「crystallization process」を含む例文一覧(266)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 次へ＞- By applying a crystallization accelerating process (e.g., a process for keeping the temperature zone at ±20°C of the temperature wherein the crystallization speed is highest) at an arbitrary time, the degree of crystallinity of the surface layer part 102 of the molded article 100 and/or the overall molded article can be increased.
任意の時期に結晶化促進処理（例えば、結晶化速度が最も高い温度±２０℃の温度域に保持する処理）を施すことにより、成形体１００の表層部１０２及び／又は成形体全体の結晶化度を向上させることができる。 - 特許庁 - After forming a semiconductor film 100 made of an amorphous silicon film on a substrate 50 formed of glass or the like with a low-temperature process (film-forming process), lamp annealing is performed to thereby make the film 100 polycrystalline (crystallization process).
ガラス製等の基板５０上に低温プロセスで非晶質シリコン膜からなる半導体膜１００を形成した後（成膜工程）、ランプアニールを施して半導体膜１００を多結晶化させる（結晶化工程）。 - 特許庁 - This method is such as to make it possible to improve the speed of an oil-and-fat crystallization by subjecting an oil-in-water emulsion to crystallization under a pressure, thereby enable the cream to be continuously aerated even without an aging process to efficiently produce whipped cream.
水中油型エマルションを加圧晶析することで油脂の晶析速度が速くなり、熟成を行わなくても連続的に含気を行うことが可能となり、ホイップドクリームを効率良く生産することが可能となる。 - 特許庁 - To provide a mask for crystallization capable of reducing unevenly crystallized regions and achieving a decrease in process time, and to provide a method using the mask for amorphous silicon crystallization and a method using the same for manufacturing an array substrate.
不均一な結晶領域を減少させて工程時間を短縮することができる結晶化用マスクとこれを利用した非晶質シリコンの結晶化方法及びアレイ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - An appropriate crystallization of the first ferromagnetic layer in a high temperature annealing process is thereby promoted to obtain high MR ratio.
これにより、高温アニール処理における第１強磁性層の適切な結晶化を促進することができ、高いＭＲ比を実現する。 - 特許庁 - To provide a process for producing a polyhydroxy-carboxylic acid without causing blocking of its pellets, which comprises a crystallization step and a solid phase polycondensation step.
ペレットのブロッキングが発生せず、結晶化工程と固相重縮合工程を含むポリヒドロキシカルボン酸の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To improve throughput, when carrying out crystallization of a semiconductor film by a laser and to improve a process margin in a process for producing a liquid crystal display device which is integrated with peripheral circuits.
周辺回路を一体化した液晶表示装置の製造方法に関し、レーザによる半導体膜の結晶化を行う際のスループットを向上し、プロセスマージンを向上すること。 - 特許庁 - More specifically, for example the temperature of the process atmosphere is raised at a temperature required for crystallization, thereafter the substrate with the semiconductor film 104 formed thereon is input into the process atmosphere.
より具体的には、例えば、あらかじめ処理雰囲気の温度を結晶化に必要な温度まで上昇させた後、半導体膜が形成された基板を上記処理雰囲気に投入する。 - 特許庁 - An intense electric field drift layer 6 is formed by applying a nano-crystallization process and an insulation film formation process to parts overlapping the lower electrodes 12 of the polycrystalline silicon layer 3a (fig. (d)).
多結晶シリコン層３ａのうち下部電極１２に重なる部分にナノ結晶化工程、絶縁膜形成工程を施すことにより強電界ドリフト層６を形成する（図１（ｄ））。 - 特許庁 - To provide a mouth cylindrical part thermal crystallization treatment process high in productivity and a biaxial stretch blow molding process by developing a thermal crystallization treatment method using an inverted transport type tool capable of obtaining the mouth cylindrical part of a preform having high dimensional precision.
寸法精度の高いプリフォーム口筒部を得ることができる倒立運搬型の治具による熱結晶化処理方法を創出することを課題とし、もって生産性の高い口筒部熱結晶化処理工程、そして２軸延伸ブロー成形工程を提供することを目的とする。 - 特許庁 - When the method is applied to the salt water generated in a gas treatment system upon gasification reforming of waste under a reductive atmosphere, an Fe removal process, a Zn removal process, a salt water concentration process and a salt crystallization/separation process are provided prior to the ion exchange treatment.
この発明を廃棄物を還元性雰囲気下でガス化改質処理した際にガス処理系で発生する塩水に適用する場合には、イオン交換処理の前に、Ｆｅ除去工程、Ｚｎ除去工程、塩水濃縮工程、塩晶析・分離工程を設ける。 - 特許庁 - To prevent a diaphragm from being deformed or an anodic joint to a channel substrate from peeling off in a film formation/crystallization process of a piezoelectric element.
