「active layer」を含む例文一覧(7476)
＜前へ 1 2 .... 38 39 40 41 42 43 44 45 46 .... 149 150 次へ＞- To provide the method of manufacturing an electrode active material for a battery covered with an electron conductive carbonaceous layer.
電子伝導性炭素質層で被覆された電池用電極活物質の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To appropriately and efficiently form an active material layer on a surface of a belt-like substrate when manufacturing an electrode.
電極を製造するに際し、帯状の基材の表面に活物質層を適切に形成する。 - 特許庁 - A hollow visual field section 11a which is the boundary is formed in the central part of this active layer 11.
この活性層１１の中央部には境界部となる中空視野部１１ａが形成されている。 - 特許庁 - ACTIVE MATERIAL LAYER FOR SECONDARY BATTERY, ITS FORMING METHOD, AND COATING LIQUID TO FORM THE SAME
二次電池用活物質層及びその形成方法並びに二次電池用活物質層形成用塗布液 - 特許庁 - This LED array comprises an active layer (24) of the first conductivity type, inside of which a front face of each second conductivity-type region exists, and cladding layers (23 or 25) of the first conductivity type stacked by sandwiching the active layer (24) have energy gaps larger than that of the active layer (24), and have high impurity concentrations (carrier concentrations).
第２導電型の領域のフロント面がその内部に存在する第１導電型の活性層（２４）と、上記活性層（２４）に積層され、第１導電型で、上記活性層（２４）よりもエネルギーバンドギャップが大きく、かつ不純物濃度（キャリア濃度）が高いクラッド層（２３又は２５）とを備える。 - 特許庁 - A hard coating layer is made by hardening the active energy line hardening type hard coating composition applied onto a base material.
この活性エネルギー線硬化型ハードコート組成物を基材上に塗布して、硬化させてなるハードコート層。 - 特許庁 - The electrode is provided with a discharge member comprising an active material support 230 consisting of valve metal, an intermediate layer 231m consisting mainly of a Pt group metal or the oxide thereof and covering the surface of the active material support 230, and a conductive active material layer 231 consisting mainly of PbO_2 and covering the surface of the intermediate layer 231m.
バルブ金属よりなる活物質支持体２３０と、該活物質支持体２３０の表面を覆うＰｔ族金属もしくはその酸化物を主体とした中間層２３１ｍと、該中間層２３１ｍの表面を覆うＰｂＯ_２を主体とした導電性活物質層２３１とを有した放電部材を備える。 - 特許庁 - The active material layer 2 has a metallic material 4 spread among the particles by electroplating.
活物質層２には、電解めっきによって析出した金属材料４が粒子間に浸透している。 - 特許庁 - To provide a semiconductor substrate of which the thickness of an Si active layer is accurate, and to provide its manufacturing method.
Ｓｉ活性層の厚さを高精度とした半導体基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - Moreover, an insulating resin film may be formed on the active material particle surface of the outermost-layer electrode.
また、最外層電極の活物質粒子表面上に絶縁性樹脂膜を形成してもよい。 - 特許庁 - To provide a high-reliability battery having a negative electrode active material layer which is made of a single metal.
単体金属からなる負極活物質層を有しながら、信頼性の高い電池を提供する。 - 特許庁 - On an InP substrate 10, a laminated body 19 composed of semiconductor including an active layer 12 is formed.
ＩｎＰ基板１０上に、半導体からなり活性層１２を含む積層体１９を形成する。 - 特許庁 - The method of manufacturing the transistor having the active layer comprising a semiconductor film containing an organic semiconductor compound includes a step of extending the semiconductor film; and a step of bonding the semiconductor film, while a surface for forming the active layer is heated and/or pressurized to obtain the active layer.
本発明のトランジスタの製造方法は、有機半導体化合物を含む半導体膜からなる活性層を有するトランジスタの製造方法であって、半導体膜を延伸する工程と、半導体膜を、活性層を形成させる面に対して加熱及び／又は加圧をしながら貼り付けて活性層を得る工程とを含む。 - 特許庁 - To provide a configurable unified layer which can be active by a user and contains an interest item of the user.
ユーザの関心対象の項目を含む、ユーザがアクティブにすることができる構成可能な統合レイヤ。 - 特許庁 - The nonaqueous electrolyte battery has a negative electrode layer containing at least lithium as a negative electrode active material.
非水電解質電池は、負極活物質として少なくともリチウムを含む負極層を有する。 - 特許庁 - As electrical conductivity of the cathode active material layer 21B increases, decomposition reaction of electrolyte solution is suppressed.
