「active layer」を含む例文一覧(7476)
＜前へ 1 2 .... 28 29 30 31 32 33 34 35 36 .... 149 150 次へ＞- Forming the recessed part 20 by reactive etching so as to extend across the oxide film 3 to the interior of the active layer 4, less causes three-dimensional stress concentration to occur on a boundary face between the oxide film and the active layer, less causing cracks, etc. to occur in the boundary face between the oxide film and the active layer.
凹部２０を、反応性エッチングにより酸化膜３を越えて活性層４の内部まで延長して形成することにより、酸化膜／活性層界面で３次元的な応力集中が起こり難くなり、酸化膜／活性層界面にクラック等が入り難くなる。 - 特許庁 - When the film 24 is formed on the light emitting edge 22 side and successively cooled to a room temperature, a compressive (+) strain is formed in the active layer 16 near the edge 22 and the band gap energy of the active layer 16 near the edge 22 increases and becomes larger than that of the active layer 16 inside the laser element 10.
出射端面に低線膨張膜２４を成膜し、次いで室温まで放冷すると、出射端面近傍の活性層に圧縮（＋）歪が生じ、出射端面近傍の活性層のバンドギャップ・エネルギーが増大して、レーザ内部の活性層のバンドギャップ・エネルギーより大きくなる。 - 特許庁 - Then, a lower piezoelectric layer 40 and an intermediate piezoelectric layer 41 other than a first active section R1 in a region overlapped with the first active region R1 from its plane view are moved from the lower piezoelectric layer 40 (face side separated from the first active section R1), and through-holes 40a and 41a are formed (removal process).
そして、平面視で第１活性部Ｒ１と重なる領域にある第１活性部Ｒ１以外の、下部圧電層４０及び中間圧電層４１を下部圧電層４０側（第１活性部Ｒ１から離れた面側）から除去し、貫通孔４０ａ、４１ａを形成する（除去工程）。 - 特許庁 - An active material-containing layer is formed on a part on which the active material-containing layer is to be formed (by applying electrode forming application solution L3) of a band-like current collector 160 by coating at least one edge of a surface of the current collector 160 on which the active material-containing layer is to be formed with a mask tape 68.
帯状の集電体１６０における活物質含有層が形成される面の少なくとも一方の縁部をマスクテープ６８で被覆し、集電体１６０の活物質含有層を形成（電極形成用塗布液Ｌ３の塗布）すべき部位に、活物質含有層を形成する。 - 特許庁 - A semiconductor light-emitting device comprises a nitride semiconductor light-emitting element emitting polarization light polarized in a polarization direction included in a plane in parallel with an active layer from the active layer, and a light transmissive encapsulation part covering the nitride semiconductor light-emitting element and having a symmetry plane perpendicular to the active layer.
活性層に平行な面内に含まれる偏光方向に偏光した偏光光を前記活性層から放射する窒化物半導体発光素子と、窒化物半導体発光素子を覆い、前記活性層に垂直な対称面を有する透光性封止部とを備える。 - 特許庁 - An active layer 12 can be formed thin while sustaining crystallinity by selecting a compound semiconductor having good temperature characteristics in the active layer 12 and employing a multilayer structure where high resistance buffer layers 13 and 13 are sandwiched by the active layer 12 and a substrate 11.
活性層１２に温度特性が良い化合物半導体を選び、活性層１２と基板１１との間に格子定数が近く高抵抗の緩衝層１３，１３を挟んだ多層構造にすることで、活性層１２を、結晶性を保ったまま薄く形成することができる。 - 特許庁 - The cathode 1 includes an active material layer 10 and a current collector 11, and 80 wt.% or more of the total amount of the active material contained in the active material layer 10 are in a form of a primary particle 12a and a conductive coating layer 13 is formed on the surface of the primary particle 12a.
正極１は、活物質層１０および集電体１１を含み、活物質層１０に含有される活物質全量の８０重量％以上が一次粒子１２ａの形態であり、さらに、一次粒子１２ａの表面には導電性被覆層１３が形成されている。 - 特許庁 - In detail, the electrically floated reflecting plate is extended onto an active layer part formed of amorphous silicon to prevent a thin film transistor including the active layer from inducing a leak current owing to direct incidence of light on the active layer.
