「active layer」を含む例文一覧(7476)
＜前へ 1 2 .... 41 42 43 44 45 46 47 48 49 .... 149 150 次へ＞- With the active layer 5 includes a quantum well layer of 10 nm or less, the contact layer 9 is growth through the temperature difference LPE with a substrate temperature of 700°C or less.
さらに、活性層５が厚さ１０ｎｍ以下の量子井戸層を含む場合には、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層９を基板温度７００℃以下の温度差ＬＰＥ法により成長させる。 - 特許庁 - The semiconductor optical element according to one embodiment has a lower cladding layer, an upper cladding layer, and a bulk-structured active layer, on one main surface side of a semiconductor substrate.
本発明の一実施形態に係る半導体光素子は、半導体基板の一方の主面側に、下部クラッド層、上部クラッド層、及びバルク構造の活性層を有している。 - 特許庁 - An n-type AlGaInP clad layer 3, an AlGaInP active layer 4, and a p-type AlGaInP first clad layer 5 are formed on the upper surface of the ridge 2 for red laser.
赤色レーザ用リッジ２の上面には、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３、ＡｌＧａＩｎＰ活性層４およびｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層５が形成されている。 - 特許庁 - Side faces of these layers are configured to provide an InGaAsP intermediate layer 7 in which an energy level of a valence band is greater than the first p-InP clad layer 4 and smaller than the InGaAsP active layer 3.
これらの層の側面に、価電子帯のエネルギー準位が、第１ｐ−InPクラッド層４よりも大きく、InGaAsP活性層３よりも小さいInGaAsP中間層７を設けた構造とする。 - 特許庁 - The active layer is equipped with one end which receives light emitted from outside, the other end which outputs the amplified light and provided between the first region of the lower clad layer and the upper clad layer.
活性層は、外部からの光を受ける一端と増幅した光を出力する他端とを有しており、下部クラッド層の第１の領域と上部クラッド層との間に設けられている。 - 特許庁 - To obtain a water purifier, which is provided with a chlorine-adsorbing layer formed of an active-carbon layer, etc., and a filtering layer formed of a hollow-fiber membrane, and prevent emission of bad smell caused by captured microorganisms.
活性炭層等よりなる塩素吸着層と中空糸膜よりなる濾過層とを備えた浄水器において、濾過層で捕捉される微生物による異臭の発生を防止する。 - 特許庁 - The active layer 5 may have two or more quantum well layers 21, in which case the value of the lattice constant of the board 2 lies between the value of the lattice constant of at least one quantum well layer 21 and that of the lattice constant of at least one barrier layer 52.
この場合、基板２の格子定数は、少なくとも一つの量子井戸層２１の格子定数と、少なくとも１つのバリア層５２の格子定数の間の値である。 - 特許庁 - An oriented in-mold polymer label film comprises a liner-less self-curling film layer hot-drawn and annealed, a surface layer for printing, and a bottom layer containing a heat active adhesive.
配向されたポリマー金型内ラベル用フィルムは、熱間延伸、アニールされた無ライナー自己巻きフィルム層を含み、印刷のための表面層と熱活性化性接着剤を含む底層を有する。 - 特許庁 - Also, between the InN active layer and the p-type GaN clad layer, an intermediate layer is provided including the mixed crystal whose main component is InN.
また、ＩｎＮ活性層と、ｐ型のＧａＮクラッド層との間に、ＩｎＮを主成分とする混晶を含む中間層を有してなることを特徴とする光電変換機能素子とする。 - 特許庁 - A matrix structure made of the active material and the solid electrolyte is formed inside the electrode layer, and the interface resistance between the electrode layer and the electrolyte layer is reduced to realize enlargement of the battery capacity.
電極層内に活物質と固体電解質からなるマトリックス構造が形成され、電極層と電解質層間の界面抵抗が低減され、電池の大容量化が実現できた。 - 特許庁 - This laser is provided with a grating 2, an active layer 4, an upper clad layer 10, a continuously formed electrode contact layer 11, and separately formed p-type ohmic electrodes 12 and 13.