正極活物質層２１Ｂの導電性が高くなると共に、電解液の分解反応が抑制される。 - 特許庁 - The semiconductor laser includes a semiconductor chip 1 which has an active layer 5 and emits radiation in a main radiating direction 6.
半導体チップ１は活性層５を有しており、主放射方向６へ放射を送出する。 - 特許庁 - The anode 10 for the nonaqueous electrolyte secondary battery is provided with an active material layer 2 of a silicon system material.
非水電解液二次電池用負極１０は、シリコン系材料の活物質層２を備えている。 - 特許庁 - Nano-particles of a ceramic having an intermediate diameter of less than 1 μm are mixed in a negative active material layer.
負極活物質層中に、中位径が１μｍ未満であるセラミックのナノ粒子を混合する。 - 特許庁 - Therefore, a window structure which is transparent to laser light is formed near the light emitting edge of the active layer.
従って、レーザ光に対して透明な窓構造が活性層の出射端面近傍に形成される。 - 特許庁 - The active layer A is formed on the film 130 so as to cover the gate electrode G.
活性層Ａは、ゲート電極Ｇをカバーするように第１表面処理膜１３０上に形成される。 - 特許庁 - A device-isolation insulating region formed in a surface layer of a semiconductor substrate demarcates an active region.
半導体基板の表層部に形成された素子分離絶縁領域が活性領域を画定する。 - 特許庁 - To increase amount of active species and to hardly make dew formation or moisture attachment be generated on a dielectric layer.
活性種の生成量を増やすとともに誘電体膜に結露や水分付着が起こりにくくする。 - 特許庁 - In the active material layer 2, a metal material 4 deposited by electrolysis plating has permeated among particles.
活物質層２には、電解めっきによって析出した金属材料４が粒子間に浸透している。 - 特許庁 - Especially, this manufacturing method is most effective when containing a amorphous silicon layer as a negative electrode active material.
特に本製造方法は負極活物質として非晶質シリコン層を含む場合に効果が大きい。 - 特許庁 - A variable modulator assembly 10 is provided with an active layer 14 having a first surface and a second surface.
可変変調器アセンブリ１０は、第１および第２の表面を有する活性層１４を有する。 - 特許庁 - Here, λ_n is the wavelength of light at the layer between an active region and a reflective contact.
ここで、λ_nは、活性領域と反射性を有するコンタクトとの間の層における光の波長である。 - 特許庁 - ACTIVE ENERGY RAY-CURABLE ADHESIVE COMPOSITION, ADHESIVE, ADHESIVE SHEET, AND OPTICAL MEMBER WITH ADHESIVE LAYER
活性エネルギー線硬化型粘着剤組成物、粘着剤、粘着シート及び粘着剤層付き光学部材 - 特許庁 - ACTIVE ENERGY RAY-CURABLE RESIN COMPOSITION, ADHESIVE LAYER, POLARIZING PLATE, OPTICAL FILM, AND IMAGE DISPLAY DEVICE
活性エネルギー線硬化型樹脂組成物、接着剤層、偏光板、光学フィルムおよび画像表示装置 - 特許庁 - A coating composition for forming the primer layer 6 contains the active energy ray curable composition.
プライマー層６を形成するためのコーティング組成物は、活性エネルギー線硬化型組成物を含んでいる。 - 特許庁 - At this time, a slip is generated on a bulk portion of the wafer for an active layer directly contacting the boat.
このとき、ボートに直接接触する活性層用ウェーハではそのバルク部にスリップが発生する。 - 特許庁 - The anode 80 is provided with an anode active material layer 82 on an anode current collector 81.
負極８０は、負極集電体８１の上に負極活物質層８２が設けられたものである。 - 特許庁 - The surface-emitting laser element has reflecting layers 103, 107 and has a cavity 120 including an active layer 105.
面発光レーザ素子は、反射層１０３，１０７と、活性層１０５を含む共振器１２０とを備える。 - 特許庁 - Similarly, heat release of the active layer 5 at electrically operating is smaller at the both ends than that at the center in the longitudinal direction.
通電時の活性層５の放熱量が長手方向の中央部より両端部のほうが小さい。 - 特許庁 - An optically active 4-amino-2-methylbutan-1-ol is prepared by allowing an optically active diastereomer salt of 4-amino-2-methylbutan-1-ol and an optically active optical-resolution agent to contact with water, an alkali and an organic solvent, separating the organic layer from the aqueous layer, and concentrating the organic layer followed by distillation.
