「active layer」を含む例文一覧(7476)

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  • Each electron confinement well layer is formed between the electron confinement barrier layers, and forbidden bandwidth energy of each electron confinement well layer sequentially increases from the second cladding layer 105 to the active layer 103.
    各電子閉じ込めウェル層は、それぞれ電子閉じ込めバリア層の間に形成され、各電子閉じ込めウェル層の禁制帯幅エネルギーは、第２クラッド層１０５側から活性層１０３側に向かって順次増大している。 - 特許庁
  • The semiconductor laser device includes a semiconductor layer laminate 100 including an n-type cladding layer 103, an active layer 105 and a p-type cladding layer 108 which are sequentially laminated on a substrate 101, and forming a resonator.
    半導体レーザ装置は、基板１０１の上に順次積層されたｎ型クラッド層１０３、活性層１０５及びｐ型クラッド層１０８を含み、共振器を構成する半導体層積層体１００を備えている。 - 特許庁
  • The array type semiconductor laser 10 comprises: a multifilm semiconductor layer constituted of laminating a first clad layer 12; an active layer 13; and a second clad layer 14; and a plurality of band-like waveguides 21 arrayed in parallel.
    アレイ型半導体レーザ１０は、第１クラッド層１２、活性層１３および第２クラッド層１４が積層された多層膜半導体層を有し、複数の帯状導波路２１が並列的に配列されてなる。 - 特許庁
  • On a GaN substrate 10, a first clad layer 14 of n-type AlGaN, an active layer 18, a second clad layer 24 of p-type AlGaN, and a contact layer 26 of p-type GaN are sequentially formed.
    ＧａＮ基板１０上に、ｎ型ＡｌＧａＮからなる第１クラッド層１４、活性層１８、ｐ型ＡｌＧａＮからなる第２クラッド層２４及びｐ型ＧａＮからなるコンタクト層２６が順次形成されている。 - 特許庁
  • In addition, an insulation layer or a high resistance layer is provided between the p-side contact layer 43 and a p-side electrode 52, corresponding to other areas excluding both ends of the active layer 30 in the direction A of the resonator.
    または、ｐ側コンタクト層４３とｐ側電極５２との間に、絶縁層または高抵抗層が、共振器方向Ａにおける活性層３０の両端部を除く他の領域に対応して設けられている。 - 特許庁
  • The second semiconductor optical element includes the InP semiconductor layer 1b, an InAsP (indium arsenic phosphorus) semiconductor layer 19b, and a second active layer 23b and a second compound semiconductor layer 25b which are installed on the second region 61b.
    第２の半導体光素子部は、第２の領域６１ｂ上に設けられたＩｎＰ半導体層１ｂ、ＩｎＡｓＰ半導体層１９ｂ、第２の活性層２３ｂ及び第２の化合物半導体層２５ｂを含む。 - 特許庁
  • Further, a nitride semiconductor light emitting element has a nitride semiconductor layer having a polar plane at least partially, a p-type nitride semiconductor layer, and an active layer laminated in order on an n-type nitride semiconductor layer.
    また、ｎ型窒化物半導体層上に、少なくとも一部に極性面を有する窒化物半導体層、ｐ型窒化物半導体層および活性層が順に積層されている窒化物半導体発光素子である。 - 特許庁
  • As shown in the enlarged part, a connection area 111a formed in this way comprises a three-layer structure composed of a substrate layer 111b, a packed layer 111c, and an active material layer 111d from the upper part of the figure.
    拡大部分に示すように、このように形成された接合領域１１１ａは、図面上方から基板層１１１ｂ、充填層１１１ｃ、活物質層１１１ｄの３層構造を有することになる。 - 特許庁
  • An n-type GaN layer 11, an active layer 12, and p-type GaN layer 13 constitute a structure of the light emitting diode, and have an edge face 14 slanting at an angle of θ_1 to a lower face of the n-type GaN layer 11.
