「atomic method」を含む例文一覧(635)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 次へ＞- In this structure analysis method of the trace element, the sample is irradiated with an X-ray, while changing X-ray energy, and a fluorescent X-ray emitted from the sample is detected, and information on an atomic structure of the trace element in the sample is analyzed from a relation between the X-ray energy and the fluorescent X-ray.
Ｘ線エネルギーを変えながら試料にＸ線を照射し、試料から放出される蛍光Ｘ線を検出して、前記Ｘ線エネルギーと蛍光Ｘ線との関係から試料中の微量元素の原子構造に関する情報を解析する微量元素の構造解析方法である。 - 特許庁 - The magnetic head slider provided with a protective film on an ABS (air bearing surface) which is a side facing a rotationally driven disk recording medium is constituted in such a manner that the protective film has an Al_2O_3 film formed by an ALD (atomic layer deposition) method.
本発明の磁気ヘッドスライダは、回転駆動される円盤状の記録媒体に対向する側であるＡＢＳ（Ａｉｒ Ｂｅａｒｉｎｇ Ｓｕｒｆａｃｅ）に保護膜を有する磁気ヘッドスライダであって、前記保護膜がＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって形成されたＡｌ_２Ｏ_３膜を有してなるように構成される。 - 特許庁 - This method of forming the reacted thin film comprises forming gas clusters at ordinary temperature and under normal pressure, which are atomic or molecular assembly of gaseous oxygen, accelerating the cluster ions generated by means of bombarding the gas clusters with electrons by accelerating voltage, irradiating the surface of the substrate with the cluster ions, and reacting them with the substrate to form a reacted thin film on the surface of the substrate.
常温および常圧で気体状の酸素の塊状原子集団または分子集団であるガスクラスターを形成し、これに電子を浴びせて生成したクラスターイオンを加速電圧によって加速し、基板表面に照射して基板と反応させ基板表面に反応薄膜を形成する。 - 特許庁 - The X-ray optical device is provided, which has the dramatic improvement of reflectance and an energy band by forming a reflection film of HfO_2, Al_2O_3, or the like on a sidewall of a curved hole structure manufactured in silicon and nickel being material of a fine structure by a micromachining technology with the accuracy of a sub-nm level by using an atomic layer volume method.
微細構造体の材質であるシリコンやニッケルにマイクロマシン技術で製作した曲面穴構造の側壁に原子層体積法を用いて、サブｎｍレベルの正確さで、HfO_2およびAl_2O_3等の反射膜を成膜することにより反射率及びエネルギー帯域が飛躍的に向上したＸ線光学装置を提供する - 特許庁 - In the atomic layer deposition method(ALD), a first reaction product is utilized, which contains at least one alkoxide group and is adsorbed on a substrate chemically and reacts with an activated oxidizing agent without a hydroxide and forms a dielectric substance showing an excellent coverage and improved leakage current characteristics.
原子層蒸着法（ＡＬＤ）は最少限一つのアルコキシド基を含み、基板表面上に化学的に吸着されて水酸化基を含まない活性化された酸化剤と反応して優れているステップカバーレージおよび向上された漏洩電流特性を示す誘電物質を形成する第１反応物を利用する。 - 特許庁 - To provide a method for producing a high performance material by which a crystals constituting a material such as a semiconductor can be refined and further grown in such a manner that the crystal orientation is made uniform without deforming the shape of the material and adding impurities thereto and a compositional gradient structure on an atomic scale can be formed.
半導体などの材料を構成している結晶を、材料の形状を変形させたり、不純物を添加したりすることなく、微細化し、更には結晶方位を揃えて結晶を成長させること、および原子スケールの組成傾斜構造を形成させることができる高性能材料の製造方法を提供する。 - 特許庁 - An intermediate layer is formed using an application liquid for the intermediate layer prepared using: (i) an iron-containing zinc particle having 20 m^2/g or more to 100 m^2/g or less of specific surface area, and containing 1.0 ppm or more to 2.0 ppm or less of iron atom content analyzed by an atomic absorption method; and (ii) a binder resin.
