「active layer」を含む例文一覧(7476)
＜前へ 1 2 .... 34 35 36 37 38 39 40 41 42 .... 149 150 次へ＞- The semiconductor laser element 100 is constituted by successively laminating an n-buffer layer 2, n-clad layer 3, active layer 4, p-clad layer 5, and p-contact layer 6 on one surface of an n-GaN substrate 1 having a thickness of 120-200 μm.
半導体レーザ素子１００は、厚さ１２０〜２００μｍのｎ−ＧａＮ基板１の一方の面上に、ｎ−バッファ層２、ｎ−クラッド層３、活性層４、ｐ−クラッド層５およびｐ−コンタクト層６が順に積層されてなる。 - 特許庁 - A negative electrode of lithium secondary battery comprises a current collector, and, superimposed thereon, an active substance layer containing an active substance and an organic material capable of exerting binding and thickening effects.
集電体上に、活物質と、結着及び増粘効果を有する有機物とを含有する活物質層を形成してなるリチウム二次電池負極。 - 特許庁 - Using the active material for the energy storage device as an active material layer, a current collector 7 is fixed to one side thereof and an electrode 10 for the energy storage device is formed.
その蓄電デバイス用活物質を活物質層として、その片面に集電体７が固着されて蓄電デバイス用電極１０がつくられる。 - 特許庁 - The active matrix image display has an amorphous oxide used as an active layer 12 of a field effect transistor for driving a light control element.
アクティブマトリックス型の画像表示装置において、光制御素子を駆動するための電界効果型トランジスタの活性層１２として、非晶質酸化物を用いる。 - 特許庁 - TAMPER-RESISTANT TRANSDERMAL DOSAGE FORM COMPRISING ACTIVE AGENT COMPONENT AND ADVERSE AGENT COMPONENT AT DISTAL SITE OF ACTIVE AGENT LAYER
活性薬剤構成要素および活性薬剤層の遠位に逆作用薬剤構成要素を含んでなる不正使用防止機能付き経皮的剤形 - 特許庁 - The positive electrode active material layer 21B includes: the positive electrode active material; a conductive agent such as carbon material; and a binder such as polyvinylidene fluoride or polytetrafluoro ethylene.
正極活物質層２１Ｂは、正極活物質と、炭素材料などの導電剤およびポリフッ化ビニリデンまたはポリテトラフルオロエチレンなどの結着剤を含む。 - 特許庁 - The cathode is provided with a cathode active material layer 64 containing a cathode collector 62 and a particulate cathode active material formed on the collector.
正極は、正極集電体６２と該集電体上に形成された粒状の正極活物質を含む正極活物質層６４とを有している。 - 特許庁 - The element 12 is formed in an active region α, in which each wiring layer 83, an active element, such as the transistor, diode, etc., are formed.
薄膜抵抗素子１２は、各配線層８３やトランジスタやダイオードなどの能動素子などが形成されているアクティブ領域αに形成されている。 - 特許庁 - With this construction, destruction of the active material itself due to repetition of charge and discharge and volume change of the active material layer 10 are sufficiently suppressed.
この構成により、充放電の繰返しに伴う活物質自体の崩壊およびこれに伴う活物質層１０の体積変化が十分に抑制される。 - 特許庁 - A foil-like collector 1 is coated with an active material layer by coating a surface 10 with the paste-like active material so as to manufacture an electrode.
箔状の集電体１の被塗布面１０にペースト状活物質を塗布することで活物質層を被覆して電極を製造する方法である。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a negative electrode active material capable of manufacturing at low cost the negative electrode active material with the surface coated with graphite of a broken layer structure.
表面に乱層構造の黒鉛が被覆した負極活物質を安価に製造することができる負極活物質の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - An anode active substance layer 22B of the anode 22 contains a carbon material as an anode active substance and has a thickness ≥30 μm.
負極２２の負極活物質層２２Ｂは、負極活物質として炭素材料を含んでいると共に、３０μｍ以上の厚さを有している。 - 特許庁 - The physical properties of the negative active material are hardly changed with time, and the negative active material layer 22B is hardly expanded and contracted in charge discharge.
負極活物質の物性が経時変化しにくくなると共に、充放電時において負極活物質層２２Ｂが膨張および収縮しにくくなる。 - 特許庁 - An electrolyte paste containing an electrode active material and a cold fused salt are prepared and built-up on a collecting body to form an active material layer.
