「active layer」を含む例文一覧(7476)
＜前へ 1 2 .... 17 18 19 20 21 22 23 24 25 .... 149 150 次へ＞- The positive electrode 1 comprises a positive electrode active material layer 12 composed of an unsintered body containing a first active material powder, a second active material powder, and a conduction assistant powder.
正極１は、第一活物質粉末と第二活物質粉末と導電助剤粉末とを含む非焼結体からなる正極活物質層１２を備える。 - 特許庁 - The electrode is provided with an active material layer which contains an active material powder formed of the active material particles and a solid electrolyte powder formed of the solid electrolyte particles.
活物質粒子からなる活物質粉末と、固体電解質粒子からなる固体電解質粉末とを含有する活物質層を備える電極である。 - 特許庁 - The negative active material layer 22B contains negative active material particles comprising a negative active material containing at least one of silicon and tin as a constituent element.
負極活物質層２２Ｂは、構成元素としてケイ素およびスズのうちの少なくとも一方を含有する負極活物質よりなる負極活物質粒子を含む。 - 特許庁 - The positive electrode 10 comprises a positive electrode current collector layer 11 and a positive electrode active material layer 12 formed on the positive electrode current collector layer 11.
正極１０は、正極集電体層１１と、正極集電体１１上に形成された正極活物質層１２とを備える。 - 特許庁 - Each of the light-emitting cells comprises a first conductive-type upper semiconductor layer, an active layer and a second conductive-type lower semiconductor layer.
この複数の発光セルは、それぞれが第１の導電型上部半導体層、活性層、第２の導電型下部半導体層を有する。 - 特許庁 - An organic semiconductor laser is composed of an anode 11, a first clad layer 12, an active layer 13, a second clad layer 14, and a cathode 15.
しかし、無機の半導体レーザー素子は発振波長が６２０〜８００ｎｍ程度と比較的長く、記録密度を高める事が困難であった。 - 特許庁 - The resonance sensor system provides an active layer 24 and a barrier layer 25 which have a hetero junction on an interface providing a two-dimensional electron gas layer.
共振センサ装置は、２次元電子ガス層を提供する、その界面にヘテロ接合を有する活性層２４およびバリア層２５を備える。 - 特許庁 - A first clad layer 15, an active layer 17, and a second clad layer 19 are mounted on the principal surface 13a of the semiconductor substrate 13.
第１のクラッド層１５、活性層１７及び第２のクラッド層１９が半導体基板１３の主面１３ａ上に設けられている。 - 特許庁 - The light emitting element 100 has a p-electrode 103, a p-type layer 104, an active layer 105, and an n-type layer 106 on a ceramic substrate 101.
発光素子１００は、セラミック基板１０１上にｐ電極１０３、ｐ型層１０４、活性層１０５、ｎ型層１０６を有している。 - 特許庁 - The planar light-emitting element has a light-emitting active layer 105 caught by a first conductivity-type semiconductor layer 104 and a second conductivity-type semiconductor layer 106.
面型発光素子は、第一の導電型の半導体層104と第二の導電型の半導体層106に挟まれた発光活性層105を有する。 - 特許庁 - The surface-emitting semiconductor laser has a lower multilayer film reflecting mirror, an n-type contact layer, an active layer, a p-type contact layer, and an upper multilayer film reflecting mirror.
面発光レーザは、下部多層膜反射鏡、ｎ型コンタクト層、活性層、ｐ型コンタクト層、及び、上部多層膜反射鏡を備える。 - 特許庁 - To obtain a large output at high temperatures by increasing the carrier concentration of a clad layer and preventing diffusion of impurities of the cladding layer into an active layer.
クラッド層のキャリア濃度を高めると共に、クラッド層中の不純物の活性層への拡散を防止して、高温で大きな出力を得る。 - 特許庁 - An optical guide layer 51, an active layer 52 and an optical guide layer 53 constituted of i-type InGaAsP are formed on an n-type InP substrate 50.
ｎ型ＩｎＰ基板５０の上に、ｉ型ＩｎＧａＡｓＰからなる光ガイド層５１、活性層５２及び光ガイド層５３を形成する。 - 特許庁 - An n-type drift layer 13 and a p-type base layer 15 are formed adjacent on the surface of a p-type semiconductor active layer 11.
ｐ型の半導体活性層１１の表面にｎ型のドリフト層１３とｐ型のベース層１５とが互いに隣接するように形成される。 - 特許庁 - An active layer 16 and a p-type GaN layer 17 are grown successively on the layer 15, and a light-emitting element structure is formed.
