「active layer」を含む例文一覧(7476)
＜前へ 1 2 .... 23 24 25 26 27 28 29 30 31 .... 149 150 次へ＞- The element area isolation insulating wall 124 penetrates the active layer 106 and the embedded insulating layer 104 to a p-type base layer 102.
素子領域分離用絶縁壁１２４は、活性層１０６の表面から埋め込み絶縁層１０４を貫通してｐ型基層１０２に至っている。 - 特許庁 - The lower clad layer 12 and the upper clad layer 14 are composed of Al_x1Ga_(1-x1)As (x1=0.28), and the active layer 13 is composed of Al_x2Ga_x3In_(1-x2-x3)P (x2=0.12).
下クラッド層１２および上クラッド層１４は、Ａｌ_x1Ｇａ_(1-x1)Ａｓ（ｘ１＝０．２８）からなり、活性層１３は、Ａｌ_x2Ｇａ_x3Ｉｎ_(1-x2-x3)Ｐ（ｘ２＝０．１２）からなる。 - 特許庁 - In addition, an anti-guiding layer having a third refractive index lower than the second refractive index is arranged so that the confining layer may be positioned between the active region and anti-guiding layer.
第二の屈折率より低い第三の屈折率を持つアンチガイド層が、閉じ込め層が活性領域とこのアンチガイド層の間にくるように配置される。 - 特許庁 - A sum Dudp of the thicknesses of the n-side guide layer, the active layer, and the p-side guide layer is not smaller than 0.5 times of the oscillation wavelength of the semiconductor laser device and 2 μm or smaller.
n側ガイド層、活性層及びp側ガイド層の厚さの合計Dudpが、半導体レーザ装置の発振波長の0.5倍以上、かつ2μｍ以下である。 - 特許庁 - On a p-type InP substrate, a p-type InP clad layer, an InGaAsP strained quantum well active layer, and an n-type InP clad layer are laminated in order.
ｐ型ＩｎＰ基板上に、ｐ型ＩｎＰクラッド層、ＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸活性層、ｎ型ＩｎＰクラッド層が順次積層されている。 - 特許庁 - The light absorbing layer has a fundamental-absorbing-edge wavelength shorter than the light-emitting peak-wavelength of the active layer, and has a band-gap energy smaller than that of the clad layer.
光吸収層は、活性層の発光ピーク波長よりも短い基礎吸収端波長と、クラッド層よりも小さいバンドギャップエネルギーを有している。 - 特許庁 - A first n-type spacer semiconductor layer 15, an active layer 17, and a p-type spacer layer 19 are grown on the first distribution bragg reflector (DBR) 13.
分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）１３上に、第１のｎ型スペーサ半導体層１５、活性層１７、及びｐ型スペーサ層１９を成長する。 - 特許庁 - Consequently, about ≥97.7% of laser light generated from the active layer 5 is distributed on the upper layer of the interface between the n-type substrate 1 and the buffer layer 11.
これにより、活性層５で発生するレーザ光の約９７．７％以上は、ｎ型基板１とバッファ層１１との界面よりも上層に分布する。 - 特許庁 - The nitride light-emitting element 11 includes a first conductivity type nitride semiconductor layer 13, a second conductivity type nitride semiconductor layer 15, and an active layer 17.
窒化物発光素子１１は、第１導電型の窒化物半導体層１３と、第２導電型の窒化物半導体層１５と、活性層１７とを備える。 - 特許庁 - A red semiconductor laser element is equipped with an n-type AlGaInP bottom cladding layer 4, a GaInP/AlGaInP multiple quantum well active layer 5, and a GaInP etching stop layer 7.
赤色半導体レーザ素子は、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層４、ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸活性層５およびＧａＩｎＰエッチングストップ層７を備えている。 - 特許庁 - This semiconductor laser is provided with a first conductivity type clad layer 102, an active layer 103 and a second conductivity type clad layer 106 on a first conductivity type semiconductor substrate 101.
第一導電型半導体基板１０１上に、第一導電型クラッド層１０２、活性層１０３および第二導電型クラッド層１０６を有する。 - 特許庁 - In the step S101, a first clad layer, an active layer, and a second clad layer are sequentially grown on a semiconductor substrate by a liquid epitaxy method.
成長工程Ｓ１０１では，半導体基板上に第１クラッド層と活性層と第２クラッド層とを液相エピタキシ法により順次成長させる。 - 特許庁 - The active layer of the semiconductor laser element 220 has a quantum well structure comprised of a well layer made of InGaAs and barrier layers pinching the well layer.
上記半導体レーザ素子２２０の活性層は、ＩnＧaＡsである井戸層とその井戸層を挟むバリア層で構成された量子井戸構造をしている。 - 特許庁 - The total layer width of an active layer and the guide layer is set to be at least about 15% of the oscillation wavelength.
