「active layer」を含む例文一覧(7476)

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  • The first electrode 16 is disposed at the boundary between the active-layer part 13 and the second mirror part 14 while the second electrode 15 is disposed at the boundary between the first mirror part 12 and the active-layer part 13.
    また、活性層部１３と第２のミラー部１４との境界部分に第１の電極１６を形成し、第１のミラー部１２と活性層部１３との境界部分に第２の電極１５を形成する。 - 特許庁
  • On the contrary, in a semiconductor device 1 according to the embodiment, a thickness of an active layer 3 is thinned so as to equalize the depths of drain regions 4A and 4B and source regions 5A and 5B with the thickness of the active layer 3.
    これに対して本実施形態の半導体装置１では、活性層３の厚みを薄くしてドレイン領域４Ａ，４Ｂやソース領域５Ａ，５Ｂの深さを活性層３の厚みと同じにしている。 - 特許庁
  • Further, the upper and lower first clad layers of the first active layer are composed of a substantially identical semiconductor material, and the upper and lower second clad layers of the second active layer are composed of a substantially identical semiconductor material.
    更に、第１活性層の上下の第１クラッド層が略同一の半導体材料からなり、かつ第２活性層の上下の第２クラッド層が略同一の半導体材料からなる。 - 特許庁
  • Also, the active material layer is characterized in that the duration of fluorescence when the mixed organic solution consisting of the organic solution which has the fluorescent agent added thereto is dripped under an ultraviolet ray condition on the active material layer is less than 5 minutes.
    また、紫外線条件下、有機溶液に蛍光剤を添加した混合有機溶液を当該活物質層に、滴下したときに蛍光時間が５分未満であるといった特徴を有する。 - 特許庁
  • In the method for manufacturing a nonaqueous electrolyte battery, a positive electrode layer 1 forming a positive electrode active material layer 12 including lithium composite oxide to be a positive electrode active material is prepared on a metal substrate as a positive electrode collector 11.
    正極集電体１１となる金属基板の上に、正極活物質となるＬｉ複合酸化物を含有する正極活物質層１２を形成した正極層１を作製する。 - 特許庁
  • The generation of a phenomenon can be prevented in which current leaks along the active layer 6 of the circumference of a gate electrode 18 between the source region 12 and the drain region 13 of the active layer 6 while detouring the channel region 11.
    活性層６のソース領域12とドレイン領域13との間でゲート電極18周辺の活性層６を伝ってチャネル領域11を迂回して電流がリークする現象の発生を防止できる。 - 特許庁
  • It is preferable that the concentration of the radical compound on the electrode surface side in the positive electrode active material layer 10 is higher than that of the radical compound on the current collector side in the positive electrode active material layer 10.
    正極活物質層１０における電極表面側のラジカル化合物の濃度は、正極活物質層１０における集電体側のラジカル化合物の濃度よりも高いことが好ましい。 - 特許庁
  • Then, a projecting part 4a is formed on the surface of the semiconductor active layer 4, and a contact impurity area 6 is formed from the upper face of the projecting part 4a to the inside part of the semiconductor active layer 4.
    本発明では、半導体活性層４の表面に凸部４ａを設け、凸部４ａの上面から半導体活性層４内部に向けてコンタクト不純物領域６が形成されている。 - 特許庁
  • In the lithium cell, the electrolyte layer includes an ionic liquid, the positive electrode active material included in the positive electrode layer is MnO_2, and the surface of the positive electrode active material is coated with C (carbon) or Pt (platinum).
    このリチウム電池は、電解質層がイオン液体を含有し、且つ、正極層に含まれる正極活物質がMnO_2であり、この正極活物質の表面にC（炭素）またはPt（プラチナ）がコーティングされている。 - 特許庁
  • A first portion of the active layer, including a light emitting end surface of the semiconductor laser device, is inclined for a second portion other than the first portion of the active layer.
