庁 - The active layers 15, 25 have lamination structures different from each other, and are structured such that the light emission wavelength of light generated in the first active layer 15 is different from that of light generated in the second active layer 25.
また、活性層１５、２５は、異なる積層構造を有し、第１活性層１５で生成される光の発光波長と、第２活性層２５で生成される光の発光波長とが異なるように構成される。 - 特許庁 - A positive active material layer 13B contains a positive active material including Co as a constituting element, and the content of Co in the positive active material layer 13B is 30-60 mass%.
正極活物質層１３Ｂは構成元素としてＣｏを含む正極活物質を含有し、正極活物質層１３ＢにおけるＣｏの存在割合は３０質量％以上６０質量％以下である。 - 特許庁 - The all-solid secondary battery 10 capable of multiple valence changes includes a single-layer active material layer 12 including an active material 32 that has different redox potentials for respective valence changes, a positive electrode collector electrode 14 arranged on one surface of the single-layer active material layer 12, and a negative electrode collector electrode 16 arranged on the other surface of the single-layer active material layer 12.
複数の価数変化が可能で、それぞれの価数変化に対応した異なるレドックス電位を有する活物質材料３２を含む単一層からなる単層活物質層１２と、単層活物質層１２の一方の表面に配置された正極集電極１４と、単層活物質層１２の他方の表面に配置された負極集電極１６と、を備えた全固体二次電池１０。 - 特許庁 - This invention provides this resistance layer formation suppression coat layer covered positive electrode active material which has a positive electrode active material, and a resistance layer formation suppression coat layer covering a surface of the positive electrode active material, and is characterized in that fine particles of the positive electrode active material are not included in the resistance layer formation suppression coat layer, whereby the above problem is solved.
本発明は、正極活物質と、上記正極活物質表面に被覆された抵抗層形成抑制コート層とを有する抵抗層形成抑制コート層被覆正極活物質であって、上記抵抗層形成抑制コート層中に正極活物質微粒子が含有されていないことを特徴とする抵抗層形成抑制コート層被覆正極活物質を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁 - The bipolar secondary battery is formed by laminating a bipolar electrode in which a positive active material layer is formed on one surface of a current collector and a negative active material layer on the other surface through an electrolyte layer, and an insulating material section is formed in the end part of at last one of the positive active material layer and the negative active material layer.
集電体の一方の面に正極活物質層が形成されかつ他方の面に負極活物質層が形成されてなる双極型電極が電解質層を介して積層されてなる双極型二次電池であって、前記正極活物質層及び負極活物質層の少なくとも一方の端部上に絶縁材料部を有する、双極型二次電池。 - 特許庁 - There are provided an active layer, a clad layer formed adjacently to the active layer, and a diffraction grating periodically formed at predetermined intervals, and the diffraction grating is constituted by a nonconductor generated by oxidization of a semiconductor material, and a distribution of a gain coefficient of the active layer is fluctuated by partly blocking a current injected into the active layer.
活性層と、活性層に隣接して形成されたクラッド層と、クラッド層内に、互いに所定の間隔で離隔して周期的に形成された回折格子とを備え、回折格子は、半導体物質を酸化して生成された不導体により構成され、活性層に注入される電流を部分的に遮断して、活性層の利得係数の分布を変動させることを特徴とする。 - 特許庁 - In the lithium-ion battery having the electrolyte or the gel electrolyte including at least the ion liquid and the lithium salt, a positive electrode active material layer, and a negative electrode active material layer, an insulating layer 111 for intercepting ion conductivity is formed on an opposite section between an exposed section 104 of a positive electrode collector where the positive electrode active material layer is not formed and the negative electrode active material layer 101.
少なくともイオン液体とリチウム塩とを含有する電解液またはゲル電解質と、正極活物質層と負極活物質層を有するリチウムイオン電池において、正極活物質層が形成されない正極集電体の露出部１０４と負極活物質層１０１との対向部にイオン導電性を遮断する絶縁層１１１を形成する。 - 特許庁 - The semiconductor laser device has a multilayer structure comprising an n-AlInP clad layer, super-lattice active layer section, p-AlInP first clad layer, GaInP etching stop layer, p-AlInP second clad layer, GaInP protective layer, and p-GaAs contact layer.
