「control memory」を含む例文一覧(13720)
＜前へ 1 2 .... 27 28 29 30 31 32 33 34 35 .... 274 275 次へ＞- BURST LENGTH CONTROL CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE SAME
バースト長制御回路及びこれを用いた半導体メモリー装置 - 特許庁 - MEDICAL INFORMATION PRINT SYSTEM, CONTROL METHOD THEREOF, AND COMPUTER READABLE MEMORY
医療情報プリントシステム及びその制御方法、コンピュータ可読メモリ - 特許庁 - MULTIFUNCTIONAL DEVICE, IMAGE READING CONTROL METHOD AND COMPUTER READABLE MEMORY
多機能装置、画像読み取り制御方法、およびコンピュータ可読メモリ - 特許庁 - CACHE MEMORY DEVICE, SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, AND CACHE CONTROL METHOD
キャッシュメモリ装置、半導体集積回路およびキャッシュ制御方法 - 特許庁 - DYNAMIC TYPE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND REFRESH CONTROL METHOD THEREOF
ダイナミック型半導体記憶装置およびそのリフレッシュ制御方法 - 特許庁 - SOFTWARE-CONTROLLABLE CACHE MEMORY DEVICE, CONTROL METHOD AND PROGRAM
ソフトウェア制御可能なキャッシュ・メモリ装置、制御方法およびプログラム - 特許庁 - NONVOLATILE FERROELECTRIC SUBSTANCE MEMORY DEVICE HAVING MULTIBIT CONTROL FUNCTION
マルチビット制御機能を有する不揮発性強誘電体メモリ装置 - 特許庁 - CONTROL METHOD FOR PROGRAM SEQUENCE INSIDE MICROCONTROLLER, MEMORY DEVICE AND MICROCONTROLLER
マイクロコントローラ内のプログラムシーケンスの制御方法，メモリ素子，マイクロコントローラ。 - 特許庁 - TIMBRE CONTROL METHOD, WAVEFORM MEMORY CREATING METHOD, ELECTRONIC MUSICAL SOUND GENERATING METHOD, TIMBRE CONTROL SYSTEM, WAVEFORM MEMORY AND ELECTRONIC MUSICAL SOUND GENERATING DEVICE
音色制御方法、波形メモリ作成方法、電子楽音発生方法、音色制御システム、波形メモリ及び電子楽音発生装置 - 特許庁 - ADDRESS CONTROL DEVICE OF SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT UTILIZING BANK ADDRESS SIGNAL
バンクアドレス信号を利用する半導体メモリ素子のアドレス制御装置 - 特許庁 - COLUMN SELECTION LINE CONTROL CIRCUIT FOR SYNCHRONOUS SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
同期形半導体メモリ装置のためのカラム選択ライン制御回路 - 特許庁 - The MPEG4 data reproduced by the record reproduction control unit 20 is transferred to a memory card 7 via a memory card control unit 6.
記録再生制御部２０によって再生されたＭＰＥＧ４データは、メモリカード制御部６を介してメモリカード７に転送される。 - 特許庁 - A control unit 2 records the present date and time information which is stored in a control data memory 12 upon the initial starting in a flash memory ROM 13.
制御部２は、初回起動時に、制御データメモリ１２に現在保存されている現在日時情報をフラッシュROM１３に記録する。 - 特許庁 - COMMAND CONTROL METHOD, IC CARD USE TERMINAL DEVICE, AND MEMORY CARD
コマンド制御方法及びＩＣカード利用端末装置及びメモリカード - 特許庁 - A cross bus connecting a system bus and a memory bus and a memory transfer control part provided with a means for holding control information for controlling a memory bus control part and a system bus control part which include the formation of a connection path through the cross bus are installed.
システムバスとメモリバスの間を接続する交差バスと，交差バスを介する接続路の形成を含むメモリバス制御部とシステムバス制御部を制御するための制御情報の保持手段を備えたメモリ転送制御部とを設ける。 - 特許庁 - To provide a control method of a memory device for performing write leveling operation, a write leveling method of the memory device, a memory controller performing write leveling operation, a memory device and a memory system.