光学活性な４−アミノ−２−メチルブタン−１−オールと光学活性な光学分割剤とのジアステレオマー塩を、水、アルカリ及び有機溶媒と接触させ、有機層と水層を液液分離し、有機層を濃縮した後に蒸留することにより光学活性４−アミノ−２−メチルブタン−１−オールを製造する。 - 特許庁 - The semiconductor optical amplifier element is provided with an optical amplifier wave guiding layer having: a passive core region formed of a semiconductor, active cladding regions positioned on both sides of the passive core region and each made of a semiconductor active layer which has a refractive index lower than that of the passive core region, wherein a light is wave-guided while being amplified in the active wave guiding layer.
半導体からなる受動コア領域と、前記受動コア領域の両側に位置し、前記受動コア領域よりも屈折率が低い半導体活性層からなる能動クラッド領域と、を有する光増幅導波層を備え、前記光増幅導波層において光を増幅しながら導波する。 - 特許庁 - To improve characteristics of a lateral insulated gate bipolar transistor (IGBT) formed on a laminated substrate having a thin active layer.
薄い活性層を有する積層基板に形成される横型ＩＧＢＴの特性を改善する。 - 特許庁 - In the LED chip 4, the active layer 13 is arranged substantially in parallel with the insulating substrate 1.
ＬＥＤチップ４は、活性層１３が絶縁性基板１にほぼ平行になるように配されている。 - 特許庁 - A MISFET is formed in a part of the active region where the first layer is not arranged.
活性領域のうち第１の層の配置されていない領域にＭＩＳＦＥＴが形成されている。 - 特許庁 - The electrode 13 has an active material layer 12 formed entirely on the whole face of both main faces of the current collector 11.
電極１３は、集電体１１の両主面の全面に活物質層１２が形成されている。 - 特許庁 - Also, the active layer is preferably to be an oxide comprised of In, Ga, Zn and O.
また、活性層はＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏを含み構成された酸化物とすることが望ましい。 - 特許庁 - The active layer of a field-effect transistor is formed of organic semiconductor material having bipolar charge transfer characteristics.
電界効果トランジスタの活性層にバイポーラ電荷輸送特性を有する有機半導体材料を用いる。 - 特許庁 - The amorphous chalcogenide solid active electrolytic layer is located between the first and the second metallic layers.
アモルファス・カルコゲニド固体活性電解層は、第一金属層と第二金属層との間に配置される。 - 特許庁 - A ridge 20 and a lower part 42 on both sides of the ridge are formed by etching to the active layer 36.
活性層３６までのエッチングによりリッジ部２０とその両脇の低地部４２とを形成する。 - 特許庁 - The fine piece 40 of the top laminate layer material and the thermally active adhesive film 42 form mutually a multielement fine piece 30.
そのトップラミネート層材細片と熱活性接着剤フィルムは互いに多要素細片を形成する。 - 特許庁 - The first mixture layer includes a first active material which can reversibly occlude and discharge lithium and a binder.
第１合剤層は、リチウムを可逆的に吸蔵および放出可能な第１活物質と、バインダーとを含む。 - 特許庁 - To provide a surface-emitting laser element capable of removing effectively the heat generated in its active layer.
活性層で発生した熱を効果的に取り除くことが可能な面発光レーザ素子を提供する。 - 特許庁 - Thereby, even if the negative electrode active material layer is thicken to obtain a large capacity, cycle characteristics are not deteriorated.
よって、負極活物質層を厚くして大容量化を図ってもサイクル特性が劣化しない。 - 特許庁 - The rare earth added semiconductor laminate structure 1 for a light emitting element has a double heterojunction structure in which p-type and n-type clad layers 3 and 4 with forbidden band width larger than an active layer 2 are laminated on both sides of the active layer 2, and where the active layer 2 is added with rare earth element or both rare earth element and oxygen.
活性層２の両側に活性層２よりも禁制帯幅の大きいｐ型とｎ型のクラッド層３，４を積層したダブルヘテロ接合構造であって、活性層２に希土類元素または希土類元素と酸素が添加された発光素子用希土類元素添加半導体積層構造１である。 - 特許庁 - The optical device is provided with a quantum well structured GaInNAs active layer that generates light, and GaInAs barrier layers vapor-deposited vertically, over and under the active layer having conduction band kinetic energy and lower valence band kinetic energy higher than that of the active layer, and it has an superior long-wavelength luminescence characteristic of 1.3 ums or longer.
量子ウェル構造を有して光を生成するＧａＩｎＮＡｓ活性層と、活性層の上下部に蒸着されて前記活性層より高い伝導帯のエネルギーと低い価電子帯エネルギーとを有するＧａＩｎＡｓ障壁層とを備え、１．３μｍ以上の長波長帯域の優秀な発光特性を有する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