詳細に説明すると、非晶質シリコンで形成されるアクティブ層を含む薄膜トランジスタにおいて、前記アクティブ層に光が直接入射して漏れ電流を誘発することを防止するために、電気的にフローティングさせた反射板を前記アクティブ層上部に延ばして形成する。 - 特許庁 - In a multibeam LD2, a laser emitter 11 is provided on a substrate 10 so that an active layer 11c is substantially parallel to the substrate 10, and a laser emitter 12 is provided on a step 13 provided on the substrate 10 so that an active layer 12c is positioned substantially in parallel to the active layer 11c.
マルチビームＬＤ２において、基板１０上に活性層１１ｃが基板１０に略平行となるようにレーザ発光部１１を設け、基板１０上に設けた段部１３上に、活性層１１ｃと略平行に活性層１２ｃが位置するようにレーザ発光部１２を設ける。 - 特許庁 - The second electrode is connected to the active region and the spacer through a conductive inter-layer oxide layer, and a curved region of a depression region is formed so as to be separated from the boundary of the active region by a predetermined length and so as to cover the active region, the spacer and a portion of the termination structure oxide layer 245.
第２の電極は、導電層間酸化層を介して、活性領域及びスペーサに接続し、空乏領域の湾曲領域が活性領域の境界から所定の長さ離間するように、活性領域、スペーサ及び終端構造酸化層の一部を覆うように形成されている。 - 特許庁 - By using a silicon oxide film having a negative fixed charge as a film contacting an active layer of a transistor or a film adjacent to the active layer, a negative electric field is constantly superposed on the active layer by the negative fixed charge, so that a threshold voltage can be positively shifted.
トランジスタの活性層と接する膜または活性層近傍の膜に負の固定電荷を有する酸化シリコン膜を用いることで、負の固定電荷により活性層に負の電界が常に重畳していることになり、しきい値電圧をプラスシフトさせることができる。 - 特許庁 - The adhesion between the current collector and the active material layer is improved without forming the diffusion layer between the current collector and the active material layer, thereby obtaining the electrode compatible with suppression of deformation of an electrode plate and exfoliation of the active material due to charge and discharge reactions of a battery.
これによって、集電体と活物質層間に拡散層を形成することなく、集電体と活物質層間の密着性が向上し、電池の充放電反応による極板の変形及び活物質の剥離の抑制を両立した電極を得ることが可能となる。 - 特許庁 - The electrode assembly includes a positive electrode with a positive electrode active material layer, a negative electrode provided with a negative electrode active material layer including LTO (Lithium Titanium Oxide), and a separator interposed between the positive electrode and the negative electrode and an area of the positive electrode active material layer is formed so as to be larger than that of the negative electrode active material layer.
本発明によれば、電極組立体は、正極活物質層が備えられた正極と、ＬＴＯ（Ｌｉｔｈｉｕｍ Ｔｉｔａｎｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）を含む負極活物質層が備えられた負極と、正極と負極の間に介在されるセパレーターとを含み、正極活物質層の面積が負極活物質層の面積より大きく形成される。 - 特許庁 - For the electrode for the battery provided with a collector, and an active material layer containing an active material and a conductive assistant, a bulk density of the conductive assistant in the active material layer is gradually reduced from a collector side of the active material layer toward the electrolyte layer.
すなわち本発明は、集電体と、前記集電体の表面に形成された、活物質および導電助剤を含む活物質層と、を有する電池用電極であって、前記活物質層における導電助剤のかさ密度が、活物質層の集電体側から電解質側に向かうに従って漸減していることを特徴とする、電池用電極によって、上記課題は解決される。 - 特許庁 - The nonaqueous electrolyte secondary battery includes a positive electrode having a positive electrode active material layer, a negative electrode having a negative electrode active material layer as well as electrolyte, and at least either the positive electrode active material layer or the negative electrode active material layer includes a binding agent containing polyvinylidene fluoride resin with a mass average molecular weight of ≥500,000, as well as polyvinyl pyrrolidone.
正極活物質層を有する正極および負極活物質層を有する負極と共に電解液を備えた非水電解液二次電池であって、正極活物質層及び負極活物質層の少なくとも何れかに質量平均分子量が５０万以上のポリフッ化ビニリデン系樹脂を含む結着剤とポリビニルピロリドンとを含む非水電解質二次電池。 - 特許庁 - The negative active material layer 22B contains a negative active material containing at least one of silicon and tin as a constituent element.
負極活物質層２２Ｂには、構成元素としてケイ素およびスズのうちの少なくとも一方を含有する負極活物質が含まれている。 - 特許庁 - The anode is provided with an anode active material layer containing an anode collector and a particulate anode active material formed on the collector.