グレーティング２、活性層４、上部のクラッド層１０、連続して形成された電極コンタクト層１１、および、分割して形成されたｐ型オーミック電極１２，１３を有する。 - 特許庁 - A plurality of microlenses 30 which are made up of substances having a refractive indices smaller than that of a P-GaN layer 20 are formed on the P-GaN layer 20 of the upper portion of an active layer 10.
活性層１０の上部のＰ-ＧａＮ層２０には、Ｐ-ＧａＮ層２０の屈折率より小さい屈折率を有する物質よりなるマイクロレンズ３０が複数個、形成されている。 - 特許庁 - The sheet battery has battery cells 20 with at least a positive electrode collector layer 27, a negative electrode collector layer 23, electrode active material layers 24, 26 and an electrolyte layer 25 laminated.
シート状電池は、少なくとも正極集電体層２７と負極集電体層２３と電極活物質層２４，２６と電解質層２５とが積層された電池セル２０を有する。 - 特許庁 - An embedded layer, selectively containing an insulating layer, is formed in the recessed part of a diffraction grating constituting an optical resonator, to stop a carrier from being injected into an active layer in the diffraction grating recessed part.
光共振器を構成する回折格子の凹部に、選択的に絶縁層を含んだ埋込層を形成し、回折格子凹部における活性層中へのキャリアの注入を阻止する。 - 特許庁 - The first semiconductor optical element 47a includes the InP semiconductor layer 1b, a first active layer 3b and a first compound semiconductor layer 5b which are arranged on the first region 61a.
第１の半導体光素子部４７ａは、第１の領域６１ａ上に設けられたＩｎＰ半導体層１ｂ、第１の活性層３ｂ及び第１の化合物半導体層５ｂを含む。 - 特許庁 - The SOI element includes a substrate including a base layer, a buried oxidized film, and a semiconductor layer; and an element separating film formed in a trench limiting the active area of the semiconductor layer.
基層、埋込み酸化膜及び半導体層を含む基板、並びに半導体層の活性領域を限定するトレンチに形成された素子分離膜を含むＳＯＩ素子である。 - 特許庁 - In the nitride semiconductor laser element, an active layer 17 is put between an n-type cladding layer 15 comprising n- and p-type nitride semiconductors and a p-type cladding layer 26.
本発明の窒化物半導体レーザ素子は、活性層１７をｎ型とｐ型の窒化物半導体からなるｎ型クラッド層１５とｐ型クラッド層２６で挟んだ構造を有している。 - 特許庁 - The semiconductor light emitting element 10 is provided with: a semiconductor mesa 52 including an active layer 18 and a p-type clad layer 54; and the semi-insulating buried layer 56 for burying the semiconductor mesa 52.
半導体発光素子１０は、活性層１８及びｐ型クラッド層５４を含む半導体メサ５２と、半導体メサ５２を埋め込む半絶縁性の埋め込み層５６とを備える。 - 特許庁 - The negative electrode active material layer 12 has a first layer 12A that contains Sn, and a second layer 12B that contains an element other than Sn capable of storing and releasing Li electrochemically.
負極活物質層１２は、Ｓｎを含む第１層１２Ａと、Ｌｉを電気化学的に吸蔵および離脱することが可能なＳｎ以外の元素を含む第２層１２Ｂとを有している。 - 特許庁 - Immediately after stacking a barrier layer composed of GaAsP for a multiple distortion quantum well active layer 105 at a growth temperature of 650°C, a 2nd upper guide layer 126 composed of AlGaAs is stacked.
６５０℃の成長温度で、多重歪量子井戸活性層１０５のＧａＡｓＰからなるバリア層を積層した直後に、ＡｌＧａＡｓからなる第二上ガイド層１２６を積層する。 - 特許庁 - A lithium secondary battery comprises a positive electrode on a positive electrode metal foil collector of which a positive active material layer is formed out of a positive active material paste, where the positive electrode metal foil collector is made of aluminum with corrosion by an alkali, and the positive active material paste contains a lithium-containing active material showing an alkali property.
