「active layer」を含む例文一覧(7476)
＜前へ 1 2 .... 31 32 33 34 35 36 37 38 39 .... 149 150 次へ＞- Besides, by changing the thickness of the active layer of the separating membrane, the inter-membrane differential pressure can be controlled.
また、分離膜の活性層の厚みを変えることにより膜間差圧を制御することができる。 - 特許庁 - To prevent peeling of a current collector foil and an active material layer, and to suppress battery capacity decrease.
集電体箔及び活物質層の剥離を抑制し電池容量の低下を防止する。 - 特許庁 - Consequently, a current constriction structure is formed in the active layer and the current threshold is reduced.
この結果、活性層に電流狭窄構造が形成され、電流しきい値が低減される。 - 特許庁 - Floating gates 14 are formed in the respective active regions by forming a conducting layer of material.
浮動ゲート１４は材料の電導層を形成することによって各能動区域に形成され。 - 特許庁 - To provide a compound semiconductor material for use of manufacturing the active layer of a thin film transistor element.
薄膜トランジスタ素子活性層製造に使用される化合物半導体材料の提供。 - 特許庁 - A first clad layer 3, an active layer 4, a second clad layer 5, and an etching stop layer 6 are formed sequentially on a crystal substrate 1, a third ridge stripe clad layer 7 is formed on the etching stop layer, and block layers 10 are formed on both sides of the third clad layer.
結晶基板１上に、第１クラッド層３、活性層４、第２クラッド層５、およびエッチング停止層６を順次備え、エッチング停止層上にリッジストライプ状の第３クラッド層７を有し、第３クラッド層の両側にブロック層１０が形成された構造を有する。 - 特許庁 - A buffer layer 2, an n-AlGaInP clad layer 3, an active layer 4, a p-AlGaInP clad layer 5, a p-GaInP step-punching generation layer 6, and a p-GaInP ordered-structure formation layer (a spontaneous superlattice layer) 7, are epitaxially grown on an n-type GaAs substrate 1, and a mesa structure is formed.
ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、バッファ層２、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３、活性層４、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５、ｐ−ＧａＩｎＰステップバンチング発生層６、ｐ−ＧａＩｎＰ秩序構造形成層（自然超格子層）７をエピタキシャル成長させ、メサ構造を形成する。 - 特許庁 - The surface-emitting semiconductor laser is provided with a laminate structure in which a lower DBR layer 11, a lower spacer layer 12, an active layer 13, an upper spacer layer 14, a current confinement layer 15, an upper DBR layer 16, and a contact layer 17 are laminated in this order on a substrate 10, and the upper part of the laminate structure constitutes a mesa 18.
基板１０上に、下部ＤＢＲ層１１、下部スペーサ層１２、活性層１３、上部スペーサ層１４、電流狭窄層１５、上部ＤＢＲ層１６およびコンタクト層１７をこの順に積層した積層構造を備え、この積層構造の上部がメサ部１８を構成する。 - 特許庁 - An n-GaAs buffer layer 2 is provided on an n-GaAs substrate 1 provided with a bottom face electrode 8, a light emitting part consisting of an n-clad layer 3, an active layer 4 and a p-clad layer 5 is formed on the buffer layer 2, and a p-contact layer 6 is formed on the p-clad layer 5.
底面電極８が設けられたｎ−ＧａＡｓ基板１上には、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２が設けられ、このバッファ層２には、ｎクラッド層３、活性層４、ｐクラッド層５よりなる発光部が形成され、ｐクラッド層５上にｐコンタクト層６が形成される。 - 特許庁 - In the GaN-based semiconductor laser element, an active layer is formed as a quantum well structure including a GaInN barrier layer 36 and a GaInN well layer 38, and a planar crystal defect prevention layer 40 made of an AlGaN layer is provided on an upper surface or a lower surface, or between both the surfaces of the barrier layer and the well layer.
活性層は、ＧａＩｎＮ障壁層３６と、ＧａＩｎＮ井戸層３８との量子井戸構造として構成されて、障壁層と井戸層の上面もしくは下面もしくはその双方との間にＡｌＧａＮ層からなる面状結晶欠陥抑制層４０を介在させている。 - 特許庁 - The VCSEL includes a laminate structure in which a lower DBR layer 11, a lower spacer layer 12, an active layer 13, an upper spacer layer 14, a current confinement layer 15, an upper DBR layer 16, and a contact layer 17 are layered in this order on a substrate 10, and the upper part of the laminate structure constitutes a mesa 18.