電極活物質と常温溶融塩を含む電極ペーストを調製し、この電極ペーストを集電体に付着させて活物質層を形成する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of an anode plate which includes an anode active material layer which is uniform in the orientation of at least surface particles out of anode active material particles.
負極活物質粒子のうち少なくとも表面粒子の配向が揃った負極活物質層を備える負極板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The metal having the reducing catalyst action is preferable to be carried on the surface of the positive electrode active substance powder constituting the positive electrode active substance layer.
還元触媒作用をもつ金属は、正極活物質層を構成する正極活物質粉体の表面に担持されていることが好ましい。 - 特許庁 - The electrode for a lithium-ion secondary battery is provided with a collector and an active material layer located on a surface of the collector containing an active material.
本発明のリチウムイオン二次電池用電極は、集電体と、前記集電体の表面に位置し、活物質を含む活物質層とを有する。 - 特許庁 - The nonaqueous electrolyte secondary battery includes a negative electrode 10 provided with an active material layer 12 containing active material particles 12a formed of a silicon material.
非水電解液二次電池は、ケイ素系材料からなる活物質の粒子１２ａを含む活物質層１２を備えた負極１０を有する。 - 特許庁 - An active material layer having a linear pattern 121 is formed by linearly coating a surface of a collector 11 with coating liquid containing an active material ingredient.
集電体１１の表面に活物質材料を含む塗布液をライン状に塗布し、ライン状パターン１２１からなる活物質層を形成する。 - 特許庁 - To provide an active energy ray-curable composition which enables a low hardness layer with little outgas to be formed, and to provide a gasket formed from the cured product of the active energy ray-curable composition.
アウトガスの少ない低硬度層を形成できる活性エネルギー線硬化性組成物およびその硬化物から形成されたガスケットを提供する。 - 特許庁 - Titanium oxide is applied to form a titanium oxide active layer, and the active layers are assembled in a multiple layers in parallel with a gap, thus composing an NOx cleaning device.
酸化チタンを塗布し酸化チタン活性層を形成したて、これを隙間をあけて並列に重複層に組み上げてＮＯｘ浄化装置を構成する。 - 特許庁 - Design of a strain balanced active region is advantageous for (1) growing a thick, multiple-layer active region with reduced defects, or (2) adjusting polarization fields within the active region, and improves device performance.
歪平衡の活性領域の設計は、１）欠陥が少なくて厚い複数層の活性領域の成長と、２）活性領域内での分極場の調整に有利であり、デバイス性能を向上させる。 - 特許庁 - The electrode active material layer has an active material fixed on the surface of the current collector by jointing the active materials containing lithium and nickel as metal elements without using a resin binder.
樹脂製結着材を用いずにリチウムとニッケルを金属元素として含む活物質同士を接合させることにより該活物質を集電体表面に固着させてなる電極活物質層を構成する。 - 特許庁 - The electrode active material layer has an active material fixed on the surface of the current collector by jointing the active materials containing lithium and manganese as metal elements without using a resin binder.
樹脂製結着材を用いずにリチウムとマンガンを金属元素として含む活物質同士を接合させることにより該活物質を集電体表面に固着させてなる電極活物質層を構成する。 - 特許庁 - For forming a cathode active material layer of the lithium secondary battery, the cathode active material is used for preparation of aqueous paste containing aqueous solvent and a cathode active material.
本発明によると、リチウム二次電池の正極活物質層を形成するための、水系溶媒と正極活物質とを含む水系ペーストの調製に用いられる正極活物質が提供される。 - 特許庁 - The electrode active material layer has an active material fixed on the surface of the current collector by jointing the active materials containing lithium and iron as metal elements without using a resin binder.
樹脂製結着材を用いずにリチウムと鉄とを金属元素として含む活物質同士を接合させることにより該活物質を集電体表面に固着させてなる電極活物質層を構成する。 - 特許庁 - An active mesa stripe, including an active layer, is formed like an inverted mesa shape by the selective growth, and the current path width specified by the width of the active mesa stripe top is broadened to lower the element resistance.
選択成長によって、活性層を含む活性メサストライプを逆メサ形状に形成し、活性メサストライプ頂上の幅によって規定される電流経路幅を広くして素子抵抗を低減する。 - 特許庁 - An positive electrode active material layer 14B of the positive electrode 14 contains a plurality of positive electrode active material particles and the positive electrode active material particles contains silicon and has a multilayer structure inside the particles.