（ｉ）比表面積が２０ｍ^２／ｇ以上１００ｍ^２／ｇ以下であり、かつ原子吸光法により分析される鉄原子の含有量が１．０ｐｐｍ以上２．０ｐｐｍ以下である鉄含有酸化亜鉛粒子と、（ｉｉ）結着樹脂と、を用いて調製された中間層用塗布液を用いて中間層を形成する。 - 特許庁 - The manufacturing method of the semiconductor device includes a step of forming an insulation film on the semiconductor substrate, a step of dry-etching the insulation film by a dry process, and a step of removing the damaged layer occurring on the semiconductor substrate by the dry etching by thermally decomposed atomic hydrogen at a predetermined temperature.
半導体装置の製造方法は、半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を、ドライ工程によりエッチングする工程と、前記エッチングにより前記半導体基板上に生じたダメージ層を、熱分解した原子状の水素により、所定の温度下で除去する工程とを含む。 - 特許庁 - A template substrate having a flat surface layer formed substantially in an atomic level with in-plane compression stress applied is obtained by epitaxially forming the surface layer 1b made of AlN by a MOCVD method on a C-face sapphire single crystal base material 1a, and then by heating the laminate at a temperature of 1,300°C or higher.
Ｃ面サファイア単結晶基材１ａの上にＭＯＣＶＤ法によってＡｌＮからなる表面層１ｂをエピタキシャル形成した後、該積層体を１３００℃以上の温度で加熱することで、面内圧縮応力が作用してなる、実質的に原子レベルで平坦な表面層が形成されてなるテンプレート基板を得る。 - 特許庁 - To provide the subject method comprising such a process as to subject a reaction chamber with a substrate set inside to the feed of both adsorption gas and reactant gas and their purges alternately to effect atomic layer growth by reaction between the adsorption gas and reactant gas to form a thin film on one side of the substrate; wherein impurities left in the thin film are diminished during film formation.
基板が設置された反応室に対して、吸着ガス及び反応ガスの供給、及びパージを交互に行い、吸着ガスと反応ガスとの反応によって原子層成長を行わせることにより、基板の一面上に形成された薄膜において、成膜の際に、膜中に残存する不純物を低減する。 - 特許庁 - The subject ink comprises a coloring material comprising at least a self-dispersible carbon black composed of a carbon black having at least one hydrophilic group bonded on the surface thereof directly or via another atomic group and an aqueous medium, and has a Ka value, measured by the Bristow method, of less than 1.5 and a total monovalent cation content of 0.05-1 mol/l.
カーボンブラックの表面に、少なくとも1つの親水性基が直接若しくは他の原子団を介して結合している自己分散型カーボンブラックを少なくとも含む色材、及び水性媒体を含み、且つブリストウ法によって求められるKa値が１．５未満であり、且つ１価のカチオンイオンの総量が０．０５〜１mol／ｌであるインク。 - 特許庁 - This method for producing ethylene by the dehydration reaction of ethanol is provided by bringing the ethanol in contact with a catalyst of using a proton type mordenite having a <10 silica/aluminum ratio (atomic ratio) and a ≤0.1 wt.% total content of sodium and potassium at a 200 to 300°C reaction temperature range on producing the ethylene.
エタノールの脱水反応によりエチレンを製造するにあたり、ケイ素／アルミニウム比（原子比）が１０未満およびナトリウムとカリウムの合計含有量が０．１ｗｔ％以下のプロトン型モルデナイトを用いた触媒の存在下で、反応温度が２００〜３００℃の範囲でエタノールを接触させることを特徴とするエチレンの製法。 - 特許庁 - In the film formed from a semiconductor oxide which produces electrons and holes upon absorption of light, the semiconductor oxide is a semiconductor oxide film being W-containing Fe_2O_3 of a W/Fe atomic ratio of 0.02-0.08, a production method thereof, and a hydrogen generation apparatus using the film.