リチウム二次電池は、アルカリにより腐食し得る、アルミニウムからなる正極金属箔集電体に、アルカリ性を示す、リチウム含有活物質を含む正極活物質ペーストにより正極活物質層が形成された正極電極を備える。 - 特許庁 - The active areas 12A and 12B are folded in an active layer 12, and the resonator length of the whole active areas 12A and 12B is longer by a folded part when comparing it with that in a single belt-like active area in a normal laser structure.
活性領域１２Ａ，１２Ｂは、活性層１２内に折り畳まれた状態となっており、活性領域１２Ａ，１２Ｂ全体の共振器長は、通常のレーザ構造における単一帯状の活性領域のそれと対比すると、折り畳んだ分だけ長い。 - 特許庁 - The negative electrode active material 211 contained in a region from the surface of the negative electrode active material layer 21B up to at least 50% thickness is the negative electrode active material 213 with a film having the solid electrolyte film.
負極活物質層２１Ｂの表面から少なくとも５０％厚みまでの領域に含まれる負極活物質２１１が固体電解質被膜を有する被膜付き負極活物質２１３である。 - 特許庁 - A liquid crystal display device 1 includes an active matrix substrate 2 and an opposite substrate 3 arranged opposite the active matrix substrate 2, and a liquid crystal layer 4 provided between the active matrix substrate 2 and opposite substrate 3.
液晶表示装置１は、アクティブマトリクス基板２とアクティブマトリクス基板２に対向して配置された対向基板３と、アクティブマトリクス基板２及び対向基板３の間に設けられた液晶層４とを備えている。 - 特許庁 - The invention also provides organic electronic devices having at least two active layers, wherein at least one active layer comprises an active material that was deposited using at least one practice of the method.
本発明はまた、少なくとも２つの活性層を有する有機電子装置を提供し、少なくとも１つの活性層が、本発明の方法の、少なくとも１回の実施を使用して堆積される活性材料を含む。 - 特許庁 - An outer active material region 21F having only the outer positive active material layer 21B is formed over the lead 25 between the double-side active material region 21D and the double-side exposure region 21E.
両面活物質領域２１Ｄと両面露出領域２１Ｅとの間には、外面正極活物質層２１Ｂのみが設けられた外面活物質領域２１Ｆがリード２５と重なる位置に形成されている。 - 特許庁 - The core layer 140 is formed by piling up in order a lower SCH layer 141 made of InGaAsP, a Hall stop layer, an active layer 145 made of AlInGaAs, an electron stop layer 147, and an upper SCH layer 149 made of InGaAs from the side of the lower clad layer 130.
コア層１４０は，下部クラッド層１３０側から，ＩｎＧａＡｓＰからなる下部ＳＣＨ層１４１とホール停止層１４３とＡｌＩｎＧａＡｓからなる活性層１４５と電子停止層１４７とＩｎＧａＡｓＰからなる上部ＳＣＨ層１４９とが順次積層された構成となっている。 - 特許庁 - A semiconductor laser element is provided with a lower clad layer 2, an active layer 3, a first upper clad layer 4 and an etching stop layer 5 which are stacked in order on a substrate 1, a second ridge upper clad layer 7 provided on the layer 5, and optical confinement layers 10 provided on the sides of the layer 7.
半導体レーザ素子は、基板１の上に順に積層された下部クラッド層２、活性層３、上部第１クラッド層４、およびエッチングストップ層５と、エッチングストップ層５の上に設けられたリッジ形の上部第２クラッド層７と、上部第２クラッド層７の側方に設けられた光閉じ込め層１０とを備えている。 - 特許庁 - A mask 11 for selective growth is formed on a sapphire substrate 1 as a substrate for growth, an undoped GaN layer 3, an n-type GaN layer 4, an active layer 5, and a p-type GaN layer 6 are laminated in order on an AlN buffer layer 2, and a mixed doped GaN layer 6a is formed on the p-type GaN layer 6.
