「active layer」を含む例文一覧(7476)

＜前へ 1 2 .... 29 30 31 32 33 34 35 36 37 .... 149 150 次へ＞
  • The effective VBM 141 of the active layer 14 is formed at an energy level higher than the VBM 131 of a Be_0.3Zn_0.7Se_0.2Te_0.8 mixed crystal configuring the p-type clad layer 13, and a junction between the active layer 14 and the p-type clad layer 13 is formed in a type I structure.
    活性層１４の実効的なＶＢＭ１４１が、ｐ型クラッド層１３を構成するＢｅ_0.3 Ｚｎ_0.7 Ｓｅ_0.2 Ｔｅ_0.8 混晶のＶＢＭ１３１よりも高いエネルギー準位に形成され、活性層１４とｐ型クラッド層１３との接合がタイプＩ構造になっている。 - 特許庁
  • A light-absorbing layer 72 is provided in a layer between an active layer 68 and a surface 58 in a range, except for light-emitting regions 86 on the surface 58, and an LED array 50 is formed including the light- absorbing layer 72, which absorbs light generated by the active layers 68.
    表面５８の発光領域８６を除いた範囲において活性層６８とその表面５８との間に層状に備えられ、その活性層６８で発生した光を吸収する光吸収層７２を含んでＬＥＤアレイ５０が構成される。 - 特許庁
  • By forming an organic active layer such as an organic semiconductor layer or a light-emitting layer on the oriented monomolecular film, the organic functional molecules constituting the organic active layer can be arranged as desired, and charge transportation characteristics or light-emitting characteristics can be controlled.
    この配向性単分子膜上に有機半導体層や発光層といった有機活性層を形成することで、これらを構成する有機機能性分子も所望の配列をとることができ、電荷移動特性や発光特性の制御が可能である。 - 特許庁
  • A gate Schottky electrode 106 is formed on an active layer made up of a GaN layer 102 and an AlGaN layer 103, and a source ohmic electrode 105 and a drain ohmic electrode 107 are formed on the active layer and on both sides of the gate Schottky electrode 106.
    ＧaＮ層１０２とＡlＧaＮ層１０３からなる能動層上にゲートショットキー電極１０６を形成し、さらに能動層上にかつゲートショットキー電極１０６の両側に、ソースオーミック電極１０５およびドレインオーミック電極１０７に形成する。 - 特許庁
  • This substrate for immobilizing physiological material, a surface active layer formed on the substrate, for improving a bonding force between the substrate and an immobilized layer, and the substrate for immobilizing physiological material including the immobilized layer formed on the surface active layer, are provided.
    本発明は生体物質固定用基板；前記基板上に形成され、基板と固定化層の結合力を向上させるための表面活性層；及び前記表面活性層上に形成される固定化層を含む生体物質固定用基板を提供する。 - 特許庁
  • A current injection region 102 on an n-type InP substrate 101 is provided with a first laser active layer 103 and a second laser active layer 104 while a first current constriction layer 107 and a second lamp bulb constriction layer 108 are equipped around the current injection region 102.
    ｎ型ＩｎＰ基板１０１上の電流注入領域１０２は、第１のレーザの活性層１０３と第２のレーザの活性層１０４を備え、その周囲には、第１の電流狭窄層１０７および第２の電球狭窄層１０８を備える。 - 特許庁
  • An electrode 100 according to the present invention includes a collector 300 and an active material layer 200.
    本発明にかかる電極１００は、集電体３００と、活物質層２００とを備える。 - 特許庁
  • To provide an active matrix substrate in which contact defects between wiring and a semiconductor layer are prevented.
    配線と半導体層との接触不良を抑制したアクティブマトリクス基板を提供する。 - 特許庁
  • The adhesive agent layer is preferably formed of adhesive agent that is cured by an active energy line.
    粘着剤層は、活性エネルギー線硬化型粘着剤により形成されていることが好ましい。 - 特許庁
  • The negative electrode 122 has a negative electrode active material layer installed on a negative electrode current collector.
    負極１２２は、負極集電体の上に負極活物質層が設けられたものである。 - 特許庁
  • The pharmaceutically active component besides the carbonized powder can be dispersed into the adhesive base layer.
    粘着性基剤層には前記炭化粉末の外に薬効成分を分散させることができる。 - 特許庁
  • The first active layer 12 is free of a decrease in luminous efficiency by employing such a structure.
