「active layer」を含む例文一覧(7476)
＜前へ 1 2 .... 42 43 44 45 46 47 48 49 50 .... 149 150 次へ＞- The semiconductor light emitting device 10 comprises an n-type semiconductor 12, an active layer 13, and a p-type semiconductor 14 while the active layer 13 is constituted so as to be pinched between the n-type semiconductor 12 and the p-type semiconductor 14.
半導体発光デバイス１０は、ｎ型半導体１２、活性層１３、およびｐ型半導体１４を含み、活性層１３は、ｎ型半導体１２とｐ型半導体１４に挟まれるよう構成される。 - 特許庁 - This active material layer is put under an X-ray irradiation, and at least either intensity of a Kα ray of the element A or intensity of a Kα ray of the metal element M in fluorescent X rays generated from the active material layer is measured.
この活物質層にＸ線を照射し、活物質層から発生する蛍光Ｘ線のうち元素ＡのＫα線の強度と金属元素ＭのＫα線の強度との少なくとも一方を測定する。 - 特許庁 - While, an active material layer forming part 12 having a surface covered with the active material layer 2 is formed in a grating shape by mutually connecting the metallic wires 110 by a connecting member 120 arranged so as to cross with the plurality of metallic wires 110.
他方、活物質層2に表面が覆われる活物質層形成部12は、複数の金属線110と交差するように配された連結部材120により金属線110同士が連結されており、格子状に形成されている。 - 特許庁 - As a result, even if a thicknesses of the cathode active material layer 21B and that of the anode active material layer 22B are increased, diffusion and an acceptance property of lithium in an anode 22 are improved and excellent cycle characteristics are obtained.
これにより、正極活物質層２１Ｂの厚みおよび負極活物質層２２Ｂの厚みを厚くしても、負極２２におけるリチウムの拡散および受け入れ性が向上し、優れたサイクル特性が得られる。 - 特許庁 - The first adhesion layer 14 is provided so as to cover the first transparent conductor 40 in an active area, and the second adhesion layer 19 is provided so as to cover the second transparent conductor 45 in the active area.
そして、第１接着層１４は、アクティブエリア内の第１透明導電体４０を覆うよう設けられ、第２接着層１９は、アクティブエリア内の第２透明導電体４５を覆うよう設けられている。 - 特許庁 - Level differences of the end part 21B1 of the outside cathode active material layer 21B, the cathode lead 25 or the like will not overlap that of the end part 21C1 of the inside cathode active material layer 21C, resulting in a smaller distortion of a winding-around shape.
外側正極活物質層２１Ｂの端部２１Ｂ１や正極リード２５などの段差が、内側正極活物質層２１Ｃの端部２１Ｃ１の段差に重ならず、巻回形状の歪みが小さくなる。 - 特許庁 - The lithium secondary battery has the positive electrode active material layer with an average porosity rate PC (volume percent) of 30 to 40 and has the negative electrode active material layer with an average porosity rate PA (volume percent) of 35 to 50, where, PA≥PC-4.
正極活物質層の平均空隙率Ｐ_Ｃ（体積％）が３０〜４０であり、負極活物質層の平均空隙率Ｐ_Ａ（体積％）が３５〜５０であり、Ｐ_Ａ≧Ｐ_Ｃ−４であるリチウム二次電池。 - 特許庁 - The coating 34 is set within a round from an outermost periphery end, out of an area in which an outer-periphery-side positive electrode active material layer 23 is opposed to the inner-periphery-side negative electrode active material layer 32 via the separator 41.
この被膜３４は、外周側正極活物質層２３と内周側負極活物質層３２とがセパレータ４１を介して対向する領域のうち、最外周端から１周の範囲に設けられている。 - 特許庁 - The semiconductor laser device of this invention is equipped with a semiconductor multilayer film containing an active layer 24, and a first and a second electrode which are used for injecting a current into the active layer 24 to emit laser beams 61 to 64.
