「atomic method」を含む例文一覧(635)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 次へ＞- To achieve an atomic absorption photometer according to an electrical heating oven analysis method for improving analysis accuracy by limiting the reflection light of the light emission of a graphite pipe entering a spectroscope and minimizing the reduction in the quantity of measured light.
分光器に入射する黒鉛管発光の反射光を制限し測定光量の低下を最小限として分析精度を向上できる電気加熱炉分析法による原子吸光光度計を実現する。 - 特許庁 - One manufacturing method of the InSbO_4-contained transparent conductive membrane is to sputter simultaneously a target comprising a sintered compact consisting of In, Sb, and O with an atomic ratio of 1:0.9 to 1.1 for In:Sb, and a target consisting of Sb.
ＩｎとＳｂとＯからなり原子比Ｉｎ：Ｓｂが１：０．９〜１．１である焼結体からなるターゲットとＳｂからなるターゲットとを同時にスパッタすることによるＩｎＳｂＯ_4含有導透明電性膜の製造方法。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a halftone phase shift mask by which no correction scum of a residual defect is left when the residual defect of a halftone phase shift mask is removed by using an AFM (atomic force microscope) correcting device.
ハーフトーン型位相シフトマスクの残留欠陥をＡＦＭ型修正機を用いて除去する際、残留欠陥の修正カスを残さないハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To relax stress generated in a thin film, and improve adhesion to the thin film, and further raise the film developing rate on a substrate by the Atomic Layer Epitaxy(ALE) method.
基板上にＡＬＥ法により薄膜を形成する薄膜の形成方法において、薄膜に発生する応力を緩和するとともに、薄膜の下地に対する密着性を向上させ、更に、成膜レートを向上させる。 - 特許庁 - To provide a nickel-chromium alloy or a surface layer coated with the nickel-chromium alloy, which has superior corrosion resistance, surface cleanliness and antibacterial activity, and a flat surface in an atomic level, and to provide a surface treatment method therefor.
高耐食性、表面清浄性、抗菌性に優れた、原子レベルで平坦な表面を有するニッケル−クロム合金又はニッケル−クロム合金による表面被覆層とその表面処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a conjugated diene polymer having a high cis 1,4-structure content using a polymerization catalyst comprised of a compound bearing a bulky ligand of a metal of an atomic number of 57-71.
嵩高い配位子を有する原子番号５７〜７１の金属の化合物からなる重合触媒を用いた、シス１，４−構造含有率の高い共役ジエン類の重合体の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method for forming various kinds of semiconductor thin films includes irradiating the substrate simultaneously with a semiconductor molecule beam evaporated from the vapor deposition unit 5, and the atomic beam emitted from the gas dissociation irradiation unit 6.
蒸着装置５より蒸発した半導体分子ビームと、気体解離照射装置６より射出した原子ビームを、基板上に、同時に照射することによって多種類の半導体薄膜を作製する。 - 特許庁 - Each of the joining films 15 and 25 is formed by the plasma polymerization method, including both an Si-skeleton with a random atomic structure which includes a siloxane bonding, and a leaving group bonded with the Si-skeleton.
各接合膜１５、２５は、それぞれプラズマ重合法により形成されたものであり、シロキサン結合を含むランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、該Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含むものである。 - 特許庁 - The method for producing an organic fluorine compound comprises substitution of a fluorine atom bonded to the sp2 hybrid carbon atom in the fluorine-containing olefin with another atom or atomic group in the presence of an organic palladium complex or an organic nickel complex.
有機パラジウム錯体又は有機ニッケル錯体の存在下に、含フッ素オレフィン中のｓｐ２混成炭素原子に結合したフッ素原子を、他の原子又は原子団で置換する、有機フッ素化合物の製造方法。 - 特許庁 - To provide a method of treating the sea sand, sea sludge, etc., produced mainly from near the water intakes of atomic power and thermal power plants and near the places alongside which ships come and converting the same to organic fertilizers and a manufacturing apparatus for the same.