本半導体レーザ素子は、ｎ−ＡｌＩｎＰクラッド層、超格子活性層部、ｐ−ＡｌＩｎＰ第一クラッド層、ＧａＩｎＰエッチングストップ層、ｐ−ＡｌＩｎＰ第二クラッド層、ＧａＩｎＰ保護層、及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層の積層構造を備える。 - 特許庁 - The semiconductor light emitting device is provided with a lamination structure (resonator) wherein a lower DBR layer 11, a lower spacer layer 12, an active layer 13, an upper spacer layer 14, a current constriction layer 15, an upper DBR layer 16, and a contact layer 17 are stacked on a substrate 10 in sequence.
基板１０上に、下部ＤＢＲ層１１、下部スペーサ層１２、活性層１３、上部スペーサ層１４、電流狭窄層１５、上部ＤＢＲ層１６およびコンタクト層１７を順に積層した積層構造（共振器）を備える。 - 特許庁 - A semiconductor laser diode 10 is provided with a ZnO substrate 12, a pseudo-lattice matching layer 13, a lower clad layer 14, a light guide layer 21, an active layer 15, a light guide layer 22, an upper clad layer 16, and a contact layer 17 sequentially formed on the substrate.
半導体レーザダイオード１０は、ZnO基板１２と、この基板上に順に形成される擬似格子整合層１３、下部クラッド層１４、光ガイド層２１、活性層１５、光ガイド層２２、上部クラッド層１６及びコンタクト層１７とを備える。 - 特許庁 - At least, a lower clad layer 101, an active layer 102 emitting a laser beam, a first upper clad layer 103, an etching stop layer 104, and a second upper clad layer 106, are laminated on a board 100.
基板１００上に少なくとも、下クラッド層１０１、レーザ光を発生する活性層１０２、第１上クラッド層１０３、エッチングストップ層１０４、第２上クラッド層１０６を積層する。 - 特許庁 - Between a barrier layer and a well layer of the active layer of quantum well structure, an intermediate layer of AldGa1-dN (0.30≤d≤1), where a band gap energy is larger than the barrier layer is formed over the well layers.
量子井戸構造の活性層の井戸層と障壁層の間に障壁層よりバンドギャップエネルギーの大きいＡｌ_dＧａ_1-dＮ（０．３０≦ｄ≦１）からなる中間層をすべての井戸層の上に形成する。 - 特許庁 - A p-side contact layer 21, a p-type clad layer 22, an active layer 30, n-type clad layer 41, and n-side contact layer 42 are stacked in this order on a side of one surface of a substrate 10 comprising p-type semiconductor.
ｐ型半導体よりなる基板１０の一面側に、ｐ側コンタクト層２１、ｐ型クラッド層２２、活性層３０、ｎ型クラッド層４１およびｎ側コンタクト層４２が順に積層されている。 - 特許庁 - The light emitting diode comprises a p-type nitride semiconductor layer (3), an active layer (4), an n-type nitride semiconductor layer (5) and a current diffusion layer (6) which are arranged on a silicon support substrate (1) through a buffer layer (2).
発光ダイオードはシリコン支持基板（１）の上にバッファ層（２）を介して配置されたｐ型窒化物半導体層（３）、活性層（４）、ｎ型窒化物半導体層（５）及び電流拡散層（６）を有する。 - 特許庁 - The nitride-based light emitting element has such a structure that a substrate 110, n-type clad layer 130, active layer 140, p-type clad layer 150, lattice cell layer 160, and ohmic contact layer are laminated in order.
窒素物系発光素子は、基板１１０、ｎ型クラッド層１３０、活性層１４０、ｐ型クラッド層１５０、格子セル層１６０及びオーミック接触層が順次に積層された構造よりなっている。 - 特許庁
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