成長用基板であるサファイア基板１上に選択成長用マスク１１が形成され、ＡｌＮバッファ層２上には、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮ層４、活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層されており、ｐ型ＧａＮ層６上には混合ドープＧａＮ層６ａが形成される。 - 特許庁 - The core layer 140 has a structure, where, starting from the lower clad layer 130 side, a lower SCH layer 141 of InGaAsP, a hole-stopping layer 143, an active layer 145 of AlInGaAs, an electron-stopping layer 147 and an upper SCH layer 149 of InGaAsP are laminated in this order.
コア層１４０は，下部クラッド層１３０側から，ＩｎＧａＡｓＰからなる下部ＳＣＨ層１４１とホール停止層１４３とＡｌＩｎＧａＡｓからなる活性層１４５と電子停止層１４７とＩｎＧａＡｓＰからなる上部ＳＣＨ層１４９とが順次積層された構成となっている。 - 特許庁 - The device is provided with an active layer 105, a first conductive type first clad layer 103 and a second conductive type second clad layer 107 which are disposed so as to sandwich the layer 105, and a current blocking layer 111, which is disposed on a side opposite to the layer 105 with respect to the layer 107.
活性層１０５と、活性層１０５を挟むように配置された第１の導電型の第１のクラッド層１０３および第２の導電型の第２のクラッド層１０７と、第２のクラッド層１０７に対して活性層１０５とは反対側に配置された電流ブロック層１１１とを備える。 - 特許庁 - The photodetector 41 is possessed of a laminated structure composed of an N-AlInAs layer 22 of thickness 100 nm, an N-InP clad layer 23, an MQW active layer 24, a P-InP clad layer 25, a P-AlInAs layer 26 of thickness 50 nm, a P-type InP clad layer 27, and a P-GaInAs contact layer 28.
受光素子は、ｎ−ＩｎＰ基板上に、膜厚１００ｎｍのｎ−ＡｌＩｎＡｓ層２２、ｎ−ＩｎＰクラッド層２３、ＭＱＷ活性層２４、ｐ−ＩｎＰクラッド層２５、膜厚５０ｎｍのｐ−ＡｌＩｎＡｓ層２６、ｐ−ＩｎＰクラッド層２７、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２８の積層構造を有する。 - 特許庁 - The semiconductor laser device has an MQW active layer 6, a p-type clad layer 8 formed on the MQW active layer 6 having a ridge portion 8a and having a dielectric constant smaller than the MQW active layer 6, a first dielectric film 11 formed at least in the side region of the ridge portion 8a in the p-type clad layer, a second dielectric film 12 and a third dielectric film.
半導体レーザ装置は、ＭＱＷ活性層６と、該ＭＱＷ活性層６の上に形成され、リッジ部８ａを有し且つＭＱＷ活性層６よりも屈折率が小さいｐ型クラッド層８と、該ｐ型クラッド層におけるリッジ部８ａの少なくとも側方の領域に形成された第１の誘電体膜１１、第２の誘電体膜１２及び第３の誘電体膜とを有している。 - 特許庁 - The semiconductor diode capable of detecting hydrogen includes a semiconductor substrate, a doped semiconductor active layer, consisting of a compound having the formula XYZ (where X is a group III element, Y is a group III element other than X, and Z is a group V element), an ohmic contact layer formed on the active layer, and a Schottky barrier contact layer formed on the active layer so as to provide the Schottky barrier.