主として原子力・火力発電所の取水口付近、および船舶接岸地付近から発生する海砂・海汚泥等の処理と有機肥料への転換方法およびその製造装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an atomic absorption spectrophotometer in which the change of an autosampler is not required at all when the analytical method is changed matching with the property of a sample or the concentration of a component to be measured contained in the sample.
試料の性質や試料中に含まれる被測定成分の濃度にあわせて分析方法の変更を行う際に、オートサンプラの変更を一切必要としない原子吸光分光光度計を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of forming a tantalum oxide capacitor which can enhance the property of step coverage of a tantalum oxide thin film, and can enhance the electric property of a capacitor by depositing a tantalum oxide and applying an atomic layer thin film deposition method.
原子層薄膜蒸着法を適用して酸化タンタルを蒸着することで、酸化タンタル薄膜のステップカバレージの特性を向上させることができると共に、コンデンサーの電気的特性を向上させる酸化タンタルコンデンサーの形成方法を提供する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the gas barrier film is first to unwind the polymer film, and then, form an inorganic matter layer in an atmosphere of gas plasma containing a carbon element with 0.1 to 10% carbon atomic number to the oxygen atomic number charged during forming the inorganic matter layer, when the inorganic matter layer is formed on the surface of the film by vaporizing a metal.
かかるガスバリア性フィルムの製造方法は、高分子フィルムを巻き出したのち、次いで、金属を蒸気化して該フィルム表面上に無機物層を形成する際に、該無機物層を、該無機物層形成時に投入される酸素原子数に対する炭素原子数の０．１〜１０％である炭素元素含有ガスプラズマ雰囲気中で形成することを特徴とするものである。 - 特許庁 - A method is constituted by sputtering a first gate electrode film 4 adjacent to a gate insulation film 3 with use of an inert gas having an atomic number larger than Ar as discharge gas and sputtering a second gate electrode film 5 on the first gate electrode film 4 with an Ar gas or Ar gas mixed with the inert gas having a larger atomic number than Ar 50% or less.
ゲート絶縁膜３に接する第１のゲート電極膜４をＡｒよりも大きな原子数の不活性ガスを放電ガスに用いてスパッタリングし、第１のゲート電極膜４上の第２のゲート電極膜５をＡｒガス又はＡｒにＡｒよりも大きな原子数の不活性ガスを５０％以下の割合で混合したガスを放電ガスに用いてスパッタリング成膜する。 - 特許庁 - To provide a method to easily measure phase difference by using a scanning atomic force microscope(AFM) without peeling a resist 1 during manufacturing a Levenson type phase shift mask, and to provide a method for manufacturing phase shift mask such that the manufacture process of a Levenson phase shift mask can be significantly reduced by using the above method for measuring the phase difference.
レベンソン位相シフトマスクの製造途中にレジスト１を剥離せずに、走査型原子間力顕微鏡(AFM)を用いて簡便に位相差を測定する方法を提供し、この位相差測定方法を用いてレベンソン位相シフトマスクの製造プロセスを大幅に短縮することが可能になる位相シフトマスク製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device and a substrate processing apparatus capable of providing a titanium nitride film that is higher in quality than a titanium nitride film formed by the conventional CVD method at a higher film-forming rate, that is, with higher productivity than a titanium nitride film formed by an ALD (Atomic Layer Deposition) method.
従来のＣＶＤ法で形成された窒化チタン膜と比較して良質な窒化チタン膜を、ＡＬＤ法で形成された窒化チタン膜と比較して速い成膜速度で、すなわち高い生産性で提供することが可能な半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供することにある。 - 特許庁 - The hydrogen concentration of the surface atomic layer of a sample (a substrate 20) is measured in the surface treatment apparatus without extracting the sample in atmospheric air, by conducting in the vacuum chamber 2 of the surface treatment apparatus by using the elastic recoil-particle detecting method by the low-energy ion scattering spectral method.
低エネルギーイオン散乱分光法による弾性反跳粒子検出法を用い、表面処理装置の真空室２内で行うことによって、試料（基板２０）を大気中に取り出すことなく表面処理装置内において、試料の表面原子層の水素濃度の測定を行う。 - 特許庁 - To provide: a method of growing a gallium nitride-based compound semiconductor, using a substrate made of a diboride single crystal having on its surface an atomic step linear as a whole and a flat terrace without pits and projections on its surface, and to provide a method of processing the surface of a substrate made of a diboride single crystal.