光を吸収して電子と正孔を生じる半導体酸化物で形成された膜であって、当該半導体酸化物が、Ｆｅに対するＷの原子数比０．０２〜０．０８のＷ含有Ｆｅ_2Ｏ_3である半導体酸化物膜およびその製造方法、ならびに、当該膜を用いた水素発生装置。 - 特許庁 - To provide a probe position control method which enables more accurate observation or operation by correcting the change of the relative position of a sample and a probe during observation or operation in a scanning type probe microscope (SPM) or an atomic manipulator (operation) by excluding the effect of a heat drift or the like, and a probe position control device.
熱ドリフト等の影響を排除し、走査型プローブ顕微鏡(SPM)や原子マニピュレータ(操作)装置において、その観察又は操作の間に試料とプローブの相対位置が熱により変化するのを補正して、より正確な観察又は操作を可能にする位置制御方法及び装置を提供すること。 - 特許庁 - To enhance an extraction computation speed of a diffusion coefficient extraction which determines the diffusion coefficient related to a diffusion phenomenon in a diffusion phenomenon in which regions such as a grain boundary, an interface, a surface, and the like are spatially biased from a mean square-root displacement, by tracing atoms by use of a molecular dynamic method, and eliminate an offset of atomic vibrations.
分子動力学法を用いて原子をトレースして平均二乗変位から粒界、界面、表面などの領域が空間的に偏った拡散現象に関する拡散係数を求める拡散係数抽出の抽出計算速度を向上するとともに、原子振動のオフセットを取り除くことを可能にする。 - 特許庁 - In this radiation shielding system having at least one component 10 susceptible to disruption upon exposure to the ionizing radiation, and in a method for producing the radiation shielding system, the susceptible component is protected by such a rigid housing 12 that a high atomic number metal layer 14 is deposited on its surface by using a thermal spray technique.
電離放射線にさらされると破壊しやすい少なくとも１つの部品１０を有する放射線遮蔽システム、および放射線遮蔽システムを作る方法であって、破壊しやすい部品は、高原子番号金属層１４が熱溶射手法を用いて表面上に堆積された剛性のハウジング１２によって防護されている。 - 特許庁 - This hydrocarbon-based fuel composition has ≥89 octane number by a research method, ≤15 vol.% aromatic component, ≤1 ppm sulfur content, 5 % distillation temperature of ≥25°C, 50% distillation temperature of ≥75°C to ≤100°C, 95% distillation temperature of ≤190°C and ≤2.0 atomic ratio (H/C ratio) of hydrogen to carbon.
本発明による炭化水素系燃料組成物は、リサーチ法オクタン価が８９以上、芳香族分が１５容量％以下、硫黄分が１ｐｐｍ以下、５％留出温度が２５℃以上、５０％留出温度が７５℃以上１００℃以下、９５％留出温度が１９０℃以下、かつ、水素と炭素の原子比（Ｈ／Ｃ比）が２．０以下である。 - 特許庁 - The dielectric multilayer film mirror reflecting a specific wavelength region is made by joining at least two sheets of dielectric multilayer film structures 10 each of which is prepared by film-depositing a pair of dielectric multilayer films 2 having a both surfaces-symmetric structure on both surfaces of the substrate 1 according to an atomic layer deposition (ALD) method.
特定波長域を反射させる誘電体多層膜ミラーであって、基板１の両面に両面対称構造を有する一対の誘電体多層膜２が原子層堆積（ＡＬＤ）法により成膜された誘電体多層膜構造体10を２枚以上接合して成ることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a silicon carbide fiber with a carbon film on the surface of the fiber having the atomic ratio C/Si of carbon to silicon regulated so as to be 1.00-1.10, and excellent in heat resistance, oxidation resistance and creeping properties at a high temperature, and to provide a method for producing the silicon carbide fiber.
本発明は炭素とけい素との原子比Ｃ／Ｓｉが１．００〜１．１０の繊維表面に炭素皮膜を有する炭化けい素繊維とその製造法に関し、特に高温度での耐熱性、耐酸化性、クリ−プ性に優れた炭素皮膜を有する炭化けい素素繊維とその製造法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for producing a thin film consisting of oxide or multiple oxide by a CVD process including an ALD (Atomic Layer Deposition) process by which the production of a satisfactory thin film is made possible in the case a metallic compound having low hydrolysis reaction such as alkoxide and a β-diketone complex is used as a precursor.
