「active layer」を含む例文一覧(7476)
＜前へ 1 2 .... 25 26 27 28 29 30 31 32 33 .... 149 150 次へ＞- The semiconductor laser device includes a semiconductor layer laminate 20 including an n-type cladding layer 13B, an active layer 14, and a p-type cladding layer 15B, which are stacked in order on a substrate 10.
半導体レーザ装置は、基板１０の上に順次積層されたｎ型クラッド層１３Ｂ、活性層１４及びｐ型クラッド層１５Ｂを含む半導体層積層体２０を備えている。 - 特許庁 - The semiconductor optical amplifying element is equipped with a first conductivity-type lower clad layer, a second conductivity-type upper clad layer, an active layer, and a diffraction grating layer.
本発明の一実施形態に係る半導体光増幅素子は、第１導電型の下部クラッド層、第２導電型の上部クラッド層、活性層、回折格子層を備えている。 - 特許庁 - In this case, the timing for depositing the base layer and the gold layer are adjusted so that the last one of the base layer in an active state is deposited simultaneously with deposition of the gold layer.
その際には、まだ活性状態にある基層原子の最後のものと同時に金層原子の最初のものが堆積されるように基層及び金層の堆積のタイミングが調整される。 - 特許庁 - The upper polysilicon layer 103P is deposited simultaneously with a polysilicon layer constituting the first active layer 110 of a pixel selecting TFT 10 and has the same film thickness as that of the polysilicon layer concerned.
上層のポリシリコン層１０３Ｐは、画素選択用ＴＦＴ１０の第１の能動層１１０を構成するポリシリコン層と同時に堆積されたものでこれと同じ膜厚を有している。 - 特許庁 - On an n-type GaAs substrate 12, an n-type AlGaAs lower clad layer 14, an active layer 16, a p-type AlGaAs upper clad layer 18, and a p-type GaAs cap layer 20 are successively grown.
ｎ−ＧａＡｓ基板１２上に、ｎ−ＡｌＧａＡｓ下部クラッド層１４、活性層１６、ｐ−ＡｌＧａＡｓ上部クラッド層１８、及びｐ−ＧａＡｓキャップ層２０を成長させる。 - 特許庁 - The semiconductor laser includes a first conductive clad layer 20, an active layer 30, a current block 40, a second conductive clad layer 50, a contact layer 60, a first electrode 70, a second electrode 80, and a through-electrode 90.
第1導電型クラッド層20と、活性層30と、電流ブロック部40と、第2導電型クラッド層50と、コンタクト層60と、第1電極70と、第2電極80と、貫通電極90とを備えて構成される。 - 特許庁 - The λ/4 phase shift DFB laser includes: an active layer 40 for generating stimulated emission light; a diffraction grating layer 30 formed on or under the active layer 40 for attaining a single longitudinal mode; and upper clad layers 41 and 41a and a lower clad layer 21 laminated with the active layer 40 and the diffraction grating layer 30 in between from the upper and lower directions.
λ／４位相シフトＤＦＢレーザは、誘導放出光を生成するための活性層４０と、この活性層４０の下又は上に積層され、単一縦モード化を図るための回折格子層３０と、活性層４０及び回折格子層３０を上下の方向から挟み込むように積層された上部クラッド層４１，４１ａ及び下部クラッド層２１とを有している。 - 特許庁 - The semiconductor for the laser comprises an MQW active layer 4 having an InGaAlP based quantum well structure of 4-6 nm well width Hb and 1-3 well number Wn and an InGaAlP based clad layer formed above and below the active layer, and a light reflecting layer formed in laminating direction of the active layer via the clad layer.
面発光型半導体レーザにおけるＭＱＷ活性層４の井戸幅Ｈｂを４ｎｍ〜６ｎｍ、井戸数Ｗｎを１〜３のＩｎＧａＡｌＰ系量子井戸構造を有する活性層と、前記活性層の上下層に形成されたＩｎＧａＡｌＰ系クラッド層と、前記クラッド層を介し、前記活性層の積層方向に形成された光反射層とを備える。 - 特許庁 - A first carrier confinement layer 12 and a second carrier confinement layer 14 which have a bandgap larger than that of an active layer 13 are disposed on both sides of the active layer 13, and a first light guiding layer 11 and a second light guiding layer 15 are disposed on both sides of the layers 12 and 14.