    当該半導体レーザ素子の光出射端面を含む、上記活性層の第１の部分は、当該活性層の上記第１の部分以外の部分である第２の部分に対して傾斜している。 - 特許庁
  • The anode 22 is provided with an anode collector 22A, an anode active material layer 22B provided at the anode collector 22A, and a coating 22C provided at the anode active material layer 22B.
    負極２２は、負極集電体２２Ａと、その負極集電体２２Ａに設けられた負極活物質層２２Ｂと、その負極活物質層２２Ｂに設けられた被膜２２Ｃとを有している。 - 特許庁
  • The surface of an active layer 2 in a region for forming a via hole is removed partially by etching and ions are implanted in the region for forming a via hole up to a substantially constant depth from the surface of the active layer.
    バイアホール形成予定領域の能動層２表面の一部をエッチング除去し、バイアホール形成予定領域に能動層表面からほぼ一定の深さに不純物イオンを注入する。 - 特許庁
  • The negative electrode 22 has a negative electrode charge collector 22A and a negative electrode active material layer 22B provided at the negative electrode charge collector 22A and a coated membrane 22C installed at the negative electrode active material layer 22B.
    負極２２は、負極集電体２２Ａと、その負極集電体２２Ａに設けられた負極活物質層２２Ｂと、その負極活物質層２２Ｂに設けられた被膜２２Ｃとを有している。 - 特許庁
  • A hole part is formed by etching respective partial parts of the active layer and the embedded oxide film through a window part formed on a part of a protective film covering the active layer, and thereafter amorphous silicon is deposited in the hole part.
    活性層を被う保護膜の一部に形成された窓部を通して、活性層と埋め込み酸化膜との各一部をエッチングして孔部を形成後、孔部にアモルファスシリコンを堆積させる。 - 特許庁
  • A band gap E_2 in a region 20d (a region 22b of an active layer 22) having the resonator surface 20a is larger than a band gap E_1 in a region 20e (a region 22a of the active layer 22).
    そして、共振器面２０ａを有する領域２０ｄ（活性層２２の領域２２ｂ）でのバンドギャップＥ_２が、領域２０ｅ（活性層２２の領域２２ａ）でのバンドギャップＥ_１よりも大きい。 - 特許庁
  • The wafer 10 for the active layer can be peeled even when the implantation of hydrogen ions is made smaller than the case of a conventional wafer (100) for the active layer because of the peeling utilizing the cleaved surface.
    しかも、劈開面を利用した剥離であるので、従来の活性層用ウェーハ（（１００）ウェーハ）の場合より水素イオンの注入を減らしても、活性層用ウェーハ１０の剥離が可能となる。 - 特許庁
  • The semiconductor body 4 has at least one first mirror surface 26 inclined to the active layer 10 so as to emit the radiation from the active layer 10 to the first flat surface 12.
    また、半導体ボディ４は、活性層１０から第１の平担面１２まで放射線を出射するために、活性層１０に対して傾斜する第１の鏡面２６を少なくとも１つ備える。 - 特許庁
  • A method of forming an integrated circuit structure on a chip includes extracting an active layer from the design of the integrated circuit structure and forming a guard band conforming to the shape of the active layer.
    チップ上に集積回路構造を形成する方法は、集積回路構造の設計からアクティブ層を抽出することと、アクティブ層の形状に適合する保護バンドを形成することとを含む。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor light emitting element which can keep barrier effect for overflow of electron from an active layer and reduce barrier working on flow-in of hole to the active layer.
    活性層からの電子のオーバーフローに対するバリア効果を維持しつつ、活性層に対する正孔の流入に対するバリアを低減することができる半導体発光素子を提供することを目的とする。 - 特許庁
  • An element isolation insulating film 15 is formed on a surface layer of the non-defect layer 13, a p- or n-type active region 16 is formed, and an element is formed on a surface side of the active region 16.
