「active layer」を含む例文一覧(7476)
＜前へ 1 2 .... 26 27 28 29 30 31 32 33 34 .... 149 150 次へ＞- The dicing adhesive sheet is composed of at least a base layer and the active-energy-ray hardening adhesive layer located on the base layer, and the rate of gel of the active-energy-ray hardening adhesive layer before irradiating an active energy ray is more than 50%.
本発明のダイシング用粘着シートは、少なくとも基材層と、該基材層上に設けられた活性エネルギー線硬化型粘着剤層からなるダイシング用粘着シートであって、前記活性エネルギー線硬化型粘着剤層の活性エネルギー線照射前のゲル分率が５０％以上であることを特徴とする。 - 特許庁 - The measuring marks 7 and 8 are provided closer to the active layer than the positioning marks 5 and 6, so that distances between the active layer 1 and the measuring marks 7 and 8 are very accurately measured, respectively.
測定用マーク７、８は位置決めマーク５、６より活性層１に近いため、活性層１と測定用マーク７、８との各距離を高精度に測定することができる。 - 特許庁 - An insulating tape is stuck from a positive active material layer forming part on the winding inner peripheral side to a positive current collector so that an insulating tape end part covers the positive active material layer forming end part.
巻回内周側の正極活物質層形成部から正極集電体にかけて、絶縁テープ端部が正極活物質層形成端部に被るように貼着する。 - 特許庁 - The light emitting element 140 is composed of a first mirror 102, an active layer 103 provided above the mirror 102, and a second mirror 104 provided above the active layer 103.
発光素子部１４０は、第１ミラー１０２と、第１ミラー１０２の上方に設けられた活性層１０３と、活性層１０３の上方に設けられた第２ミラー１０４とを含む。 - 特許庁 - This lithium secondary battery 10 is formed by stacking in order a negative electrode current collector 2, a negative electrode active material layer 7, a separator 8, a positive electrode active material layer 6, and a positive electrode current collector 3.
リチウム２次電池１０ａは、負極集電体２と、負極活物質層７と、セパレータ８と、正極活物質層６と、正極集電体３とを順次積層して形成される。 - 特許庁 - By this, adhesion strength of the negative electrode active material layer 102 against the negative electrode current collector 101 is improved, and the negative electrode active material layer 102 physically becomes firm.
これにより、負極集電体１０１に対する負極活物質層１０２の密着力が向上すると共に、負極活物質層１０２が物理的に強固なものとなる。 - 特許庁 - The light-emitting device section 140 comprises a first mirror 102, active layer 103 arranged above the first mirror 102 and second mirror 104 arranged above the active layer 103.
発光素子部１４０は、第１ミラー１０２と、第１ミラー１０２の上方に設けられた活性層１０３と、活性層１０３の上方に設けられた第２ミラー１０４とを含む。 - 特許庁 - The semiconductor light emitting element 10 is provided with an active layer 18, and a grating on the lower side or the upper side of the active layer 18.
本発明の実施の形態の半導体発光素子１０は、活性層１８と、該活性層１８の下側または上側に回折格子を有する分布帰還型の半導体発光素子である。 - 特許庁 - Thus, stress reducing in a lateral direction can be operated in a part near the multiple quantum well active layer 105 even if the multiple quantum well active layer 105 generates heat.
これにより、多重量子井戸活性層１０５が発熱しても、多重量子井戸活性層１０５近傍の部分において横方向に縮める応力が作用するようにできる。 - 特許庁 - The concentration of the radical compound on the electrode surface side in the positive electrode active material layer 10 is different from the concentration of the radical compound on the current collector side in the positive electrode active material layer 10.
正極活物質層１０における電極表面側のラジカル化合物の濃度は、正極活物質層１０における集電体側のラジカル化合物の濃度と異なる。 - 特許庁 - A cathode active substance layer applied end 21 on the side of starting a winding and an anode active substance layer applied end 22 and a cathode lead 2 and an anode lead 7 are positioned on the one side.
捲回開始側の正極活物質層塗布端部２１および負極活物質層塗布端部２２と、正極リード２および負極リード７とが一方の側に位置する。 - 特許庁 - The static induction transistor has an active layer 4 containing a plurality of gates 1 and used as a channel forming area, and a source 2 and a drain 3 formed to pinch the active layer 4.