書き込みレベリング動作を行うためのメモリ装置の制御方法、メモリ装置の書き込みレベリング方法、及び書き込みレベリング動作を行うメモリコントローラ、メモリ装置、並びにメモリシステムを提供する。 - 特許庁 - The memory card includes a non-volatile memory having memory capacity larger than the maximum memory capacity defined in the first standard, and a control part for controlling access to the non-volatile memory.
本発明のメモリカードは、第１の規格で定められた最大メモリ容量よりも大きいメモリ容量を有する不揮発性メモリと、不揮発性メモリへのアクセスを制御する制御部と、を備える。 - 特許庁 - Each of the nodes is provided with a memory control part which moves data of a part of a first memory decided to be put in a high load state to a second memory of the other node, and performs interleave by the first memory and the second memory.
複数のノードの各々は、高負荷状態と判定された第１メモリの一部のデータを、他のノードの第２メモリに移動し、第１メモリと第２メモリとでインタリーブを行うメモリ制御部を備える。 - 特許庁 - A redundant control circuit invalidates the defective memory cell column corresponding to a defective address stored in the redundant memory circuit in a memory block including the defective memory cell column, and validates a redundant memory cell column.
冗長制御回路は、不良メモリセル列を含むメモリブロックにおいて、冗長記憶回路に記憶された不良アドレスに対応する不良メモリセル列を無効にし、冗長メモリセル列を有効にする。 - 特許庁 - The memory controller 25 is of a specification that allows the memory controller 25 to access-control up to one memory slot to which the memory module is attached in addition to an onboard memory which is to be directly mounted on the main circuit board 5 for operation.
メモリコントローラ２５は、メイン回路基板５に直接実装されて動作するオンボードメモリに加えて、メモリモジュールが装着される１つのメモリスロットまでをアクセス制御可能な仕様である。 - 特許庁 - To provide a device and a method for controlling a flash memory for updating flash memory control information stored in a predetermined volatile memory every time when the type of the flash memory is changed and using the updated control information to control the changed flash memory.
フラッシュメモリを制御する装置および方法に関し、所定の揮発性メモリに格納されたフラッシュメモリの制御情報をフラッシュメモリの種類が変わる毎に更新し、更新された制御情報を用いて変更されたフラッシュメモリを制御するフラッシュメモリを制御する装置および方法を提供する。 - 特許庁 - A semiconductor memory device comprises: a memory cell array in which a plurality of memory cells are arranged in a matrix shape; a decoder selecting a memory cell to perform operation from among the plurality of memory cells depending on a control signal; and a control circuit selecting whether to output the control signal to the decoder.
半導体記憶装置に、複数のメモリセルがマトリクス状に配設されたメモリセルアレイと、制御信号に応じて、複数のメモリセルの中から動作を行うメモリセルを選択するデコーダと、デコーダに対して制御信号を出力するか否かを選択する制御回路と、を設ける。 - 特許庁 - This device controlling the flash memory includes the flash memory storing its own control information, a first memory storing a programming code for controlling the flash memory, a control part substituting the control information for the programming code to generate a control code for controlling the flash memory, and a transmission/receipt part transmitting the control code.
フラッシュメモリを制御する装置は、自身の制御情報を格納するフラッシュメモリと、前記フラッシュメモリを制御するためのプログラミングコードを格納する第１メモリと、前記プログラミングコードに前記制御情報を代入することによって、前記フラッシュメモリを制御するための制御コードを生成する制御部と、および前記制御コードを送信する送受信部とを含む。 - 特許庁 - Data can be written in the first memory cell or the nonvolatile memory cell by a control circuit, and data can be transferred from the first memory cell or the nonvolatile memory cell to the other side of the first memory cell and the nonvolatile memory cell.
制御回路によって、第１のメモリセルまたは不揮発性メモリセルにデータを書き込むことができ、第１のメモリセルまたは不揮発性メモリセルから、第１のメモリセルまたは不揮発性メモリセルの他方にデータを転送することができる。 - 特許庁 - Data can be written in the first memory cell or the nonvolatile memory cell by a control circuit, and data from the first memory cell or the nonvolatile memory cell can be transferred to the other side of the first memory cell or the nonvolatile memory cell.