    発光ダイオード構造を形成するｎ型ＧａＮ層１１、活性層１２およびｐ型ＧａＮ層１３に、ｎ型ＧａＮ層１１の下面に対して角度θ_1 傾斜している端面１４を形成する。 - 特許庁
  • After a pattern of the magnetic layer 12 is obtained by using the protective layer pattern 14P as a hard mask, the pattern of the magnetic layer 12 is exposed to the hydrogen plasma PLH to remove halogen active species adhering to the pattern of the magnetic layer 12.
    そして、保護層パターン１４Ｐをハードマスクにして磁性層１２のパターンを得た後に、磁性層１２のパターンを水素プラズマＰＬＨに晒して、磁性層１２のパターンに付着したハロゲン系の活性種を除去した。 - 特許庁
  • On an n-type GaN substrate 10, an n-type AlGaN clad layer 14, an undoped active layer 16, a p-type AlGaN electron barrier layer 18, a p-type AlGaN clad layer 20, and a p-type GaN contact layer 22 are formed in order.
    ｎ型ＧａＮ基板１０上に、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１４、アンドープの活性層１６、ｐ型ＡｌＧａＮ電子障壁層１８、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層２０及びｐ型ＧａＮコンタクト層２２が順番に形成されている。 - 特許庁
  • In addition, the p-type cladding layer 26 is composed of at least two layers where the composition is mutually different in a layer thickness direction, and a first p-type cladding layer 20 positioned near the active layer 17 has a lower refractive index than a second p-type cladding layer 21.
    さらに、ｐ型クラッド層２６は層厚方向に互いに組成が異なる２層以上から構成され、活性層１７に近い第１のｐ型クラッド層２０が、より遠い第２のｐ型クラッド層２１に比べて低い屈折率を有する。 - 特許庁
  • An n-type GaN layer 2, an InGaN multi-quantum well active layer 3, a p-type AlGaN electronic barrier layer 4, a p-type AlGaN/GaN strain superlatticed layer 5 and a p-type GaN contact layer 6 are sequentially formed on a sapphire substrate 1.
    サファイア基板１の上にｎ型ＧａＮ層２、ＩｎＧａＮ多重量子井戸活性層３、ｐ型ＡｌＧａＮ電子障壁層４、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ歪超格子層５及びｐ型ＧａＮコンタクト層６が順次形成されている。 - 特許庁
  • In the semiconductor light emitting element having a structure that an active layer 6 is pinched between the n-type clad layer 3 and the p-type clad layer 10, an Al_xGa_1-xN(AlGaN) layer having the composition ratio x of Al of 0.01≤x<0.06 is employed as the n-type clad layer.
    ｎ型クラッド層３とｐ型クラッド層１０との間に活性層６が挟まれた構造を有する半導体発光素子において、ｎ型クラッド層として、Ａｌ組成比ｘが０．０１≦ｘ＜０．０６のＡｌ_xＧａ_1-xＮ（ＡｌＧａＮ）層を用いる。 - 特許庁
  • The thickness of a parallel pn layer 12 at an active section 10 is set thinner than that of a pn layer 22 of a breakdown voltage structure section 20, and an n+ intermediate drain layer 21, having concentration higher than that of an n-drift region 12a, is inserted between the parallel pn layer 12 and an n+ drain layer 11.
    活性部１０の並列ｐｎ層１２の厚さを、耐圧構造部２０のｐｎ層２２より薄くし、並列ｐｎ層１２とｎ^+ ドレイン層１１との間に、ｎドリフト領域１２ａより高濃度のｎ^+ 中間ドレイン層２１を挿入する。 - 特許庁
  • The lithium battery uses lithium nickelate as a positive electrode active material to constitute the positive electrode layer 13, so that the inclination of lithium ions in the vicinity of interface of the positive electrode layer 13 and the SE layer 15 is alleviated and formation of a depletion layer in the SE layer 15 is controlled.
    このリチウム電池1は、正極層13を構成する正極活物質としてニッケル酸リチウムを用いることで、正極層13とSE層15との界面近傍におけるリチウムイオンの偏りを緩和し、SE層15に空乏層が形成されることを抑制する。 - 特許庁
  • The resonator 1 is constituted by successively laminating an n-type AlGaN clad layer 2, an n-type GaN optical waveguide layer 13, an InGaN active layer 14, a p-type GaN optical guide layer 15, and a p-type AlGaN clad layer 16 upon a substrate.