活性層１３の両側に、活性層１３よりも大きなバンドギャップを有する第１キャリア閉じ込め層１２および第２キャリア閉じ込め層１４、更にこれら第１キャリア閉じ込め層１２および第２キャリア閉じ込め層１４の両側に第１光ガイド層１１および第２光ガイド層１５が配置されている。 - 特許庁 - In the semiconductor light-emitting element using the nitride system group III-V compound semiconductor having a structure in which an active layer having one or a plurality of well layers are sandwiched between a p-type clad layer and an n-type clad layer, the composition of at least one of the well layer of the active layer is modulated in a direction perpendicular to this well layer.
ｐ側クラッド層とｎ側クラッド層との間に一つまたは複数の井戸層を有する活性層が挟まれた構造を有する、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体発光素子において、活性層の少なくとも一つの井戸層の組成をこの井戸層に垂直な方向に変調する。 - 特許庁 - In a nitride semiconductor laser element, including an n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer, a superlattice layer is formed at an almost touching point to at least one side of the n-type active layer and the p-type semiconductor layer sides.
上記目的を達成するため、本発明のレーザ素子は、ｎ型半導体層と、活性層と、ｐ型半導体層とを有する窒化物半導体レーザ素子において、超格子層が前記活性層のｎ型またはｐ型半導体層側の少なくとも一方にほぼ接して形成されることを特徴とする。 - 特許庁 - An n-InP buffer layer 2, a GRIN-SCH-MQW active layer 3 and a p-InP spacer layer 4 are formed sequentially on an n-InP substrate 1 wherein the upper region of the n-InP buffer layer 2, the GRIN-SCH-MQW active layer 3 and the p-InP spacer layer 4 have a mesa stripe structure.
ｎ−ＩｎＰ基板１上に順次ｎ−ＩｎＰバッファ層２、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３、ｐ−ＩｎＰスペーサ層４が積層され、ｎ−ＩｎＰバッファ層２の上部領域、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３およびｐ−ＩｎＰスペーサ層４はメサストライプ状の構造となっている。 - 特許庁 - The light emitting element includes a conductive support member, a second conductivity type semiconductor layer formed on the conductive support member, an active layer formed on the second conductivity type semiconductor layer, a first conductivity type semiconductor layer formed on the active layer, and a protection element formed on the first conductivity type semiconductor layer.
本発明に従う発光素子は、伝導性支持部材と、上記伝導性支持部材の上に第２導電型半導体層と、上記第２導電型半導体層の上に活性層と、上記活性層の上に第１導電型半導体層と、上記第１導電型半導体層の上に保護素子と、を含む。 - 特許庁 - An insulating layer 121 of SiO_2 is formed between the active layer 103 and the guide layer 104 and between the guide layers 104 and 105, and an insulating layer 122 of SiO_2 is formed between the guide layers 105 and 106 and between the guide layer 106 and the active layer 108.
又、活性層１０３とガイド層１０４の間、及びガイド層１０４とガイド層１０５の間には、ＳｉＯ_２からなる絶縁層１２１が形成されており、ガイド層１０５とガイド層１０６の間、及びガイド層１０６と活性層１０８の間には、ＳｉＯ_２からなる絶縁層１２２が形成されている。 - 特許庁 - Since the impurity diffusion prevention layer 8 composed of In_yGa_1-yN is formed in proximity to the active layer 5; p-type impurities existing in the p-type clad layer 10, the p-type second guide layer 9, etc. can be accumulated in the impurity diffusion prevention layer 8, thereby preventing the diffusion of the p-type impurities into the active layer 5.