静電誘導トランジスタは、内部に複数のゲート１が形成されたチャネル形成領域としての活性層４と、活性層４を挟むように形成されたソース２とドレイン３を有する。 - 特許庁 - To provide an electrode which has an active material layer involving just minimum necessities in structure and achieves an excellent adhesion strength of its collector base and active material layer particularly in a nonaqueous electrolyte secondary battery.
特に非水電解質二次電池において、活物質層の構成を必要最小限にとどめつつ、集電基材と活物質層の密着強度に優れた電極を提供する。 - 特許庁 - The lithium secondary battery 10 is formed by laminating in order a positive electrode current collector 2, a positive electrode active material layer 7, a separator 8, a negative electrode active material layer 6 and a negative electrode current collector 3.
リチウム二次電池１０は、正極集電体２と、正極活物質層７と、セパレータ８と、負極活物質層６と、負極集電体３とを順次積層して形成される。 - 特許庁 - The anode 22 includes an anode collector 22A, an anode active material layer 22B provided on the anode collector 22A, and a cover 22C for covering the anode active material layer 22B.
負極２２は、負極集電体２２Ａと、その負極集電体２２Ａに設けられた負極活物質層２２Ｂと、その負極活物質層２２Ｂを被覆する被覆２２Ｃとを有している。 - 特許庁 - By injecting current into the active layer 18 from the small-gauge wire electrode 32 via the transparent conductive film 28, current can be injected to the active layer 18 uniformly.
この細線電極３２から透明導電膜２８を介して活性層１８に電流を注入することにより、活性層１８に対して均一に電流が注入できるようになる。 - 特許庁 - A cathode active substance layer 12 is formed by forming a precursor layer containing active substance particles 12A containing Si and Li as constitutional elements, and heating it afterwards.
負極活物質層１２は、構成元素としてＳｉとＬｉとを含む活物質粒子１２Ａを含有する前駆体層を形成したのち、加熱することにより形成される。 - 特許庁 - To reduce parasitic capacity other than an active layer in order to cope with a high speed modulation in an embedding hetero type semiconductor light element, in which the active layer is embedded in a semi-insulation semiconductor.
活性層を半絶縁半導体で埋め込む、埋め込みヘテロ型半導体光素子において、高速変調動作に対応するべく、活性層以外の寄生容量を低減する。 - 特許庁 - Furthermore, a metal film containing the same conductivity type impurities as those of the active layer is previously bonded onto the active layer, and then the low resistance region is formed partially by heat treatment.
また、前記能動層上に、予めこの能動層と同型の導電型不純物を含む金属膜を接合し、その後、熱処理して部分的に低抵抗領域を形成する。 - 特許庁 - Laser elements 30-1 to 30-5 including an active layer and a pair of mirror layers sandwiching the active layer are arrayed on the same substrate 20 of a VSCEL array 10.
ＶＳＣＥＬアレイ１０は、活性層と、活性層を挟み込む１対のミラー層とを備えたレーザ素子３０−１〜３０−５を同一基板２０上にアレイ状に配置している。 - 特許庁 - A gate wiring and a capacitor are formed using an active layer of a pixel TFT, a light shielding film provided on the bottom of the TFT, the active layer of the TFT and a gate insulating film which is prepared as a thin film.
画素ＴＦＴの活性層と画素ＴＦＴの下部に設けた遮光膜、画素ＴＦＴの活性層と薄膜化したゲート絶縁膜を使ってゲート配線と容量を形成する。 - 特許庁 - Furthermore, stress applied to the negative electrode active material layer 12 accompanied by swelling or contraction is dispersed, and the crack generated in the negative electrode active material layer becomes smaller by being dispersed into multiple directions.
また、膨張・収縮に伴い負極活物質層１２にかかる応力が分散され、負極活物質層１２に発生する亀裂が多方向に分散され小さくなる。 - 特許庁 - To provide a method that can displace the absorption maximum of a photovoltaic active layer to a side of longer wavelength region and/or improve the efficiency of the photovoltaic active layer.
光起電活性層の最大吸収を長波長領域側に偏移させることができ、および／または光起電活性層の効率を向上させる方法を提供する。 - 特許庁 - The organic photoelectric conversion element includes an anode, a cathode, and an organic active layer provided between the anode and the cathode, wherein the organic active layer contains a multi-exciton generator.