    無欠陥層１３の表面層に、素子分離絶縁膜１５を形成すると共にｐ型やｎ型の活性領域１６を形成し、活性領域１６の表面側に素子を形成する。 - 特許庁
  • To provide a method for manufacturing an active material layer, an active material layer, a method for manufacturing an all-solid battery, and an all-solid battery achieving both high capacity density per unit volume and high output characteristics.
    高体積容量密度と高出力特性とを両立できるようにした活物質層の製造方法と活物質層、全固体電池の製造方法と全固体電池を提供する。 - 特許庁
  • Even when the negative electrode active material layer 12 is expanded and contracted by charge and discharge, the breakage of the negative electrode current collector 11 and the peeling off of the negative electrode active material layer 12 can be suppressed.
    これにより、負極活物質層１２が充放電により膨張収縮しても、負極集電体１１の破断および負極活物質層１２の剥離などを抑制することができる。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor light-emitting element with improved uniformity in intensity distribution of a near-field image so as to uniformly inject current to an active layer and to uniformize emission with respect to the active layer.
    活性層に対して均一に電流が注入されるようにして、活性層からの発光を均一にし、近視野像の強度分布の均一性が向上した半導体発光素子を提供する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor light emitting device in which impurities, such as Li etc., with a high activation rate, are restrained from being diffused into an active layer whose main component elements are Zn and O so as to improve the active layer in characteristics.
    Ｚｎ及びＯを主要な構成元素とする活性層へのＬｉ等の活性化率の大きい不純物拡散を抑え、活性層の特性を改善する半導体発光素子を提供する。 - 特許庁
  • The light shield film 70 is disposed covering the active layer 33 with the back gate insulation film 11 interposed therebetween, having a function of shielding the active layer 33 from external light entering through the insulation substrate 10.
    遮光膜７０は、バックゲート絶縁膜１１を間に挟んで能動層３３を覆って配置され、絶縁基板１０を通して能動層３３へ入射しようとする外光を遮光する働きをする。 - 特許庁
  • To lengthen service life of an electric double layer capacitor provided with a positive pole which is constituted by forming a positive pole active material layer containing a positive pole active material on a current collector body.
    集電体上に正極活物質を含む正極活物質層が形成されてなる正極を備えた電気二重層キャパシタについて、従来のものよりもさらに寿命を長くする。 - 特許庁
  • The multilayer film 13 has an uneven surface 20, which is uneven in the cross section orthogonal to the active layer 11, on an end face on the side of a laser light emitting end face 11a of the active layer 11.
    多層膜部１３は、活性層１１のレーザ光出射端面１１ａ側の端面に、活性層１１に対して垂直方向の断面形状が凹凸状の凹凸面部２０を有する。 - 特許庁
  • The thin-film transistor includes a substrate, an active layer formed thereon by using a polycrystalline or amorphus titanium oxide, and an insulating film formed on the active layer.
    本発明に係る薄膜トランジスタは、基板と、前記基板上に多結晶ないし非晶質の酸化チタニウムを用いて形成される活性層と、前記活性層上に形成される絶縁膜とを含む。 - 特許庁
  • The data wiring includes a first data line, formed on the first active layer and having a first source electrode part and a second data line, formed on the second active layer and having a second source electrode part.
    データ配線は第１アクティブ層上に形成された第１ソース電極部を有する第１データライン、及び第２アクティブ層に形成された第２ソース電極部を有する第２データラインを含む。 - 特許庁
  • In the method of manufacturing the laminated wafer by laminating a wafer for active layer to wafer for support layer and then thinning the wafer for active layer, a terrace grinding for forming a terrace portion is carried out prior to a step of exposing the oxygen ion implanted layer while leaving an oxide film on a terrace portion of the wafer for support layer.