    このような構造を採ることにより、第１活性層１２では発光効率が低下しない。 - 特許庁
  • Generation of a leak current via the gate electrode 32 is reduced in the circumferential edge 64 of the active layer 21.
    ゲート電極32を介した活性層21の周縁部64でのリーク電流の発生が少なくなる。 - 特許庁
  • The primer layer 6 is formed by curing an active energy curable composition.
    上記プライマー層６が、活性エネルギー線硬化型組成物を硬化させることにより形成されている。 - 特許庁
  • A material of the resin layer 3 is a cured precursor composition of active energy ray curing resin.
    樹脂層３の材料は、活性エネルギー線硬化性樹脂前駆体組成物の硬化物である。 - 特許庁
  • The surface-emitting semiconductor laser 11 has an active layer 15 provided on a first DBR 13.
    面発光半導体レーザ１１では、活性層１５は、第１のＤＢＲ１３上に設けられる。 - 特許庁
  • A liquid crystal layer 13 is held between a transparent substrate 11 and an active matrix substrate 12.
    透明基板１１とアクティブマトリクス基板１２との間に液晶層１３が挟持されている。 - 特許庁
  • An optical semiconductor amplifier 102 has a compressor strain MQW active layer and is dependent on a polarized wave.
    光半導体アンプ１０２は、圧縮歪みＭＱＷ活性層を持ち、偏波依存性がある。 - 特許庁
  • The outer cylinder container 2 has a corrosion resistant layer 12 resistant to the active material of the sodium secondary battery on the surface.
    外筒容器２は、表面に耐ナトリウム二次電池活物質用の耐腐食層１２を有する。 - 特許庁
  • The second organic solvent is added to the first organic solvent to dissolve the organic active layer material.
    第２の有機溶媒を第１の有機溶媒に加え、有機活性層材料を溶解する。 - 特許庁
  • The active layer 16 is formed of In_xGa_yAl_1-(x+y)N (0≤x, y≤1, 0≤x+y≤1).
    活性層１６は、Ｉｎ_ｘＧａ_yＡｌ_１−（x＋y）Ｎ（０≦x，y≦１、０≦x＋y≦１）から構成されている。 - 特許庁
  • The protrusions reflect crystal quality of the active layer grown on the support base 13.
    これらの突起は、支持基体１３上に成長された活性層の結晶品質を反映している。 - 特許庁
  • The negative electrode active material layer 12B is set up to make alloy with the negative electrode current collector 12A.
    この際、負極活物質層１２Ｂが負極集電体１２Ａと合金化するようにする。 - 特許庁
  • A tunnel junction region 19 is provided between the second DBR 15 and active layer 17.
    トンネル接合領域１９は、第２のＤＢＲ１５と活性層１７との間に設けられる。 - 特許庁
  • The positive electrode collector 20 is coated with a positive electrode mixed material layer 21 containing active carbon.
    この正極集電体２０には活性炭を含む正極合材層２１が塗工される。 - 特許庁
  • The positive electrode 21 is preferably wound up so that the positive electrode active material layer 21B side faces outside.
    正極２１は、正極活物質層２１Ｂ側を外側にして巻かれていることが好ましい。 - 特許庁
  • The group III nitride semiconductor layer 7 is an active area and consists of a semiconductor containing the indium elements.
    III族窒化物半導体層７は活性領域であり、インジウム元素を含む半導体から成る。 - 特許庁
  • The positive electrode active material layer 7 has a spinel structure and contains an oxide of lithium and manganese.
    正極活物質層７は、スピネル型構造を有する、リチウムとマンガンとの酸化物を含む。 - 特許庁
  • The joining layer may comprise a surface-active agent and a conductive metal oxide filler.
    接着層には界面活性剤、導電性金属酸化物フィラーを含有させることができる。 - 特許庁
  • To provide a light-emitting diode adapted to ensure a stable quality and enhance the light output of an active layer.
    品質の安定を確保し、活性層の光出力を高める発光ダイオードを提供する。 - 特許庁
  • To provide an active matrix liquid crystal display element whose liquid crystal layer thickness in a pixel part is reduced.