本発明の半導体レーザ装置は、活性層２４を含む半導体多層膜と、活性層２４に電流を注入するための第１および第２の電極とを備え、複数のレーザ光６１〜６４を出射する。 - 特許庁 - Moreover, bringng the active layer to have a higher resistance with a major current pass area inbewteen can reduce the attached capacitance formed by the active layer of an area where no current flows and improve the high frequency characteristic of the laser.
さらに、活性層を、主たる電流通過領域を挟んで高抵抗化することにより、電流が流れない領域の活性層により形成される付加容量を低減して、レーザの高周波特性を改善する。 - 特許庁 - To provide a forming device of an electrode for a lithium secondary battery, capable of easily forming an active material layer comprising at least two elements, and of controlling the composition of the active material layer.
少なくとも２つの元素から構成される活物質層を容易に形成することができるとともに、その活物質層の組成を制御することが可能なリチウム二次電池用電極の形成装置を提供する。 - 特許庁 - The anode plate includes an anode active material layer 4a containing graphite system carbon powder coated on one face of an anode collector 3, as well as an anode active material layer 4b containing amorphous system carbon powder coated on the other.
負極板には、負極集電体３の一面に黒鉛系炭素粉末を含む負極活物質層４ａが、他面に非晶質系炭素粉末を含む負極活物質層４ｂがそれぞれ塗着されている。 - 特許庁 - The active-region includes at least one indium-containing quantum well layer, and an indium composition of the indium-containing quantum well layer fluctuates in a growth surface from which the active-region grows.
前記アクティベーション層は、少なくとも一つのインジウム含有量子井戸層を含んでおり、前記インジウム含有量子井戸層のインジウムの組成は、前記アクティベーション層を成長させる成長面において変動している。 - 特許庁 - In the photoelectric conversion element including at least a pair of electrode and an active layer, the active layer contains a polymer compound represented by general formula (I), and a fullerene compound.
少なくとも一対の電極と活性層とを含む光電変換素子であって、前記活性層が、下記一般式（Ｉ）で表される高分子化合物と、フラーレン化合物とを含有することを特徴とする光電変換素子。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor active layer, capable of arbitrarily controlling a compositional ratio of cations, a method of manufacturing a thin film transistor using the same and a thin film transistor having the semiconductor active layer.
陽イオンの組成比を任意に調節することができる半導体活性層製造方法、それを利用した薄膜トランジスターの製造方法及び半導体活性層を具備する薄膜トランジスターを提供する。 - 特許庁 - To enable to restrain formation of pits in a quantum well active layer of a group III nitride semiconductor light emitting element and improve injection efficiency of electrons and holes in the quantum well active layer.
III 族窒化物半導体発光素子の量子井戸活性層に生じるピットの生成を抑制できるようにすると共に、電子及びホールの量子井戸活性層への注入効率を向上させられるようにする。 - 特許庁 - The semiconductor laser element 117 includes a substrate 100, an active layer 104 formed on the substrate 100, other layers 117a formed on the active layer 104, and an electrode formed on the other layers 117a.
半導体レーザ素子１１７は、基板１００と、基板１００上に形成された活性層１０４と、活性層１０４上に形成された他の層１１７ａと、他の層１１７ａ上に形成された電極とを含む。 - 特許庁 - The semiconductor light emitting device includes: a conductive substrate, a p-type semiconductor layer disposed on the conductive substrate, an active layer disposed on the p-type semiconductor layer, an n-type semiconductor layer disposed on the active layer, and an n-side electrode disposed on the n-type semiconductor layer and including an n-type doped carbon nanotube layer.
本発明は、導電性基板と、当該導電性基板上に配置されたｐ型半導体層と、当該ｐ型半導体層上に配置された活性層と、当該活性層上に配置されたｎ型半導体層と、当該ｎ型半導体層上に配置されｎ型にドーピングされたカーボンナノチューブ（ｃａｒｂｏｎ ｎａｎｏｔｕｂｅ）層を含むｎ側電極とを含む半導体発光素子を提供する。 - 特許庁 - The semiconductor laser diode has a 1st conductivity type semiconductor clad layer, an active layer formed on the 1st conductivity type semiconductor clad layer, a 2nd conductivity type semiconductor clad layer formed on the active layer, an insulating film formed on the 2nd conductivity type semiconductor clad layer, a metal electrode electrically connected to the 2nd conductivity type semiconductor clad layer, and the electric circuit element formed on the insulating film.