活性層５に近接してＩｎ_yＧａ_1-yＮからなる不純物拡散防止層８を設けるため、ｐ型クラッド層１０やｐ型第２ガイド層９などの内部に存在するｐ型不純物を不純物拡散防止層８に蓄積でき、ｐ型不純物が活性層５に拡散しなくなる。 - 特許庁 - This semiconductor laser element is provided with an active layer having a distorsion multiplex quantum well structure, and a quantum well layer 5 is provided in a part of a p-InP clad layer 104, and a difference in energy between electrons at a first quantum level in the quantum well layer and a hole is larger than the band gap energy of the barrier layer in the active layer.
本半導体レーザ素子は、歪多重量子井戸構造を活性層に有する半導体レーザ素子であって、ｐ−ＩｎＰクラッド層１０４の一部に量子井戸層５を有し、量子井戸層の第一量子準位の電子とホールのエネルギー差が、活性層のバリア層のバンドギャップ・エネルギー以上で有る。 - 特許庁 - A negative electrode collector layer (S101), a negative electrode active material layer (S102), a polymer electrolyte layer (S103), a positive electrode active material layer (S104), and a positive electrode collector layer (S105) are sequentially layered by coating a substrate with coating liquids each containing the material for each functional layer.
基材の表面に、それぞれ当該機能層の材料を含む塗布液を塗布することにより、負極集電体層（ステップＳ１０１）、負極活物質層（ステップＳ１０２）、高分子電解質層（ステップＳ１０３）、正極活物質層（ステップＳ１０４）および正極集電体層（ステップＳ１０５）を順次積層する。 - 特許庁 - The method of evaluating the SOI wafer having an insulating layer and an active layer in this order on a support substrate comprises forming a pattern on the insulating layer after removing part of the active layer from the insulating layer by wet or dry etching; and evaluating the bonding interface between the active layer and insulating layer by observing whether the pattern peels and/or whether a bonding defect is caused.
支持基板上に絶縁層と活性層をこの順に有するＳＯＩウェーハの評価方法であって、前記活性層の一部を前記絶縁層上からウェットまたはドライエッチングを施すことによって除去した後、前記絶縁層上にパターンを形成し、前記パターンの剥離および／または接着不良の有無を観察することにより前記活性層と前記絶縁層との貼り合わせ界面を評価する。 - 特許庁 - An N-type GaAs buffer layer, an N-type InGaP clad layer, an InGaAsP barrier layer, an InGaAs active layer, an InGaAsP barrier layer, a P-type InGaP clad layer, a P-type InGaAsP etching stop layer, a P-type InGaP clad layer, and a P-type GaAs contact layer are successively laminated on an N-type GaAs substrate.
ｎ型ＧａＡｓ基板11上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層12、ｎ型ＩｎＧａＰクラッド層13、ＩｎＧａＡｓＰバリア層14、ＩｎＧａＡｓ活性層15、ＩｎＧａＡｓＰバリア層16、ｐ型ＩｎＧａＰクラッド層17、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰエッチングストップ層18、ｐ型ＩｎＧａＰクラッド層19、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層20を順次積層する。 - 特許庁 - The thin film transistor includes: a gate electrode formed on a substrate; an active layer insulated from the gate electrode by a gate insulating film and composed of a compound semiconductor containing oxygen; a protection layer formed on the active layer; and a source electrode and a drain electrode which are brought into contact with the active layer: wherein the protection layer is composed of an oxide containing inorganics having bonding strength with oxygen.
基板上に形成されたゲート電極と、ゲート絶縁膜によりゲート電極から絶縁され、酸素を含む化合物半導体からなる活性層と、活性層上に形成された保護層と、活性層と接触するソース電極及びドレイン電極とを備え、保護層が、酸素との結合力を有する無機物を含む酸化物からなる。 - 特許庁 - A first semiconductor laser 1 which can have light injected to its active layer from outside and a second semiconductor laser 2 which can have the output light of the first semiconductor laser injected in its active layer are provided to output an optical light, corresponding to the light injected to the active layer of the first semiconductor layer from the second semiconductor layer.