制御回路によって、第１のメモリセルまたは不揮発性メモリセルにデータを書き込むことができ、第１のメモリセルまたは不揮発性メモリセルからのデータを、第１のメモリセルまたは不揮発性メモリセルの他方に転送することができる。 - 特許庁 - The second memory cell 15 has a second control gate 35 opposite to the first control gate 21.
その第２メモリセル１５は、その第１コントロールゲート２１に対向する第２コントロールゲート３５を備える。 - 特許庁 - A camera control device includes the camera control circuit 4 which stores an image photographed by a CCD 2 in an internal memory 403.
カメラ制御用回路４は、ＣＣＤ２が撮影した画像を内部メモリ４０３に格納する。 - 特許庁 - INFORMATION PROCESSOR, PROCESSOR, CONTROL METHOD OF PROCESSOR, CONTROL METHOD OF INFORMATION PROCESSOR, AND CACHE MEMORY
情報処理装置、プロセッサ、プロセッサの制御方法、情報処理装置の制御方法、キャッシュメモリ - 特許庁 - PRINT CONTROL SYSTEM, INFORMATION PROCESSOR AND PRINT CONTROL METHOD, INFORMATION PROCESSING METHOD AND MEMORY MEDIUM
印刷制御システム、情報処理装置及び印刷制御方法、情報処理方法、記憶媒体 - 特許庁 - To provide a control circuit for operation timing of a semiconductor memory and a control method for operation timing.
半導体メモリ装置の動作タイミング制御回路及び動作タイミング制御方法を提供する。 - 特許庁 - DISK ARRAY DEVICE, ITS SHARED MEMORY DEVICE, AND CONTROL PROGRAM AND CONTROL METHOD FOR DISK ARRAY DEVICE
ディスクアレイ装置及びその共有メモリ装置、ディスクアレイ装置の制御プログラム及び制御方法 - 特許庁 - A control signal is supplied from the data processing 10 to the memory card 20 through the control line 32.
コントロールライン３２には、コントロール信号がデータ処理装置１０からメモリカード２０に供給される。 - 特許庁 - A column selecting section 27 switches access control for a memory cell in accordance with a mode control signal MDS.
列選択部２７は、モード制御信号ＭＤＳに応じて、メモリセルへのアクセス制御を切換える。 - 特許庁 - The respective DMA controllers are constituted to be coupled to respective memory buses, so as to control the respective control busses.
各ＤＭＡコントローラは、各メモリバスに結合され、各メモリバスを制御するように構成される。 - 特許庁 - The temperature corrected data are written in a memory unit (step S7) by the control of a control unit.
そして、温度補正データは、制御ユニットの制御により、記憶ユニットに書き込まれる（ステップＳ７）。 - 特許庁 - DATA ACCESS CONTROL SYSTEM, MEMORY-MOUNTED DEVICE, DATA ACCESS CONTROL METHOD, AND PROGRAM STORAGE MEDIUM
データアクセス制御システム、メモリ搭載デバイス、およびデータアクセス制御方法、並びにプログラム記憶媒体 - 特許庁 - IMAGE PROCESSING SYSTEM, CONTROL METHOD THEREFOR, IMAGE PROCESSOR, CONTROL METHOD THEREFOR AND COMPUTER READABLE MEMORY
画像処理システム及びその制御方法、画像処理装置及びその制御方法、コンピュータ可読メモリ - 特許庁 - DATA ACCESS CONTROL CIRCUIT FOR MEMORY CARD IN INFORMATION PROCESSING APPARATUS, AND DATA ACCESS CONTROL METHOD THEREOF
情報処理装置におけるメモリカードのデータアクセス制御回路及び、そのデータアクセス制御方法 - 特許庁 - HANDSHAKE CORRECTION METHOD AND PHOTOGRAPHING APPARATUS USING IMAGING DEVICE DRIVE CONTROL AND MEMORY READING CONTROL
撮像素子駆動制御とメモリ読み取り制御を用いたハンドシェイク補正方法および撮影装置 - 特許庁 - On the control line 32, a control signal is supplied from the data processor 10 to the memory card 20.