圧電膜の成膜・結晶化工程において振動板が変形したり流路基板との陽極接合部が剥がれたりするのを防ぐ。 - 特許庁 - To provide a process for preparing a block copolymer of an aromatic polyester with polylactic acid which excels in the rate of crystallization.
本発明の目的は、結晶化速度に優れた、芳香族ポリエステルとポリ乳酸とのブロックコポリマーを製造する方法を提供することにある。 - 特許庁 - Impurities often precipitate in addition to a desired product during the crystallization process since these impurities are present at high concentrations surpassing the solubility limit.
結晶化のプロセスの過程で、溶解限界を超える高い濃度で存在するために、目的生成物の他に不純物が析出することがある。 - 特許庁 - Although the crystallized product synthesized by the hydrothermal crystallization process contains Q (tetraalkylethylenediamine), Q disappears if it is dehydrated and burned.
水熱合成法によって合成された結晶化生成物はQ（テトラアルキルエチレンジアミン）を含有するがそれを脱水、加焼することでQは消失する。 - 特許庁 - Then the amorphous silicon is scan-irradiated with a beam pattern 16 in a second scanning direction 15 different from the first scanning direction 12 by 90° (a second crystallization process).
次に、第１のスキャン方向１２と９０°異なる第２のスキャン方向１５にビームパターン１６をスキャン照射する（第２の結晶化工程）。 - 特許庁 - To provide a process for preparing a celecoxib-crystallization inhibitor composite wherein at least a detectable amount of celecoxib is in amorphous form.
少なくとも検出可能な量のセレコキシブが無定形形態であるセレコキシブ-結晶化阻害剤複合物を製造する方法が提供される。 - 特許庁 - To avoid a grain boundary in the direction perpendicular to current in crystallization due to laser annealing in a manufacturing process of a policrystalline silicon FET.
多結晶シリコンＴＦＴの製造プロセス中でレーザーアニールによる結晶化における電流と垂直方向の粒界の生成を回避する。 - 特許庁 - The crude vinylene carbonate is purified by a crystallization process with a solvent selected from a polar solvent, an aromatic compound solvent and an aliphatic hydrocarbon solvent and a distillation process in combination.
粗ビニレンカーボネートを極性溶媒、芳香族化合物溶媒および脂肪族炭化水素溶媒から選択される溶媒を用いた晶析工程および蒸留工程を組み合わせて精製する。 - 特許庁 - A semiconductor film 100 consisting of an amorphous silicon film is formed by a low-temperature process on a substrate 50 made of glass or the like, laser annealing is made, and the semiconductor film 100 is polycrystallized (crystallization process).
ガラス製等の基板５０上に低温プロセスで非晶質シリコン膜からなる半導体膜１００を形成した後、レーザアニールを施して半導体膜１００を多結晶化させる（結晶化工程）。 - 特許庁 - Then, nano-crystallization process is conducted by using an electrolyte comprising a mixed solution of hydrogen fluoride aqueous solution and ethanol and oxidization process is conducted to form a second composite nano-crystalline layer 6a.
その後、フッ化水素水溶液とエタノールとの混合液よりなる電解液を用いたナノ結晶化プロセスを行い、酸化プロセスを行うことで第２の複合ナノ結晶層６ａを形成する（図１（ｃ））。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a field emission type electron source capable of extending its service life by considering a condition in a nano-crystallization process.
ナノ結晶化処理の際の条件を考慮することにより、長寿命化を可能とした電界放射型電子源の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a resin composition improved in crystallization rate during a melt process while using highly environment-conformable plant-derived materials.
環境適合性に優れた、植物由来の原料を用いながら、溶融加工時の結晶化速度が向上した樹脂組成物を提供すること - 特許庁 - The diffusion of a substance between the first and second chambers 18 and 19 in a crystallization process is performed through the through-holes 32 of the partition plate 13.
結晶化の過程における第１室１８と第２室１９との間での物質の拡散は、仕切り板１３の貫通孔３２を介して行われる。 - 特許庁 - To introduce a flux pinning point into an oxide superconductor while controlling water vapor partial pressure in a temperature rising process in crystallization heat treatment.
結晶化熱処理の昇温過程において水蒸気分圧を制御するとともに、酸化物超電導体中に磁束ピンニング点を導入する。 - 特許庁 - A process for forming a clean oxide film after forming an amorphous silicon film without forming a native oxide on the surface thereof and completing crystallization of silicon is employed.
非晶質シリコン成膜後にその表面に自然酸化膜を形成させず、クリーンな酸化膜を形成し、シリコンの結晶化を完了するプロセスを採用する。 - 特許庁 - To provide a method which enables to assure the crystallization of an amorphous silicon film only at the portion where a catalyst element is introduced, and to simplify process.