第１導電型半導体クラッド層と、第１導電型半導体クラッド層上に形成された活性層と、活性層上に形成された第２導電型半導体クラッド層と、第２導電型半導体クラッド層上に形成された絶縁膜と、第２導電型半導体クラッド層と電気的に接続された金属電極と、絶縁膜上に形成された電気回路素子とを有する。 - 特許庁 - The semiconductor device generates a laser beam from an active layer 2 and has a ridge-shaped mesa 5 including an active layer 2, a current block layer 6 formed to fill both sides of the mesa 5, a diffusion stopping layer 10 formed to continue to the mesa 5 and the current block layer 6 and a p-InP clad layer 7 which is formed on the diffusion stopping layer 10 and contains prescribed impurities.
活性層２からレーザ光を発生させる半導体装置であって、活性層２を含むリッジ状のメサ５と、メサ５の両側を埋め込むように形成された電流ブロック層６と、メサ５及び電流ブロック層６上に連なるように形成された拡散阻止層１０と、拡散阻止層１０上に形成され、所定の不純物を含有したｐ−ＩｎＰクラッド層７とを備える。 - 特許庁 - A method includes the steps of: preparing a substrate; sequentially forming a lower semiconductor layer, an active layer, and an upper semiconductor layer on the substrate; forming a photoresist pattern on the upper semiconductor layer so that its side wall is inclined to an upper surface of the substrate; and sequentially etching the upper semiconductor layer, the active layer, and the lower semiconductor layer by using the photoresist pattern as an etching mask.
基板を用意する段階と、前記基板上に、下部半導体層、活性層及び上部半導体層を順次形成する段階と、前記上部半導体層上に、その側壁が前記基板の上部面に対して傾斜するように、フォトレジストパターンを形成する段階と、前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして使用し、前記上部半導体層、活性層及び下部半導体層を順次にエッチングする段階とを有する。 - 特許庁 - There are formed on an n-GaAs substrate 101 a multiple distortion quantum well active layer 106, a second conductivity type semiconductor layer group (p-AlGaAs first upper cladding layer 108, p-AlGaAs second upper cladding layer 109, p-GaAs etching stop layer 110, p-AlGaAs third upper cladding layer 111, p-GaAs contact layer 112, and p^+-GaAs contact layer 113).
ｎ-ＧaＡs基板１０１上に、多重歪量子井戸活性層１０６と第２導電型の半導体層群(ｐ-ＡlＧaＡs第１上クラッド層１０８,ｐ-ＡlＧaＡs第２上クラッド層１０９,ｐ-ＧaＡsエッチングストップ層１１０,ｐ-ＡlＧaＡs第３上クラッド層１１１,ｐ-ＧaＡsコンタクト層１１２およびｐ^+-ＧaＡsコンタクト層１１３)を形成する。 - 特許庁 - This photocell is composed by including: a transparent electrode layer 2; a reflection electrode layer 3 arranged oppositely to the transparent electrode layer 2 and reflecting at least a part of entering light from the transparent electrode layer 2 toward the transparent electrode layer 2; and an active layer 4 arranged between the transparent electrode layer 2 and the reflection electrode layer 3.
光電池は、透明電極層２と、透明電極層２に対向して配置され、透明電極層２から入射する光のうちの少なくとも一部を透明電極層２側に反射する反射電極層３と、透明電極層２および反射電極層３の間に配置される活性層４とを含んで構成される。 - 特許庁 - The semiconductor laser element 1A has a refractive index distribution layer 17 provided on a GaN substrate 11 and composed of a gallium nitride based semiconductor with a periodic refractive index distribution extended in one dimension or two dimensions, an active layer 27 provided on the refractive index distribution layer 17, and a distortion relaxation layer 25 composed of InGaN and provided between the refractive index distribution layer 17 and the active layer 27.