ＡＬＤ法を含むＣＶＤ法による酸化物又は複合酸化物からなる薄膜の製造方法において、前駆体にアルコキシドやβ−ジケトン錯体等の加水分解反応の遅い金属化合物を用いる場合に良好な薄膜の製造が可能となる薄膜の製造方法を与えること。 - 特許庁 - To provide a method using a natural phenomenon in which violent atomic power of 1:10 to 38-th power is suddenly produced beyond an energy universal principle in a closed system to generate continuous and gentle energy leading to gravity, weak force, electromagnetic force and nuclear power, and to provide its device.
本発明の課題は、閉じた系でのエネルギー普遍の法則が、普遍則を超えて、いきなり１：１０の３８乗倍の激しい原子力として発生すると言う自然の現象を、重力、弱い力、電磁気力、核力に至る連続した穏やかなエネルギー発生方法としての、其の方法と装置を提供することにある。 - 特許庁 - In this method, a high-strength resin which satisfies specifications of resistance to radiation, resistance to heat, and tensile strength is previously formed into a sheetlike or paste-like form, and the workpiece is applied directly to SUS steel, general steel products, concrete, etc. at atomic power plants, facilities, etc. which handle radioactive materials.
原子力プラント及び放射線物質を取り扱っている設備等において、耐放射線性，耐熱性，引張強度の仕様を満たす耐強度樹脂をあらかじめシート状又はペースト状に成型加工し、該加工品を気中，水中でＳＵＳ鋼，一般鋼材及びコンクリート等に直接貼り付け処理する方法である。 - 特許庁 - The method for forming the atomic layer of metal oxide comprises generating the free radicals of active oxygen from oxygen, water, and the like, by using plasma, introducing them into a plasma-generating reaction vessel 10, and oxidizing the organometallic complex having the ligand of β-diketone, which has been chemically adsorbed on the substrate 12, by utilizing the free radicals as an oxidant.
プラズマを用いて酸素や水等から活性酸素ラジカルを生成させ、これをプラズマ発生反応器１０に導入して酸化剤として使用し、基板１２上に化学吸着されたβ−ジケトンの配位子を有する有機金属錯体を酸化させて金属酸化物原子層を形成させる。 - 特許庁 - The method comprises a step for providing a semiconductor substrate wherein a prescribed process is carried out for forming a semiconductor element and a step for forming an ion implantation layer 105 by injecting trivalent impurities having a larger atomic weight than that of boron and consisting of a single atom to a prescribed depth of the semiconductor substrate by an ion implantation process.
半導体素子を形成するための所定の工程が行われた半導体基板を提供する段階と、前記半導体基板の所定深さに、ホウ素より大きい原子量を有し且つ単原子からなる３価不純物をイオン注入工程によって注入してイオン注入層１０５を形成する段階を含む。 - 特許庁 - In this method of stripping a resist material, atomic oxidizing species or radicals are generated by supplying photon energy, ion energy, or electron energy to a gas mixture containing noble gas(es) and oxidizing gas(es), and thereby the resist components are oxidized to form volatile components, which are then removed to form resist-free surface.
このレジスト剥離方法により、希ガスと酸化性ガスを含むガス混合物に光子エネルギー又はイオンエネルギー又は電子エネルギーを供給して原子状酸化性種かラジカルを生成し、次いでレジスト成分を酸化して揮発性成分を生成し、これらを除去することによりレジストのない表面を形成することが可能になる。 - 特許庁 - This method for manufacturing the probe for atomic force microscopic examination includes a step of preparing a semiconductor substrate 1, a step for generating a molding die on a surface in one side of the substrate, a step for generating probe structure in the one side, and a step for attaching a holder 6 to a contact areas.
原子間力顕微鏡検査用のプローブを製造する方法は、半導体基板１を準備するステップと、基板の一方側の表面にモールド型を生成するステップと、上記一方側においてプローブ構造を生成するステップと、コンタクト領域に対してホルダ６を取り付けるステップとを含んでいる。 - 特許庁 - To detect, in a method detecting particles containing infinitesimal fission materials contained in a collected swipe sample by the fission track method, the particles containing the fission materials in a short time and easily by eliminating sophisticated measuring techniques using special apparatus such as an atomic force microscope and eliminating effects in which the shape of the core of a fission track depends on the surface shape of the particles.