基板１０上に、下部ＤＢＲ層１１、下部スペーサ層１２、活性層１３、上部スペーサ層１４、電流狭窄層１５、上部ＤＢＲ層１６およびコンタクト層１７をこの順に積層した積層構造を備え、この積層構造の上部がメサ部１８を構成する。 - 特許庁 - The laminated electronic component is composed of four-layer units 7 each composed of an active catalyst layer 4, a plated inner electrode layer 6 and a ceramic layer 12 laminated in this order on a base layer sheet 2 or, as required, three-layer units 14 lacking in the base layer sheets 2.
本発明に係る積層型電子部品用単位体は、基層シート２上に活性触媒層４とメッキ形成された内部電極層６とセラミックス層１２をこの順に積層した四層体７、また必要により基層シート２を除去した三層体１４からなることを特徴とする。 - 特許庁 - When the active layer is etched by a dry etching method by using metal etching gas, the lower barrier layer 30d below the burying layer is formed of an AlGaInAs layer whose composition is different from that of the lattice layer upper than the lower barrier layer so that it shows an etching rate smaller than the lattice layer.
埋め込み層下の下側障壁層３０ｄが、メタン系エッチングガスを使ったドライエッチング法により活性層をエッチングする際、格子層に比べて小さいエッチングレートを示すように、下側障壁層より上の格子層の組成とは異なる組成のＡｌＧａＩｎＡｓ層で形成されている。 - 特許庁 - The laser diode includes a laminate structure 20 including a lower DBR mirror layer 11, a lower spacer layer 15A, an active layer 16 having a light emission region 16A, an upper spacer layer 15B, a current narrowing layer 17, an upper DBR mirror layer 18 and a contact layer 19 in the order from the side of a substrate 10.
基板１０側から順に、下部ＤＢＲミラー層１１、下部スペーサ層１５Ａ、発光領域１６Ａを有する活性層１６、上部スペーサ層１５Ｂ、電流狭窄層１７、上部ＤＢＲミラー層１８およびコンタクト層１９を有する積層構造２０を備える。 - 特許庁 - On the surface of an n-GaAs substrate 2, a clad layer 3, an MQW active layer 4, a first clad layer 5, an etching stop layer 6, a block layer 7, a second clad layer 8, a buffer layer 9, and a p-electrode 11 are formed, and an n-electrode 1 is formed on the back of the n-GaAs substrate 2.
ｎ−ＧａＡｓ基板２上に、クラッド層３、ＭＱＷ活性層４、第１クラッド層５、エッチングストップ層６、ブロック層７、第２クラッド層８、バッファ層９、ｐ電極１１が積層され、ｎ−ＧａＡｓ基板２の裏側にはｎ電極１が形成されている。 - 特許庁 - Since positive holes generated in the active layer 3 can be restrained from moving to the negative electrode 2 side at the interface between the active layer 3 and the positive hole blocking layer 4, the positive holes can be efficiently moved to and collected by the positive electrode 1.
活性層３に生成された正孔が負極２側へ移動することを活性層３と正孔阻止層４との界面で抑えることができ、正孔を正極１へと効率良く移動させて収集することができる。 - 特許庁 - A separator 3 is interposed between a positive electrode 1 and a negative electrode 2, a porous insulating layer 4 containing a ceramics filler and a resin binder is formed on the surface of a positive electrode active substance layer 1a or a negative electrode active substance layer 2a.
正極１と負極２のあいだにセパレータ３が介在し、正極活物質層１ａ、負極活物質層２ａのいずれかの表面上にセラミックスフィラーと樹脂バインダーとを含む多孔性絶縁層４が形成されている。 - 特許庁 - The tin film transistor has an active layer using a polycrystalline silicon film or microcrystalline silicon film and an electric field relaxing film formed between the active layer and a contact layer for the source/drain electrode, thus forming an electric field relaxation structure.
本発明の薄膜トランジスタは、多結晶シリコン膜または微結晶シリコン膜を活性層とし、この活性層とソース・ドレイン電極へのコンタクト層との間に電界緩和層が形成され、電界緩和構造となっている。 - 特許庁 - The impurities diffused into the second upper clad layer 106 are diffused again into the active layer 102, and a part 102B out of the active layer 102 located along the light exiting end face 150 and just under the ridge 105 is turned into mixed crystals (second annealing).