    活性層用ウェーハと支持層用ウェーハを貼り合わせたのち、活性層用ウェーハを薄膜化することからなる貼り合わせウェーハの製造方法において、 酸素イオン注入層を露出させる工程に先立ち、テラスを形成するためのテラス研磨を行い、その際、支持層用ウェーハ上テラス部の酸化膜を残存させる。 - 特許庁
  • The semiconductor optical element 10 includes a first conductive GaAs board 12, a group third-fifth compound semiconductor layer 14 formed on the GaAs board 12, an active layer 16 formed on the group third-fifth compound semiconductor layer 14, and a second conductive upper clad layer 18 formed on the active layer 16.
    半導体光素子１０は、第１導電型のＧａＡｓ基板１２と、ＧａＡｓ基板１２上に設けられたIII−Ｖ族化合物半導体層１４と、III−Ｖ族化合物半導体層１４上に設けられた活性層１６と、活性層１６上に設けられた第２導電型の上部クラッド層１８とを備える。 - 特許庁
  • The principal growth plane 10a is a plane having an off angle in the a-axis direction relative to the "m" plane, and the individual nitride semiconductor layers 11 to 18 include: an active layer 14 containing In; and a GaN layer (an n-type GaN layer 11 and a lower guide layer 13) formed between the GaN substrate 10 and active layer 14.
    成長主面１０ａは、ｍ面に対して、ａ軸方向にオフ角度を有する面からなり、窒化物半導体各層１１〜１８は、Ｉｎを含む活性層１４と、ＧａＮ基板１０と活性層１４との間に形成されたＧａＮ層（ｎ型ＧａＮ層１１、下部ガイド層１３）とを有している。 - 特許庁
  • On a substrate 1, an n-type semiconductor layer 2 comprising an n-type GaN layer is laminated, then first, second, and third active layers 3a, 3b, and 3c of InGa1-xN are sequentially laminated, and a p-type semiconductor layer 4 comprising a p-type GaN layer is laminated on the third active layer 3c.
    基板１上にｎ形ＧａＮ層よりなるｎ形半導体層２が積層され、続いてＩｎＧａ_1-XＮよりなる第１の活性層３ａ、第２の活性層３ｂ，第３の活性層３ｃが順次積層され、第３の活性層３ｃ上にｐ形ＧａＮ層よりなるｐ形半導体層４が積層されている。 - 特許庁
  • The semiconductor optical amplifier includes a substrate 210, a first clad layer 220 deposited on the substrate 210, an active layer 230 deposited on the first clad layer 220 having a plurality of sections S_1, S_2 and S_3 with different band gaps arranged in a longitudinal direction thereof, and a second clad layer 240 deposited on the active layer 230.
    基板２１０と、基板２１０上に積層された第１のクラッド層２２０と、長さ方向に沿ってバンドギャップが相異なる複数のセクションＳ_１、Ｓ_２、Ｓ_３を有し、第１のクラッド層２２０の上に積層された活性層２３０と、活性層２３０の上に積層された第２のクラッド層２４０と、を備える。 - 特許庁
  • The light-emitting device comprises: a substrate; and a multilayer structure including an n-type semiconductor layer formed on the substrate in a light-emitting region and a non-light-emitting region, an active layer formed on the n-type semiconductor layer in the light-emitting region and a p-type semiconductor layer formed on the active layer in the light-emitting region.
    発光装置は、基板と、前記基板上の発光領域及び非発光領域に形成されたｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層上の前記発光領域に形成された活性層と、前記活性層上の前記発光領域に形成されたｐ型半導体層と、を有する多層構造と、を備える。 - 特許庁
  • The light-emitting diode at least includes an n-type nitride semiconductor layer, an active layer, and a p-type nitride semiconductor layer, and a light-emitting layer in the active layer is composed of a plurality of layers where at least two or more layers having different In mixed crystal ratios are formed in contact with each other.
    少なくともｎ型窒化物半導体層、活性層、ｐ型窒化物半導体層からなる発光ダイオードにおいて、活性層中の発光層は複数の層からなり、異なるＩｎ混晶比を持つ層が少なくとも２以上ともに接して形成される、窒化物半導体発光ダイオードに関する。 - 特許庁
  • A vertical light emitting diode (VLED) die 10A includes a p-type confinement layer 12A, an active layer 14A on the p-type confinement layer configured to emit light, and an n-type confinement structure 16A having at least one etch stop layer 22A configured to protect the active layer.
    垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイ１０Ａは、ｐ型閉じ込め層１２Ａと、光を放射するように構成されたｐ型閉じ込め層上の活性層１４Ａと、活性層を保護するように構成された少なくとも１つのエッチング停止層２２Ａを有するｎ型閉じ込め構造１６Ａとを含む。 - 特許庁
  • In the semiconductor light-emitting device 1 comprising an active layer 3 (light-emitting layer), a current diffusion layer 5 laminated on the active layer 3, and a mesa structure 9 formed by etching the surface of the current diffusion layer 5, a prospective half angle r1 of a top face 9a of the mesa structure 9 is set approximately as the totally reflecting angle.
    活性層３（発光層）と、活性層３に積層された電流拡散層５と、電流拡散層５表面をエッチングすることにより形成されたメサ構造９とを備える半導体発光素子１において、メサ構造９の天面９ａの見込み半角ｒ１を、ほぼ全反射角にした。 - 特許庁
  • Subsequent to this, a second semiconductor layer 30, with a non-absorption region having a larger bandgap than that of the active layer 23, is formed so as to contact at least the inclined side surfaces of the active layer 23 in the first semiconductor layer 20, on the upper surface and the side surfaces 20F, 20R of the first semiconductor layer 20.
    これに続けて、第１半導体層２０の上面および傾斜した側面２０Ｆ，２０Ｒに、第１半導体層２０のうち少なくとも活性層２３の傾斜した側面に接して活性層２３よりもバンドギャップの大きな非吸収領域を有する第２半導体層３０を形成する。 - 特許庁
  • The image recording medium comprises a transparent protective layer 640 and/or an optical converter layer 430 on an image recording layer, an active ray curable resin layer 650 having an elongation at break of 5 to 90% and provided thereon, and an active ray curable resin layer having a static surface frictional coefficient of 0.5 to 0.01.
    画像記録体は、画像記録層上に透明保護層６４０及び／または光学変換素子層４３０を設け、その上に破断伸度が５〜９０％の範囲の活性光線硬化樹脂層６５０を設け、また静表面摩擦係数０．５〜０．０１の範囲の活性光線硬化樹脂層を設ける。 - 特許庁
  • The semiconductor laser device has a first current constriction layer 17 formed between a p-side electrode 19 and an active layer 14 on a substrate 11 through an oxidation process, and a second current constriction layer 22 formed between the active layer 14 and the first current constriction layer 17 not through the oxidation process.
    基板１１上のｐ側電極１９と活性層１４との間に酸化工程を経て形成される第１の電流狭窄層１７を有し、かつ、活性層１４と第１の電流狭窄層１７との間に酸化工程を経ることなく形成された第２の電流狭窄層２２を有する。 - 特許庁
  • The active integrated antenna and active integrated antenna array is provided with an oscillation layer 700 that generates a carrier signal, a modulation layer 500 that modulates the carrier signal received from the oscillation layer 700, an amplifier layer 300 that amplifies the signal received from the modulation layer 500, and a radiation layer 100 that emits a signal received from the amplifier layer 300 as an electromagnetic wave and each layer adopts a layered structure.
    搬送波信号を発生させる発振層７００と、該発振層７００から入力される搬送波信号に変調を加える変調層５００と、該変調層５００から入力される信号を増幅する増幅層３００と、該増幅層３００から入力される信号を電磁波として放射する放射層１００とを備え、前記各層を積層構造としてなること。 - 特許庁
  • To provide a method for recovering and utilizing active carbon in an apparatus for treating exhaust gas of sintering by which the active carbon can be effectively recovered and utilized in such a way that the active carbon can be used without waste in an active carbon movable layer type dry desulfurization and denitrification apparatus.