半導体レーザが、ガイド層とクラッド層との間に低屈折率層を含み、かつ、活性層とガイド層との総層厚を、発振波長の略１５％以上とする。 - 特許庁 - To obtain an AlGaInP based semiconductor laser element in which diffusion of dopant from a clad layer to a semiconductor active layer is controlled without thickening an anti-diffusion layer.
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子において、拡散防止層を厚くすることなくクラッド層から半導体活性層へのドーパントの拡散を抑制する。 - 特許庁 - A gate insulation layer 102 is formed on an active layer 101 comprising a polysilicon layer formed on a transparent insulation substrate 100 such as a glass substrate.
ガラス基板等の透明な絶縁性基板１００上に形成されたポリシリコン層から成る能動層１０１上にゲート絶縁層１０２が形成されている。 - 特許庁 - The nitride semiconductor light emitting device 1 includes an active layer 12 between an n-type nitride semiconductor layer 11 and a p-type nitride semiconductor layer 13.
本発明の窒化物半導体発光素子１は、ｎ型窒化物半導体層１１とｐ型窒化物半導体層１３との間に活性層１２を備える。 - 特許庁 - The group III nitride semiconductor multilayer structure 2 is configured by laminating an n-type semiconductor layer 11, an active layer 10, and a p-type semiconductor layer 12.
III族窒化物半導体積層構造２は、ｎ型半導体層１１、活性層１０、およびｐ型半導体層１２を積層して構成されている。 - 特許庁 - An interface layer 5 comprising a silicon nitride is provided between a semiconductor layer 12 comprising an active polycrystalline silicon and an insulating layer 6 comprising silicon oxide.
活性多結晶シリコンからなる半導体層１２と、酸化ケイ素からなる絶縁層６との間に窒化ケイ素からなる界面層５を設けている。 - 特許庁 - The cathode active material layer 11 is provided on a side of the electrolytic layer 13 opposite to the organic EL element 20, and emits electrons toward the electrolytic layer 13.
陰極活物質層１１は、電解質層１３における有機ＥＬ素子２０側の反対面側に設けられ、電解質層１３に電子を放出する。 - 特許庁 - The active material membrane is made of a lithium oxide, and has an interface layer formed on the current collector and an upper layer formed on the interface layer.
活物質膜は、リチウム金属酸化物からなり、集電体上に形成される界面層とこの界面層上に形成される上部層とを備える。 - 特許庁 - An n-type nitride semiconductor layer 2 and a p-type nitride semiconductor layer 4 are formed while sandwiching the active layer 3 in a double hetero structure.
活性層３を挟むようにしてｎ型窒化物半導体層２とｐ型窒化物半導体層４が形成されており、ダブルへテロ構造を有する。 - 特許庁 - A gallium nitride semiconductor layer of a first conductivity type, an active layer, and a gallium nitride semiconductor layer of a second conductivity type are sequentially disposed on a support substrate 13.
第１導電型窒化ガリウム系半導体層、活性層及び第２導電型窒化ガリウム系半導体層が支持基体１３上に順に配置されている。 - 特許庁 - The absorption area of the ohmic contact layer is reduced by the mesh structure to prevent the over-absorption of a light from the active layer into the ohmic contact layer.
メッシュ構造により、オーミック・コンタクト層の吸収面積を減少させ、活性層からの光がオーミック・コンタクト層に過吸収されるのを防ぐ。 - 特許庁 - First, a diaphragm region is defined on an SOI substrate comprising three layers of an active layer 1, a support layer 2 and an insulation layer 3 sandwiched by these layers 1 and 2.
まず、活性層１と支持層２とそれらの間に挟まれた絶縁層３との３層からなるＳＯＩ基板に、ダイアフラム領域を画定する。 - 特許庁 - An n-side intermediate layer 12 and a p-side intermediate layer 14 of Al_aIn_bGa_1-a-bN (0<a≤0.2, 0<b≤0.2) are provided on both sides of an active layer.
活性層の両側にＡｌ_a Ｉｎ_b Ｇａ_1-a-b Ｎ（０＜ａ≦０．２，０＜ｂ≦０．２）により構成されたｎ側中間層１２およびｐ側中間層１４を備える。 - 特許庁 - The III nitride semiconductor layer 2 has a multilayer structure laminating an n-type contact layer 21, a multiple quantum well (MQW) layer 22 as a light-emitting layer (active layer), an AlGaN final barrier layer 25, a p-type electron block layer 23, and a p-type contact layer 24 sequentially from the AlN substrate 1 side.