活性層に外部から光を注入することが可能な第１の半導体レーザ１と、第１の半導体レーザの出力光を活性層に注入することが可能な第２の半導体レーザ２とを備え、第１の半導体レーザの活性層に注入された光に対応する光信号を第２の半導体レーザから出力させる。 - 特許庁 - The semiconductor light emitting device which has a substrate, an active layer formed on the substrate, and a striped current injection area formed on the active layer has a current blocking layer formed between the substrate and active layer, and the current injection area and current blocking layer face each other.
基板、該基板上に形成された活性層、該活性層の上部に形成されたストライプ状の電流注入領域を有する半導体発光装置において、該基板と該活性層との間に電流阻止層が形成されており、該電流注入領域と該電流阻止層が対向していることを特徴とする半導体発光装置。 - 特許庁 - In the semiconductor light-emitting element, provided with a semiconductor layer containing Al between a substrate and an active layer containing nitrogen, the semiconductor layer containing Al and the active layer containing nitrogen are grown by using an organometallic Al material and nitrogen compound material, respectively; and a GaNAs layer 213 (or GaInNAs layer) is formed between a semiconductor layer 202, containing Al and an active layer 204 containing nitrogen.
基板と窒素を含む活性層との間にＡｌを含む半導体層を設けた半導体発光素子において、Ａｌを含む半導体層と窒素を含む活性層はそれぞれ有機金属Ａｌ原料と窒素化合物原料を用いて成長されており、Ａｌを含む半導体層２０２と窒素を含む活性層２０４との間にＧａＮＡｓ層２１３（またはＧａＩｎＮＡｓ層）が形成されることを特徴とする。 - 特許庁 - The surface emitting laser for emitting the laser beam in a direction perpendicular to an active layer comprises a substrate, a first mirror formed on the substrate, a first spacer layer formed on the first mirror, the active layer formed on the first spacer layer, a second spacer layer formed on the active layer, a plurality of divided second mirrors formed on the second spacer layer, and a bulk layer formed on the second mirror.
活性層に垂直な方向にレーザ光を出射する面発光レーザにおいて、基板と、基板の上に形成された第１のミラーと、第１のミラーの上に形成された第１のスペーサ層と、第１のスペーサ層の上に形成された活性層と、活性層の上に形成された第２のスペーサ層と、第２のスペーサ層の上に形成され複数に分割された第２のミラーと、第２のミラーの上に形成されたバルク層とを備える。 - 特許庁 - A lower layer formation solution 25L is produced by mixing a surface active agent 26 having a lower-layer functional group 26a and an upper-layer functional group 26b in a lower-layer solvent, and lower-layer droplets 25D formed of the lower-layer formation solution 25L are dried to form a hole transportation layer.
下層溶媒に下層官能基２６ａと上層官能基２６ｂを有する界面活性剤２６を混和して下層形成溶液２５Ｌを生成し、同下層形成溶液２５Ｌからなる下層液滴２５Ｄを乾燥して正孔輸送層を形成した。 - 特許庁 - In a semiconductor element, an AlGaN buffer layer 2, an undoped GaN layer 3, an n-type GaN contact layer 4, an n-type InGaN crack preventing layer 5, an n-type AlGaN clad layer 6, an MQW active layer 7, and a p-type AlGaN clad layer 8 are successively on a sapphire substrate 1.
サファイア基板１上にＡｌＧａＮバッファ層２、アンドープＧａＮ層３、ｎ−ＧａＮコンタクト層４、ｎ−ＩｎＧａＮクラック防止層５、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層６、ＭＱＷ活性層７およびｐ−ＡｌＧａＮクラッド層８が順に形成されている。 - 特許庁 - A lower DBR (distributed bragg reflector) miller layer 11, a lower clad layer 12, an active layer 13 having a light emitting region 13A, an upper clad layer 14, a current constriction layer 15, an upper DBR miller layer 16 and a contact layer 17 are laminated in this sequence from the side of a substrate 10.
