「active layer」を含む例文一覧(7476)
＜前へ 1 2 .... 21 22 23 24 25 26 27 28 29 .... 149 150 次へ＞- To provide an SOI substrate which has a uniform film thickness distribution on a surface of a semiconductor active layer.
半導体活性層表面の膜厚分布が均一なＳＯＩ基板を提供する。 - 特許庁 - To prevent a short-circuit between a negative electrode active material mixture layer and a positive electrode metal exposed portion.
負極活物質合剤層と正極金属露出部との短絡を防止する。 - 特許庁 - Next, an electrode for a battery is formed by layering an active material layer on the current collector.
次に、この集電体の上に活物質層を積層し、電池用電極を形成する。 - 特許庁 - A silicon mixed crystal layer 21 generates stress to a channel region of the active region.
シリコン混晶層２１は、活性領域のチャネル領域に対して応力を生じさせる。 - 特許庁 - Supports 2, 2 are formed on the side of a ridge 1 located above an active layer 14.
活性層１４の上方に位置するリッジ１の側方にサポート２・２を形成する。 - 特許庁 - To prevent an active layer from being damaged and sticking impurities in a semiconductor laser apparatus.
半導体レーザ製造における活性層へのダメージおよび不純物付着を防止する。 - 特許庁 - To obtain a technique necessary for purifying an interface between an active layer and an insulated film.
活性層と絶縁膜との界面を清浄化するために必要な技術を提供する。 - 特許庁 - Next, a porous film 3 is formed on the collector 1 so as to cover the active material layer 2.
次に、集電体１上に活物質層２を覆うように多孔膜３を形成する。 - 特許庁 - The light emitting diode is provided with a plurality of laminated semiconductors 10 including an active layer 4 on a substrate 1.
基板１上に、活性層４を含む積層半導体１０を複数有する。 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING ACTIVE ENERGY RAY CURABLE RESIN LAYER, AND HARD COATED FILM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
活性エネルギー線硬化樹脂層の製造方法、ハードコートフィルムおよびその製造方法 - 特許庁 - The active layer is patterned so as to make it possible to access the first sacrificial material.
活性層は、第１の犠牲材料にアクセスすることを可能にするようにパターニングされる。 - 特許庁 - A negative electrode active material layer 12 containing Si is formed on a negative electrode current collector 11.
負極集電体１１にＳｉを含む負極活物質層１２が設けられている。 - 特許庁 - A negative electrode active material layer 12 containing Si is provided in a negative electrode collector 11.
負極集電体１１にＳｉを含む負極活物質層１２が設けられている。 - 特許庁 - To improve carrier injection efficiency from an electrode to an active layer in an organic FET.
有機FETにおいて、電極から活性層へのキャリア注入効率を向上させること。 - 特許庁 - An active layer 17 is formed on the GaN-based based semiconductor epitaxial region 15.
ＧａＮ系半導体エピタキシャル領域１５上には、活性層１７が設けられる。 - 特許庁 - Therefore, the lowering can be suppressed in the efficiency of the current injection performed to a MQW active layer 4.
従って、MQW活性層４への電流注入効率低下を抑制することができる。 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING THIN-FILM TRANSISTOR HAVING TITANIUM OXIDE AS ACTIVE LAYER, AND STRUCTURE THEREOF
酸化チタニウムを活性層として有する薄膜トランジスタの製造方法およびその構造 - 特許庁 - The band gaps of the lower and upper clad layers are larger than that of the active layer.
下部クラッド層及び上部クラッド層のバンドギャップが活性層のバンドギャップよりも大きい。 - 特許庁 - An electrode structure 7 is also obtained by forming an active material layer 9 in the collector 1.
また、集電体１に活物質層９を形成して電極構造体７とする。 - 特許庁 - To provide a new compound giving a thin film of an organic semiconductor active layer.
有機半導体活性層の薄膜を与え得る新規な化合物が求められている。 - 特許庁 - The metallic reflection film 19 reflects light L1 generated in the active layer 9.
金属反射膜１９は、活性層９において発生した光Ｌ１を反射する。 - 特許庁 - The floating diffusion layer is formed in the active region between the transfer gate and the reset gate.
トランスファゲート及びリセットゲートの間の活性領域内に浮遊拡散層を形成する。 - 特許庁 - An insulative soft-magnetic material layer A is formed between the wiring substrate and the active device.
配線基板と能動素子との間には絶縁性軟磁性体層Ａが形成されている。 - 特許庁 - Preferably, the ink reception layer contains a surface active agent having an HLB value of 3-8.
好ましくはインク受容層がＨＬＢ価３〜８の界面活性剤を含有する。 - 特許庁 - Then, the semiconductor film 100 is used as an active layer for forming a TFT.
そして、この半導体膜１００を能動層として用いてＴＦＴを形成する。 - 特許庁 - With the resist pattern as a mask, impurities are subjected to ion implantation to the surface layer of the active region.