    レーザ共振器１は、基板上にｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１２、ｎ型ＧａＮ光導波層１３、ＩｎＧａＮ活性層１４、ｐ型ＧａＮ光導波層１５、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１６を順次積層することにより構成する。 - 特許庁
  • The active layer 10 is configured by laminating a quantum well layer 221 consisting of an Al_yGa_(1-y)As_(1-x3)P_x3 layer, and a barrier layer 222 consisting of an Al_x4Ga_(1-x4)As layer alternately and repeatedly a plurality of times.
    活性層１０は、Ａｌ_ｙＧａ_（１−ｙ）Ａｓ_（１−ｘ３）Ｐ_ｘ３層からなる量子井戸層２２１とＡｌ_ｘ４Ｇａ_（１−ｘ４）Ａｓ層からなる障壁層２２２とを交互に複数周期繰り返し積層して構成されている。 - 特許庁
  • The light emitting diode 1 is provided with a substrate 3 formed of a nitride for transmitting light, an n-type buffer layer 5 sequentially laminated on the principal surface 3a of the substrate 3, an n-type clad layer 7, an active layer 9, a p-type clad layer 11, and a p-type contact layer 13.
    発光ダイオード１は、光を透過する窒化物からなる基板３と、基板３の主面３ａ上に順に積層されたｎ型バッファ層５、ｎ型クラッド層７、活性層９、ｐ型クラッド層１１、及びｐ型コンタクト層１３とを備える。 - 特許庁
  • In a semiconductor laser, having a double heterostructure composed of an n-type clad layer 103, an MQW active layer 105, and a p-type clad layer 106, an n-type saturable absorption layer 104 having a compressive strain, is provided in the n-type clad layer 103.
    n型クラッド層（１０３）と、ＭＱＷ活性層（１０５）と、p型クラッド層（１０６）とからなるダブルへテロ構造の半導体レーザにおいて、n型クラッド層（１０３）中に圧縮歪みを有するn型可飽和吸収層（１０４）を設ける。 - 特許庁
  • When a semiconductor light-emitting device is to be constituted lamination is successively made so that a light emission layer formation part for pinching an active layer with smaller band gap than a clad layer is composed of an n-type cladding layer consisting of, for example, the ZnO compound semiconductor layer and a p-type cladding layer.
    半導体発光素子を構成する場合には、たとえばＺｎＯ系化合物半導体層からなるｎ形クラッド層とｐ形クラッド層とで、クラッド層よりバンドギャップの小さい活性層を挟持する発光層形成部を構成するように順次積層される。 - 特許庁
  • An Si-GaAs buffer layer 2, an Si-AlGaInP cladding layer 3, the active layer 4, an Mg-AlGaInP cladding layer 5, an Mg-AlGaInPBDR layer 6, and a Zn-GaAs contact layer 7 are laminated on an Si-GaAs substrate 1 in this order.
    Ｓｉ−ＧａＡｓ基板１の上には、Ｓｉ−ＧａＡｓバッファ層２、Ｓｉ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３、活性層４、Ｍｇ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５、Ｍｇ−ＡｌＧａＩｎＰＢＤＲ層６およびＺｎ−ＧａＡｓコンタクト層７が、この順に積層されている。 - 特許庁
  • In the case of growing an epitaxial layer containing an active layer 4 and a window layer 6 on an n-type GaAs substrate 1 by an MOVPE method, the layer 8 has a carrier concentration of 5×1018 cm-3 or more and is formed of an AlGaInP layer having a larger band gap than that of the layer 4.
    ｎ型ＧａＡｓ基板１上にＭＯＶＰＥ法によって活性層４およびウィンドウ層６を含むエピタキシャル層を成長させる際に、ウィンドウ層６は、５×１０^18ｃｍ^-3以上のキャリア濃度を有し、かつ、活性層４よりバンドギャップの大きいＡｌＧａｌｎＰ層により構成する。 - 特許庁
  • The semiconductor layer is formed of a gallium nitride based compound semiconductor as a group-III nitride semiconductor, and has a buffer layer 71; an n-type barrier layer 72, an active layer 73; a p-type barrier layer 74; and a p-type contact layer 75, which are sequentially stacked on the silicon nitride substrate.
