「active layer」を含む例文一覧(7476)
＜前へ 1 2 .... 7 8 9 10 11 12 13 14 15 .... 149 150 次へ＞- A buffer layer 2, an n-type clad layer 3, a multiple well structure active layer 4, and a p-type clad layer 5 are provided on a silicon wafer 1 of low resistance.
低抵抗のシリコン基板１の上にバッファ層２、ｎ型クラッド層３、多重井戸構造活性層４、ｐ型クラッド層５を設ける。 - 特許庁 - To prevent the generation of uneven rainbows at the time of curing an active ray curing substance layer by irradiating the layer with active rays in the case of continuously forming an active ray cured layer on a resin film and to provide an optical thin film such as an antireflection layer having no uneven application when the optical thin film is formed on the active ray cured layer by application.
樹脂フィルム上に活性線硬化層を連続的に形成するにあたり、活性線を照射して活性線硬化物層を硬化させる際、虹むらの発生を防ぎ、その上に反射防止層のような光学薄膜を塗布により形成した際、塗布むらがない光学薄膜を提供する。 - 特許庁 - The solid secondary battery system includes a solid secondary battery having a positive electrode active material layer, a negative electrode active material layer, and a solid electrolyte layer formed between the positive electrode active material layer and the negative electrode active material layer, and a switch provided outside of the solid secondary battery and for starting an overdischarge treatment.
固体二次電池システムは、正極活物質層、負極活物質層、並びに、前記正極活物質層および前記負極活物質層の間に形成された固体電解質層を有する固体二次電池と、固体二次電池の外部に設けられ、固体二次電池の過放電処理を開始するためのスイッチと、を備える。 - 特許庁 - The cell element 35 has a positive pole active material layer 32 and a negative pole active material layer 37, which are formed on the positive pole current-collecting foil 31 and the negative pole current-collecting foil 36, respectively, and face each other; and an electrolytic layer 41, interposed between the positive pole active material layer 32 and the negative pole active material layer 37.
電池要素３５は、正極集電箔３１および負極集電箔３６にそれぞれ設けられ、互いに対向する正極活物質層３２および負極活物質層３７と、正極活物質層３２と負極活物質層３７との間に介在する電解質層４１とを有する。 - 特許庁 - The distributed feedback semiconductor laser device is provided with an active layer 23 to join carriers again, clad layers 24 and 26 as a p-type semiconductor layer for supplying a hole to the active layer 23, a buffer layer 22 as an n-type semiconductor layer for supplying an electron to the active layer 23, a diffraction lattice layer 25 formed in the p-type semiconductor layer, and so on.
分布帰還型半導体レーザ素子は、キャリア再結合を行う活性層２３と、活性層２３へホールを供給するｐ型半導体層であるクラッド層２４，２６層と、活性層２３へ電子を供給するｎ型半導体層であるバッファ層２２と、ｐ型半導体層の中に形成された回折格子層２５などで構成される。 - 特許庁 - An active substance layer with a plurality of active substance material layers made of an active substance material laminated is provided on the surface of a collector.
集電体の表面上において、活物質材料からなる活物質材料層の複数層が積層された活物質層を設ける。 - 特許庁 - In the two-dimensional photonic crystal light-emitting diode, an active layer has a two-layer structure of a first active layer 12 emitting light of a short wavelength side and a second active layer 13 emitting light of a long wavelength side, and a two-dimensional photonic crystal structure is formed in the second active layer 13 and a second semiconductor layer 14 laminated thereupon.
本発明に係る２次元フォトニック結晶発光ダイオードでは、活性層を、短波長側の光を発する第１活性層１２と、長波長側の光を発する第２活性層１３の２層構造にし、第２活性層１３とその上に積層された第２半導体層１４に対して２次元フォトニック結晶構造を形成している。 - 特許庁 - A p-type InP clad layer 4 with Mg doped, an InGaAsP light confinement layer 5, an InGaAsP MQW active layer 6, an n-type InGaAsP light confinement layer 7, and an n-type InP clad layer 8, are sequentially stacked thereon.