このｎ型ＧａＮ層１５上に活性層１６およびｐ型ＧａＮ層１７を順次成長させ、発光素子構造を形成する。 - 特許庁 - A contact interface of a p-type superlattice layer 1 and a light active layer 2 is nonparallel, especially vertical to a laminating plane of the p-type superlattice layer 1.
ｐ型超格子層１と光能動層２との接触界面を、ｐ型超格子層１の積層面と非平行に、特に、垂直にする。 - 特許庁 - The laser includes a first mirror layer 110 and a first active organic material layer 112 over a first mirror layer 110.
本発明は第１ミラー層（１１０）と、前記第１ミラー層（１１０）上の第１活性有機物質層（１１２）とを含むレーザーを包含する。 - 特許庁 - The optical semiconductor device 1 comprises a carbon-doped first cladding layer 3, a second cladding layer 5, an active layer 7, and a buried region 9.
光半導体デバイス１は、炭素ドープの第１のクラッド層３と、第２のクラッド層５と、活性層７と、埋め込み領域９とを備える。 - 特許庁 - A first cladding layer 15, an active layer 17, and a second cladding layer 19 are formed on the primary surface 13a of the semiconductor substrate 13.
第１のクラッド層１５、活性層１７及び第２のクラッド層１９が半導体基板１３の主面１３ａ上に設けられている。 - 特許庁 - The LED chip 4 comprises a lower clad layer 12, an active layer 13, and an upper clad layer 14 formed sequentially on a semiconductor substrate 11.
ＬＥＤチップ４は、半導体基板１１の上に、下クラッド層１２、活性層１３、および上クラッド層１４が順に形成されてなる。 - 特許庁 - The semiconductor device includes a circuit layer having an active element formed in a Si substrate and also includes a SiC layer provided in the lower side of the circuit layer.
Si基板に形成された能動素子からなる回路層と、前記回路層の下側に設けられたSiC層と、を有する半導体装置など。 - 特許庁 - An intrinsic GaAs wave-guiding layer 9 on a p-type AlGaAs clad layer 2 and the quantum dot active layer 3 is formed thereon.
ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層２上に真性ＧａＡｓ導波層９が形成され、その上に量子ドット活性層３が形成されている。 - 特許庁 - The upper part of the spacer layer, active layer, and buffer layer is worked into a mesa- stripe, with its both sides embedded with p/n-InP layers 8/9.
スペーサ層、活性層及びバッファ層の上部は、メサストライプ状に加工され、その両側はｐ／ｎ−ＩｎＰ層８／９で埋め込まれている。 - 特許庁 - In between the active layer and the tuning layer, a diffraction grating layer is arranged, whose refraction index periodically varies relative to the direction of an optical resonator.
活性層とチューニング層との間に、光共振器方向に関して屈折率が周期的に変化する回折格子層が配置されている。 - 特許庁 - A thin-film active layer is processed into a plurality of mesa shapes, and an isolation layer and a metalized layer having reflexivity are formed over the surface of the mesa.
薄膜活性層を複数のメサ形状に加工し、そのメサの表面に反射性を有するアイソレーション層とメタライズ層を形成する。 - 特許庁 - An active layer (not shown) composed of a nitride semiconductor material is formed between the n-type semiconductor layer 2 and the p-type semiconductor layer 3.
ｎ形半導体層２とｐ形半導体層３との間には窒化物半導体材料からなる活性層（図示せず）が設けられている。 - 特許庁 - The band gap of the current diffusing layer is smaller than that of the upper clad layer and larger than the energy corresponding to the light emitting wavelength of the active layer.
電流拡散層のバンドギャップは、上部クラッド層のバンドギャップよりも小さく、活性層の発光波長に対応するエネルギよりも大きい。 - 特許庁 - A flat surface optical waveguide 100 comprises a 1st cladding layer 101 and a guide layer including a plurality of quantum dots 103, namely, an active layer 102.
平面導波路１００は、第１のクラッド層１０１および複数の量子ドット１０３を含むガイド層すなわち活性層１０２を含む。 - 特許庁 - A semiconductor layer 20 including an active layer 22 is formed on a substrate 10, and a p-side electrode 31 is provided on the semiconductor layer 20.
基板１０上に、活性層２２を含む半導体層２０が形成され、半導体層２０上にｐ側電極３１が設けられている。 - 特許庁 - This electrode for the battery in which an active material having a large energy capacity such as silicon in the active material layer 10 is manufactured.
活物質層１０中にケイ素などのエネルギー容量の大きい活物質が含まれている電池用電極を作製する。 - 特許庁 - The active material layer 12 reversibly occludes and discharges lithium and includes an active material (A) containing metallic elements other than lithium.