負極１４の負極活物質層１４Ｂは複数の負極活物質粒子を含み、その負極活物質粒子はケイ素を含有すると共に粒子内に多層構造を有している。 - 特許庁 - The electrode active material layer has an active material fixed on the surface of the current collector by jointing the active materials containing lithium, cobalt, nickel, and manganese without using a resin binder.
樹脂製結着材を用いずにリチウム、コバルト、ニッケルおよびマンガンを含む活物質同士を接合させることにより該活物質を集電体表面に固着させてなる電極活物質層を構成する。 - 特許庁 - The method for manufacturing a solid secondary battery comprises: a battery making step for making a solid secondary battery in the initial state comprising a positive electrode active material layer, a negative electrode active material layer, and a solid electrolyte layer between the positive electrode active material layer and the negative electrode active material layer; and an overcharge treatment step for discharging the solid secondary battery in the initial state.
本発明は、正極活物質層、負極活物質層、並びに、上記正極活物質層および上記負極活物質層の間に形成された固体電解質層を有する初期状態の固体二次電池を作製する電池作製工程と、上記初期状態の固体二次電池を放電する過放電処理工程と、を有することを特徴とする固体二次電池の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁 - A shielding layer 23 is selectively formed on a single crystal silicon layer, an active region 25 is formed in the single crystal silicon layer using the shielding layer 23 as a mask and an impurity layer 26 is formed in the edge part of the side part of the active region 25 by implanting an impurity obliquely from the above, using the shielding layer 23 as a mask.
単結晶シリコン層上に遮蔽層２３を選択的に形成し、前記遮蔽層２３をマスクとして前記単結晶シリコン層中にアクティブ領域２５を形成し、前記遮蔽層２３をマスクとして斜め上方向から不純物を注入して、前記アクティブ領域２５側部のエッジ部分に不純物層２６を形成する。 - 特許庁 - The first laser structure section 3 has a laminate structure of an n-type AlGaAs cladding layer 32, an MQW active layer 33 and a p-type AlGaAs cladding layer 34, and the second laser structure section 4 has a laminate structure of an n-type InGaAlP cladding layer 42, an MQW active layer 43 and a p-type InGaAlP cladding layer 44.
第１レーザ構造部３は、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３２、ＭＱＷ活性層３３およびｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３４の積層構造を有し、第２レーザ構造部４は、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４２、ＭＱＷ活性層４３およびｐ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４４の積層構造を有している。 - 特許庁 - A surface emission laser having a lower distributed reflection layer between a semiconductor substrate and an active layer, provided with an upper distributed reflection layer on the upper side of the active layer through an air gap and emitting laser light in the direction perpendicular to the semiconductor substrate from an optical resonator formed of the upper distributed reflection layer and the lower distributed reflection layer is improved.
本発明は、半導体基板と活性層との間に下部分布反射層をもち、上部分布反射層を活性層の上側にエアギャップを介して設け、上部分布反射層と下部分布反射層とで光共振器を形成し半導体基板と垂直な方向にレーザ光を出射する面発光レーザに改良を加えたものである。 - 特許庁 - The semiconductor light-emitting element includes: a conductive substrate 1; a first clad layer 2 of a first conductivity type, comprising a nitride semiconductor and formed on the conductive substrate 1; an active layer 4 formed on the first clad layer 2; and a second clad layer 6 of a second conductivity type formed on the active layer 4, wherein an optical waveguide 7 is formed in the second clad layer 6.
導電性基板１と、導電性基板１上に形成された窒化物半導体からなる第１導電型の第１クラッド層２と、第１クラッド層２上に形成された活性層４と、活性層４上に形成された第２導電型の第２クラッド層６とを備え、第２クラッド層６に光導波路７が形成される。 - 特許庁 - In the active layer and the conductive layer formed in a surface parallel to the oblique crystal surface through selective growth, impurities dispersed from the conductive layer to the active layer can be shut off by an undoped crystal layer, and light emission efficiency can be improved by doping much impurities on the conductive layer.
選択成長により傾斜結晶面に平行な面内に形成される活性層及び導電型層において、活性層に近接して形成されるアンドープ結晶層により導電型層から活性層へ拡散する不純物を遮断することができ、導電型層に多くの不純物をドープして発光効率を高めることができる。 - 特許庁 - The semiconductor light emitting element comprises a n-type GaN semiconductor layer, an active layer formed on the gallium surface of the n-type GaN semiconductor layer, a p-type semiconductor layer formed on the active layer, and a n-type electrode containing a lanthanum (La)-nickel (Ni) alloy, formed on the nitrogen surface of the n-type GaN semiconductor layer.