    活性炭移動層式の乾式脱硫脱硝装置での活性炭の使用に無駄が生じないよう有効に回収利用することができる焼結排ガス処理装置における活性炭の回収利用方法を提供すること。 - 特許庁
  • To provide an active matrix substrate and a manufacturing method thereof, in which the height of an active element from a transfer destination substrate surface can be controlled to make the active element and the transfer destination substrate approximately parallel even through an adhesive layer when transferring the active element.
    アクティブ素子を転写する際に、アクティブ素子の転写先基板面からの高さの制御が可能で、接着層を介してもアクティブ素子と転写先基板とが略平行となるようなアクティブマトリクス基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • The stimulation element section 14 has a common n-InP lower clad layer, an active layer 32 in common with a variable wavelength layer, and a common i-InP layer, and has a p-InP spacer layer 34, a p-diffraction grating 36, and a p-InP buried layer 38 on it.
    励起素子部１４は、共通のｎ−ＩｎＰ下部クラッド層、波長可変層と共通の活性層３２、及び共通のｉ−ＩｎＰ層を備え、その上にｐ−ＩｎＰスペーサ層３４、ｐ−回折格子３６、ｐ−ＩｎＰ埋め込み層３８を備える。 - 特許庁
  • On a first conductivity type semiconductor substrate 1, at least a first conductivity type clad layer 4, an active layer 5, a second conductivity type clad layer 8, a second conductivity type contact layer 10, an etching stop layer 11, and a diffusion source layer 12 containing impurities are laminated in order.
    第１導電型半導体基板１上に、少なくとも第１導電型クラッド層４、活性層５、第２導電型クラッド層８、第２導電型コンタクト層１０、エッチングストップ層１１、及び不純物を含む拡散源層１２を順次積層する。 - 特許庁
  • In the manufacturing method of a semiconductor laser, there are formed by an MOCVD method successively on an n-type substrate 101 an n-type buffer layer 102, an n-type clad layer 103, an active layer 104, a first p-type clad layer 105, a p-type etching stop layer 106, and a second p-type clad layer 107.
    ｎ型基板１０１上に、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ型バッファ層１０２、ｎ型クラッド層１０３、活性層１０４、ｐ型第１クラッド層１０５、ｐ型エッチングストップ層１０６、およびｐ型第２クラッド層１０７を、順次形成する。 - 特許庁
  • The nitride semiconductor laser element which has an n-type layer, an active layer, and a p-type layer formed on a substrate is provided with a current stricture layer on the n-type layer side, and the current stricture layer is formed of p- or i-type AlxGa1-xN (0≤x≤1).
    基板上に形成されたｎ型層、活性層及びｐ型層を有する窒化物半導体レーザ素子において、ｎ型層側に電流狭窄層を設け、該電流狭窄層をｐ型又はｉ型のＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）とした。 - 特許庁
  • There is provided a lamination structure 20 of AlGaInP system constituted, including a lower clad layer 11, a lower guide layer 12, an active layer 13, an upper guide layer 14, an upper clad layer 15 and a contact layer 16 on a substrate 10 in this order from the substrate 10 side.
    基板１０上に、下部クラッド層１１、下部ガイド層１２、活性層１３、上部ガイド層１４、上部クラッド層１５およびコンタクト層１６を基板１０側からこの順に含んで構成されたＡｌＧａＩｎＰ系の積層構造２０を備える。 - 特許庁
  • The semiconductor laser element 1 is formed by stacking, in a following sequence, an n-type semiconductor substrate 11, an n-type clad layer 12, an active layer 13, a p-type first clad layer 14, a current block layer 15, a p-type second clad layer 16, and a p-type contact layer 17.
    本発明の半導体レーザ素子１は、ｎ型半導体基板１１、ｎ型クラッド層１２、活性層１３、ｐ型第１クラッド層１４、電流ブロック層１５、ｐ型第２クラッド層１６、及びｐ型コンタクト層１７が、この順に積層されてなる。 - 特許庁
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