半導体レーザ素子１Ａは、ＧａＮ基板１１上に設けられ、窒化ガリウム系半導体からなり、一次元又は二次元で広がる周期的な屈折率分布を有する屈折率分布層１７と、屈折率分布層１７上に設けられた活性層２７と、屈折率分布層１７と活性層２７との間に設けられたＩｎＧａＮからなる歪緩和層２５とを備える。 - 特許庁 - The stencil mask blank is provided with a supporting substrate 13 composed of a single crystal silicon wafer, an active layer 11 for preparing a transfer pattern, an intermediate insulation layer formed between the supporting substrate and the active layer, and an amorphous silicon layer 111 formed at the other side of the supporting substrate while an opening unit corresponding to the transfer pattern is prepared in the amorphous silicon layer, the supporting substrate, and the intermediate insulation layer.
単結晶シリコンウェハからなる支持基板と、転写パターンを設けるための活性層と、前記支持基板と活性層の間に形成された中間絶縁層と、前記支持基板のもう一方側に設けたアモルファスシリコン層とを有し、前記転写パターンに対応する開口部を、前記アモルファスシリコン層と、前記支持基板と、前記中間絶縁層に設けたこと。 - 特許庁 - The semiconductor device includes a semiconductor substrate 10, an active area 50 formed in the semiconductor substrate 10, a silicide layer 45 formed on the upper layer of the active area 50, a first inter layer insulating film 15 formed on the semiconductor substrate 10 and silicide layer 45, and a contact plug 60 which is formed on the silicide layer 45 and passes through the first inter layer insulating film 15.
半導体装置は、半導体基板１０と、半導体基板１０内に形成された活性領域５０と、活性領域５０の上面に形成されたシリサイド層４５と、半導体基板１０およびシリサイド層４５の上に形成された第１の層間絶縁膜１５と、シリサイド層４５上に形成され、第１の層間絶縁膜１５を貫通するコンタクトプラグ６０とを備えている。 - 特許庁 - The nitride semiconductor laser element has a nitride semiconductor layer including a first nitride semiconductor layer, and an active layer, a second nitride semiconductor layer; and a protective film in contact with a cavity end face of the nitride semiconductor layer, wherein the protective film in contact with at least the active layer of the cavity end face has a region thinner than the maximum thickness of the first protective film.
第１窒化物半導体層、活性層、第２窒化物半導体層を含む窒化物半導体層と、該窒化物半導体層の共振器面に接触する保護膜とを有する窒化物半導体レーザ素子であって、少なくとも共振器面の活性層に接触する保護膜が、前記保護膜の最大膜厚よりも薄い領域を有する窒化物半導体レーザ素子。 - 特許庁 - This light emitting device comprises a semiconductor device layer 8 including a luminescence region 15a with an active layer 4, a groove 9 which reaches the active layer 4 from the surface of the semiconductor device layer 8 provided so that at least one side edge of the luminescence region 15a of the semiconductor device layer 8 may be adjoined, and a resin layer 14 containing the phosphor formed in the groove 9.
この発光素子は、活性層４を有する発光領域１５ａを含む半導体素子層８と、半導体素子層８の発光領域１５ａの少なくとも１つの側端部に隣接するように設けられ、半導体素子層８の表面から活性層４に達する溝部９と、溝部９内に形成された蛍光体を含有する樹脂層１４とを備えている。 - 特許庁 - The laser is provided with an n-InGaAsP grating layer 112 formed above an n-InP substrate 101, an AlGaInAs-MQW active layer 103 formed above the grating layer 112, and a ridge 114 which is formed above the active layer 103 and has a p-InP clad layer 106 and a p-InGaAs contact layer 108.
ｎ−ＩｎＰ基板１０１の上方に形成されたｎ−ＩｎＧａＡｓＰ回折格子層１１２と、この回折格子層１１２の上方に形成されたＡｌＧａＩｎＡｓ−ＭＱＷ活性層１０３と、この活性層１０３の上に形成され、ｐ−ＩｎＰクラッド層１０６およびｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層１０８を備えたリッジ部１１４とを有する。 - 特許庁 - An IGBT 100 includes a body region 4 formed on the surface layer of a drift layer 16 in an active region, a guard ring 10 formed on the surface layer of the drift layer 16 in the peripheral region to encircle the body region 4, and a collector layer 20 on a backside of the drift layer 16 ranging over the active region and the peripheral region.