その上に、Mgをドープしたｐ型InPクラッド層４、InGaAsP光閉込層５、InGaAsP MQW活性層６、ｎ型InGaAsP光閉込層７、ｎ型InPクラッド層８を順次積層した構造とする。 - 特許庁 - A hole transporting layer 8 is formed between adjacent insulator films 7 and on the active layer/hole injection layer 6 and a light emitting layer 9 is formed on the hole transporting layer 8.
隣り合う絶縁膜７の間でかつ活性層兼ホール注入層６上にホール輸送層８を形成し、このホール輸送層８上に発光層９を形成する。 - 特許庁 - An upper clad layer 106 is constituted of a first upper clad layer 106a on the side of an active layer 105 and a second upper clad layer 106b on the first upper clad layer 106a.
上部クラッド層１０６が、活性層１０５側の第１上部クラッド層１０６ａとその上の第２上部クラッド層１０６ｂとによって構成されている。 - 特許庁 - On an opening 30A of an insulating layer 20 on a surface of a substrate 10, a lower clad layer 22, an active layer 23, an upper clad layer 34, and a contact layer 28 are formed in order.
基板１０表面の絶縁層２０の開口３０Ａ上に、下部クラッド層２２と、活性層２３と、上部クラッド層３４と、コンタクト層２８とが順に形成されている。 - 特許庁 - An AlGaN barrier layer/InGaN well layer/AlGaN barrier layer is used as the active layer 22, and a difference in an Al composition of the barrier layer is set to ≤3% to make the barrier symmetrical.
活性層２２としてＡｌＧａＮバリア層／ＩｎＧａＮ井戸層／ＡｌＧａＮバリア層を用い、バリア層のＡｌ組成の差を３％以下にしてバリアを対称とする。 - 特許庁 - The semiconductor light emitting element 1 includes a first semiconductor layer 3, an active layer 5, a second semiconductor layer 7, a third semiconductor layer 9, and a current blocking semiconductor layer 11.
半導体発光素子１は、第１の半導体層３と、活性層５と、第２の半導体層７、第３の半導体層９と、電流ブロック半導体層１１とを備える。 - 特許庁 - In such a semiconductor laser, the difference between the Eg (band gap energy) of the first guide layer 4 and the second guide layer 8 and the Eg of the active layer 6 is made 0.66 times or less of the difference between the Eg of the first cladding layer 3 and the second cladding layer 9 and the Eg of the active layer 6.
このような半導体レーザにおいて、第１ガイド層４、第２ガイド層８のEg（バンドギャップエネルギー）と活性層６のEgとの差が、第１クラッド層３、第２クラッド層９のEgと活性層６のEgとの差の０．６６倍以下となるようにする。 - 特許庁 - The first resonator 12 has a first semiconductor layer 20 including a first buffer layer 21 and a first active layer 23, while the second resonator 13 has a second semiconductor layer 30 including a second buffer layer 31 and a second active layer 33.
第１の共振器１２は、第１のバッファ層２１と第１の活性層２３を含む第１の半導体層２０とを有し、第２の共振器１３は、第２のバッファ層３１と第２の活性層３３を含む第２の半導体層３０とを有している。 - 特許庁 - A thiaxanthenothiaxanthene compound with a specific structure is used as an active layer.
特定構造のチアキサンテノチアキサンテン化合物を活性層として用いる。 - 特許庁 - Thus, the composition ratio of In can be easily controlled, and a high-quality active layer and interface of the active layer can be provided.
これによりＩｎの組成比を制御することが容易となり、かつ良質の活性層および活性層の界面を提供することができる。 - 特許庁 - ACTIVE ENERGY RAY-CURABLE RESIN COMPOSITION, ADHESIVE LAYER AND LAMINATE
活性エネルギー線硬化型樹脂組成物、接着剤層および積層体 - 特許庁 - Further, the active layer 22 has the plurality of quantum well layers having the double heterostructures, the light emission efficiency of the active layer 22 is enhanced.
また、前記活性層２２はダブルヘテロ構造の複数の量子井戸層を有するので、活性層２２における発光効率が高められる。 - 特許庁 - The thickness of the active layer 11 is 1 to 30 μm.