全体が直線状の原子ステップ及び表面に凹凸のない平坦なテラス部を表面に有する二硼化物単結晶から成る基板を用いた窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法、及び二硼化物単結晶から成る基板の表面処理方法を提供すること。 - 特許庁 - Thus, the method can employ the organometallic complex having the ligand of β-diketone, which has been difficult to employ in a conventional method for forming the atomic layer with vapor deposition, and can remove an organic material which has been a problem in employing the organometallic complex, with the oxygen free radicals generated in plasma.
従来の原子層蒸着方法では使用が困難であったβ−ジケトンの配位子を有する有機金属錯体を使用することができ、しかもこの有機金属錯体の使用時に問題となっていた有機物をプラズマで生成された酸素ラジカルで除去することができる。 - 特許庁 - In the electrical double layer capacitor obtained by the production method of electrical double layer capacitor electrode active material, the atomic ratio (H/C) of hydrogen to carbon is in the range of 0.35-0.42, and the specific surface area is in the range of 5-65 m^2/g.
また、上記の電気二重層キャパシタ電極活物質の製造方法によって得られ、炭素に対する水素の原子比（Ｈ／Ｃ）が０．３５〜０．４２の範囲内に、さらに比表面積が５〜６５ｍ^２/ｇの範囲内とする。 - 特許庁 - To provide an evaluation method taking the place of H/C (an atomic ratio of hydrogen to carbon) because H/C is considered to be insufficient as an index estimating an amt. of soot from light oil from an aspect of accuracy when the difference of the amt. of PM (particulate matter) between light oils becomes small.
軽油間でのＰＭ量の差が小さくなった場合、Ｈ／Ｃは軽油から煤量を予測する指標として、精度的に不十分と考えられ、Ｈ／Ｃに代わる評価法を提案することを課題とする。 - 特許庁 - This method includes a step for simulating situations of an atomic power plant based on various status values and judges (a step 103) whether fuel is valid or not at the time of simulating conditions of the plant.
発明に係る方法は原子力発電プラントの状態を様々な状態値に基づいて模擬する段階を含み、原子力発電プラントの状態を模擬するにあたり、燃料が健全であるか、否かを判定する（ステップ１０３）。 - 特許庁 - In the carbon fiber chopped strand for thermoplastic resins, total content of a monovalent or divalent metal element measured by a flame atomic absorption method is 50-600 ppm and the amount of a sizing agent added to the strand is 1.5-6.0 mass%.
フレーム原子吸光分析法により測定される１価又は２価の金属元素の総含有量が５０〜６００ ｐｐｍで、サイズ剤付着量が１．５〜６．０質量％である熱可塑性樹脂用炭素繊維チョップドストランド。 - 特許庁 - Since each atomic layer is simultaneously deposited on both substrate surfaces by the above method and film stresses balance on both surfaces even if each layer has a film stress, the substrate hardly causes warpage even when the large area ultrathin substrate is applied.
この製造方法では基板両面に原子層毎同時に堆積され、各層に膜応力があったとしても両面で膜応力がバランスするため、大面積超薄基板を適用しても基板の反りが起こり難い。 - 特許庁 - The method utilizes atomic layer deposition technology, by which nitric acid metal base precursor (for example, nitric acid hafnium or nitric acid zirconium) can be incorporated, without introducing hydroxylating agent or oxidizing agent (for example, water), while the interface layer is formed.
これらの方法は、界面層の形成の間、硝酸金属ベースプリカーサ（例えば、硝酸ハフニウムまたは硝酸ジルコニウム）を水酸化剤または酸化剤（例えば、水）を導入することなく組み込む原子層堆積技術を利用する。 - 特許庁 - To provide an efficient method for making a function public to a set of components sharing the function via a common context without requiring an expensive complicated atomic coupling between a service and a component or duplication of a service instance.