第２上クラッド層１０６に拡散された上記不純物を、活性層１０２まで再拡散して、活性層１０２のうち光出射端面１５０に沿い、かつリッジ１０５直下の部分１０２Ｂを混晶化する（第２アニール）。 - 特許庁 - The power generation element 30 is formed of a bipolar electrode 21 in which a positive electrode active material layer is formed on one surface of the current collector 22 and a negative electrode active material layer is formed on other surface, being laminated through an electrolyte layer 25.
発電要素３０は、集電体２２の一方の面に正極活物質層が形成され、他方の面に負極活物質層が形成される双極型電極２１が電解質層２５を介して積層されて形成される。 - 特許庁 - The bipolar type electrode includes a current collector including a conductive resin layer, a cathode active material layer formed on one surface of the current collector, and an anode active layer formed on the other surface of the current collector.
本発明の双極型電極は、導電性を有する樹脂層を含む集電体と、集電体の一方の面に形成された正極活物質層と、集電体の他方の面に形成された負極活物質層と、を含む。 - 特許庁 - An active layer 2 (semiconductor layer) is formed by poly-crystalizing amorphous silicon on an insulating substrate 1 by laser annealing, and a drain region 2d and a source region 2s are formed so as to face each other in the active layer 2.
絶縁基板１にアモルファスシリコンをレーザーアニールにより多結晶化してなる能動層２（半導体層）が形成され、この能動層２の中に、互いに対向してドレイン領域２ｄとソース領域２ｓが形成されている。 - 特許庁 - In the groove 27, the source electrode 31 which electrically connects the top surface of the active layer 25 to the silicon substrate 21 and an insulating layer 70 which insulates a portion of the source electrode 31 in the groove 27 from the active layer 25 are formed.
溝２７内には、能動層２５の表面とシリコン基板２１とを電気的に接続するソース電極３１と、ソース電極３１の溝２７内の部分を能動層２５に対して絶縁する絶縁層７０とが形成されている。 - 特許庁 - In the unit power generation element 31, a bipolar electrodes 21 having a positive electrode active material layer 23 formed on one side of a collector 22 and a negative electrode active material layer 24 formed on the other side are laminated through an electrolyte layer 25.
単位発電要素３１は、集電体２２の一方の面に正極活物質層２３が形成され、他方の面に負極活物質層２４が形成される双極型電極２１が電解質層２５を介して積層されてなる。 - 特許庁 - An anode 10 includes an anode active material layer 102 in which a first layer 1 and a second layer 2 respectively containing silicon and a metal element as anode active materials are alternately layered on an anode current collector 101.
負極１０は、負極集電体１０１上に、珪素および金属元素を負極活物質として各々含有する第１および第２の層１，２が交互に積層されてなる負極活物質層１０２を有する。 - 特許庁 - In the manufacturing method for the electrode for the non- aqueous electrolyte battery wherein an electrode active material layer is formed by coating and drying the electrode active material and an electrode synthetic coating material on an electrode collector body and then the electrode active material layer is rolled by a rolling press machine, the electrode active material layer is rolled by using a heated rolling roll.
電極活物質及びバインダーを含む電極合剤塗料を電極集電体上に塗布し、乾燥して、電極活物質層を形成し、その後、電極活物質層をロールプレス機により圧延する非水電解質電池用電極の製造方法において、加熱された圧延ロールを用いて電極活物質層の圧延を行う。 - 特許庁 - A cathode current collector is coated with a coating liquid containing a cathode active material to form a cathode active material layer, on top of which a coating liquid containing a solid electrolyte material is applied to form a solid electrolyte layer, further on top of which a coating liquid containing an anode active material is applied to form an anode active material layer, in which way a lithium ion secondary battery is manufactured.
負極集電体に負極活物質を含む塗布液を塗布して負極活物質層を形成し、その上に固体電解質材料を含む塗布液を塗布して固体電解質層を形成し、さらにその上に正極活物質を含む塗布液を塗布して正極活物質層を形成し、リチウムイオン二次電池を製造する。 - 特許庁 - The method of manufacturing the electrode plate equipped with a collector and an active material layer fitted to at least one face of the collector includes a process of applying a coating composition for the active material layer prepared with use of an active material with a residual chlorine volume of less than 20 ppm on the collector and forming the active material layer.