活物質層１２は、リチウムを可逆的に吸蔵および放出し且つリチウム以外の金属元素を含む活物質（Ａ）を含む。 - 特許庁 - In addition, the solid electrolyte particle contained in the active material layer has an average particle diameter smaller than an average particle diameter of the active material particle.
また、活物質層に含まれる固体電解質粒子の平均粒径は、活物質粒子の平均粒径よりも小さい。 - 特許庁 - A negative electrode active material layer 13B contains a powder-like negative electrode active material containing Si or Sn as a component.
負極活物質層１３Ｂは、ＳｉまたはＳｎを構成元素として含む粉末状の負極活物質を含有している。 - 特許庁 - The negative electrode active material layer 21B contains, as a negative electrode active material, a substance containing Si or Sn as a constituent element.
負極活物質層２１Ｂは、負極活物質として、ＳｉまたはＳｎを構成元素として含む物質を含有している。 - 特許庁 - The negative electrode 10 for the nonaqueous electrolyte secondary battery has an active material layer 12 including particles 12a of an active material containing silicon.
非水電解液二次電池用負極１０は、シリコンを含む活物質の粒子１２ａを含む活物質層１２を備える。 - 特許庁 - The negative electrode active material layer 12 contains a substance containing Si or Sn as a component element as the negative electrode active material.
負極活物質層１２は、負極活物質として、ＳｉまたはＳｎを構成元素として含む物質を含有している。 - 特許庁 - The negative electrode active material layer 12 contains a negative electrode active material of a particle shape containing Si or Sn as a constituent element.
負極活物質層１２は、構成元素としてＳｉまたはＳｎを含む粒子状の負極活物質を含有している。 - 特許庁 - The negative electrode 10 for the polymer electrolyte secondary battery is equipped with an active material layer 12 containing particles 12a of an active material.
高分子電解質二次電池用負極１０は、活物質の粒子１２ａを含む活物質層１２を備えている。 - 特許庁 - A negative electrode active material layer 12 contains a negative electrode active material, and a polymer in which vinylidene fluoride is made as a binder component.
負極活物質層１２は、負極活物質と、結着剤であるフッ化ビニリデンを成分とする重合体とを含んでいる。 - 特許庁 - The smooth layer includes an indium composition less than the active region and is typically deposited at higher temperatures than the active region.
平滑層は、活性領域より低いインジウム組成を含み、典型的には、活性領域より高い温度で沈積される。 - 特許庁 - An anode active material layer 12 contains an anode active material and a crosslinking body with vinylidene fluoride to be a binder as an ingredient.
負極活物質層１２は、負極活物質と、結着剤であるフッ化ビニリデンを成分とする架橋体とを含有している。 - 特許庁 - The active waveguide has an asymmetrical taper formed by diagonal etching across an active layer during fabrication.
能動導波管は、製作中に能動層を横切る対角線方向のエッチングにより形成される非対称テイパを持っている。 - 特許庁 - The cathode plate includes a cathode active material layer 2 containing a cathode active material coated on either side of a cathode collector 1.
正極板には、正極集電体１の両面に正極活物質を含む正極活物質層２が塗着されている。 - 特許庁 - To provide a negative electrode for a nonaqueous electrolyte secondary battery, which can prevent a fallout of an active material from an active material layer.
活物質層からの活物質の脱落を効果的に防止し得る非水電解液二次電池用負極を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method of calculating the thickness of a third light transmission layer of a three-layer structure, and a method of manufacturing an SOI wafer for thinning the film thickness of an active layer, while exactly computing the thickness of the active layer.
３層構造体の第３の光透過層の厚さの算出方法および活性層の厚さを正確に算出しながら前記活性層の薄膜化を行うＳＯＩウェーハの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - A first resin binder layer 14 is formed between the positive current collector 5 and the positive active material layer 6 combined with the positive current collector 5, and a second resin binder layer 16 is formed on the opposite side of the positive active material layer 6.
正極集電体５と、それに組み合わされた正極活物質層６との間には第１の樹脂結合層１４および正極活物質層６の反対側には第２の樹脂結合層１６が設けられている。 - 特許庁 - The first part 29 is positioned between the second part 31 and the active layer 17.
第１の部分２９は、第２の部分３１と活性層１７との間に位置する。 - 特許庁 - ACTIVE ENERGY RAY-CURABLE HARD-COATING RESIN COMPOSITION AND LAMINATE BEARING HARD-COATING LAYER
活性エネルギー線硬化ハードコート樹脂組成物およびハードコート層を含む積層体 - 特許庁 - By the dissolution of the side of the active layer 3, damage by dry etching is removed.
この活性層３側面の溶解により、ドライエッチングでのダメージが除去される。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device which can prevent the diffusion of impurities into an active layer.
不純物の活性層への拡散を防止可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁
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