    画素部の液晶層厚を小さくしたアクティブマトリックス型の液晶表示素子を提供する。 - 特許庁
  • ACTIVE ENERGY RAY CURING TYPE COMPOSITION FOR FORMING INK ACCEPTING LAYER, PRINTING METHOD AND PRINTED MATTER
    インキ受容層形成用活性エネルギー線硬化型組成物、印刷方法および印刷物 - 特許庁
  • The active layer is such that quantum dots are formed in a photonic crystal (optical cavity).
    また、フォトニック結晶（光キャビティ）内に量子ドットを形成させたものを活性層として用いる。 - 特許庁
  • A current block section is formed at both sides of an active layer on a first main surface of a mesa substrate.
    メサ基板の第１主表面上の、活性層の両側に電流ブロック部を形成する。 - 特許庁
  • A single thickness of each of the auxiliary metal foils T1, T2 is thinner than thickness of one single active material layer.
    補助金属箔Ｔ１，Ｔ２の単独の厚みは、活物質層の単独の厚みよりも薄い。 - 特許庁
  • A microcrystal silicon film 62 of an active layer 37 is formed so as to be in contact with the SiO_x film 52.
    ＳｉＯ_x膜５２に接するように、活性層３７の微結晶シリコン膜６２を形成する。 - 特許庁
  • The anode 22 is provided with an anode active material layer 22B on an anode collector 22A.
    負極２２は、負極集電体２２Ａの上に負極活物質層２２Ｂを有している。 - 特許庁
  • In the active region 10b, the silicon mixed crystal layer 21 having first stress is provided.
    活性領域１０ｂ内には、第１の応力を有するシリコン混晶層２１が設けられている。 - 特許庁
  • The anode active substance layer 13 has an amorphous phase containing Si as a component element.
    負極活物質層１３は、構成元素としてＳｉを含む非晶質相を有している。 - 特許庁
  • A cavity is formed between the semiconductor film uses as an active layer of a transistor, and a base substrate.
    トランジスタの活性層として用いる半導体膜とベース基板の間に空洞を有する。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method of semiconductor laser for controlling width of an active layer in higher accuracy.
    活性層の幅を高精度に制御できる半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁
  • The anode for the nonaqueous electrolyte solution secondary battery is provided with an active material layer containing a silicon-base material.
    非水電解液二次電池用負極は、シリコン系材料を含む活物質層を備える。 - 特許庁
  • At the surface layer part of an Si substrate 1, an STI 3 is formed around an active region 1a.
    Ｓｉ基板１の表層部において、アクティブ領域１ａの周りにＳＴＩ３を形成する。 - 特許庁
  • ACTIVE ENERGY RAY-CURABLE RESIN COMPOSITION FOR FILM-PROTECTIVE LAYER, AND FILM AND OPTICAL SHEET USING THE COMPOSITION
    フィルム保護層用活性エネルギー線硬化型樹脂組成物、それを用いたフィルム及び光学シート - 特許庁
  • A filter layer 5 is provided between the active area 2 and a radiation-input coupling face 9.
    活性領域２と放射入力結合面９の間にフィルタ層５が設けられている。 - 特許庁
  • A semiconductor chip 1 has an active layer 5 and radiation is emitted in a main radiation direction 6.
    半導体チップ１は活性層５を有しており、主放射方向６へ放射を送出する。 - 特許庁
  • The display substrate comprises a plastic substrate, a gate line, an active layer, a dataline and a drain wiring.
    表示基板は、プラスティック基板、ゲート配線、アクティブ層、データ配線、及びドレイン配線を含む。 - 特許庁
  • ORGANIC/INORGANIC COMPOSITE SEPARATION FILM COATED WITH POROUS ACTIVE LAYER, AND ELECTROCHEMICAL ELEMENT WITH THE SAME
    多孔性活性層がコーティングされた有機／無機複合分離膜及びこれを備えた電気化学素子 - 特許庁
  • A TFT using a polysilicon formed by enhancing its crystal growth is used for an active layer.
    活性層に結晶成長を促進して形成したポリシリコンを用いたＴＦＴを用いる。 - 特許庁
  • Accordingly, diffusion of the Be atom into the active layer increases to increase the drive current.
    そのため、Ｂe原子の活性層への拡散が増加して上記駆動電流が高くなってしまう。 - 特許庁
＜前へ 1 2 .... 29 30 31 32 33 34 35 36 37 .... 149 150 次へ＞

例文データの著作権について

  • 特許庁
    Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.