本発明に係る電極板の製造方法は、集電体と該集電体の少なくとも一面に活物質層を備える電極板の製造方法において、残留塩素量が２０ｐｐｍ未満である活物質を用いて調製した活物質層用塗工組成物を集電体上に塗工し、活物質層を形成する工程を含む。 - 特許庁 - In the lithium-ion secondary battery using a polymer solid electrolyte as an electrolyte inside a positive electrode active material layer, a relation between a thickness H (μm) of the positive electrode active material layer and a volume fraction V (non-dimensional) of a positive electrode active material in the positive electrode active material layer is expressed in formula (1).
正極活物質層内の電解質として高分子固体電解質を用いたリチウムイオン二次電池であって、正極活物質層の厚さＨ（μｍ）と正極活物質層中の正極活物質の体積分率Ｖ（無次元）との関係が下記式（１）であることを特徴とするリチウムイオン二次電池により上記課題は解決される。 - 特許庁 - An electrode has an active material layer 40 which includes an active material 10, a solid electrolyte 30, and a solid electrolyte particle 20 higher in ion conductivity than the solid electrolyte 30; and a collector 50 laminated in conjunction with the active material layer 40.
活物質１０、固体電解質３０、および固体電解質３０よりもイオン伝導性の高い固体電解質粒子２０を含む活物質層４０と、活物質層４０に積層された集電体５０と、を有する電極である。 - 特許庁 - A second semiconductor laser structure 120 consists of an n-type clad layer 121, an active layer 122, a p-type clad 123 and an n-type current blocking layer 124.
また、第２の半導体レーザ構造１２０は、ｎ型クラッド層１２１、活性層１２２、ｐ型クラッド層１２３、ｎ型電流ブロック層１２４により構成されている。 - 特許庁 - The layer (2) is coated with an active energy ray curable composition having a gloss different from that of the paint film of layer (1) wholly or partially on the paint film of the layer (1) on a substrate.
（ロ）前記の（イ）の塗膜の上に全面あるいは部分的に、（イ）の塗膜とは異なる光沢を有する活性エネルギー線硬化性組成物を塗布した層。 - 特許庁 - The photoelectric conversion function element is composed by laminating a p-type GaN clad layer, an InN active layer, and a clad layer including the mixed crystal whose main component is n-type InN in the order.
ｐ型のＧａＮクラッド層、ＩｎＮ活性層、ｎ型のＩｎＮを主成分とする混晶を含むクラッド層の順に積層されてなる光電変換機能素子とする。 - 特許庁 - Clad layers 104 and 107 are formed on an active layer 103 in a refractivity waveguide structure, and a contact layer 108 is formed on the clad layer 107.
活性層１０３上にクラッド層１０４，１０７が形成された屈折率導波構造を有し、クラッド層１０７上にコンタクト層１０８が形成されている。 - 特許庁 - The pseudo-lattice matching layer 13 formed between the substrate and the active layer 15 is composed of GaN with film thickness of 1ML (molecular layer) or more and critical film thickness or less to the ZnO substrate 12.
この基板と活性層１５の間に形成された擬似格子整合層１３は、膜厚が1ML（分子層）以上、ZnO基板１２に対して臨界膜厚以下のGaNからなる。 - 特許庁 - Over the vapor deposition layer, a paste whose main component is active carbon and binder is applied to form a polarizable electrode layer, acting as an electrode for an electric double layer capacitor.
さらに、この蒸着層の上に、活性炭とバインダを主体とするペーストを塗布して分極性電極層を形成し、電気二重層キャパシタ用電極とする。 - 特許庁 - A main semiconductor region 3 is composed of an n-type semiconductor layer 6, an active layer 7, and a p-type semiconductor layer 8 while having a light emitting function, and arranged on a silicon substrate 1.
シリコン基板１の上にｎ型半導体層６と活性層７とｐ型半導体層８とから成る発光機能を有する主半導体領域３を配置する。 - 特許庁 - This is equipped with a current collector 16, a heat absorbing material layer 18 installed on the current collector 16, and an active material containing layer 20 installed on the heat absorbing material layer 18.