採取したスワイプ試料中に含まれる極微量核分裂性物質を含む粒子をフィッショントラック法によって検出する手法において、原子間力顕微鏡のような特殊な装置を用いた高度な測定技術を必要とせず、また、フィッショントラックのコアの形状が粒子の表面形状に依存する影響をなくして、短時間で容易に核分裂性物質を含む粒子を濃縮度別に検出する。 - 特許庁 - The method of growing a compound semiconductor, in which an InxGayAl1-x-yN layer (0≤x, y≤1) is grown on a GaAs substrate includes a process of adding group V elements, having an atomic radius larger than that of N, in a density that ranges from 1×1017 to 1×1023 cm-3, to the InxGayAl1-x-yN layer.
本発明では、ＧａＡｓ基板上に、Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_1-x-yＮ層(０≦x,y≦１)を成長させる化合物半導体の成長方法において、該Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_1-x-_yＮ層に、原子半径がＮよりも大きいＶ族元素を1×１０^17ｃｍ^-3から１×１０^23ｃｍ^-3までの濃度範囲だけ添加する工程を含む化合物半導体の成長方法を提供する。 - 特許庁 - This method for producing the nano element arranging the functional groups in the desired positions and order comprises a process of arranging and localizing ≥2 polypeptide compounds containing a zinc finger motif bonding specifically with a specific target base sequence of the double-stranded DNA and the functional atomic group, on the double-stranded DNA by allowing them to come near with an autonomic cohesion.
２重鎖ＤＮＡの特定の標的塩基配列に特異的に結合するジンクフィンガーモチーフと機能性原子団とを含有するポリペプチド化合物２個以上を、前記２重鎖ＤＮＡ上に自律凝集により近接させて配列・定位させる工程を含む、機能性原子団を所望の位置及び順序で配列したナノ素子の製造方法。 - 特許庁 - A fine pattern formation method for semiconductor elements facilitates the pattern formation stage by implementing at least part of photoresist trimming by atomic layer vapor deposition together with spacer oxide film vapor deposition, thereby enabling the precision of trimming to be enhanced and photoresist footing, which may occur during the trimming, to be reduced.
本発明の実施形態に係る半導体パターン形成方法によれば、フォトレジストのトリミングの少なくとも一部を原子層蒸着方法によってスペーサ酸化膜蒸着と共に実施することにより、段階が容易となり、トリミングの精密度を高めることができ、トリミング中に発生し得るフォトレジストフーチング（ｆｏｏｔｉｎｇ）を減らすことができる。 - 特許庁 - In the surface treatment method for the base material formed of a cemented carbide with nickel (Ni) as a binder, a compound hard film containing vanadium carbide (VC) and niobium carbide (NbC) at the atomic ratio of 1:2 to 1:4, and containing ≤5 wt.% nickel (Ni) is formed on the surface of the base material.
ニッケル（Ｎｉ）をバインダーとする超硬合金で形成された基材（母材）への表面処理方法であって、基材（母材）の表面に、バナジウム炭化物（ＶＣ）およびニオブ炭化物（ＮｂＣ）を１：２から１：４の原子比率で含み、且つ、５重量％以下のニッケル（Ｎｉ）を含む複合硬質被膜を成膜形成することを特徴とする、表面処理方法である。 - 特許庁 - A method for growing an Al_2O_3 thin film on a substrate by a sequential chemical vapor deposition including a plurality of cycles includes: bringing a part into contact with gaseous trimethyl aluminum (TMA); stopping the gaseous TMA supply; removing the gaseous TMA from a chamber; and bringing the part into contact with atomic oxygen in each cycle.