下部ＤＢＲミラー層１１、下部クラッド層１２、発光領域１３Ａを有する活性層１３、上部クラッド層１４、電流狭窄層１５、上部ＤＢＲミラー層１６およびコンタクト層１７が基板１０側からこの順に積層されている。 - 特許庁 - It is so structured that the positive electrode current collector 9 having no positive electrode active material layer does not counter the negative electrode plate 4 and that the positive electrode active material current collector 10 having the positive electrode active material layer 13 counters the negative electrode plate 4.
正極活物質層を有しない正極集電体９は負極板４に対向せず、正極活物質層１３を有する正極活物質集電体１０は負極板４に対向する構造にする。 - 特許庁 - The semiconductor laser device is provided with an active layer, guide layers pinching the active layer, a semiconductor laser element 220 wherein clad layers pinching the active and guide layers are formed on a GaAs substrate, and a mold resin parts (223 and 224) covering the semiconductor laser element 220.
活性層と、活性層を挟むガイド層と、活性層とガイド層を挟むクラッド層がＧaＡs基板上に形成された半導体レーザ素子２２０と、半導体レーザ素子２２０を覆うモールド樹脂部(２２３,２２４)とを備える。 - 特許庁 - The cathode active material composition granted is dried by induction heating to form a cathode active material layer not yet compressed, which is compressed to adjust a density of the cathode active material layer to 2.3 to 2.6 g/cm^3.
その付与された前記正極活物質組成物を誘導加熱により乾燥して未圧縮の正極活物質層を形成し、これを圧縮して該正極活物質層の密度を２．３〜２．６ｇ／ｃｍ^3に調整する。 - 特許庁 - The nonaqueous electrolyte secondary battery 1 has positive electrode wherein a positive active material layer containing a positive active material is formed on the positive electrode current collector, and in which a negative active material layer is formed on the negative electrode current collector.
非水電解質二次電池１は、正極集電体上に正極活物質を含有する正極活物質層が形成された正極と、負極集電体上に負極活物質層が形成された負極とを有する。 - 特許庁 - This nitride semiconductor light emitting device comprises: an n-type clad layer 120; an active layer 130 formed on the n-type clad layer; an electron blocking layer 140 which is formed on the active layer and consists of a p-type nitride semiconductor containing Group III transition elements; and a p-type clad layer 150 formed on the electron blocking layer.
窒化物系半導体発光素子は、ｎ型クラッド層１２０と、前記ｎ型クラッド層上に形成された活性層１３０と、前記活性層上に形成され、第３族転移元素を含むｐ型窒化物半導体からなる電子遮断層１４０と、前記電子遮断層上に形成されたｐ型クラッド層１５０とを含む。 - 特許庁 - A light emitting diode includes a substrate 32, an n type dope layer 34 disposed on the substrate, multiple cathodes 401, 402 disposed between the n type dope layer and the substrate, an active layer 36 disposed on the n type dope layer, a p type dope layer 38 disposed on the active layer, and multiple anodes 421, 422 disposed on the p type dope layer.
発光ダイオードは、基板３２、該基板上に配置されたn型ドープ層３４、該n型ドープ層と該基板との間に配置された複数の陰極４０１，４０２、n型ドープ層上に配置された活性層３６、該活性層上に配置されたp型ドープ層３８、及び該p型ドープ層上に配置された複数の陽極４２１，４２２を含む。 - 特許庁 - The ZnSe-based light-emitting element formed on a compound semiconductor substrate 1 has an active layer 4, positioned between an n-type ZnMgSSe clad layer 3 and a p-type ZnMgSSe clad layer 6 and has a barrier layer 5, having a band gap larger than the band gap of the p-type ZnMgSSe clad layer between the active layer 4 and the p-type ZnMgSSe clad layer 6.
化合物半導体基板１に形成され、ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層３とｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層６との間に位置する活性層４を備え、活性層４とｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層６との間にｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層のバンドギャップより大きいバンドギャップを有するバリア層５を有する。 - 特許庁 - The thermally expanding carbon material may be contained in an active material part having an active material, or a layer composed of the thermally expanding carbon material may be fitted between the active material part and a collector.
