「active layer」を含む例文一覧(7476)

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  • The active layer 2 may be arranged having the film thickness nearly equal to the carrier diffusion length, or divided and arranged in the center of the optical guide layer.
    活性層２はキャリア拡散長程度の膜厚のまま光ガイド層の中央に配置するか、活性層を分割して配置してもよい。 - 特許庁
  • As a result, when the partial SOI structure is formed, the need for epitaxially growing the continuous part can be eliminated between the active layer 11 and the bulk layer 12.
    その結果、部分ＳＯＩ構造の形成時、活性層１１とバルク層１２とが連続した部分にエピタキシャル成長を行う必要がない。 - 特許庁
  • The electro-active lens assembly has an upper substrate layer with a planar upper surface and a lower substrate layer with a planar lower surface.
    電気駆動レンズアセンブリは上側の平表面を有する上側の基板層と、下側の平表面を有する下側の基板層とを有する。 - 特許庁
  • Consequently, the pn junction area existing between the active layer 3 and the drain layer 6 is reduced, so that the output capacitance is reduced.
    これにより、活性層３とドレイン層６との間に存在するｐｎ接合面積が縮小されるので、出力容量が低減される。 - 特許庁
  • Widths and depths of protrusions and recesses on the surface of the light transmitting layer 19 are set in a range of λ/4-2λ (λ: emission wavelength of the active layer 13).
    凹凸面における凹凸幅および凹凸深さは、λ／４〜２λ（λ：活性層１３の発光波長）の範囲に設定されている。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor laser device which is equipped with an etching stop layer which a high etching-controllability and capable of preventing light absorption from an active layer.
    エッチング制御性が高く、かつ、活性層からの光吸収を生じさせないエッチングストップ層を備えた半導体レーザ装置を提供する。 - 特許庁
  • The lattice constant of the ZnO layer 13 is close to the lattice constant of the active layer 16 whose In composition ratio is so set that the light emission wavelength is ≥480 nm.
    ZnO層１３の格子定数は、Inの組成比を発光波長が480nm以上となるように設定した活性層１６の格子定数に近い。 - 特許庁
  • The laminated structure 170 on a semiconductor substrate 100 is provided with a lower cladding layer 103, an active layer 106, and upper cladding layers 108 and 110.
    半導体基板１００上の積層構造１７０は、下クラッド層１０３、活性層１０６、および上クラッド層１０８，１１０を備える。 - 特許庁
  • An SiGe alloy layer 6 is formed on the active region 2a, and an Si film 7 and an n-type diffusion layer 13 are formed thereon.
    活性領域２ａ上にはＳｉＧｅ合金層６を形成し、この上にはＳｉ膜７およびｎ型拡散層１３を形成する。 - 特許庁
  • An island-like semiconductor layer 1305 to be used as the active layer of a TFT is formed in the recess or in the projection on the rugged surface of the board.
    また、ＴＦＴの活性層となる島状の半導体層１３０５は、凹凸を有する基板上の、凹部もしくは凸部に形成される。 - 特許庁
  • Secondarily, notches are formed in a buffer layer which supports the electrode 94 of the thin film active device so as to divide the stress added to the buffer layer.
    第２に、薄膜アクティブ素子の電極９４を支持するバッファ層に、バッファ層に加わる応力を分断するための切り込みを設ける。 - 特許庁
  • Subword lines 23a, 23b in the first-layer conductive layer are situated, so as to be separated from an active region 13 as the field viewed from a plane.
    第１層導電層である副ワード線２３ａ、２３ｂは、フィールドである活性領域１３と平面的に見て離れて位置している。 - 特許庁
  • The active layer 19 is provided in between the AlGaN region 15 and the second-conductivity-type GaN-based semiconductor layer 17.
    活性層１９は、第１導電型ＡｌＧａＮ領域１５と第２導電型ＧａＮ系半導体層１７との間に設けられている。 - 特許庁
  • The negative electrode has such a structure that a negative collector 11, a negative active material layer 12, and a protecting layer 3 are laminated in this order.
    負極は、負極集電体１１と負極活物質層１２と保護層１３とがこの順で積層された構造を有している。 - 特許庁
  • Preferably, the layer of the water-soluble polymeric compound comprises a layer of nanofibers composed of a water-soluble polymeric compound containing the active ingredient.
    水溶性高分子化合物の層は、前記有効成分を含有する水溶性高分子化合物のナノファイバの層からなることが好ましい。 - 特許庁
  • A p-side contact layer 43 is provided corresponding to other areas excluding both ends of an active layer 30 in the direction A of a resonator.
    ｐ側コンタクト層４３が、共振器方向Ａにおける活性層３０の両端部を除く他の領域に対応して設けられている。 - 特許庁
  • The temperature (base material temperature) of the positive electrode active material layer 1b is retained within a range of >200°C and ≤300°C to form a solid electrolyte layer 3.
    正極活物質層１ｂの温度（基材温度）を２００℃を超え３００℃以下の範囲内に保持し、固体電解質層３を形成する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor light emitting device capable of preventing generation of crystal defects in an active layer and a mirror layer and reducing element capacitance.