機能を、コスト高で複雑なサービスとコンポーネントとの原子的結合や、サービスインスタンスの複製を必要とせず、共通のコンテキストでこの機能を共有するコンポーネントの集合に公開する効率的な方法を提供すること。 - 特許庁 - An elastic wave device includes a piezoelectric substrate 10, a comb-shaped electrode 12 formed on the piezoelectric substrate 10, and an insulative film 16 formed on a surface of the comb-shaped electrode 12 by using Atomic Layer Deposition (ALD) method and including aluminum oxide.
圧電基板１０と、圧電基板１０上に形成された櫛形電極１２と、櫛形電極１２の表面にＡＬＤ法により形成された酸化アルミニウムを含む絶縁膜１６と、を備えることを特徴とする弾性波デバイス。 - 特許庁 - An Ni ultrathin film 12 of ≤10 nm in thickness and ≥1 atomic layer is formed by vacuum deposition method in contact with a semiconductor layer 11 forming a light emitting diode structure, and an Ag electrode 13 is formed thereupon.
発光ダイオード構造を形成する半導体層１１に接して、厚さが１０ｎｍ以下で１原子層以上のＮｉ超薄膜１２を真空蒸着法などにより形成し、その上にＡｇ電極１３を形成する。 - 特許庁 - To provide a suction cylinder blast preventing device in an atomic bomb protection chamber preventing intrusion of a blast from a suction pipe by a method of attaching a normally closed opening and closing valve closing when blast intrudes in a midway part of the suction pipe.
吸気管の途中に爆風が侵入すると閉じ、通常は開いている開閉弁を取付ける方法によって、吸気管からの爆風の侵入を防止する原爆防護室に於ける吸気筒爆風防止装置を提供する。 - 特許庁 - The whole property is inspected in a customized method composed of repeated call of the property inspection schema related to each of the operators F(p), G(p), U(p, q), and X(p), and a standard process to an atomic proposition and Boolean operator.
特性全体は、Ｆ（ｐ）、Ｇ（ｐ）、Ｕ（ｐ， ｑ）、Ｘ（ｐ）の各演算子に関する特性検査スキーマの反復呼び出しと、原子命題およびブール演算子の標準的な処理で構成されるカスタマイズされた方法で検査される。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a silicon oxide film (SiO_2 film) in which when the silicon oxide film is manufactured by using an RS-CVD unit, efficiency in atomic oxygen generation is raised so that the quality of the silicon oxide film is improved.
ＲＳ−ＣＶＤ装置を用いてシリコン酸化膜（ＳｉＯ_２膜）を作製する際に、原子状酸素の発生効率を高めてシリコン酸化膜の膜質を向上させることのできるシリコン酸化膜作製方法を提案する。 - 特許庁 - To provide a tapping mode atomic force microscope (AFM) allowing measurement of a delicate sample or a flexible material, and capable of reducing impact force between a probe and the sample acting during collision; and its operation method.
繊細な試料や柔軟な素材の計測を可能にする、衝突の間に作用するプローブと試料の間の衝撃力を低減する実施可能なタッピングモード原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）及びその操作方法を提供する。 - 特許庁 - The raw material for a chemical vapor phase growth method composed of an alkoxide raw material containing tantalum Ta and alkaline- earth metals in a unimolecule in the atomic ratio of 2:1 and a bismuth layered compound formed by the alkoxide raw material are composed.
単分子中にタンタルＴａとアルカリ土類金属とを、２：１の原子比率で含有するアルコキシド原料よりなる化学的気相成長法用原料、及びこのアルコキシド原料より形成したビスマス層状化合物を構成する。 - 特許庁 - In this method, a micro phase separation structure film is irradiated with normal-pressure plasma, and the film is etched up to a part allowing confirmation of the micro phase separation structure, and then the surface is observed by an atomic force microscope (AFM), to thereby confirm the micro phase separation structure.
ミクロ相分離構造膜に、常圧プラズマを照射し、ミクロ相分離構造が確認可能な部分まで膜をエッチングした後、表面を原子力間顕微鏡（ＡＦＭ）で観察することによりミクロ相分離構造を確認する方法である。 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for releasing energy from atoms, when electrons are stimulated in such a way so as to relax to a lower energy level and to a state of small size, by providing an energy hole which resonates with transfer according to a new atomic model.