本発明に係る有機光電変換素子は、陽極と陰極と、該陽極と陰極との間に設けられる有機活性層とを有し、有機活性層が多励起子発生剤を含む。 - 特許庁 - The nickel powders held in the positive electrode active material layer 13 become nickel ions by electrolytic reaction to be dissolved in electrolyte and deposited on a negative electrode active material layer 23.
すると、正極活物質層１３中に保持しておいたニッケル粉末が電解反応によりニッケルイオンとなって電解液中に溶け出し、負極活物質層２３上で析出される。 - 特許庁 - The relation between the density of a current injected into the active layer and the gain coefficients of the active layer, at least, in the two different transition wavelength regions of the quantum structure is graphed.
活性層に注入される電流密度と、活性層の利得係数との関係を、量子構造の、少なくとも２つの異なる遷移波長域の利得係数についてグラフ化する。 - 特許庁 - The device includes an active element 10, a first barrier metal layer 22 formed on an electrode of the active element 10, and a first alloy bump 24 formed on the first barrier metal layer 22.
能動素子１０と、能動素子１０の電極上に形成された第１のバリアメタル層２２と、第１のバリアメタル層２２上に形成された第１の合金バンプ２４とを備える。 - 特許庁 - To provide a semiconductor optical element having the constitution, by which crystallinity of an active layer can be improved by reducing the concentration of hydrogen ions in the active layer, and to provide a method for manufacturing the semiconductor optical element.
活性層中の水素イオンの濃度を低減することにより活性層の結晶性を向上できる構造を有する半導体光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - Therefore, even if a high mesa structural body is formed, the structural body can be etched at a width of the active layer suitable for the optical semiconductor device without making the active layer be in contact with air.
そのため、高いメサ構造体を形成しても、アルミニウムを含む活性層を空気に接触させることなく光半導体装置に適した活性層幅にエッチングすることができる。 - 特許庁 - An electrode is provided with a collector, and an anode active material layer formed on the collector, and a surface treatment anode is provided with the anode active material layer processed with an amine group containing compound.
集電体と、集電体上に形成された負極活物質層と、を備える電極であって、負極活物質層がアミン基含有化合物で処理された表面処理負極。 - 特許庁 - A coating layer containing at least one binder essentially insoluble to an organic solvent is formed on the surface of a positive active material contained in the active material layer.
この活物質層に含まれる正極活物質の表面には、有機溶剤に対して実質的に不溶性である少なくとも一種のバインダーを含むコーティング層が形成されている。 - 特許庁 - The DFB laser is a laser element having a diffraction grating where an oscillation wavelength λ_e is set independently of the light gain distribution of an active layer near the active layer in a resonator structure.
本ＤＦＢレーザは、活性層の光利得分布とは独立に発振波長λ_eを設定した回折格子を共振器構造内の活性層の近傍に備えたレーザ素子である。 - 特許庁 - The active layer substrate 25 is of silicon substrate oriented to crystal face direction (100), and crystal axis direction <001> of the active layer substrate in nearly aligned with the crosswise direction of the vibration plate 25.
ここで、活性層基板２５が結晶面方位（１００）のシリコン基板であり、この活性層基板２５の結晶軸〈００１〉方向と振動板１０の短手方向とを略一致させた。 - 特許庁 - This semiconductor laser possesses a first clad layer 12, an active layer 16 formed on the first clad layer and having a multiple quantum well layer composed of a GaN semiconductor, a current constriction layer 24, formed on the active layer and having an opening 26 of stripe geometry, and a second clad layer 22 formed on the current constriction layer and having a mesa stripe 23 that corresponds to the opening.
第１のクラッド層１２と、第１のクラッド層上に形成され、ＧａＮ系半導体より成る多重量子井戸層を有する活性層１６と、活性層上に形成され、ストライプ状の開口部２６が形成された電流狭窄層２４と、電流狭窄層上に形成され、開口部に応じたメサストライプ２３を有する第２のクラッド層２２とを有している。 - 特許庁 - The self-pulsating semiconductor laser is provided with a lower clad layer 103 formed on a semiconductor substrate 101, an active layer 105 formed on the lower clad layer 103, a first upper clad layer 107 formed on the active layer 105, a second upper clad layer 109 formed on the first upper clad layer 107, and a block layer BLK.