水素を検出可能な半導体ダイオードが、半導体基板と、この半導体基板上に形成された、式：ＸＹＺ（式中、ＸはIII族の元素、YはX以外のIII族の元素、ZはV族の元素である）を有する化合物からなるドープト半導体活性層と、活性層上に形成されたオーミックコンタクト層と、ショットキーバリアを提供するように活性層上に形成されたショットキーバリアコンタクト層と、を含む。 - 特許庁 - The SOI semiconductor substrate manufacturing method includes steps of: activating a support substrate surface and an insulator layer surface by irradiating the insulator layer surface where an insulator layer is exposed and the support substrate surface in a support substrate in an active layer substrate where the semiconductor layer and the insulator layer are laminated with particles; and bonding the support substrate and the active layer substrate by bringing the support substrate surface into contact with the insulator layer surface.
半導体層と絶縁体層とが積層されている活性層基板のうちのその絶縁体層が露出している絶縁体層表面と支持基板のうちの支持基板表面とに粒子を照射することにより、その支持基板表面と絶縁体層表面とを活性化するステップと、その支持基板表面と絶縁体層表面とを接触させることにより、その支持基板とその活性層基板とを接合するステップとを備えている。 - 特許庁 - A light emitting element includes: a substrate 140; a second conductivity type semiconductor layer 130 on the substrate, an active layer 120 on the second conductivity type semiconductor layer; a first conductivity type semiconductor layer 110 formed on the active layer; and a first electrode 165 on the first conductivity type semiconductor layer, wherein a vertical distance between the first conductivity type semiconductor layer and second conductivity type semiconductor layer is varied.
基板１４０と、前記基板の上に第２導電型半導体層１３０と、前記第２導電型半導体層の上に活性層１２０と、前記活性層の上に形成される第１導電型半導体層１１０と、前記第１導電型半導体層の上に第１電極１６５と、を含み、前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層の間の垂直距離が相違する発光素子。 - 特許庁 - The nitride semiconductor laser device includes an n-type InAlGaN light absorbing layer formed on a GaN substrate, an n-type AlGaN cladding layer formed on the n-type InAlGaN light absorbing layer, an InGaN active layer formed on the n-type AlGaN cladding layer, and a p-type AlGaN layer formed on the InGaN active layer and having a smaller refractive index than the n-type AlGaN cladding layer.
窒化物半導体レーザ装置は、ＧａＮ基板の上に形成されたｎ型ＩｎＡｌＧａＮ光吸収層と、ｎ型ＩｎＡｌＧａＮ光吸収層の上に形成されたｎ型ＡｌＧａＮクラッド層と、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層の上に形成されたＩｎＧａＮ活性層と、ＩｎＧａＮ活性層の上に形成され、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層の屈折率よりも小さい屈折率を有するｐ型ＡｌＧａＮ層とを備える。 - 特許庁 - A device-forming surface of a wafer 10 for the active layer of a pasted wafer 30 coated with silicon oxide films 10a, 30a is ground and polished in a state in which steps do not exist on the outer periphery, and the active layer 10A of the thin film is obtained.
シリコン酸化膜１０ａ，３０ａで覆われた張り合わせウェーハ３０の活性層用ウェーハ１０のデバイス形成面を、外周部に段差がない状態で研削、研磨し、薄膜の活性層１０Ａを得る。 - 特許庁 - The negative electrode for nonaqueous electrolyte secondary batteries is provided, where it is made of a current collector sheet and an active material layer deposited on the surface, the active material layer is made of SiO_x satisfying 0.7≤x≤1.3, and does not include a binder.
集電体シートおよびその表面に担持された活物質層からなり、活物質層が、０．７≦ｘ≦１．３を満たすＳｉＯ_xからなり、かつ結着剤を含まない非水電解質二次電池用負極を提供する。 - 特許庁 - A laser beam generated at an active layer 104 is incident to the aperture 12 without p-polarization because the end face 104a of the active layer 104 of the optical element is oriented almost at a right angle relative to the opposite direction.
開口１２は、光学素子の活性層１０４の端面１０４ａが対向する方向に対して略直角の方向を向くので、活性層１０４で生成するレーザ光がｐ偏光をなして入射する。 - 特許庁 - This electrode plate contains a current collector and an active material layer formed on the current collector, and the active material layer contains a composite binder formed by uniformly binding a fluorine-containing polymer and mesophase SiO_2 particles.