負極は、負極集電体と該集電体上に形成された粒状の負極活物質を含む負極活物質層とを有している。 - 特許庁 - This electrode has a current collector holding an electrolyte and an active material layer formed on the current collector and containing an active material.
電解質を保持してなる集電体と、前記集電体上に形成されてなる、活物質を含む活物質層と、を有する、電極である。 - 特許庁 - An optical transparent layer 30 comprising GaAs is extended between the active layers to optically connect the two active layers.
これらの活性層の間には、ＧａＡｓからなる光透過層３０が延在しており、この二つの活性層を光学的に接続している。 - 特許庁 - A negative active material layer 12B is formed by a gas phase process and has active material particles containing Si as a constitution element.
負極活物質層１２Ｂは、気相法により形成されたものであり、構成元素としてＳｉを含む活物質粒子を有している。 - 特許庁 - The laser emission part includes an active region (20) and a first current filter layer (100) arranged in the vicinity of the active region.
前記レーザ発光部分は活性領域（２０）と、前記活性領域の近傍に配置された第１の電流遮断層（１００）とを含む。 - 特許庁 - The photoresist layer is left only on an isolation region 42 between the active region 40 and an active region which is made adjacent along the longitudinal axial direction.
活性領域（４０）とその長軸方向に沿って隣り合う活性領域との間の分離領域（４２）上のみにフォトレジスト層を残す。 - 特許庁 - A layer of silicide metal is disposed in active areas of the substrate and has a gap over a channel connecting adjacent active areas.
シリサイド金属層は、基板の活性領域において備えられ、活性領域に隣接して接続しているチャネル接続においてギャップを有する。 - 特許庁 - A process A of forming an active material layer on the surface of a collector 12b is carried out by an active material coating device 56 and a drying device 60.
活物質塗布装置５６と乾燥装置６０によって、集電体１２ｂの表面に活物質層を形成する工程Ａを実施する。 - 特許庁 - The electrode active material layer contains a void formation agent comprising at least an active material, a conductive agent, a binder and a coil-like substance.
その電極活物質層は、少なくとも、活物質、導電剤、結着剤およびコイル状物質から成る空隙形成剤を含有している。 - 特許庁 - An anode active material layer 12 includes a particulate anode material, containing Sn or Si as a component element as an anode active material.
負極活物質層１２は、負極活物質として、ＳｎまたはＳｉを構成元素として含む粒子状の負極材料を含んでいる。 - 特許庁 - Electrochemically active lithium is left in the negative active material layer 12 even after discharge in initial charge/discharge cycles.
更に、負極活物質層１２Ｂには少なくとも初期の充放電サイクルにおいて、放電後にも電気化学的に活性なリチウムが残存している。 - 特許庁 - An electrode for nonaqueous electrolyte secondary batteries includes: a collector; and an active material layer formed on the collector and containing an active material.
非水電解質二次電池用電極は、集電体と、集電体の上に形成されており、活物質を含む活物質層とを備えている。 - 特許庁 - A negative electrode active material layer 22B of the negative electrode 22 contains a crystal negative electrode active material capable of occluding and discharging lithium ions.
負極２２の負極活物質層２２Ｂは、リチウムイオンを吸蔵および放出することが可能な結晶性の負極活物質を含んでいる。 - 特許庁 - The positive electrode 10 for the nonaqueous electrolyte secondary battery includes an active material layer 12 containing active material particles 12a containing Si or Sn.
非水電解液二次電池用負極１０は、Ｓｉ又はＳｎを含有する活物質の粒子１２ａを含む活物質層１２を備える。 - 特許庁 - The negative electrode 10 for the non-aqueous electrolytic secondary battery includes the active material layer 12 containing active material particles 12a to contain Si or Sn.
非水電解液二次電池用負極１０は、Ｓｉ又はＳｎを含む活物質の粒子１２ａを含有する活物質層１２を備える。 - 特許庁 - The electrode 10 includes a current collector 16 and an active material layer 18 formed on the current collector 16 and containing an active material and polybenzimidazole.
集電体１６と、集電体１６上に形成され、活物質及びポリベンゾイミダゾールを含む活物質層１８と、を備える、電極１０。 - 特許庁 - A columnar mesa section 17 is provided on a substrate 10, where the columnar mesa section 17 includes a lower DBR layer 11, a lower spacer layer 12, an active layer 13, an upper spacer layer 14, an upper DBR layer 15, and a contact layer 16, in this order starting from the side of the substrate 10.