III族窒化物半導体層２は、ＡｌＮ基板１側から順に、ｎ型コンタクト層２１、発光層（活性層）としての多重量子井戸（ＭＱＷ：Multiple Quantum Well）層２２、ＡｌＧａＮファイナルバリア層２５、ｐ型電子阻止層２３、およびｐ型コンタクト層２４を積層した積層構造を有している。 - 特許庁 - In the semiconductor laser, a clad layer 2, a guide layer 3, an MQW active layer 4, a guide layer 5, a first clad layer 6, an etching stopping layer 7, and a stripe-like second clad layer 8 are successively formed on an n-type GaAs substrate 1, and current blocking layers 9 are formed on both sides of the second clad layer 8.
ｎ−ＧａＡｓ基板１上にクラッド層２、ガイド層３、ＭＱＷ活性層４、ガイド層５、第一のクラッド層６、エッチングストップ層７、ストライプ状の第二クラッド層８を順次形成しており、第二のクラッド層８の両側に電流ブロック層９を有している。 - 特許庁 - The p-type well layer 4 and the n-type diffusion layer 20 have nonoverlapping diffusion regions and the n-type buffer layer 7 has a region touching the n-type active layer 3 directly between the p-type well layer 4 and the n-type diffusion layer 20.
ｐ型ウエル層４とｎ型拡散層２０とは互いの拡散領域が重ならず、ｐ型ウエル層４とｎ型拡散層２０との間で、ｎ型バッファ層７がｎ^- 型活性層３に直接接触する領域を有する。 - 特許庁 - The variable wavelength element section has an n-InP lower clad layer 18, a variable wavelength layer 20, an i-InP layer 22, an active layer 24, a p-InP spacer layer 26, a p-diffraction grating 28, and a p-InP buried layer 30 on the substrate.
波長可変素子部は、基板上に、ｎ−ＩｎＰ下部クラッド層１８、波長可変層２０、ｉ−ＩｎＰ層２２、活性層２４、ｐ−ＩｎＰスペーサ層２６、ｐ−回折格子２８、及びｐ−ＩｎＰ埋め込み層３０を備える。 - 特許庁 - On the n-type GaN layer 12 and the p-type GaN layer 13; an n-type GaN layer 14, an active layer 15, a p-type AlGaN layer 16, and a p-type GaN layer 17 are made to grow to form a light-emitting diode structure.
ｎ型ＧａＮ層１２およびｐ型ＧａＮ層１３上に、ｎ型ＧａＮ層１４、活性層１５、ｐ型ＡｌＧａＮ層１６およびｐ型ＧａＮ層１７を成長させて発光ダイオード構造を形成する。 - 特許庁 - An n-type contact layer 11, an n-type clad layer 12, an active layer 13, and a p-type first clad layer 14A are formed on a substrate 10, and then an etch stopper layer 19 is formed on the p-type first clad layer 14A.
基板１０の上にｎ型コンタクト層１１、ｎ型クラッド層１２、活性層１３およびｐ型第１クラッド層１４Ａを形成したのち、このｐ型第１クラッド層１４Ａ上にエッチングストップ層１９を形成する。 - 特許庁 - On a substrate 10, a lower clad layer 21, an active layer 22, an upper clad layer 23 and a contact layer 24 are formed in this order, and the upper part of the upper clad layer 23 and the contact layer 24 serve as a ridge waveguide 25.
基板１０上に、下部クラッド層２１、活性層２２、上部クラッド層２３およびコンタクト層２４がこの順に形成されており、上部クラッド層２３の上部およびコンタクト層２４が帯状のリッジ導波路２５となっている。 - 特許庁 - A semiconductor light emitting element 10 includes: a lower electrode layer 11; a semiconductor substrate 12; a lower clad layer 13; an active layer 16; a cap layer 17; a level difference confinement layer 19; current constriction structures 21A and 21B; and an upper electrode layer 23.
半導体発光素子１０は、下部電極層１１、半導体基板１２、下部クラッド層１３、活性層１６、キャップ層１７、段差閉じ込め層１９、電流狭窄構造２１Ａ，２１Ｂ、および上部電極層２３を含む。 - 特許庁 - In the active material layer, the ratio of the amount of the compound to the amount of the active material is preferably 5-50 wt.%.
活物質層における前記活物質の量に対する前記化合物の量の割合は、５〜５０重量％であることが好ましい。 - 特許庁 - An electrode raw material in which the active material layer 344 having active material particles 42 as the main component is retained by a current collector 342 is prepared.
活物質粒子４２を主成分とする活物質層３４４が集電体３４２に保持された電極原材を用意する。 - 特許庁 - The electrode for the battery is manufactured that contains an active material with a large energy capacity, such as silicon and tin, in an anode active material layer.