レジストパターンをマスクとして活性領域の表層部に不純物をイオン注入する。 - 特許庁 - ACTIVE CARBON ELECTRODE AND ITS MANUFACTURING METHOD, ELECTRIC DOUBLE-LAYER CAPACITOR, AND HYBRID CAPACITOR
活性炭電極及びその製造方法並びに電気二重層キャパシタ及びハイブリッドキャパシタ - 特許庁 - The negative electrode comprises a collector and a negative electrode active material layer containing Si or Sn.
負極が、集電体とＳｉ又はＳｎを含む負極活物質層を有している。 - 特許庁 - THIN LAYER TRANSISTOR, ACTIVE MATRIX DISPLAY DEVICE USING IT, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE
薄層トランジスタ、それを用いたアクティブマトリックス型表示装置、及び、液晶表示装置 - 特許庁 - Thus, a TFT which uses the semiconductor film as an active layer is reliable.
それ故、この半導体膜を能動層として用いたＴＦＴの信頼性が高い。 - 特許庁 - LAMINATED STRUCTURE FOR PROTECTIVE CLOTHING HAVING ACTIVE CARBON NANO FIBROUS LAYER AND PROTECTIVE CLOTHING
活性炭ナノ繊維層を有する防護衣類用の積層構造体および防護衣類 - 特許庁 - Thus, a deviation of a distribution of holes in the InGaAsP active layer 3 can be mitigated.
これにより、InGaAsP活性層３内部の正孔の分布の偏りを緩和することができる。 - 特許庁 - The photosensitive layer is formed of a photopolymerizable composition including a surface-active agent.
この感光層は、界面活性剤を含む光重合性組成物により形成されている。 - 特許庁 - The active material layer is further filled with a solid electrolyte.
さらに、当該活物質層には、固体電解質が充填されている点に特徴を有する。 - 特許庁 - The junction A is placed in the vicinity of the active layer 3 within 3 μm for example.
接合部Ａは、活性層３の近傍、例えば３μｍ以内に配置されている。 - 特許庁 - The first layer 12A contains an element or an alloy of Si as a negative electrode active material.
第１層１２Ａは、負極活物質としてケイ素の単体または合金を含んでいる。 - 特許庁 - A tin oxide layer is formed on a surface of the active material thin film.
活物質薄膜の表面に酸化錫層が形成されていることを特徴としている。 - 特許庁 - As a result, the flatness of the surface of the active layer 11 is improved in a short time.
その結果、短時間で活性層１１の表面の平坦性を高めることができる。 - 特許庁 - To provide a group-III nitride semiconductor optical element capable of reducing strain of an active layer.
活性層の歪みを低減可能なIII族窒化物半導体光素子を提供する。 - 特許庁 - The negative electrode 10 has a negative current collector and a negative active material layer 12.
負極１０は、負極集電体１１と負極活物質層１２とを有している。 - 特許庁 - The anode 10 has an anode current collector 11 and an anode active material layer 12.
負極１０は、負極集電体１１と負極活物質層１２とを有している。 - 特許庁 - ACTIVE ENERGY RAY-CURABLE RESIN COMPOSITION FOR WATER- BASED INK RECEIVING LAYER, AND PRINTING BASE MATERIAL
水性インク受容層用活性エネルギー線硬化性樹脂組成物および印刷基材 - 特許庁 - ACTIVE ENERGY RAY-CURABLE RESIN COMPOSITION FOR FILM PROTECTIVE LAYER, AND FILM USING THE SAME
フィルム保護層用活性エネルギー線硬化型樹脂組成物及びこれを用いたフィルム - 特許庁 - The active layer 21 is optically coupled to the distribution feedback type diffraction grating 23.
分布帰還型回折格子２３には、活性領域２１が光学的に結合されている。 - 特許庁 - The optical sensor is formed monolithically on a base substrate constituting the active matrix layer 2.
光センサは、アクティブマトリクス基板２を構成するベース基板上にモノリシックに形成される。 - 特許庁 - The negative electrode active material layer 7 contains alloy particles 7a of lithium and an alkaline earth metal.
負極活物質層７は、リチウムとアルカリ土類金属との合金粒子７ａを含む。 - 特許庁 - The active layer 15 is made of III-V group compound semiconductor containing Al in its composition.
活性層１５は、組成中にＡｌを含むIII−Ｖ族化合物半導体からなる。 - 特許庁 - The switching layer 4 is formed of an organic high polymer having an oxidation-reduction active region.
スイッチング層４は酸化還元活性部位を有する有機高分子から形成した。 - 特許庁 - An active layer 17 is provided on the GaN-based semiconductor epitaxial region 15.
ＧａＮ系半導体エピタキシャル領域１５上には、活性層１７が設けられている。 - 特許庁 - An active layer 4 is provided on a first main surface 2a of the semiconductor substrate 2.
半導体基板２の第１の主面２ａには活性層４が設けられている。 - 特許庁
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