ＩＧＢＴ１００は、活性領域におけるドリフト層１６の表層に形成されているボディ領域４と、周辺領域におけるドリフト層１６の表層に形成されており、ボディ領域４を囲んでいるガードリング１０と、ドリフト層１６の裏面側に形成されており、活性領域と周辺領域に拡がっているコレクタ層２０を備えている。 - 特許庁 - The semiconductor device includes the substrate 20, a first conductive layer 22 formed on the substrate 20, a first insulating layer 26 formed to cover the substrate 20 and the first conductive layer 22, the active element 10 mounted on the substrate 20, a second conductive layer connected to an electrode of the active element 10, and a conductive post connecting the first conductive layer 22 to the second conductive layer.
基板２０と、基板２０上に形成される第１の導電層２２と、基板２０及び第１の導電層２２を被覆して形成される第１の絶縁層２６と、基板２０に搭載される能動素子１０と、能動素子の電極に接続される第２の導電層と、第１の導電層と第２の導電層とを接続する導電性ポストとを備えた半導体装置を構成する。 - 特許庁 - This gallium nitride compound semiconductor light-emitting element contains indium and aluminum, and at least a pair of clad layers 4 and 8, a quantum-well structure active layer 6, and a cooling layer 5 and a heating layer 7, including a GaN thin layer between at least either of the clad layer, and the quantum-well structure active layer are laminated on a substrate.
インジウム及びアルミニウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、基板上に少なくとも、一対のクラッド層４，８及び量子井戸構造活性層６、少なくとも一方のクラッド層と量子井戸構造活性層間に、ＧａＮ薄層を含む降温層５及び昇温層７が積層されてなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。 - 特許庁 - To prevent occurrence of a problem of deterioration of the light-emission intensity of an active layer by forming a structure in which an active layer containing nitrogen is formed after forming a p-type semiconductor layer and arranging a layer for selective oxidation mainly composed of AlAs within the p-type semiconductor layer, even if a part of the arranged layer for selective oxidation is selectively oxidized to form a current confinement structure.
ｐ型半導体層を形成した後に窒素を含む活性層を形成する構造とし、ｐ型半導体層中にＡｌＡｓを主成分とする被選択酸化層を配置し、配置された被選択酸化層の一部を選択的に酸化して電流狭窄構造を形成する場合にも、活性層の発光強度が劣化してしまうという問題が生じることを防止する。 - 特許庁 - The RCHX layer is formed by vapor deposition, the energy active material is patterned to form a pattern and this pattern is transferred to the RCHX layer.
ＲＣＨＸ層は、蒸着により形成し、エネルギー活性材料をパターニングしてパターンを形成し、このパターンをＲＣＨＸ層に転写する。 - 特許庁 - In a position intersecting with at least the through hole electrode, a silicide layer 190 in the active element is formed so that the silicide layer is not formed in the dummy portion.
少なくとも貫通電極と交差する位置においてダミー部にシリサイド層が形成されないように能動素子にシリサイド層１９０を形成する。 - 特許庁 - A semiconductor laser has a light-emitting layer forming section 12, constituted in a double heterostructure in which an active layer 7, is sandwiched between n- and p-type clad layers 8 and 6 and 4.
活性層７をｎ形およびｐ形のクラッド層８および６、４によりサンドイッチするダブルへテロ構造の発光層形成部１２を有している。 - 特許庁 - At the PNP transistor part, the single crystal silicon layer is included as a part of an emitter region, and at the NPN transistor part, the single crystal silicon layer is included as an active base region.