    半導体層は、ＩＩＩ族窒化物半導体である窒化ガリウム系化合物半導体から形成され、バッファ層７１と、ｎ型障壁層７２と、活性層７３と、ｐ型障壁層７４と、ｐ型コンタクト層７５とを有し、これらの層は炭化珪素基板上に順に積層されている。 - 特許庁
  • On a semiconductor substrate 110, the top clad layer, an active layer, and the bottom clad layer in this order by epitaxial growth so that the bottom clad layer is thicker than the other layer and after the semiconductor substrate 110 is dissolved and removed, the surface of the bottom clad layer is polished and flattened.
    半導体基板１１０上に、下部クラッド層が他の層よりも厚くなるように上部クラッド層と活性層と下部クラッド層とをこの順序でエピタキシャル成長させて形成し、半導体基板１１０を溶解させて除去した後、下部クラッド層の表面を研削して平坦にする。 - 特許庁
  • The solid oxide fuel cell comprises an anode collector layer containing CaZrO_3, and Ni or NiO; a cathode; an electrolyte layer between the anode collector layer and the cathode; and an anode active layer between the electrolyte layer and the anode collector layer.
    固体酸化物型燃料電池は、ＣａＺｒＯ<sub>3</sub>と、Ｎｉ又はＮｉＯと、を含有する燃料極集電層と、空気極と、燃料極集電層と空気極との間に配置される電解質層と、電解質層と燃料極集電層との間に配置される燃料極活性層と、を備える。 - 特許庁
  • On the side of the p-type clad layer 4 opposite to the active layer 7, a p-type semiconductor layer 2 having a band gap which is different from that of the clad layer 4 is provided so that the layer 2 comes into contact with the clad layer 4, at portions other than stripe-like contact layers 3 via the contact layers 3.
    ｐ形クラッド層４の活性層７と反対側に、ｐ形クラッド層４とバンドギャップの異なるｐ形半導体層２が、ストライプ状のコンタクト層３を介して、ストライプ状のコンタクト層３の部分以外でｐ形クラッド層４と接触するように設けられている。 - 特許庁
  • The ZnO based compound semiconductor element includes: an n-type semiconductor layer which is doped with nitrogen (N) together with group III elements; a p-type semiconductor layer which is formed over the n-type semiconductor layer; and the active layer formed between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.
    ＺｎＯ系化合物半導体素子は、ＩＩＩ族元素とともに窒素（Ｎ）がドープされたｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層の上方に形成されたｐ型半導体層と、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に形成された活性層とを含む。 - 特許庁
  • A semiconductor laser 30 has a structure A including an active layer 36 and a second conductivity type semiconductor layer 37 becoming a clad layer, and a structure B including a first conductivity type semiconductor layer on the first conductivity type semiconductor layer 31 which becomes a clad layer on a high resistance semiconductor substrate 20.
    半導体レーザ３０は、高抵抗半導体基板２０上のクラッド層となる第１導電型半導体層３１の上に、活性層３６及びクラッド層となる第２導電型半導体層３７を含む構造部Ａと、第１導電型の半導体層を含む構造部Ｂとを有する。 - 特許庁
  • An active layer 107, a clad layer 111 and a contact layer 119 in a selectively growing region in a laser forming region LR are respectively formed thicker than an absorption layer 109, a clad layer 111 and a contact layer 119 in a modulator forming region MR.
    レーザ形成領域ＬＲ内の選択成長領域における活性層１０７，クラッド層１１１，コンタクト層１１９はそれぞれ，変調器形成領域ＭＲにおける吸収層１０９，クラッド層１１１，コンタクト層１１９に対して厚く形成されている。 - 特許庁
  • Each of the plurality of regions 15a includes a p-type semiconductor layer 16 formed on the active layer 12 and an n-type semiconductor layer 17 formed on the p-type semiconductor layer 16, and the p-type semiconductor layer 16 and the n-type semiconductor layer 17 mutually constitute a tunnel junction.