負極活物質層中にケイ素やスズなどのエネルギー容量の大きい活物質が含まれている電池用電極を作製する。 - 特許庁 - In each active material containing layer, the electrode active material and the conductive assistant are electrically joined without being isolated.
各活物質含有層において、電極活物質と導電助剤とが孤立せずに電気的に結合していることを特徴とする。 - 特許庁 - A negative electrode active material layer 22B of the negative electrode 22 includes negative electrode active material particles having silicon as a constituent element.
負極２２の負極活物質層２２Ｂは、ケイ素を構成元素として有する複数の負極活物質粒子を含んでいる。 - 特許庁 - The active layer 11 contains a first electron conductive material that is active to hydrocarbon, and zirconium oxide added with first rare earth elements.
活性層１１が、炭化水素に活性な第１電子伝導性物質と、第１希土類元素を添加した酸化ジルコニウムとを含む。 - 特許庁 - The negative electrode 22 has a negative electrode active material layer 22B containing a plurality of negative electrode active material particles on a negative electrode collector 22A.
負極２２は、負極集電体２２Ａ上に、複数の負極活物質粒子を含む負極活物質層２２Ｂを有している。 - 特許庁 - ACTIVE ENERGY RAY CURABLE RESIN, ACTIVE ENERGY RAY CURABLE RESIN COMPOSITION, AND ARTICLE HAVING HARD COAT LAYER FORMED BY USING THE RESIN OR RESIN COMPOSITION
活性エネルギー線硬化型樹脂、活性エネルギー線硬化型樹脂組成物およびこれらを用いて得られるハードコート層を有する物品 - 特許庁 - A positive electrode active material layer 21B of a positive electrode 21 contains first and second lithium composite oxides as a positive electrode active material.
正極２１の正極活物質層２１Ｂは、正極活物質として、第１および第２リチウム複合酸化物を含んでいる。 - 特許庁 - The segregated layer of the active metal is mainly constituted of a reaction product of the active metal and nitrogen contained in the nitride ceramic member.
活性金属の偏析層は、活性金属と窒化物系セラミック部材中の窒素との反応物により主として構成されている。 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING OPTICALLY ACTIVE LAYER, APPARATUS HAVING MANY OPTICALLY ACTIVE LAYERS AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR CONSTITUENT ELEMENT
光学活性層を有する半導体構成素子、多数の光学活性層を有する装置および半導体構成素子の製造方法 - 特許庁 - A first electrode board 32 is provided with a first power collection layer 321 and a first active material layer 322, and the first active material layer 322 is positioned between the separate area 311 and the first power collection layer 321, and is installed on the side opposite to the separate area 311.
第一電極基板３２は第一集電層３２１及び第一活性材料層３２２を備え、第一活性材料層３２２はセパレートエリア３１１と第一集電層３２１の間に位置し、セパレートエリア３１１と反対側に設置される。 - 特許庁 - Because of this, it is possible to arrange the first auxiliary active layer 7 and the second auxiliary active layer 8 in the position of the antinode of a standing wave where the amplitude of light is large without extending an optical length Lo between the lower reflective layer 4 and the upper reflective layer 5.
これにより、下部反射層４と上部反射層５との間の光学長Ｌoを延長することなく、第１の副活性層７および第２の副活性層８を光の振幅が大きい定在波の腹の位置に配置することができる。 - 特許庁 - This thin film transistor has an insulating undercoat thin film layer which covers the glass substrate, a semiconductor active layer 26 of polycrystalline silicon formed on the insulating undercoat thin film layer, and a gate electrode 28 which is insulated and formed on the semiconductor active layer 26.
ガラス基板を覆う絶縁性アンダーコート薄膜層と、この絶縁性アンダーコート薄膜層上に形成される多結晶シリコンの半導体活性層２６と、この半導体活性層２６上に絶縁して形成されるゲート電極２８とを備える。 - 特許庁 - A second electrode board 33 is provided with a second power collection layer 331 and a second active material layer 332, and the second active material layer 332 is positioned between the separate area 311 and the second power collection layer 331, and installed on the side opposite to the separate area 311.
第二電極基板３３は第二集電層３３１及び第二活性材料層３３２を備え、第二活性材料層３３２はセパレートエリア３１１と第二集電層３３１の間に位置し、セパレートエリア３１１と反対側に設置される。 - 特許庁 - The opening of the contact layer 108 is formed in a region including a region just above the active layer 103, and a distance between an end edge for normalizing the width of the opening of the contact layer 108 and the end edge of the active layer 103 is set so as to be 3 μm or less.
コンタクト層１０８の開口は活性層１０３の直上の領域を含む領域に形成されており、コンタクト層１０８の開口の幅を規定する端縁と活性層１０３の端縁との距離が３μｍ以下である。 - 特許庁
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