本発明に係る自励発振型半導体レーザは、半導体基板１０１の上に形成された下部クラッド層１０３と、下部クラッド層１０３の上に形成された活性層１０５と、活性層１０５の上に形成された第１上部クラッド層１０７と、第１上部クラッド層１０７の上に形成された第２上部クラッド層１０９と、ブロック層ＢＬＫとを備える。 - 特許庁 - To provide a method for realizing a small distance between an active layer and a current block layer with excellent controllability in a buried type semiconductor laser.
埋込構造の半導体レーザに関し、活性層と電流ブロック層との距離を狭くかつ制御性よく実現すること。 - 特許庁 - Because of the silicon oxide containing layer 22C, the reaction between the negative electrode active material layer 22B and the electrolyte is restrained at high temperatures.
酸化ケイ素含有層２２Ｃにより、高温における負極活物質層２２Ｂと電解液との反応が抑制される。 - 特許庁 - To suppress resistance increase of a clad layer due to time-dependent diffusion of hydrogen while preventing introduction of group-V defect into an active layer.
活性層へのＶ族欠陥導入を防止しつつ水素の経時拡散によるクラッド層の抵抗上昇を抑制する。 - 特許庁 - The blocking layer 11 is disposed only in a region vertically corresponding to an active layer 12a of the thin film transistor 114.
遮断層１１は薄膜トランジスタ１１４の活性層１２ａと垂直的に対応する領域にのみ配置されている。 - 特許庁 - The organic photoelectric conversion element 100 comprises a first electrode 2, a second electrode 6, an active layer 4, and a gettering layer 7.
有機光電変換素子１００に、第一の電極２と、第二の電極６と、活性層４と、ゲッター層７とを設ける。 - 特許庁 - The transmission characteristics and modulation characteristics of the light can be enhanced by using such core layer 4 and active layer 5.
このようなコア層４と活性層５とを用いることにより、光の透過特性および変調特性を高くすることができる。 - 特許庁 - The active region 21 is provided between the p-type group III-V compound semiconductor layer 15 and the AlGaInAs layer 17.
活性領域２１は、ｐ型III−Ｖ化合物半導体層１５とＡｌＧａＩｎＡｓ層１７との間に設けられている。 - 特許庁 - The anode 10 has an anode active material layer 2 and a compound layer 3 arranged on both faces of an anode current collector 1.
負極１０は、負極集電体１の両面に、負極活物質層２および化合物層３が設けられたものである。 - 特許庁 - A polysilicon layer 11 is grown on one surface of an active layer wafer 10 after etching, with the silicon surface on the opposite side mirror- polished.
エッチング後の活性層用ウェーハ１０の片面にポリシリコン層１１を成長させ、反対側のシリコン面を鏡面研磨する。 - 特許庁 - The stress between the n-type semiconductor layer 43 and the conformational active layer 44 therefore can be released with the recesses 431.
したがって、ｎ型半導体層４３とコンフォーメーション活性層４４の間の応力はリセス４３１によって解放され得る。 - 特許庁 - A first III-V compound semiconductor layer 19 for an active layer is formed in an organometallic vapor growth furnace 25.
この方法では、活性層のための第１のIII−Ｖ化合物半導体層１９を有機金属気相成長炉２５で形成する。 - 特許庁 - A light element is ion-implanted to a thermally oxidized active layer wafer to form a defective layer at a 0.1-0.2 μm depth from the surface.
熱酸化された活性層用ウェーハに軽元素イオンを注入し、表面から0.1〜2μmの深さに欠陥層が形成させる。 - 特許庁 - The second DBR 23 is provided on a first area 15b of the active layer 15 and the second semiconductor spacer layer 19.
第２のＤＢＲ２３は、活性層１５の第１のエリア１５ｂ上及び第２の半導体スペーサ層１９上に設けられる。 - 特許庁 - To prevent the wire breaking of a diffusion layer in an active layer, and also to reduce the cell area.
活性領域における拡散層の断線を防止できるようにすると共に、セル面積を低減することができるようにする。 - 特許庁 - The negative electrode 14 has a negative electrode collector 14A, a negative active material layer 14B and an inorganic compound layer 14C.
負極１４は、負極集電体１４Ａと負極活物質層１４Ｂと無機化合物層１４Ｃとを有している。 - 特許庁
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