    複数の領域１５ａのそれぞれは、活性層１２上に設けられたｐ型半導体層１６と、ｐ型半導体層１６上に設けられたｎ型半導体層１７とを含み、ｐ型半導体層１６及びｎ型半導体層１７が互いにトンネル接合を構成する。 - 特許庁
  • An n-type semiconductor layer 12, an active layer 13, a p-type semiconductor layer 14, a p-side ohmic electrode 15, a first diffusion prevention layer 16, a conductive reflective layer 17, a second diffusion prevention layer 18, and a p-side pad electrode 19 are laminated from the substrate 11 side in this order in the semiconductor laminated structure.
    半導体積層構造には、基板１１側から順に、ｎ型半導体層１２、活性層１３、ｐ型半導体層１４、ｐ側オーミック電極１５、第１拡散防止層１６、導電性反射層１７、第２拡散防止層１８、ｐ側パッド電極１９が積層されている。 - 特許庁
  • The MQW active layer 5 includes a multiple quantum well structure constituted of barrier layers and well layers having a tensile strain, and a layer thickness of each well layer is larger than that of each barrier layer, and the layer thickness of at least one well layer is made different from those of the other well layers.
    ＭＱＷ活性層５は、バリア層と引っ張り歪を持つ井戸層で構成された多重量子井戸構造を有しており、井戸層の各膜厚がバリア層の各膜厚よりも大きく、井戸層のうち、少なくとも１層の膜厚が他の井戸層とは異なるように構成されている。 - 特許庁
  • By using the insulating film 17 as a mask, the p-type InP cladding layer 12 and the n-type InP cladding layer 16 are etched without exposing the active layer 15 so as to form a stripe structure 18.
    絶縁膜１７をマスクとして、活性層１５を露出させずにｐ型ＩｎＰクラッド層１２およびｎ型ＩｎＰクラッド層１６をエッチングしてストライプ構造１８を形成する。 - 特許庁
  • The light emitting section of the semiconductor light emitting element is constituted by successively growing an n-type lower clad layer 12, an active layer 13, and a p-type upper clad layer 14 on an n-type GaAs substrate 11 by the MOCVD method.
    ｎ型ＧaＡs基板１１上に、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ型下部クラッド層１２、活性層１３、p型上部クラッド層１４を順次成長させて発光部を構成する。 - 特許庁
  • The lower DBR 14 further comprises an oxidized layer 40 which functions to confine light, and a current route layer 60 of high impurity concentration between the oxidized layer 40 and the active region 16.
    下部ＤＢＲ１４はさらに、光閉じ込めとして機能する酸化層４０と、酸化層４０と活性領域１６との間に高い不純物濃度の電流経路層６０とを有する。 - 特許庁
  • The electro-optic device has at least a first conductive layer, a second conductive layer, and an electro-active layer of the reduced organic material disposed between the first and second conductive layers.
    電気光学デバイスは、少なくとも、第一の導電層、第二の導電層、並びに第一及び第二の導電層の間に配設された還元有機物質の電子活性層を有している。 - 特許庁
  • An n-side reflection prevention layer 2 and a p-side Bragg reflection layer 4 are formed in such a manner as to pinch an MQW active layer 3 as a light emitting area, and they have a double hetero structure.
    発光領域としてのＭＱＷ活性層３を挟むようにしてｎ側反射防止層２とｐ側ブラッグ反射層４が形成されており、ダブルへテロ構造を有する。 - 特許庁
  • The laminated structure 10 comprises a first-conductivity first cladding layer, a second-conductivity second cladding layer, and an active layer 15 held by the first and second cladding layers.
    積層構造１０は、第１導電型の第１のクラッド層と、第２導電型の第２のクラッド層と、第１および第２のクラッド層に挟まれた活性層１５とを有している。 - 特許庁
  • The active layer has a first portion covering at least a portion of a top surface of the first semiconductor layer and a second portion covering at least a portion of side surfaces of the first semiconductor layer.