非晶質シリコン膜に触媒元素の導入された場所のみを確実に結晶化し、かつ工程を簡略化できる方法を提供することにある。 - 特許庁 - As a result, with a band-shaped crystal grain 13 formed in the first crystallization process as a seed, the diameter of crystal grain is expanded in the second scanning direction 15.
その結果、第１の結晶化工程で形成された帯状結晶粒１３を種にして、第２のスキャン方向１５に結晶粒径が拡大する。 - 特許庁 - An amorphous silicon 10 is scan-irradiated with a beam pattern 11 including a plurality of recessed patterns 11a in a first scanning direction 12 (a first crystallization process).
非晶質シリコン１０に、複数の凹パターン１１ａを含むビームパターン１１を、第１のスキャン方向１２にスキャン照射する（第１の結晶化工程）。 - 特許庁 - Further, by selectively performing the crystallization process by the continuous oscillation laser only to the circuit block requiring a high- speed operation, high production efficiency is realized.
さらに、連続発振レーザによる結晶化プロセスを、高速動作が必要な回路ブロックのみに選択的に行うことによって、高い生産効率を実現する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor thin film, capable of obtaining a semiconductor thin film having a high crystallization ratio by a simple process and preventing mixing of impurities.
簡易な工程で結晶化率の高い半導体薄膜を得ると共に，不純物の混入を防止する半導体薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To recycle a part of a hydroxyapatite crystal discharged in a crystallization process of waste water containing fluorine or phosphorus as a seed crystal.
フッ素又はリン含有排水の晶析工程において排出するヒドロキシアパタイト結晶の一部を種晶として再利用することを目的としている。 - 特許庁 - The process for the preparation of vancomycin hydrochloride contains a step to culture and ferment the variant and a step to perform the filtration, purification and crystallization of the fermentation product.
当該変異株を培養させて醗酵させる工程、濾過、精製、結晶化する工程を包含する、塩酸バンコマイシンを調製するためのプロセス。 - 特許庁 - To easily separate impurities in a process for producing (meth)acrylic acid, without making difficult the crystallization of (meth)acrylic acid to be carried out successively.
（メタ）アクリル酸の製造方法において、続いて行なわれる（メタ）アクリル酸の結晶化を困難とすることなく不純物を容易に分離させること。 - 特許庁 - To provide a crystallization method for a film, where an end point is set in a point in which an amorphous region disappears completely by monitoring a crystallization process or a uniform ferroelectric characteristic is provided in an region of a ferroelectric film on a substrate.
結晶化過程をモニターしアモルファス領域が完全に消滅したところで終点とする、あるいは基板上の強誘電体成膜のどの領域でも一様な強誘電特性を有する成膜の結晶化方法を提供することにある。 - 特許庁 - The amorphous silicon film 102 is formed on an insulating substrate 101, the metal element 103 (nickel) that promotes the crystallization is added to the amorphous silicon film 102, and then the crystallization heating process is carried out in non-oxidation gas that is adjusted to have an oxygen concentration of a process chamber atmosphere of 1000 ppm or below.
絶縁基板１０１上にアモルファスシリコン膜１０２を形成し、結晶化を助長する金属元素（ニッケル）１０３をアモルファスシリコン膜１０２に添加した後、処理室雰囲気の酸素濃度が１０００ｐｐｍ以下となるように調節された非酸化性ガス中で結晶化加熱処理を行なう。 - 特許庁 - In a process for producing an inorganic phosphor by reducing and baking a raw material mixture for an inorganic phosphor, the reducing and baking process involves a crystallization step and a reduction step so that the baked material is obtained through the reduction step after the crystallization step.
無機蛍光体の原料混合物を還元焼成して焼成物を得る無機蛍光体の製造方法において、該還元焼成が結晶化工程と還元工程を別々に有し、結晶化工程の後に還元工程を経て該焼成物を得ることを特徴とする無機蛍光体の製造方法。 - 特許庁 - The arsenic removing method includes a mixing process for mixing the arsenic-containing substance with an acidic water solution containing an iron ion, a crystallization-promotion process for promoting generation and crystallization of amorphous iron arsenate by heating the liquid mixture and applying an ultrasonic wave thereto, and a filtering process for filtering the liquid mixture and removing crystallized iron arsenate.
砒素除去方法は、砒素含有体と鉄イオンを含む酸性水溶液とを混合する混合工程と、混合した混合液を加温するとともに混合液に超音波を印加して、非晶質の砒酸鉄の生成と非晶質の砒酸鉄の結晶化とを促進する結晶化促進工程と、混合液をろ過して結晶化した砒酸鉄を除去するろ過工程とを含んでいる。 - 特許庁 - Accordingly, it is possible to take over a value added in a semiconductor device manufacturing process in at least a process to single crystallization to manufacturing of a solar battery, thus realizing great reduction of a cost.