集電体と、前記集電体上に積層された活物質層とを含み、前記活物質層はフッ素含有高分子とメソフェーズＳｉＯ_２粒子とが均一に結合した複合結合剤を含有する極板。 - 特許庁 - The positive electrode tab is at least larger than a projected area of a positive electrode active material layer 22 of the positive electrode end pole and arranged on the current collector to cover the projected surface of positive electrode active material layer.
正極タブは、正極末端極の少なくとも正極活物質層２２の投影面積よりも大きい大きさを有し、正極活物質層の投影面を覆うように集電体上に重ねて配置されている。 - 特許庁 - When the active layer 5 of the semiconductor laser 1 and the light incident face of a single mode optical fiber are arranged in close proximity to each other, light from the active layer 5 enters the core from the light incident face of the single mode optical fiber.
半導体レーザ１の活性層５と単一モード光ファイバの光入射面を近接して配置すると、活性層５からの光が単一モード光ファイバの光入射面よりコアに入射される。 - 特許庁 - The positive electrode 11 includes a positive electrode active material layer 11B on one surface of a positive electrode collector 11A, and the negative electrode 12 includes a negative electrode active material layer 12B on one surface of a negative electrode collector 12A.
正極１１は、正極集電体１１Ａの一面に正極活物質層１１Ｂを有していると共に、負極１２は、負極集電体１２Ａの一面に負極活物質層１２Ｂを有している。 - 特許庁 - To provide an apparatus for coating a functional membrane that makes a total thickness of an active material layer and the functional membrane uniform after coating the functional membrane without depending on the thickness deviation of the active material layer before being coated with the functional membrane.
機能性膜をコーティングする前の活物質層厚さの偏差に依存せず、機能性膜をコーティングした後、活物質層と機能性膜との合計厚さを均一にする機能性膜コーティング装置を提供する。 - 特許庁 - A first active material layer 2a having a carbon material as a main component, and a second layer 3a to which metal based active material particles are bound by a binder are laminated on a copper foil 1a serving as a collector.
集電体である銅箔１ａ上に、炭素材料を主成分とする第一の活物質層２ａ、および、金属系活物質粒子が結着剤により結着された第二の層３ａを積層する。 - 特許庁 - Lithium of 5 to 40% of negative electrode capacity is occluded on the negative electrode active material layer 12B as metal lithium is deposited or the like on the surface of the negative electrode active material layer 12B by the gas phase method.
さらに、気相法により負極活物質層１２Ｂの表面に金属リチウムを堆積させるなどして、負極活物質層１２Ｂに、負極容量の５％以上４０％以下のリチウムを吸蔵させる。 - 特許庁 - To provide a double heterostructure light-emitting element, using a wide-gap oxide semiconductor and having a structure that can improve the luminous efficiency of an active layer by efficiently injecting carriers into the active layer.
ワイドギャップ型酸化物半導体を用いたダブルヘテロ構造型発光素子において、活性層に効率よくキャリアを注入することができ、発光効率を高めることができる構造を有した発光素子を提供する。 - 特許庁 - The semiconductor lamination part 12 is provided with a plurality of optical absorption areas 18 which are arranged along the active layer 15 at a cycle corresponding to a predetermined wavelength and absorb light with a wavelength emitted from the active layer 15.
半導体積層部１２は、所定波長に応じた周期で活性層１５に沿って配列されており活性層１５が発する波長の光を吸収する複数の光吸収領域１８を有する。 - 特許庁 - To provide an optical semiconductor module which can suppress the distortion and the deformation of an active layer to be minimum when an active layer-side on the opposite side of the substrate of a semiconductor laser element is fixed to the other substrate by solder.
半導体レーザ素子の基板と反対側の活性層側を他の基板にハンダで固定した場合に、活性層の歪みや変形を最小限に抑えることのできる光半導体モジュールを得ること。 - 特許庁
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