複数のサイクルを含むシーケンシャル気相成長法による、基板上へのＡｌ_２Ｏ_３薄膜の成長方法において、それぞれのサイクルは、ガス状のトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）にパーツを接触させること、ガス状のＴＭＡの供給を停止すること、チャンバからガス状のＴＭＡを除去すること、及び原子状酸素にパーツを接触させることを含む。 - 特許庁 - The method for depositing thin films of metal oxides on a substrate in a reaction vessel of an atomic layer vapor deposition apparatus using plasma includes a step of supplying raw metal compounds into the reaction vessel, a step of supplying gaseous oxygen into the reaction vessel, and a step of generating oxygen plasma in the reaction vessel during the predetermined time.
プラズマを用いる原子層蒸着装置の反応器内において基板上に金属酸化物膜を形成する方法であって、反応器内に金属原料化合物を供給する段階と、反応器内に酸素ガスを供給する段階と、反応器内に所定時間中に酸素プラズマを生じさせる段階と、を含む金属酸化物膜の形成方法。 - 特許庁 - This method for producing the cooking oil and fat suppressed in the rise of acid value by heating includes mixing an aqueous solution of at least one selected from each metallic salt of sodium, potassium, magnesium and calcium, and dehydrating the mixture so as to include 0.1-1 μmol/g in the total of sodium, potassium, magnesium and calcium by determining with atomic absorption spectrophotometry.
ナトリウム、カリウム、マグネシウム又はカルシウムの各金属塩から選ばれる１以上の水溶液と油脂を混合後、脱水し、原子吸光光度法による定量により、ナトリウム、カリウム、マグネシウム、及びカルシウムが合計で０．１〜１μｍｏｌ／ｇ含有することを特徴とする、加熱による酸価上昇が抑制された加熱調理用油脂の製造方法。 - 特許庁 - The amorphous carbon coated cutting tool and manufacturing method thereof are characterized in that in this amorphous carbon coated cutting tool coated with the amorphous carbon film, the amorphous carbon film contains at least one or more kinds of elements among B, Cl, S, P, F, O and N, and the content of the element ranges from 0.01 to 25%, both inclusive, by atomic%.
非晶質カーボン皮膜を被覆した非晶質カーボン被覆切削工具において、該非晶質カーボン皮膜は、Ｂ、Ｃｌ、Ｓ、Ｐ、Ｆ、Ｏ、Ｎの少なくとも１種以上の元素を含有し、該元素の含有量は、原子％で、０．０１％以上、２５％以下であることを特徴とする非晶質カーボン被覆切削工具及びその製造方法である。 - 特許庁 - This method is applied for the scanning type probe microscope provided with a measuring part for measuring atomic force or the like as to the sample surface by scanning a sample 12 using a probe 25, a fine motion mechanism 24 for moving the probe finely, a prove approaching mechanism 11 for changing a space between the probe and the sample, the optical microscope 22, and a focusing driving mechanism 21.
この焦点合せ方法は、探針２５で試料１２を走査して試料表面に関する原子間力等を測定する測定部と、探針を微動させる微動機構２４と、探針と試料の間隔を探針接近機構１１と、光学顕微鏡２２と、その焦点合せ用駆動機構２１を備える走査型プローブ顕微鏡に適用される。 - 特許庁 - The method for forming the liquid crystal alignment layer includes a stage for controlling the alignment direction of the alignment layer by irradiating the alignment layer applied on a substrate with light and containing a polymer having an atomic group capable of cross-linking reaction by light in its side chain with light and a stage for enhancing the liquid crystal alignment regulating power by heating the alignment layer irradiated with light.
基板に塗布され且つ光により架橋反応の可能な原子団を側鎖に有する重合体を含有する配向膜に、光を照射して配向膜の配向方向を制御する工程および光を照射された上記配向膜を加熱して液晶配向規制力を高める工程を含む、液晶配向膜の形成方法。 - 特許庁 - In the method for producing the corresponding ester by reacting a carboxylic acid with an alcohol in the presence of a catalyst, the catalyst is a solid acid catalyst and water is separated by using a porous support and a separation membrane having an aluminosilicate formed on the porous support and having 1-5 Si/Al (atomic ratio) from the above reaction system.