これにより、少なくとも単結晶化に至るまでの工程において半導体デバイス製造工程にて生じた付加価値を、太陽電池製造に引き継ぐことが可能となり、大幅なコスト削減を実現できるようになる。 - 特許庁 - To provide a measurement method and measurement system for measuring crystallization interface of a semiconductor single crystal in an initial stage of a cone part forming process for enlarging the crystal diameter from a seed necking process of an FZ (Floating Zone) method, and to provide a control method and a control system.
ＦＺ法の種絞り工程から結晶径を拡大するコーン部形成工程初期における半導体単結晶の晶出界面の測量方法、測量システム、制御方法、制御システムを提供する。 - 特許庁 - The invention is composed of a hydroxyapatite sintered compact obtained by sintering raw material powder including hydroxyapatite powder by a discharge plasma sintering process, and its crystallization degree by an X-ray process is 35 to 90%.
ハイドロキシアパタイト粉末を含む原料粉末が放電プラズマ焼結法により焼結されてなり、且つ、Ｘ線法による結晶化度が35〜90％であるハイドロキシアパタイト焼結体により上記課題を解決することができる。 - 特許庁 - To provide a crystallization equipment which carries out an initial crystallization which will not cause the breakage of peeling etc. near a phase-change material in an element preparing process, concerning the phase-change material for a phase-change non-volatile memory cell, and stabilizes its characteristics since the initiation of rewriting.
相変化不揮発性メモリセル用の相変化材料に関し、素子作成プロセス中に前記相変化材料近傍において剥離などの破壊を生じさせない初期結晶化を行い、書き換えの初期から特性を安定させる結晶化装置を提供する。 - 特許庁 - As it is not necessary to leave water for hydration while removing a solvent used for crystallization unlike conventional methods, the control of the drying process can be quite easy.
従来の方法に比べて結晶化に使用した溶媒を除去しつつ水和水を残す必要がないため、乾燥工程の管理を極めて容易にすることが可能である。 - 特許庁 - To provide a deposited film structure having a deposited film formed on a substrate by an aerosol deposition process, in which the peeling of the film caused by heat treatment for promoting crystallization is prevented.
エアロゾルデポジション法によって基板に堆積膜を形成した堆積膜構造物において、結晶化を促進するための熱処理による膜の剥離を防ぐ。 - 特許庁 - To provide a phase change type optical recording medium, which necessitates no initial crystallization process and, in addition, has the favorable storage characteristics of a recorded mark kept under an amorphous state after being recorded.
初期結晶化工程を必要とせず、しかも記録後のアモルファス状態にある記録マークの保存特性が良好な相変化型光記録媒体を提供する。 - 特許庁 - This method for producing the cis-4-alkylcyclohexylamine comprises a process of mixing (I) the cis/trans form-mixed material with (II) an acid in a solvent used for crystallization to form (III) an acid adduct salt and then crystallizing.
（Ｉ）のシス／トランス体混合物と（ＩＩ）の酸とを晶析溶媒中で混合し、（ＩＩＩ）の酸付加塩を形成させ、晶析させる工程を含む製造方法。 - 特許庁 - To form a ferroelectric film in a bismuth layer structure by using low temperature crystallization in the MOCVD process.
ＭＯＣＶＤ法を用いて強誘電体膜を形成する方法において、低温で結晶化することによりビスマス層状構造を有する強誘電体膜を形成する。 - 特許庁 - Further, the colloidal dispersion set at the temperature at which the colloidal crystal is not precipitated is partially set to a temperature at which the colloidal crystal is precipitated (a crystallization starting process).
さらに、コロイド結晶が析出しない温度に設定されたコロイド分散液に対し、局所的に該コロイド結晶が析出する温度に設定する（結晶開始工程）。 - 特許庁 - To provide a crystalline methacrylic resin foam having a high degree of crystallization and excellent solvent resistance by a simple process, the resin foam being applicable to molded products of any shape.
適用し得る成形品の形状に制限がなく、簡単な方法で、結晶化度が高く、且つ優れた耐溶剤性を有する結晶性メタクリル樹脂発泡体を提供する。 - 特許庁 - A first composite nano-crystalline layer 4 in which many grains of the polycrystalline silicone and many silicon crystallites are mixed is formed by a nano-crystallization process [Fig. (c)].
ナノ結晶化プロセスにより多結晶シリコンの多数のグレインと多数のシリコン微結晶とが混在する第１の複合ナノ結晶層４を形成する（図１（ｃ））。 - 特許庁