ＰＮＰトランジスタ部では、該単結晶シリコン層をエミッタ領域の一部とし、ＮＰＮトランジスタ部では、該単結晶シリコン層を活性ベース領域とする。 - 特許庁 - In the temperature-reducing process after growing a p-type GaAs cap layer 508, the substrate is exposed to AsH3 atmosphere to prevent introduction of group-V defect into the active layer.
p型GaAsキャップ層５０８成膜後の降温過程において、基板をAsH_3雰囲気に曝し、活性層にＶ族欠陥が導入されることを防止する。 - 特許庁 - The cathode mixture layer contains a cathode active material and a conductive agent, which latter occupies 7 wt.% to 13 wt.% of the cathode mixture layer.
正極合剤層は、正極活物質および導電剤を含み、導電剤は、正極合剤層の７重量％〜１３重量％を占める。 - 特許庁 - In an active region 19, a quantum well structure section 45a is provided between a first light confinement layer 43a and a second light confinement layer 47a.
活性領域１９では、量子井戸構造部４５ａは、第１の光閉じ込め層４３ａと第２の光閉じ込め層４７ａとの間に設けられている。 - 特許庁 - The active layer of the laser element 10 is a region sandwiched between the extending direction lines of the layers 34 of the layer 20.
また、ＧａＮ系半導体レーザ素子１０の活性領域は、活性層２０のうち高抵抗層３４の延長方向線で挟まれた領域である。 - 特許庁 - The organic EL light emitting element has a layer closely resembling to a monomolecular film of a surface-active agent between the transparent electrode and the organic EL layer.
有機ＥＬ発光素子は、透明電極と有機ＥＬ層との間に界面活性剤の単分子膜に近似した層を有することを特徴とする。 - 特許庁 - Outside a ridge part 20A near an end face, an insulating film of low refractive index (low refractive index layer 31) is used as the insulting film closer to an active layer 22.
端面付近のリッジ部２０Ａ外において、活性層２２に近い方の絶縁膜として、屈折率の低いもの（低屈折率層３１）が用いられている。 - 特許庁 - The laser resonator for laser-oscillating light emitted from the active layer 144 is constituted of the internal resonator, the external resonator and the diffraction optical layer.
活性層１４４から発せられた光をレーザー発振させるレーザー共振器が、内部共振器、外部共振器及び回折光学層により構成される。 - 特許庁 - To provide a polymeric compound which increases the field effect mobility of an organic transistor when used in an active layer (organic semiconductor layer) of the organic transistor.
有機トランジスタの活性層（有機半導体層）に用いた場合に、有機トランジスタの電界効果移動度が高くなる高分子化合物を提供する。 - 特許庁 - Thus, a refractive index difference between the clad layer and the active layer is secured and, at the same time, band discontinuity in a conduction band is enlarged.
クラッド層と活性層との間の屈折率差を確保することができると同時に、伝導帯におけるバンド不連続を大きくとることができる。 - 特許庁 - The thickness of the insulating layer 5 is so adjusted that the centers of the core of the optical waveguide and the active layer 7-1 of the optical element are equal in height.
絶縁層５の厚さは光導波路のコア２−２と光素子の活性層７−１の中心の高さとが一致するように調整される。 - 特許庁 - The active layer 15 has a multiple quantum well structure comprising a plurality of pairs of well layers and barrier layers, with film thickness of each well layer being 4-20 nm.
活性層１５は、複数対の井戸層と障壁層を有する多重量子井戸構造からなり、各井戸層の膜厚は4nm以上20nm以下である。 - 特許庁 - The active layer is constituted by an amorphous oxide semiconductor containing In, Ga, and Zn, and has a Zn concentration higher than the Zn concentration of the etching stopper layer.
活性層はＩｎ、ＧａおよびＺｎを含むアモルファス酸化物半導体で構成されており、Ｚｎ濃度がエッチングストッパ層のＺｎ濃度よりも高い。 - 特許庁 - The semiconductor light emitting device 1A includes a high resistance layer 3, an active layer 7, and DBR layers 6 and 8 that are stacked on a compound semiconductor substrate 2.
半導体発光素子１Ａでは、高抵抗層３、活性層７及びＤＢＲ層６，８が化合物半導体基板２上に積層されている。 - 特許庁
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