新たな原子モデルに従い、移転に共振するエネルギーホールを与えることにより電子をよりエネルギー準位且つ大きさの小さい状態に弛緩するよう刺激する際に、原子からエネルギーを開放する方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - In this defect inspecting method for the color filter, a surface potential of the color filter is measured by an atomic force microscope, and a defect in the surface is inspected based on a difference between the maximum value and the minimum value in the surface potential.
カラーフィルターの欠陥検査方法であって、カラーフィルターの表面電位を原子間力顕微鏡で測定し、表面電位の最大値と最小値の差から表面の欠陥を検査することを特徴とするカラーフィルターの欠陥検査方法。 - 特許庁 - To provide a scanning probe microscope and its measurement setting method capable of specifying a measuring spot on the sample surface highly accurately at high speed, and aligning the spot with a probe, to thereby heighten measurement efficiency by an atomic force microscope or the like.
試料表面の測定箇所を高速にかつ高精度に特定して探針との位置合わせを行い、原子間力顕微鏡等により測定の効率を高める走査型プローブ顕微鏡およびその測定設定方法を提供する。 - 特許庁 - The silver halide photographic emulsion contains ≥50% by number of silver halide grains each having ≥10 nm thickness of a short-range repulsion region measured by a force curve method using an atomic force microscope.
原子間力顕微鏡を用いたフォースカーブ法によって測定される、近距離反発力領域の厚さが、１０ｎｍ以上であるハロゲン化銀粒子を粒子個数比率で５０％以上含有することを特徴とするハロゲン化銀写真乳剤である。 - 特許庁 - To provide a method of analyzing mercury in exhaust gas and a device therefor capable of preventing function decline of a decomposition filler caused by adhesion of organic matter, and correcting drift of a zero value of the mercury concentration caused by the organic matter when performing atomic absorption spectrometry.
有機物の付着による分解充填剤の機能低下を防止し、原子吸光分析時における有機物に起因した水銀濃度０値のドリフトを補正可能な排ガス中の水銀分析方法およびその装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a ground improvement construction method by which, even if a rock bed is not present up to an embedding depth level at which an embedding effect is obtained in a construction site for an atomic-energy-related building, the embedding effect can be obtained, while suppressing construction period and construction cost.
原子力関連建築物の建設予定地に埋込み効果が得られる埋込み深さレベルまで岩盤がない場合であっても、埋込み効果を得つつ、工期や施工費を抑えることができる地盤改良工法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a frequency detection device of a vibrator capable of being detected in a wide frequency detection range while highly holding detection sensitivity of a resonant frequency of the vibrator, an atomic force microscope, and a frequency detection method and a program of the vibrator.
振動体の共振周波数の検出感度を高く保ったまま、広い周波数検出範囲で検出可能な振動体の周波数検出装置、原子間力顕微鏡、振動体の周波数検出方法およびプログラムを提供する。 - 特許庁 - This polymer material for the vascular stent is composed of polylactic acid having optical purity of L-polylactic acid of 99.8% or more, the content of heavy metal is within a range non-detected by an atomic absorption method, and the thread is formed by melt-spinning the polymer material composed of the polylactic acid.
Ｌ−体の光学純度が９９．８％以上であって、重金属の含有量が、原子吸光法により検出されない範囲にあるポリ乳酸からなり、また、このポリ乳酸からなるポリマー材料を溶融紡糸した糸である。 - 特許庁 - This method for producing 1,1,1,3,3-pentafluoropropane comprises fluorinating 1-chloro-3,3,3-trifluoropropene with hydrogen fluoride in a reaction zone containing a catalyst comprising activated carbon carrying the halogenation product of a high atomic valency metal selected from the halogenation products of antimony, tantalum, niobium, molybdenum, tin and titanium in a gaseous phase.