    活性層及びミラー層に結晶欠陥が生じるのを抑制しつつ、素子容量を低減させ得る半導体発光素子を提供する。 - 特許庁
  • Subsequently, a GaN-based epitaxial layer containing an active layer 105 is formed on the substrate 101 to fill the second alignment mark 120.
    続いて、基板１０１の上に、活性層１０５を含むＧａＮ系エピタキシャル層を第２のアライメントマーク１２０を埋め込むように成長する。 - 特許庁
  • On an intermediate layer 104, an MQW active layer 160, of about 500 Å thickness is formed of a total of five semiconductor layers.
    中間層１０４の上には、計５層の半導体層により厚さ約５００ÅのＭＱＷ活性層１６０が形成されている。 - 特許庁
  • The second mixture layer includes a second active material which can reversibly occlude and discharge lithium and a binder of an amount smaller than the first mixture layer.
    第２合剤層は、リチウムを可逆的に吸蔵および放出可能な第２活物質と、第１合剤層よりも少量のバインダーを含む。 - 特許庁
  • The three-dimensional nanostructure array is disposed on the opposite surface to the surface adjacent to the active layer of the second semiconductor layer.
    前記三次元ナノ構造体アレイは、前記第二半導体層の前記活性層と隣接する表面とは反対の表面に配置される。 - 特許庁
  • The multiple stages of the substrate 11 are taken over to the buffer layer 12, the n-type semiconductor region 13, the active layer 14, and the p-type semiconductor region 15.
    基板１１の多段ステップをバッファ層１２、ｎ形半導体領域１３、活性層１４、ｐ形半導体領域１５に引き継がせる。 - 特許庁
  • In various illustrative embodiments, an undoped spacer layer is provided between a single quantum well aluminium nitride gallium active region and a carrier confinement layer.
    様々な例示的実施形態で、単一量子井戸窒化アルミニウムガリウム活性領域とキャリア閉込め層との間に、アンドープスペーサ層を設ける。 - 特許庁
  • The optical absorbing layer 41 includes a semiconductor in the photoluminescence wavelength which is longer than the wavelength of the light from the active layer 13 of an optical device 10.
    光吸収層４１は、発光デバイス部１０の活性層１３からの光の波長よりもフォトルミネセンス波長が長い半導体を含む。 - 特許庁
  • METHOD FOR SIZING POWDER AND ITS DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE ACTIVE MATERIAL LAYER, BATTERY ELECTRODE, AND STORAGE LAYER FOR HYDROGEN OR OTHERS, AND BATTERY, SECONDARY BATTERY, OR TANK
    粉粒の分粒方法及びその装置。極活質層、電池極、水素等の吸蔵層の製造方法及び電池、二次電池又はタンク。 - 特許庁
  • To provide an optical semiconductor device having high-quality quantum well layer (active layer) crystal, exhibiting good high-temperature operating characteristics.
    本発明は、高品質の量子井戸層（活性層）結晶を有し良好な高温動作特性を有する光半導体装置を提供する。 - 特許庁
  • The surface light emitting laser element comprises reflection layers 103 and 107, resonator spacer layers 104 and 106, an active layer 105, and a selective oxidation layer 108.
    面発光レーザ素子は、反射層１０３，１０７、共振器スペーサー層１０４，１０６、活性層１０５および選択酸化層１０８を備える。 - 特許庁
  • A surface-emitting semiconductor laser 100 oscillating at a wavelength λ includes an ion-implanted current narrowing layer 14 near an active layer 13.
    面発光半導体レーザ１００は、発振波長がλであり、活性層１３の近傍にイオン注入型の電流狭窄層１４を有する。 - 特許庁
  • The spacer layer is typically deposited during lowering of the temperature in a reactor from a smooth layer deposition temperature to an active region deposition temperature.
    スペーサ層は、典型的には、反応器内の温度を平滑層沈積温度から活性領域沈積温度へ低下させる間に沈積される。 - 特許庁
  • A partition structure (20) is arranged in the surface of the semiconductor active layer such that the buffer layer (9) is electrically isolated from an emitter electrode (12).
    バッファ層（９）をエミッタ電極（１２）から電気的に絶縁するように、半導体活性層の表面内に仕切り構造（２０）が配設される。 - 特許庁
  • In this case, the metal layer L1 and the fluoropolymer layer L3 are electric active layers containing collector, and carbon and/or oxide at high content respectively.
    この場合、金属層Ｌ１はコレクタ、フルオロポリマー層Ｌ３は炭素および／または酸化物を高い含有率で含む電気活性層である。 - 特許庁
  • The electrostatic protection element and a high electron mobility transistor having the conductivity type impurities containing layer as the active layer are provided on the same substrate.
    そして、この静電保護素子と導電型不純物含有層を能動層とする高電子移動度トランジスタとを同一基板上に設ける。 - 特許庁
  • In an active region A of the semiconductor device 2, a first insulating layer 18 is formed on at least part of the upside of a semiconductor layer 4.