コントロールライン３２には、コントロール信号がデータ処理装置１０からメモリカード２０に供給される。 - 特許庁 - To provide a control method and a control system for improving operation efficiency of a shape memory actuator.
形状記憶アクチュエータの動作効率を向上させる制御方法およびシステムを提供する。 - 特許庁 - A memory control unit 21 comprises an internal memory 17; a boundary setting register 22 in which a boundary value of a memory address ϕa assigned to the internal memory 17 is stored; an external memory control part 23 for outputting a memory selecting signal ϕse to an external memory 6 if the memory address ϕa goes out of bounds set by the setting register 22.
内部メモリ１７と、内部メモリ１７に割り当てられたメモリアドレスφａの境界値を格納した境界設定レジスタ２２と、メモリアドレスφａが境界設定レジスタ２２により設定された範囲外であれば、外部メモリ６に対するメモリ選択信号φｓｅを出力する外部メモリ制御部２３とを有するメモリ制御ユニット２１を提供する。 - 特許庁 - To write a system control program in a flash memory by storing the system control programs to be written in the flash memory and a rewrite control program for performing control to write the program in the flash memory in a RAM and by performing the rewrite control program stored in the RAM.
フラッシュメモリに書き込むシステム制御プログラムとフラッシュメモリにプログラムを書き込むための制御を行う書き換え制御プログラムとをＲＡＭに格納し、ＲＡＭに格納された書き換え制御プログラムを実行して、システム制御プログラムをフラッシュメモリに書き込む。 - 特許庁 - When changing the contents of the control memory SW group, this control device changes not all the contents of the control memory SW group but changes one part corresponding to memories SWs consisting one memory SW group selected from the flash memory.
そして制御用メモリＳＷ群の内容を変更する場合、制御用メモリＳＷ群の内容を全て書き換えるのはなく、フラッシュメモリから選択した一のメモリＳＷ群を構成するメモリＳＷに該当する部分だけを変更する。 - 特許庁 - To provide a control system that can perform accurate control by correcting an erroneous memory of control data at the time of power-off.
電源オフ時の制御データの誤記憶を補正し、精度の良い制御処理を実現できる制御システムを提供する。 - 特許庁 - The video control means 32 includes a video control device 34, a memory device 35, and a video display control device 36.
映像制御手段３２は、映像制御装置３４，記憶装置３５および映像表示制御装置３６を備える。 - 特許庁 - An array control 4 provided in a memory is constituted of a sense amplifier indirect control section 4a and a sense amplifier control section 4b.
メモリに設けられたアレイコントロール４は、センスアンプ間接制御部４ａ、およびセンスアンプ制御部４ｂから構成される。 - 特許庁 - DATA RECORD CONTROL APPARATUS, DATA RECORD CONTROL METHOD AND MEMORY MEDIUM HAVING STORED PROGRAMS OF DATA RECORD CONTROL METHOD
データ記録管理装置及びデータ記録管理方法並びにデータ記録管理方法のプログラムを格納した記憶媒体 - 特許庁 - A random reproduction control section 9 is connected to the memory controller 8a of a recording control section 8 and to a reproduction control section 5.
記録制御部８のメモリコントローラ８ａ及び再生制御部５にはランダム再生制御部９が接続されている。 - 特許庁 - The control section can control interleave operation in which memory operation is started responding to operation instruction specifying the other memory bank even in memory operation responding to operation instruction specifying one memory bank, and parallel operation in which when memory operation specifying successively the other memory bank is instructed before memory operation responding to operation instruction specifying one memory bank is started, memory operation of both memory banks are started in parallel.
制御部は、一のメモリバンクを指定した動作指示に応答するメモリ動作中でも他のメモリバンクを指定した動作指示に応答してメモリ動作を開始させるインタリーブ動作と、一のメモリバンクを指定した動作指示に応答するメモリ動作の開始前に続けて他のメモリバンクを指定したメモリ動作の指示があるとき双方のメモリバンクのメモリ動作を並列に開始させる並列動作とを制御可能である。 - 特許庁
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