本発明による半導体発光素子は、ｎ型ＧａＮ半導体層、ｎ型ＧａＮ半導体層のガリウム表面に形成された活性層、活性層上に形成されたｐ型半導体層と共に、ｎ型ＧａＮ半導体層の窒素表面に形成されたランタン（Ｌａ）−ニッケル（Ｎｉ）合金を含むｎ型電極を含む。 - 特許庁 - A lower distribution reflection layer is provided between a semiconductor substrate and an active layer, an upper distribution reflection layer is provided at the upper side of the active layer via an air gap, an optical resonator is formed by the upper distribution reflecting layer and the lower distribution reflecting layer, and the surface-emitting laser for emitting laser beams in perpendicular direction to the semiconductor substrate is improved.
本発明は、半導体基板と活性層との間に下部分布反射層をもち、上部分布反射層を活性層の上側にエアギャップを介して設け、上部分布反射層と下部分布反射層とで光共振器を形成し半導体基板と垂直な方向にレーザ光を出射する面発光レーザに改良を加えたものである。 - 特許庁 - The pattern forming method includes: a step of selectively forming an under active layer containing a polymerization initiator on a surface of a layer to be etched on a substrate; a step of forming a polymer layer on the under active layer by living radical polymerization of an organic monomer; and a step of selectively etching the layer to be etched through the polymer layer as a mask.
基材の被エッチング層表面に重合開始剤を含む下地活性層を選択的に形成する工程と、有機モノマーをリビングラジカル重合させて前記下地活性層に重合体層を形成する工程と、前記重合体層をマスクとして前記被エッチング層を選択的にエッチングする工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁 - The thin-film transistor comprises an insulating undercoat layer formed on a substrate, a semiconductor active layer composed of polysilicon formed on the insulating undercoat layer, and a gate electrode formed on the semiconductor active layer, while being insulated wherein the insulating undercoat layer is a silicon oxide film layer formed by plasma CVD, using tetraethoxy silane as the material.
基板に対して形成される絶縁性アンダーコート層と、該絶縁性アンダーコート層の上に形成される多結晶シリコンからなる半導体活性層と、該半導体活性層上に絶縁して形成されるゲート電極とを備え、該絶縁性アンダーコート層は、テトラエトキシシランを材料とし、プラズマＣＶＤで形成されたシリコン酸化膜層である薄膜トランジスタである。 - 特許庁 - The method of manufacturing a nonaqueous electrolyte battery has the steps of: forming a positive electrode layer 1 including a positive electrode active material made of an oxide; forming a negative electrode layer 2 including a negative electrode active material; forming a sulfide-based solid electrolyte layer (SE layer 3) disposed between the electrode layers 1, 2; and forming an intermediate layer 4 disposed between the positive electrode layer 1 and the SE layer 3.
酸化物からなる正極活物質を含む正極層１を形成する工程と、負極活物質を含む負極層２を形成する工程と、これら電極層１，２の間に配される硫化物系の固体電解質層（ＳＥ層３）を形成する工程と、正極層１とＳＥ層３との間に配される中間層４を形成する工程とを備える。 - 特許庁 - This presents a nitride semiconductor light emitting device that includes a p-type nitride layer, an active layer including a quantum well structure, and an n-type nitride semiconductor layer all formed on a semiconductor substrate, wherein the active layer includes a first nitride semiconductor layer, a second nitride semiconductor layer, and a third nitride semiconductor layer whose compositions are different from one another, as well as its manufacturing method.
半導体基板上に形成された、ｐ型窒化物半導体層と、量子井戸構造を含む活性層と、ｎ型窒化物半導体層と、を含み、活性層は、互いに組成の異なる、第１の窒化物半導体層と、第２の窒化物半導体層と、第３の窒化物半導体層と、を含んでいる窒化物半導体発光素子とその窒化物半導体発光素子の製造方法である。 - 特許庁 - The light-emitting diode includes: an n-type nitride semiconductor layer; a p-type nitride semiconductor layer; and an active region of multiple quantum well structure interposed between the n-type nitride semiconductor layer and the p-type nitride semiconductor layer and including an InGaN quantum well layer; and a superlattice layer intervened between the n-type nitride semiconductor layer and the active region.