基板１０上に、下部ＤＢＲ層１１、下部スペーサ層１２、活性層１３、上部スペーサ層１４、上部ＤＢＲ層１５およびコンタクト層１６を基板１０側からこの順に含む柱状のメサ部１７が設けられている。 - 特許庁 - The thin-film solar cell includes a transparent substrate where a transparent surface electrode layer, a photovoltaic active layer system, a transparent conductive barrier layer 4, and a back layer system 5 including a metal junction layer 6 and an Ag-containing reflector layer 8 are arranged.
薄膜太陽電池は、透明表面電極層、光起電活性層システム、透明導電性バリア層４、ならびに金属接合層６およびＡｇ含有反射体層８を含む裏面層システム５が配置される透明基板を有する。 - 特許庁 - The gallium battery includes a positive-electrode layer, a negative-electrode layer that contains a gallium metal and/or a gallium alloy as a negative-electrode active material, an electrolyte layer arranged between the positive-electrode layer and the negative-electrode layer, and a pressing means for pressing the negative-electrode layer.
正極層、ガリウム金属及び／又はガリウム合金を負極活物質として含む負極層、前記正極層と前記負極層との間に配設された電解質層、並びに、前記負極層を押圧する押圧手段、を備える、ガリウム電池とする。 - 特許庁 - The semiconductor optical element 1 includes a first DBR reflection layer 4 provided on a semiconductor substrate 3 and having a first semiconductor layer and a second semiconductor layer alternately stacked, a first clad layer 5, an active layer 7, and a second clad layer 10.
半導体光素子１は、半導体基板３上に設けられ第１半導体層及び第２半導体層が交互に積層された第１ＤＢＲ反射層４と、第１クラッド層５と、活性層７と、第２クラッド層１０とを備える。 - 特許庁 - The light emitting element 1 has an emission layer part where a p-type clad layer 2, an active layer 33 and an n-type clad layer 34 are formed sequentially in this order and the p-type clad layer 2 comprises a p-type MgxZn1-xO layer (0<x≤1).
発光素子１は、ｐ型クラッド層２、活性層３３及びｎ型クラッド層３４がこの順序にて積層された発光層部を有し、かつｐ型クラッド層２がｐ型Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（ただし、０＜ｘ≦１）層からなる。 - 特許庁 - On a semiconductor substrate 101, semiconductor layers are laminated which include a buffer layer 102, a first lower clad layer 103, an etching start layer 104, a second lower clad layer 105, an active layer 107, and an upper clad layer 109 at least in this order.
半導体基板１０１上に、バッファ層１０２と、第一下クラッド層１０３と、エッチング開始層１０４と、第二下クラッド層１０５と、活性層１０７と、上クラッド層１０９とを少なくとも順に含む半導体層を積層する。 - 特許庁 - A semiconductor light emitting device includes at least an n-type cladding layer 2, an active layer 4, a p-type cladding layer 6, and a p-type contact layer 8 stacked in this order on a substrate 1, and further includes a ridge portion 6a including the p-type cladding layer and the p-type contact layer.
半導体発光素子は、基板１上に少なくともｎ型クラッド層２、活性層４、ｐ型クラッド層６及びｐ型コンタクト層８が順次積層され、ｐ型クラッド層及びｐ型コンタクト層からなるリッジ部６ａを有している。 - 特許庁 - A substrate 1 is overlapped with an n-type nitride semiconductor layer 2, an active layer 3 and a p-type nitride semiconductor layer 4, and an optical resonant surface is made of a parting surface S in the laminating direction, to constitute a band-shaped laser element resonator that emits light from the active layer 3.
基板１上にｎ型窒化物半導体層２、活性層３、およびｐ型窒化物半導体層４が順に積層され、積層方向の裂開面Ｓが光共振面とされ、活性層３より発光する帯状のレーザ素子共振器を構成している。 - 特許庁 - An active layer 7 is formed of a multi-quantum well(MQW) that is formed by alternately laminating two kinds of InGaN layers that serve as a barrier layer and a well layer, and a variety of semiconductor layers which contain the active layer 7 are formed on a transparent sapphire substrate 1 for the formation of a semiconductor laser.
この半導体レーザーは、透明なサファイア基板１上に障壁層および井戸層となる２種のＩｎＧａＮ層を交互に積層した多重量子井戸（ＭＱＷ）から成る活性層７を含む各種の半導体層を形成して成る。 - 特許庁 - A positive electrode active material layer 2 and a positive electrode current collector layer 4 are laminated at one face of an electrolyte film 1 including lithium ion conductive glass ceramics as a supporting substrate, and a negative electrode active material layer 3 and a negative electrode current collector layer 5 are laminated at the other face.