触媒存在下にカルボン酸とアルコールとを反応させる対応するエステルを製造する方法において、前記触媒が固体酸触媒であること、前記反応から水を多孔質支持体と該多孔質支持体上に形成されたＳｉ／Ａｌ（原子比）＝１〜５であるアルミノケイ酸塩とを有する分離膜を用いて分離することを特徴とする製造方法。 - 特許庁 - To provide a signal detection apparatus enabling simplification of a mechanism for detecting the displacement of a probe and simplification of the arrangement of a detection system even if a plurality of probes are in use, thus enabling a space saving, a scanning atomic force microscope constructed of the detection apparatus, and a signal detection method.
プローブ変位検出のための機構を簡単化することができ、また複数のプローブを用いる場合においても検出系の構成を簡便化することができ、省スペース化を図ることが可能な信号検出装置、該信号検出装置によって構成した走査型原子間力顕微鏡、および信号検出方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method and a device of generating continuous and moderate energy ranging from gravity, a week force and an electromagnetic force, to a nuclear force, by controlling a natural phenomena that an intense atomic power of 1:10 to the 38th power is suddenly generated exceeding the law of energy conservation in a closed system.
本発明の課題は、閉じた系でのエネルギー普遍の法則が、普遍則を超えて、いきなり１：１０の３８乗倍の激しい原子力として発生すると言う自然の現象を、重力、弱い力、電磁気力、核力に至る連続した穏やかなエネルギー発生方法としての、其の方法と装置である発電する洗濯機を提供することにある。 - 特許庁 - The producing method for hydrogen-containing gas produces the reformed gas mainly composed of hydrogen by letting water vapor and oxygen react with methanol under the catalyst for reforming methanol which contains a platinum metal, zinc oxide and chromic oxide as the main component and in which an atomic ratio (zinc/chrome) of the zinc and chrome is in the range from 2 to 30, and under the presence of the catalyst.
主成分として白金金属、酸化亜鉛および酸化クロムを含有し、かつ亜鉛とクロムの原子比（亜鉛／クロム）が2〜30の範囲であるメタノール改質用触媒、および該触媒の存在下、メタノールと水蒸気および酸素を反応させて水素を主成分とする改質ガスを製造することを特徴とする水素含有ガスの製造法。 - 特許庁 - The method for forming a metal oxide film on the substrate in the reactor of atomic layer depositing equipment, using the plasma includes a step of feeding metal material compound into the reactor, a step of feeding oxygen gas into the reactor, and a step of producing oxygen plasma during a prescribed time inside the reactor.
プラズマを用いる原子層蒸着装置の反応器内において基板上に金属酸化物膜を形成する方法であって、反応器内に金属原料化合物を供給する段階と、反応器内に酸素ガスを供給する段階と、反応器内に所定時間中に酸素プラズマを生じさせる段階と、を含む金属酸化物膜の形成方法。 - 特許庁 - In the quantitative analysis technique of traces of Sb in inorganic materials, after weighing the samples consisting of metal simple substances, metal alloys, or metal compounds of niobium, tantalum, zirconium, and titanium in a dissolving container and then dissolving the samples by adding hydrochloric acid and hydrofluoric acid, Sb in the resulting solution can be measured through the furnace atomic absorption method by adding chemical modification agents.
無機材料中の微量Ｓｂの定量方法はニオブ、タンタル、ジルコニウム、チタンの金属単体、金属合金あるいはこれら金属の化合物からなる試料を分解容器に秤量した後、塩酸およびフッ化水素酸を加えて試料を分解後、得られた溶液中のＳｂを、化学修飾剤を添加しファーネス原子吸光法によって測定する。 - 特許庁 - In the method for producing a nanolevel stock, a subcritical or supercritical fluid is continuously charged with a raw material substance, thus the raw material substance is continuously decomposed to an atomic simple substance level, and an intermediate substance produced by the decomposition is continuously jetted into an expansion chamber 3 continuously holding a non-oxygen atmosphere and a decompressed environment.