活性層１１の肉厚は、１μｍから３０μｍの範囲内である。 - 特許庁 - METHOD OF EVALUATING ACTIVE LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING PHOTO-SEMICONDUCTOR DEVICE
活性層の評価方法及び光半導体装置の製造方法 - 特許庁 - Compositional ratio of In is thereby controlled easily, and a good quality active layer and the interface of the active layer are provided.
これによりＩｎの組成比を制御することが容易となり、かつ良質の活性層および活性層の界面を提供することができる。 - 特許庁 - ACTIVE CARBON FOR ELECTRODE OF ELECTRIC DOUBLE-LAYER CAPACITOR, AND ITS MANUFACTURING METHOD
電気二重層キャパシタ電極用活性炭およびその製造方法 - 特許庁 - The negative electrode active material layer is formed on the negative electrode current collector.
負極活物質層は、負極集電体上に形成されている。 - 特許庁 - The negative electrode includes a negative electrode current collector and an negative electrode active material layer.
負極は、負極集電体と、負極活物質層とを有する。 - 特許庁 - To improve in-plane uniformity at an active layer position in a direction vertical to a semiconductor substrate surface, and to accurately control the active layer position.
半導体基板面に対し垂直方向の活性層位置の面内均一性の向上及び高精度の活性層位置制御を図る。 - 特許庁 - OPTICAL DISK AND ACTIVE ENERGY BEAM CURING COMPOSITION FOR LIGHT TRANSMISSION LAYER
光ディスク及び光透過層用活性エネルギー線硬化型組成物 - 特許庁 - Also, the respective resonance surfaces are cleaved along a cleavage guide groove 203 formed on at least the active layer between the active layer and the substrate.
また、各共振面は、活性層及び基板のうちの少なくとも活性層に形成された劈開ガイド溝２０３に沿って劈開されている。 - 特許庁 - An active layer is formed in a part of a periphery of the first semiconductor.
活性層は第１半導体の周囲の一部に形成されている。 - 特許庁 - As a result, since the maximal position of the light intensity distribution is shifted from that of the active layer, optical deterioration of the active layer can be suppressed.
このことにより、光強度分布の最大位置が活性層からはずれるため、活性層の光学的劣化を抑制することが可能になる。 - 特許庁 - Light of high luminous efficiency, emitted from the first active layer 12, is absorbed by the second active layer 13 and light excitation is caused to emit light again by the second active layer 13 with high efficiency.
しかしながら、第１活性層１２から放射された発光効率の高い光が第２活性層１３で吸収され、光励起が生じることにより、第２活性層１３で光が高効率で再発光される。 - 特許庁 - A pressing force is exerted on the region of the active material layer in the electrode group 50 except for the marginal part of the positive electrode active material layer 12 and the marginal part of the negative electrode active material layer 22 by the protrusion 85.
そして、上記凸部８５によって、電極群５０における、正極活物質層１２の縁部および負極活物質層２２の縁部を除く活物質層の領域に、押圧力が加えられている。 - 特許庁 - A total quantity of the conductive materials A, B, C included in the positive electrode active material layer is 8 to 20 mass% of the positive electrode active material layer.
前記正極活物質層に含まれる導電材Ａ，Ｂ，Ｃの合計量は、前記正極活物質層の８〜２０質量％である。 - 特許庁 - The semiconductor transistor 11 includes an active layer 3 made of the GaN-based semiconductor and the gate insulator formed on the active layer 3.
半導体トランジスタ１１は、ＧａＮ系の半導体から成る活性層３と、活性層３上に形成されたゲート絶縁膜とを備える。 - 特許庁 - ELECTRODE ACTIVE MATERIAL FOR ELECTRIC DOUBLE-LAYER CAPACITOR, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
電気二重層キャパシタ用電極活物質およびその製造方法 - 特許庁 - A source electrode 6, a drain electrode 7 and a semiconductor active layer 8 are formed by etching the second metal films 16a and 16b of the semiconductor active layer, the ohmic contact film 4b, and one part of the upper layer of the semiconductor active film 4a.