１−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペンをアンチモン、タンタル、ニオブ、モリブデン、スズ、チタンのハロゲン化物から選ばれた高原子価金属ハロゲン化物を担持した活性炭からなる触媒の存在する反応領域においてフッ化水素で気相フッ素化する。 - 特許庁 - To measure a vapor deposition flux directed in an x direction perpendicular to a y direction by the atomic absorption method without causing a light source or optical receiver to be fouled by a film-forming material when forming a film by vapor deposition while carrying a substrate in the y direction.
基板をｙ方向に搬送しつつ蒸着によって成膜を行う際に、光源や受光器を成膜材料で汚染することなく、原子吸光法によって、ｙ方向と直交するｘ方向の蒸着フラックスを測定する。 - 特許庁 - To provide a solar cell which includes an atomic layer multilayer structure preventing thermal effect on the solar cell and heat crack occurrence in the solar cell in the process for forming respective layers in the solar cell, and to provide a method of manufacturing the solar cell.
太陽電池内の各層を形成するプロセスにおいて、太陽電池に対する熱的影響および熱亀裂の発生を抑制する原子層多層構造を備えた太陽電池および太陽電池を製造する方法を提供する。 - 特許庁 - This method relates to the phase change recording film with high electric resistance having a composition wherein Ge:15 to 30%, Sb:15 to 30% and B:0.2 to 12% at atomic % are incorporated and the remainder consists of Te and inevitable impurities, and a sputtering target for forming the film.
原子％でＧｅ：１５〜３０％、Ｓｂ：１５〜３０％、Ｂ：０．２〜１２を含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有する電気抵抗が高い相変化記録膜、およびその膜を形成するためのスパッタリングターゲット。 - 特許庁 - Then another insulating film is formed on the insulating film by the sputtering method so that the film may contain a region having a hydrogen concentration of ≤0.2 atomic % when the hydrogen concentration of the film is measured by the HFS analysis method.
ゲート絶縁膜を形成する際、絶縁膜を、HFS分析（水素前方散乱分析）により膜中水素濃度を測定したとき０．４〜１．６atomic％である領域が存在するようスパッタ法で形成し、その上に絶縁膜を、HFS分析により膜中水素濃度を測定したとき、０．２atomic％以下である領域が存在するようスパッタ法で形成する。 - 特許庁 - In the resistor having the heating layer 3 formed in a film of amorphous silicon on a substrate 1 by a catalyst CVD method, a catalyst body used in the catalyst CVD method is formed of a catalyst element selected from Ta, W and Mo and the catalyst element is included by an atomic ratio of 0.5 ppm-15% in the heating layer 3.
基板１上にアモルファスシリコンからなる発熱層３を触媒ＣＶＤ法により成膜形成した抵抗体であって、触媒ＣＶＤ法に用いる触媒体をＴａ、Ｗ、Ｍｏから選択される触媒元素にて成し、発熱層３に触媒元素を０.５ｐｐｍ〜１５％の原子比率にて含有せしめる。 - 特許庁 - This method comprises depositing a dielectric layer containing silicon, oxygen, and carbon on the substrate by CVD method, in which the dielectric layer contains carbon of at least 1% by atomic weight and a dielectric constant less than about 3, and depositing a layer containing silicon and carbon thereon.
本方法は、珪素、酸素、及び炭素を含む誘電層を、化学気相成長法によって基板の上に堆積すること、ここで誘電層は原子量で少なくとも１％の炭素含有量及び約３よりも小さい誘電率を有すること、珪素炭素含有層を誘電層の上に堆積することを備えている。 - 特許庁 - To provide a pattern forming method and a pattern forming apparatus by which a pattern in a relatively wide region of a square millimeter or larger can be formed in a short time by electrochemical lithographic pattern forming method and the pattern can be formed without using an expensive apparatus such as an AFM (atomic force microscope) and an STM (scanning tunneling microscope).
電気化学リソグラフィーによるパターン形成方法において、平方ミリメートル以上の比較的広い領域に渡るパターン形成を、短時間で行うことを可能とするとともに、ＡＦＭ、ＳＴＭなどの高価な装置を用いることなくパターンを形成し得るパターン形成方法及びパターン形成装置を提供する。 - 特許庁
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