熱膨張性炭素材料は活物質を有する活物質部に含ませてもよく、活物質部と集電体との間に熱膨張性炭素材料からなる層を設けてもよい。 - 特許庁 - Under an active region 230, a strain-balancing layer 220 having an adjustable lattice constant is arranged as a lattice base for the active region, and thereby balanced strain within the active region is secured.
活性領域２３０の下に、格子定数が調整可能な歪平衡層２２０をこの活性領域の格子基底として配置し、これによって活性領域の歪平衡を確保する。 - 特許庁 - An positive electrode active material layer 22B of the positive electrode contains a plurality of positive electrode active material particles and the positive electrode active material particle contains silicon and a multilayer structure inside the particle.
負極２２の負極活物質層２２Ｂは複数の負極活物質粒子を含み、その負極活物質粒子はケイ素を含有すると共に粒子内に多層構造を有している。 - 特許庁 - The manufacturing method of the electrode for a secondary battery includes a process of forming an active material layer 3 by coating an active material slurry containing active materials 5a, 5b on at least one of the faces of a porous member 4 to be a carrier, and a process of jointing the active material layer 3 carried by the porous member 4 to a collector 2.
活物質５ａ、５ｂを含む活物質スラリーを、担体となる多孔質部材４の少なくとも一方の面に塗布して活物質層３を形成する工程と、該多孔質部材４に担持された活物質層３を集電体２に接合する工程とを含む事を特徴とする。 - 特許庁 - The semiconductor optical amplifier has a plurality of active layers made of bulk crystal, and at least one spacer layer having a band gap larger than that of the active layers is interposed between these active layers, and in this case, each active layer stores stretch strain.
半導体光増幅器中にバルク結晶よりなる複数の活性層と、前記複数の活性層の間に前記活性層よりも大きなバンドギャップを有する、少くとも一のスペーサ層が介在し、前記複数の活性層の各々は伸張歪を蓄積することを特徴とする。 - 特許庁 - The negative electrode active material layer 22B of the negative electrode 22 contains a plurality of negative electrode active material particles having silicon, an oxide-containing film to cover the surface of the negative electrode active material particles, and a metal material which is installed in the gap in the negative electrode active material layer 22B and which does not alloy with lithium.
負極２２の負極活物質層２２Ｂは、ケイ素を有する複数の負極活物質粒子と、負極活物質粒子の表面を被覆する酸化物含有膜と、負極活物質層２２Ｂ内の隙間に設けられたリチウムと合金化しない金属材料とを含んでいる。 - 特許庁 - The electrode for the polymer battery is provided with a collector and an active substance layer containing the active substance and ion conductivity polymer and the active substance layer, and further contains a gap supplementation substance to fill up a gap between the active substance and the ion conductivity polymer.
集電体と、活物質およびイオン伝導性ポリマーを含む活物質層とを有するポリマー電池用電極であって、前記活物質層は、前記活物質と前記イオン伝導性ポリマーとの間隙を埋めるための間隙補填物質をさらに含むポリマー電池用電極である。 - 特許庁 - An anode active substance layer 22B of the anode 22 contains a plurality of anode active substance particles having silicon, oxide containing membrane for covering a surface of the anode active substance particles, and a metallic material, which does not make alloy with lithium, arranged in a space in the anode active substance layer 22B.
負極２２の負極活物質層２２Ｂは、ケイ素を有する複数の負極活物質粒子と、負極活物質粒子の表面を被覆する酸化物含有膜と、負極活物質層２２Ｂ内の隙間に設けられたリチウムと合金化しない金属材料とを含んでいる。 - 特許庁 - The positive electrode plate for nonaqueous secondary battery has an electrode active material layer installed on a current collector by jointing active materials containing lithium and iron without using a resin binder, and the electrode active material layer is provided with a dense layer which is positioned on the current collector side and does not have voids substantially and a void formation layer.
樹脂製結着材を用いずに、リチウムと鉄とを含む活物質同士が接合することにより集電体上に電極活物質層が設けられており、該電極活物質層は、上記集電体側に位置する実質的に空隙を有しない緻密層と、空隙形成層とを備えて構成される。 - 特許庁 - The positive electrode plate for nonaqueous secondary battery has an electrode active material layer installed on a current collector by jointing active materials containing lithium and manganese without using a resin binder, and the electrode active material layer is provided with a dense layer which is positioned on the current collector side and does not have a void substantially and a void formation layer.