集電体１６と、集電体１６上に設けられた吸熱材料層１８と、吸熱材料層１８上に設けられた活物質含有層２０と、を備える。 - 特許庁 - After that, outward diffusion processing is carried out to diffuse part of boron in a surface layer area of the diffusion layer (12) into an atmosphere, and then a device active layer (11) is epitaxially grown.
その後、外方拡散処理を施して拡散層（１２）の表層域のボロンの一部を雰囲気中に拡散させた後、デバイス活性層（１１）をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁 - The light-emitting diode comprises: a substrate; a first semiconductor layer; a second semiconductor layer; an active layer; a first electrode; a second electrode; and a three-dimensional nanostructure array.
本発明の発光ダイオードは、基板と、第一半導体層と、第二半導体層と、活性層と、第一電極と、第二電極と、三次元ナノ構造体アレイと、を含む。 - 特許庁 - A third semiconductor layer 60 which includes an active layer made of AlGaInP or GaInP is formed on the substrate 10 so as to be arranged in parallel with the second semiconductor layer 50.
基板１０上に第２の半導体層５０と並置して、ＡｌＧａＩｎＰ又はＧａＩｎＰからなる活性層を含む第３の半導体層６０が形成されている。 - 特許庁 - This quantum cascade laser is formed by including a semiconductor substrate, and an active layer where unit laminated bodies 16 each composed of a luminescent layer 17 and an injection layer 18 are laminated in multiple tiers.
半導体基板と、発光層１７及び注入層１８からなる単位積層体１６が多段に積層された活性層とを備えて量子カスケードレーザを構成する。 - 特許庁 - The first opening bottom part includes a channel part semiconductor layer 17ch constituting an active layer of the thin film transistor, and the semiconductor layer 17 of the second opening bottom part is removed.
第１開口底部には薄膜トランジスタの活性層を構成するチャネル部半導体層１７ｃｈを設け、第２開口底部の半導体層１７は除去する。 - 特許庁 - An Al oxide film formed on the surfaces of the lower light lockup layer 16, the multiple quantum well active layer 18 and a lower lockup layer 20 including Al is removed by etching.
Ａｌを含む下光閉込層１６、多重量子井戸活性層１８及び上光閉込層２０の表面に形成されたＡｌ酸化膜をエッチング除去する。 - 特許庁 - The equipment is provided with a first conductive cladding layer, an active layer, and a second conductive cladding layer formed on a substrate; and has stripe structure for injecting a carrier.
基板上に形成された、第１の導電型クラッド層と、活性層と、第２の導電型クラッド層とを備え、キャリアを注入するためのストライプ構造を有する。 - 特許庁 - An active layer 16 is provided so that carrier injection generates light and interposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer 14, 18.
活性層(16)は、キャリアが注入されると光を発生するように設けられ、第１導電型半導体層および第２導電型半導体層(14、18)に挟まれている。 - 特許庁 - A lower semiconductor DBR 103, a lower spacer layer 104, an active layer 105, an upper spacer layer 106, and an upper semiconductor DBR 107 are stacked on a substrate 101.
基板１０１上に下部半導体ＤＢＲ１０３、下部スペーサ層１０４、活性層１０５、上部スペーサ層１０６、上部半導体ＤＢＲ１０７を積層する。 - 特許庁 - A plurality of metal electrodes 20 of a trench structure disposed in a range not arriving at an active layer is formed in a current diffusion layer 16 or a conductivity type clad layer 15.
電流拡散層１６又は導電型のクラッド層１５内に活性層に到達しない範囲で配置されたトレンチ構造の複数の金属電極２０が形成される。 - 特許庁 - A first electrode 2 is arranged to one principal surface 17 of a semiconductor region 1 for light emission including a p-type semiconductor layer 13, an active layer 14, and an n-type semiconductor layer 15.
ｐ型半導体層１３、活性層１４、ｎ型半導体層１５を含む発光用半導体領域１の一方の主面１７に第１の電極２を配置する。 - 特許庁 - In the GaN-based semiconductor element 1, an n-type semiconductor layer 3, an active layer 4 and a p-type semiconductor layer 5 are successively laminated on an n-type GaN substrate 2.
ＧａＮ系半導体発光素子１は、ｎ型のＧａＮ基板２上に、ｎ型半導体層３、活性層４、ｐ型半導体層５が順次積層されている。 - 特許庁
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