支持基材としてのリチウムイオン伝導性ガラスセラミックスを含む電解質フィルム１の一方の面に正極活物質層２、正極集電体層４が積層され、他方の面に負極活物質層３、負極集電体層５が積層された。 - 特許庁 - To provide an optical module having a monitoring function and a semiconductor light-emitting device including a reflector (mirror) arranged clockwise on the end face in one direction of an active layer formed on a distributed Bragg reflector layer (DBR layer) at an angle of about 45 degrees to the active layer.
分布ブラッグ反射層（ＤＢＲ層）上の活性層の一方向の端面にこの活性層に対して時計回りで略４５度の角度をもって反射鏡（ミラー）が配置された半導体発光素子を有するモニタリング機能付き光モジュールを提供する。 - 特許庁 - To obtain an optical semiconductor device having such a structure as a light spot at the emission edge of a spot size converting part is superposed on the center of an active layer and a recombination layer has no effect on the light spot when the optical semiconductor device has a recombination layer different from the active layer.
光半導体装置に関し、スポットサイズ変換部の出射端での光スポットを活性層の中心に重ねるとともに、活性層とは異なる再結合層を有する場合に光スポットが再結合層に影響されない構造を得ること。 - 特許庁 - To provide an optical semiconductor device having a structure where a light spot at the emission edge of a spot size converting part is superposed on the center of an active layer and a recombination layer has no effect on the light spot when the optical semiconductor device has a recombination layer different from the active layer.
光半導体装置に関し、スポットサイズ変換部の出射端での光スポットを活性層の中心に重ねるとともに、活性層とは異なる再結合層を有する場合に光スポットが再結合層に影響されない構造を得ること。 - 特許庁 - A layer for burying a mesa structure including an active layer 1 is grown in an atmosphere simultaneously containing n- and II-family p-type impurities when an n-type current block layer 3 positioned at the upper part of the active layer 1 is selected for growing.
活性層１を含むメサ構造を埋め込む埋込層であって、活性層１より上部に位置するｎ型電流ブロック層３を選択成長させる際に、ｎ型不純物とＩＩ族ｐ型不純物とを同時に含んだ雰囲気中で成長させる。 - 特許庁 - A bipolar battery 4 being a secondary battery is provided with a unit cell (a battery element) 7, which has a positive-electrode active material layer 10 and a negative-electrode active material layer 8 that are respectively arranged on both sides of an electrolyte layer 9, and a coating layer 2 that at least partially coats the unit cell 7.
２次電池であるバイポーラ電池４は、電解質層９の両側に配置された正極活物質層１０および負極活物質層８を有する単位電池（電池要素）７と、単位電池７の少なくとも一部を被覆する被覆層２とを備える。 - 特許庁 - The semiconductor laser element 100 includes an active layer 5 made of a nitride-based semiconductor, an upper clad layer 8 formed on the active layer 5, and a ridge portion 11 formed by dry-etching the upper clad layer 8 up to a halfway depth.
この半導体レーザ素子１００は、窒化物系半導体からなる活性層５と、活性層５上に形成された上部クラッド層８と、上部クラッド層８の途中の深さまでドライエッチングされることによって形成されたリッジ部１１とを備えている。 - 特許庁 - The laminate structure is constituted in such a manner that a laminate portion including an oxide-confinement layer 107 on an active layer 105 is formed in a first mesa post M1 and a laminate portion including a part of the active layer 105 and an n-type contact layer 104 is formed in a second mesa post M2.
積層構造は、活性層１０５の上側の酸化狭窄層１０７を含む積層部分が第１のメサポストＭ１に形成され、活性層１０５及びｎ型コンタクト層１０４の一部を含む積層部分が第２のメサポストＭ２に形成される。 - 特許庁 - The current flowing between the active layer 6 including an pn junction interface and the n-type GaAs substrate 1 is suppressed by making the conductivity type of an underlying heterobarrier layer 5 same as that of a part abutting on the underlying heterobarrier layer 5 of the active layer 6.
さらに、下ヘテロ障壁層５の導電型を活性層６の下ヘテロ障壁層５に接する部分の導電型と同一にしてｐｎ接合界面を含む活性層６とｎ型ＧａＡｓ基板１との間に流れる電流を抑えるようにした。 - 特許庁
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