樹脂製結着材を用いずに、リチウムとマンガンとを含む活物質同士が接合することにより集電体上に電極活物質層が設けられており、該電極活物質層は、上記集電体側に位置する実質的に空隙を有しない緻密層と、空隙形成層とを備えて構成される。 - 特許庁 - The positive electrode plate for nonaqueous secondary battery has an electrode active material layer installed on a current collector by jointing active materials containing lithium and nickel without using a resin binder, and the electrode active material layer is provided with a dense layer which is positioned on the current collector side and does not have a void substantially and has a void formation layer.
樹脂製結着材を用いずに、リチウムとニッケルとを含む活物質同士が接合することにより集電体上に電極活物質層が設けられており、該電極活物質層は、上記集電体側に位置する実質的に空隙を有しない緻密層と、空隙形成層とを備えて構成される。 - 特許庁 - The negative electrode active material layer 24 has: a low density region 242 where a density of the particles constituting the negative electrode active material layer 24 is relatively low; and a high density region 244 where a density of the particles constituting the negative electrode active material layer 24 is relatively high, the high density region being adjacent to the low density region 242 in an extending face direction of the layer.
負極活物質層２４は、負極活物質層２４を構成する粒子の密度が相対的に低い低密度領域２４２と、当該低密度領域２４２と層の延在面方向に隣接し、負極活物質層２４を構成する粒子の密度が相対的に高い高密度領域２４４とを有する。 - 特許庁 - The device has a gallium-nitride-based semiconductor layer 19 containing at least one type that has nearly the same band gap as the active layer 15 and is selected from a group consisting of As, P, and Sb in layers 18 and 20 having a higher band gap energy than the active layer 15 at a position separated from an active layer 25.
該素子は、活性層２５から離れた位置において、活性層１５よりもバンドギャップエネルギーが高い層１８、２０中に、活性層１５とほぼバンドギャップが等しく、かつＡｓ、ＰおよびＳｂからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を含む窒化ガリウム系半導体層１９を有する。 - 特許庁 - This lithium secondary battery is equipped with a positive electrode, a negative electrode containing a negative electrode active material layer 5 alloyed with lithium and formed in a columnar shape on a collector 4 so as to turn it toward the the thickness direction of the negative electrode active material layer 5, an electrolyte, and a Ni layer 6 formed on the surface of the negative electrode active material layer 5.
このリチウム二次電池は、正極と、リチウムと合金化するとともに、集電体４上に負極活物質層５の厚み方向に向かって柱状に形成された負極活物質層５を含む負極と、電解質と、負極活物質層５の表面に形成されたＮｉ層６とを備えている。 - 特許庁 - This cathode electrode contains a collector and a cathode active material layer layered on the collector and containing particles of the core-shell structure containing a sulfur-contained active material core 5, a conductive agent coating layer 7 positioned on a surface of the active material core 5, and a binder coating layer 9 positioned on the conductive agent coating layer 7.
集電体と、含サルファ活物質５コア、前記活物質コア５の表面に位置する導電剤コーティング層７、及び前記導電剤コーティング層７上に位置するバインダコーティング層９を含むコア−シェル構造の粒子を含み、前記集電体上に積層されているカソード活物質層と、を含むカソード電極。 - 特許庁 - In the respective pixels arranged like a matrix on a transparent substrate 15, the active layer 11 of the photodetector is arranged in piles to the active layer 10 of the thin film transistor via an insulating film 17 so that a light shielding layer to the active layer 10 of the thin film transistor for controlling voltage of a transparent electrode 4 can be commonly used.
透明基板１５上にマトリクス状に配置された各画素において、透明電極４の電圧を制御する薄膜トランジスタの活性層１０に対する遮光層を兼用するように、薄膜トランジスタの活性層１０に絶縁膜１７を介して受光素子の活性層１１を重ねて配置する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