ナノレベル素材の製法は、亜臨界又は超臨界流体に原料物質を連続して投入することにより、原料物質を原子単体レベルまで連続して分解させ、この分解により生成された中間物質を、無酸素雰囲気且つ減圧環境を連続維持する膨張室３中へ連続的に噴射させるように実施するものである。 - 特許庁 - To obtain a magnetic-resonance-type exchange interaction force microscope that incorporates magnetization inversion/modulation technique due to magnetic resonance being utilized by electronic spin resonance and nuclear magnetic resonance into an atomic force microscope, and accurately measures exchange interaction force operating between a probe and a sample, and the measuring method of the exchange interaction force using it.
電子スピン共鳴や核磁気共鳴で利用されている磁気共鳴による磁化反転・変調技術を原子間力顕微鏡に取り入れ、探針・試料間に働く交換相互作用力を的確に計測する磁気共鳴型交換相互作用力顕微鏡及びそれを用いた交換相互作用力の測定方法を提供する。 - 特許庁 - To evaluate the remaining life of equipment based on actualy measured values from the viewpoint of soundness maintenance of the incore equipment in an atomic power plant or the like by sampling a material exposed to neutron irradiation of the nuclear reactor incore equipment as a test piece corresponding to evaluation object portion, operation period, test method or the like in the minimum range wherein a structural material function is not lost.
原子炉炉内機器の中性子照射を受けた材料を評価対象部位、運転期間、試験方法等に対応して、かつ構造材の機能を失わない最小限度の範囲で試験片としてサンプリングし、原子力プラントなどの炉内機器の健全性維持の面から機器の余寿命を実測値に基づいて評価する。 - 特許庁 - To provide an evaluating method for highly purified water, capable of preventing a defective from being produced, by administrating water quality of the highly purified water by easily and accurately measuring a very small amount of impurities in the highly purified water widely used in a factory manufacturing electronic components such as semiconductors and liquid crystals, an atomic power plant, and the like, and also used for medical and pharmaceutical water.
半導体、液晶などの電子部品製造工場、医薬用水、原子力発電所などで広く使用されている高純度水中のごく微量の不純物を容易にかつ高精度で定量し、高純度水の水質管理を行うことにより不良品の発生を未然に防止することができる高純度水の評価方法を提供する。 - 特許庁 - The method for manufacturing carbon nanotubes includes the processes of: preparing a substrate tilted in a one-dimensional or two-dimensional direction from a specified crystallographic orientation with high symmetry; vapor-depositing a catalyst metal along the atomic steps appearing on the substrate surface; and growing carbon nanotubes by chemical vapor deposition (CVD) on the catalyst metal as nuclei.
特定の対称性の高い結晶方位から１次元方向又は２次元方向に傾いた基板を用意し、その基板表面に現れる原子ステップに沿って触媒金属を蒸着する工程と、その触媒金属を核としてカーボンナノチューブをケミカルベーパーデポジション（ＣＶＤ）成長させる工程を含む、カーボンナノチューブの製造方法。 - 特許庁 - In a method for manufacturing the electrophotographic photoreceptor obtained by sequentially stacking at least an intermediate layer, a charge generating layer and a charge transport layer on a conductive support, the intermediate layer contains a thermoplastic resin and a microscopic ten-point average roughness obtained by shape observation through an atomic force microscope is ≤3.2 μm.
導電性支持体上に、少なくとも中間層、電荷発生層、電荷輸送層が順次積層されて成る電子写真用感光体の製造方法において、前記中間層が熱可塑性樹脂を含有し、且つ、原子間力顕微鏡による形態観察をして得られた微視的な十点平均粗さが３．２ｎｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁 - In the method, a pulse voltage VB is applied to a material 3 having a ferroelectric thin film 1 by a conductive needle 2 by using an atomic force microscope, the amplitude of the pulse voltage VB is changed by a voltage applying means when a film thickness change of the ferroelectric thin film 1 is measured, and also a detecting output is measured through a lock-in amplifier 4.
原子間力顕微鏡を用いて導電性針２によって強誘電体薄膜１を有する試料３にパルス電圧Ｖ_B を印加し、強誘電体薄膜１の膜厚変化分を測定する際に、パルス電圧Ｖ_B の振幅を電圧印加手段によって変化させるとともに、検出出力をロックインアンプ４を通して測定する。 - 特許庁
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