半導体活性部の第２の金属膜１６a、１６b及びオーミックコンタクト膜４bと半導体能動膜４aの上層の一部をエッチングしソース電極６、ドレイン電極７、半導体活性層部８を形成する。 - 特許庁 - An organic active layer material solution includes an organic active layer material, a first organic solvent, and a second organic solvent of a higher boiling point.
有機活性層材料溶液は、有機活性層材料、第１の有機溶媒及びより沸点の高い第２の有機溶媒から構成される。 - 特許庁 - An active layer 33 is formed on this back gate insulation film 11.
このバックゲート絶縁膜１１上に能動層３３が形成される。 - 特許庁 - A light shielding film 3 having conductivity is formed under an active layer 7 of the TFT to shield the light entering the active layer 7.
ＴＦＴの活性層７の下層側には、活性層７に侵入する光を遮光する、導電性を有する遮光膜３が形成される。 - 特許庁 - To provide a lithium ion secondary battery having a current collector with an active material layer stacked thereon, in which the exfoliation of the active material layer from the current collector is suppressed.
集電体に活物質層を積層したリチウムイオン二次電池において、集電体からの活物質層の剥離を抑制可能とする。 - 特許庁 - The inorganic n-channel TFT has an amorphous Si active layer, and the organic p-channel TFT has an α-hexathienylene (α-6T) active layer.
ｎ−チャネル無機ＴＦＴはアモルファスＳｉ活性層を有し、ｐ−チャネル有機ＴＦＴはα−ヘキサチエニレン（α−６Ｔ）活性層を有する。 - 特許庁 - A side wall insulating film 18 whose film thickness is larger than the gate insulating film 21 positioned above the active layer 12 is disposed by surrounding a periphery of the active layer 12.
活性層12上に位置するゲート絶縁膜21よりも膜厚が大きい側壁絶縁膜18を、活性層12の周囲を囲んで設ける。 - 特許庁 - The weight ratio of the active material (A) in the second layer 12b is higher than the weight ratio of the active material (A) in the first layer 12a.
そして、第２の層１２ｂにおける活物質（Ａ）の重量比は、第１の層１２ａにおける活物質（Ａ）の重量比よりも高い。 - 特許庁 - ACTIVATED CARBON AND ELECTRODE FOR ELECTRIC DOUBLE-LAYER CAPACITOR EMPLOYING ACTIVE CARBON
活性炭及び活性炭を用いた電気二重層キャパシタ用電極 - 特許庁 - ACTIVE CARBON RAW MATERIAL FOR ELECTRIC DOUBLE-LAYER CAPACITOR ELECTRODE, AND ACTIVATED CARBON
電気二重層キャパシタ電極用活性炭原料及び活性炭 - 特許庁 - The semiconductor laser device comprises an active layer 6, a pair of guide layers 4 and 8 provided with the active layer 6 in between, a pair of clad layers 3 and 9 provided with the active layer 6 and the guide layers 4 and 8 in between.
半導体レーザ装置は、活性層６と、活性層６を挟んで設けられた一組のガイド層４，８と、活性層６およびガイド層４，８を挟んで設けられた一組のクラッド層３，９とを有する。 - 特許庁 - A nonaqueous electrolyte secondary battery containing HPC (hydroxypropyl cellulose) in at least one of a positive electrode active material layer 2 and a negative electrode active material layer 4 is manufactured.
正極活物質層又は負極活物質層の少なくとも一方にＨＰＣを含有する非水電解液二次電池を作製する。 - 特許庁 - A gate oxide layer is arranged on the stripe-shape active region.
ゲート酸化層は基板のストライプ状アクティブ領域上に配置される。 - 特許庁 - This makes easier a composition ratio control of In, and can offer the fine active layer and the interface of the active layer simultaneously.
これによりＩｎの組成比を制御することが容易となり、かつ良質の活性層および活性層の界面を提供することができる。 - 特許庁 - Preferably the indium oxide is deposited from the active layer.
好ましくは、前記酸化インジウムは、活性層から析出されたものである。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