    活性層は、第１半導体層の上面の少なくとも一部を覆う第１部分と、第１半導体層の側面の少なくとも一部を覆う第２部分と、を有する。 - 特許庁
  • The diffused front of the Zn diffused from the p-type AlGaAs upper clad layer 18 reaches the n-type AlGaAs lower clad layer 14 through the active layer 16 and forms a Zn-diffused region 26 under the opening 24.
    ＡｌＧａＡｓ層から拡散させたＺｎ拡散の拡散フロントは、活性層を貫通してｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層に達し、開口下にＺｎ拡散領域２６を形成する。 - 特許庁
  • This LDMOS transistor also includes a field oxide layer surrounding an active region of the transistor, and a thin dielectric layer isolating the asymmetric conductive spacer from the n-type epitaxial layer.
    本発明のLDMOSトランジスタはまた、当該トランジスタの活性領域を囲むフィールド酸化物層と、非対称導体スペーサをｎ型エピタキシャル層から絶縁する薄い誘電体層とを備える。 - 特許庁
  • A third semiconductor layer 60 which includes an active layer made of AlGaInP or GaInP is formed on the substrate 10 so as to be arranged in parallel with the composition modulation buffer layer 20.
    基板１０上に組成変調バッファ層２０と並置して、ＡｌＧａＩｎＰ又はＧａＩｎＰからなる活性層を含む第３の半導体層６０が形成されている。 - 特許庁
  • To suppress harmful effect of dopant in a conductive semiconductor layer of a GaN-based device having a structure in which the conductive semiconductor layer is inserted between a substrate and an active layer.
    基板と能動層との間に導電性半導体層を挿入した構成をもつＧａＮ系デバイスにおいて、導電性半導体層中のドーパントの悪影響を抑制する。 - 特許庁
  • A resonator structure including a buffer layer 102, a lower semiconductor DBR 103 and an active layer 105, an upper semiconductor DBR 107, and a contact layer 109 are laminated on a substrate 101.
    基板１０１上にバッファ層１０２、下部半導体ＤＢＲ１０３、活性層１０５を含む共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ１０７、コンタクト層１０９が積層されている。 - 特許庁
  • At least an n-type ZnO-based semiconductor clad layer 2, a ZnO-based semiconductor active layer 3, and a p-type ZnO-based semiconductor clad layer 4 are successively deposited on a substrate 1.
    基板１上に少なくとも、ｎ型ＺｎＯ系半導体クラッド層２と、ＺｎＯ系半導体活性層３と、ｐ型ＺｎＯ系半導体クラッド層４とを順次積層している。 - 特許庁
  • The semiconductor optical element comprises, on a substrate 101, an active layer 102, a clad layer 103, a contact layer 104, a passivation film 105, an upper part electrode 106, and a lower part electrode 107.
    半導体光素子は、基板１０１上に活性層１０２、クラッド層１０３、コンタクト層１０４、パッシベーション膜１０５、上部電極１０６、及び下部電極１０７から構成される。 - 特許庁
  • In this case, the planarity of the active layer is increased with the lower cladding layer 111 as InAlGaAs, and reliability is improved by preventing surface oxidation (deterioration) with the upper cladding layer 113 as InGaP.
    このとき、下クラッド層１１１をＩｎＡｌＧａＡｓとして活性層の平坦性を高くし、上クラッド層１１３をＩｎＧａＰとして表面酸化（劣化）せず信頼性を向上した。 - 特許庁
  • An active layer 15 and a second conductive type forth GaN group III-V compound semiconductor layer 16 are grown in this order on the layer 14 to form a light emitting diode structure.
    その上に活性層１５および第２導電型の第４のＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１６を順次成長させ、発光ダイオード構造を形成する。 - 特許庁
  • The p-type clad layer 13 and the active layer 14 are composed of group III-V compound semiconductor and the n-type clad layer 15 is composed of group II-VI compound semiconductor.
    そして、ｐ型クラッド層１３と活性層１４とはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなっており、ｎ型クラッド層１５はＩＩ−ＶＩ族化合物半導体からなっている。 - 特許庁
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