発光ダイオードは、ｎ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層と、前記ｎ型窒化物半導体層と前記ｐ型窒化物半導体層との間に介在され、ＩｎＧａＮ量子井戸層を含む多重量子井戸構造の活性領域と、前記ｎ型窒化物半導体層と前記活性領域との間に介在された超格子層とを含む。 - 特許庁 - A nitride-based light-emitting element according to the present invention comprises a growth substrate, a powder type seed layer for nitride growth formed on the growth substrate, a p-type nitride layer formed on the seed layer for nitride growth, a light-emitting active layer formed on the p-type nitride layer, and an n-type ZnO layer formed on the light-emitting active layer.
本発明に係る窒化物系発光素子は、成長基板と、前記成長基板上に形成されるパウダータイプの窒化物成長用シード層と、前記窒化物成長用シード層上に形成されるｐ—タイプの窒化物層と、前記ｐ—タイプの窒化物層上に形成される発光活性層と、前記発光活性層上に形成されるｎ—タイプのＺｎＯ層とを含むことを特徴とする。 - 特許庁 - In the semiconductor light emitting device, a first cladding layer 112, an active layer 113, a second cladding layer 114, and a contact layer 117 are formed on a substrate, and a quantum well hetero barrier layer 116 having a contact barrier layer 116b and a contact well layer 116w is formed between the second cladding layer 114 and the contact layer 117.
基板上に、第１クラッド層１１２と、活性層１１３と、第２クラッド層１１４と、コンタクト層１１７とが形成された半導体発光素子であって、第２クラッド層１１４とコンタクト層１１７との間に、コンタクトバリア層１１６ｂとコンタクトウェル層１１６ｗとを有する量子井戸へテロバリア層１１６が形成されている。 - 特許庁 - The fire-resistant deodorizing filter containing an active carbon layer and cloth on its one side or both sides, wherein the active carbon layer contains active carbon particles, thermosetting resin particles, thermoplastic resin binder particles, and the thermosetting resin particles in the active carbon layer is 4 to 50 pts.wt. to the active carbon particles of 100 pts.wt.
活性炭層と、その片面又は両面に設けられた布帛とを含む難燃性脱臭フィルタにおいて、前記活性炭層が活性炭粒子、熱硬化性樹脂粒子、および熱可塑性樹脂バインダー粒子を含有し、前記活性炭層において熱硬化性樹脂粒子が活性炭粒子１００重量部に対して４〜５０重量部の割合で存在することを特徴とする難燃性脱臭フィルタ。 - 特許庁 - The light emission wavelength of the active layer 103 in the end-face window region 121 on the rear end-face is longer than that of the active layer 103 in the end-face window region 130 on the front end-face.
後端面の端面窓領域１２１における活性層１０３の発光波長は、前端面の端面窓領域１３０における活性層１０３の発光波長よりも長波長である - 特許庁 - Consequently, the occurrence of nitrogen voids or In metallization which occur in the active layer when, for example, In-N bond is cut can be prevented and the crystallinity of the active layer can be maintained satisfactorily.
活性層中での例えばＩｎ−Ｎのボンドが切断されることによる窒素空孔の発生やＩｎ金属化などの問題が未然に防止され該活性層の結晶性を良好に保つことできる。 - 特許庁 - Thus, a p-type active layer 2a, formed of p-type GaAs is formed on the flat parts 1a and 1c and an n-type active layer 2b formed of n-type GaAs, is formed on the inclination part 1b.
それにより、平坦部１ａ，１ｃ上にｐ型ＧａＡｓからなるｐ型活性層２ａが形成され、傾斜部１ｂ上にｎ型ＧａＡｓからなるｎ型活性層２ｂが形成される。 - 特許庁 - Further, since the negative electrode binder 13 is formed on the surface of the negative electrode active material layer, the negative electrode active material layer is hardly dropped off from the negative electrode collector so as to restrain degradation of conductivity.
さらに、負極活物質層表面に負極バインダー１３が形成されることによって、負極活物質層が負極集電体から脱落しにくくなり導電率の低下が抑制される。 - 特許庁 - In the semiconductor optical amplifier 10 with an active layer 14, which has an optical amplifying function by current injection onto a substrate 11 made of InP, the active layer 14 contains InGaAsSb.
ＩｎＰからなる基板１１上に電流注入による光増幅機能を有する活性層１４を備えた半導体光増幅器１０において、活性層１４が、ＩｎＧａＡｓＳｂを含有している。 - 特許庁
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