    半導体装置２の活性領域Ａでは、半導体層４の上側の少なくとも一部に第１絶縁層１８が形成されている。 - 特許庁
  • First conductivity type semiconductor layers (4, 3), the active layer (2) and a second conductivity type semiconductor layer (1) are laminated epitaxial sequentially on a substrate (5).
    基板（５）上に、第１導電型半導体層（４、３）、活性層（２）、および第２導電型半導体層（１）をエピタキシャルに順次積層する。 - 特許庁
  • A first region 17a and a second region 17b of the first gallium nitride-based semiconductor layer 17 are arranged along the active layer 15.
    第１の窒化ガリウム系半導体層１７の第１の領域１７ａおよび第２の領域１７ｂは活性層１５に沿って配置される。 - 特許庁
  • The layer 38 prevents oxygen from intruding from the side of the mesa post 30, thereby preventing oxidation and deterioration of an active layer 18.
    半導体再成長層３８は、メサポスト３０の側面から酸素が侵入して、活性層１８を酸化させ劣化させることを防止する。 - 特許庁
  • Because of the inorganic compound layer 14C, the reaction between the electrolyte and the negative electrode active material layer 14B is restrained and excellent cycle property can be provided.
    無機化合物層１４Ｃにより電解液と負極活物質層１４Ｂとの反応が抑制され、優れたサイクル特性が得られる。 - 特許庁
  • In a surface-emitting semiconductor laser 11, an active layer 15 is prepared on a first DBR 13.
    面発光半導体レーザ１１では、活性層１５は、第１のＤＢＲ１３上に設けられている。 - 特許庁
  • This positive electrode body is used as a positive electrode active material layer 11 in a nonaqueous electrolyte battery 100.
    この正極体を非水電解質電池１００における正極活物質層１１として利用する。 - 特許庁
  • Heat dissipation at the center of the active layer 5 becomes better than that at the both ends in the longitudinal direction.
    活性層５の長手方向の中央部での放熱性が両端部での放熱性より良くなる。 - 特許庁
  • In addition, a third mirror 130 is provided between the first mirror 110 and the active layer 160.
    また、第１のミラー１１０と活性層１６０との間には第３のミラー１３０が設けられている。 - 特許庁
  • After forming a thin film from the first semiconductor substrate 11 and before flattening the surface of the active layer 11b by the vapor-phase etching, an organic substance 14 adhering to the surface of the active layer 11b is removed and a native oxide film 15 generated on the surface of the active layer 11b is removed after removing the organic substance 14.
    第１半導体基板１１を薄膜化した後、気相エッチングにより活性層１１ｂ表面を平坦化する前に、活性層１１ｂ表面に付着する有機物１４を除去し、有機物１４を除去した後にこの活性層１１ｂ表面に生成された自然酸化膜１５を除去する。 - 特許庁
  • METHOD FOR USING SHEET PACK OF TRANSPARENT FILM FOR PENETRATING ACTIVE COMPONENT OF LOTION, ETC., INTO DERMIC LAYER
    化粧水等の有効成分を真皮層まで浸透させるための透明フィルムシートパック利用方法 - 特許庁
  • METHOD OF SORTING ACTUATOR, METHOD OF MEASURING THICKNESS OF ACTIVE LAYER, METHOD OF MANUFACTURING RECORDING HEAD, AND RECORDER
    アクチュエータの分類方法、活性層の厚み測定方法、記録ヘッドの製造方法、及び、記録装置 - 特許庁
  • A negative electrode 10 includes a negative electrode active material layer 2 provided over a negative electrode current collector 1.
    負極１０は、負極集電体１の上に負極活物質層２が設けられたものである。 - 特許庁
  • The negative electrode 22 has a negative-electrode active material layer 22B on both faces of a negative electrode current collector 22A.
    負極２２は、負極集電体２２Ａの両面に負極活物質層２２Ｂを有している。 - 特許庁
  • The semiconductor laser has an InP substrate 2 and an SCH deformed MQW active layer 3 provided on the InP substrate 2, wherein an isolated groove 11 is formed by removing part of the SCH deformed MQW active layer 3 and a material 12 different from an MQW25 of the SCH deformed MQW active layer 3 is embedded in the isolated groove 11.
    ＩｎＰ基板２と、ＩｎＰ基板２上に設けられたＳＣＨ歪ＭＱＷ活性層３とを有し、ＳＣＨ歪ＭＱＷ活性層３の一部が除去されて分離溝１１が形成され、分離溝１１にＳＣＨ歪ＭＱＷ活性層３のＭＱＷ２５と異なる材料１２が埋め込まれた。 - 特許庁
  • In the peripheral region, less carriers are injected into a thick semiconductor layer than in the active region.
    周辺領域では、活性領域に比較して、厚い半導体層へ少ないキャリアが注入される。 - 特許庁
  • The active material layer is mounted in a high pressure chamber 41, and high pressure argon gas is introduced from an argon gas supply source 43.
    これを高圧チャンバ４１に設置し、アルゴンガス供給源４３から高圧アルゴンガスを導入する。 - 特許庁
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